「vacuum processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for cleaning the substrate processing device carries out processes of: stopping supplying a processing gas from a processing gas supply mechanism 102; stopping the turbo molecular pump 103; and removing the deposits sticking in the turbo molecular pump 103 by heating the turbo molecular pump 103 with a heating mechanism 107 while lowering exhaust-side pressure of the turbo molecular pump 103 by driving a vacuum pump 104.例文帳に追加

処理ガス供給機構１０２からの処理ガスの供給を停止する工程と、ターボ分子ポンプ１０３を停止する工程と、真空ポンプ１０４を駆動してターボ分子ポンプ１０３の排気側圧力を低下させつつターボ分子ポンプ１０３を加熱機構１０７によって加熱してターボ分子ポンプ１０３内に付着した付着物を除去する除去工程とを実施する。 - 特許庁

To suck and collect toxic liquid, such as blood infected with pathogenic bacteria, and fluid substances containing solid substances, such as vomited substances, with a liquid-fluid substance processing filter unit removably/attachably attached to an end part of a suction hose of a vacuum cleaner or a suction apparatus and then to perform incineration or sterilizing processing of the whole liquid-fluid substance processing filter unit or abandon it.例文帳に追加

病原菌に汚染された血液等の有害な液体、嘔吐物等の固形物を含む液状物を、電気式掃除機、または吸引装置の吸引ホースの先端部に、着脱自在に取付けられた液体・液状物処理フィルタユニットで吸引して捕集し、然る後、液体・液状物処理フィルタユニット全体を焼却または殺菌処理、あるいは廃棄処分する。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus which efficiently layers various types and thicknesses of films with high reliability, is downsized by inhibiting the apparatus from upsizing due to increase of the number of film-forming chambers incident to the increase and complexity of processing steps, and thereby copes with various production processes.例文帳に追加

さまざまな種類、厚さの膜を効率よくかつ信頼性高く積層すること、処理工程の増加、複雑化にともなう成膜室数の増加によって装置が大型になるのを抑えて製造装置の小型化をはかること、これにより多様な生産工程に対応可能な真空処理装置を得る。 - 特許庁

To reduce contamination from the atmosphere when opening a container, shorten time of vacuum exhaust, and accordingly shorten a manufacturing time of an electron source or the like, in a substrate processing method to form an air-tight atmosphere with a substrate and the container covering the substrate, and to apply a prescribed processing to the substrate in the air-tight atmosphere.例文帳に追加

基板と当該基板を覆う容器とで気密雰囲気を形成し、当該気密雰囲気下にて基板に所定の処理を施す基板処理方法において、容器を開放したときの大気からの汚染を低減し、真空排気の時間の短縮を図り、もって電子源等の製造時間を短縮する。 - 特許庁

This processor transfers the mask between a mask supplying section held at atmospheric pressure and a decompressed or vacuum processing chamber, and has a transfer means which sucks and holds the protective mechanism 100 for protecting a pattern surface PT in a non-contact manner, and transfers the mask MK held by the protective system between the mask supplier and the processing chamber.例文帳に追加

大気圧に維持されたマスク供給部と減圧または真空の処理チャンバとの間でマスクを搬送する処理装置であって、パターン面ＰＴを非接触に保護する保護機構１００を吸着し、保護機構に保持されたマスクＭＫをマスク供給部と処理チャンバとの間で搬送する搬送手段とを有する。 - 特許庁

A metallic coating process is preferably carried out in an integrated processing system that includes both PVD and CVD processing chambers so that once the substrate is introduced into a vacuum environment, the metallic coating of the vias and contacts can be carried out without the formation of an oxide layer over the CVD Al layer.例文帳に追加

金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、ＰＶＤおよびＣＶＤ処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、ＣＶＤによるＡｌ層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 - 特許庁

To dry at a low cost in a short time, while processing a gelatinizing, lumping or sticking phenomenon characteristic of a food waste occurring in vacuum drying to be conducted, while heating industrial waste containing a moisture or particularly food waste.例文帳に追加

水分を含んだ産業廃棄物、とくに食品廃棄物を加熱しながら行う真空乾燥で発生する、食品廃棄物特有の糊状化、だんご状化、こびり付き現象を処理しながら、短時間、かつ低コストで乾燥させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for film deposition of a zinc oxide thin film capable of easily controlling the crystallite size without being affected by the change in the state in a vacuum processing chamber when depositing the zinc oxide thin film by a sputtering method.例文帳に追加

スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の状態の変化に左右されず、容易に結晶子サイズを制御することのできる酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

An operation unit 4 is detachably connected to a drive control unit 3, and the drive control unit 3 is operated by a device controller 11 when being mounted on a vacuum processing device 1, to thereby dispense with the operation unit 4.例文帳に追加

操作ユニット４は駆動制御ユニット３に着脱可能に接続されており、真空処理装置１に搭載する場合には、駆動制御ユニット３は装置コントローラ１１により操作されるので操作ユニット４を必要としない。 - 特許庁

To provide the substrate holder of a vacuum process device for processing a substrate to hold the substrate so that a gap between the substrate and the substrate holder can be within a predetermined range, and to prevent the deterioration of gas cooling effects to the substrate.例文帳に追加

基板の処理を行う真空プロセス装置の基板ホルダにおいて、基板と基板ホルダとのギャップが所定の範囲内になるように基板を保持し、基板に対するガス冷却効果の低下を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a vacuum processing system which can be protected against contamination during maintenance work while enhancing the work efficiency and in which the rate of operation can be enhanced, and to provide its maintenance system and maintenance method.例文帳に追加

メンテナンス時に装置の汚染を防止することができ、メンテナンスの作業効率を向上させることができ、装置の稼働率を向上させることができる真空処理装置、そのメンテナンスシステム、及びそのメンテナンス方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, the inflow of air from the outside can be suppressed when the vacuum pump P1 is abnormally stopped and so on, and thereby a necessary countermeasure such as the maintenance of a work in processing can be taken before air pressure in the process chamber P is raised.例文帳に追加

又、排気ポンプＰ１が異常停止したときなど、外部からの大気の流入を抑制することができるので、プロセス室Ｐの気圧が上昇する前に、処理中のワークの保全などの必要な措置を講ずることができる。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus and a method therefor for cleaning the inside of exhaust piping easily without requiring a large-scale work and for forming deposited films of extremely excellent quality with sufficient productivity.例文帳に追加

大掛かりな作業を伴うことなく、容易に排気配管内のクリーニングを行うことができ、極めて優れた品質の堆積膜を生産性良く形成することが可能な真空処理装置及び真空処理方法を提供する。 - 特許庁

To suppress lowering of vacuum degree due to temperature rise of cooling water, and reduce a quantity of sealing water for cooling the inside of a casing of a roots blower, in a suction processing device equipped with a multi-stage roots blower.例文帳に追加

多段式ルーツブロワーを備えた吸引処理装置において、冷却水の温度上昇による真空度の低下を抑制することができるとともに、ルーツブロワーのケーシング内部を冷却するための封水の量を削減すること。 - 特許庁

A shield 46 in a PVD (physical vapor deposition) vacuum processing chamber 30 is constituted so that generation of particles due to peeling off from the shield 46 and from arcing between a biased target and surrounding grounded pieces is reduced or prevented.例文帳に追加

シールド４６からおよび、バイアスのかかったターゲットと周囲の接地部材との間のアークからの剥離による粒子の発生を低減または防止する構成を有する、ＰＶＤ真空プロセスチャンバ３０内のシールド４６を開示する。 - 特許庁

To reduce electric charges on the surface of a substrate accompanying ion beam irradiation, without deteriorating the vacuum level in a beam line or a substrate processing chamber, by generating a large number of low energy electrons and utilizing them for neutralization.例文帳に追加

ビームラインや基板処理室の真空度悪化を惹き起こすことなく、低エネルギーの電子を大量に発生させてそれを中和に利用して、イオンビーム照射に伴う基板表面の帯電を小さく抑えることができるようにする。 - 特許庁

This plasma apparatus includes particle removing electrodes 40 consisting of a negative voltage-applied conductor around a processing electrode 20 in a vacuum treatment chamber 10 of the plasma apparatus and a thin surface insulator for covering the surface of the conductor.例文帳に追加

プラズマ装置の真空処理室１０内の加工電極２０の周囲に、負の電圧が印加される導電体と、当該導電体の表面を覆う薄い表面絶縁物とからなるパーティクル除去電極４０を配置する。 - 特許庁

A thermal processing apparatus 1 comprises: a cylindrical reaction tube 3; a boat 5 for loading a wafer W to hold it; a heater 2 installed at an outer periphery of the reaction tube 3; and a vacuum insulating layer formation body 10 installed at an outer periphery of the heater 2.例文帳に追加

熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。 - 特許庁

When a stand-by time is completed and ignition of the plasma is completed, the control part 85 opens the opening/closing valve 73 of the gas transport part 70 and closes the opening/closing valve 84 of the bypass part 80, and the gas passage is on a vacuum processing chamber 30 side.例文帳に追加

待ち時間が終了しプラズマの点火が完了した場合、制御部８５は、ガス輸送部７０の開閉バルブ７３は開き、バイパス部８０の開閉バルブ８４を閉じて、ガス流路を真空処理室３０側とする。 - 特許庁

The inside of a vacuum reaction chamber is separated up and down by a grounded conductive partition plate 14, with an upper side than the partition wall plate serving as a plasma discharge space 15 and a lower side than the partition wall plate serving as a substrate processing space 16.例文帳に追加

真空反応室内が、接地されている導電性の隔壁板１４によって上下に分離され、当該隔壁板より上側がプラズマ放電空間１５、当該隔壁板より下側が基板処理空間１６となる。 - 特許庁

The end of etching can be stably detected without reducing the passing quantity of plasma light, even if a product produced by an etching reaction is deposited on the inside of the vacuum processing chamber, by detecting the plasma light passing through a base material layer 61.例文帳に追加

基体層６１を透過するプラズマ光を検出することによって、エッチング反応生成物が真空処理室１内に付着しても、プラズマ光の透過光量が低下すること無く、安定した終点検出を行なう。 - 特許庁

To provide a vacuum processing system and a purging method which allow workers to carry out purging work efficiently in a short time without spoiling their safety and reduce an amount of consumption of an inert gas.例文帳に追加

作業者の安全性を損なうことなく、効率よく短時間でパージ作業を行なうことができ、さらに不活性ガスの消費量も低減することができる真空処理装置及びそのパージ方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The hybrid monolayered carbon nanotube, which includes the dopant substance in the monolayered carbon nanotube, is made by keeping the monolayered carbon nanotube with a perforation and the dopant substance under vacuum pressure at the processing temperature as the dopant substance changes to a vapor.例文帳に追加

開孔を有する単層カーボンナノチューブとドーパント物質を、真空減圧下で、ドーパント物質が蒸気となる処理温度に保持することで、ドーパント物質が単層カーボンナノチューブに内包されたハイブリッド単層カーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁

In order to sustain excitation of plasma P, pressure in a vacuum chamber 22 is controlled in the processing of changing the gas flow rate when a transition is made from formation of the amorphous Si layer to formation of the microcrystalline Si layer.例文帳に追加

プラズマＰの励起を継続させるために、アモルファスＳｉ層の形成処理から微結晶Ｓｉ層の形成処理に遷移するガス流量を変更する処理において、真空チェンバー２２内の圧力が制御されている。 - 特許庁

This plasma processing apparatus includes an upper electrode 3 which is installed in a vacuum chamber 2 and which can hold a substrate 10, a gas supply port 14 installed so that it may counter with the upper electrode 3 in the vacuum chamber 2, and a lower electrode 4 having gas suction ports (gas suction ports 24a and 24b) of the number more than the number of the gas supply ports 14.例文帳に追加

このプラズマ処理装置は、真空チャンバ２内に設置され、基板１０を保持することが可能な上部電極３と、真空チャンバ２内に上部電極３と対向するように設置され、ガス供給口１４と、ガス供給口１４の数よりも多くの数のガス吸引口（ガス吸引口２４ａおよび２４ｂ）とを有する下部電極４とを備えている。 - 特許庁

This laser device for processing a work while laser lights oscillated from an excimer laser oscillator 1 are radiated on a processed face of a work (member to be processed), is equipped with a gas supplying device 10 and a gas spraying nozzle 18 for spraying nitrogen gas near the processed face of the work, and a vacuum device 11 and a vacuum nozzle 19 for vacuuming gas such as air near the processed face of the work.例文帳に追加

エキシマレーザー発振器１から発振されたレーザー光をワーク（被加工部材）の被加工面に照射させてワークを加工するレーザー加工装置には、ワークの被加工面近傍に窒素ガスを吹き付けるガス供給装置１０およびガス吹付けノズル１８と、ワークの被加工面近傍における空気等の気体を吸引するバキューム装置１１およびバキュームノズル１９が備えられている。 - 特許庁

The wafer processor includes a transfer chamber 10 which is vaccumized for exhaustion and has a plurality of gate valves, a plurality of vacuum processing chambers 20, 30, and 40 which can severally communicate with the transfer chamber through any one of the plural gate valves, and a load lock chamber 50 which is possible of vacuum exhaustion and in which a first gas supply line for supplying oxygen-containing gas is coupled to it.例文帳に追加

ウェーハ処理装置は、真空排気され、複数のゲート弁を有するトランスファチャンバ１０と、複数のゲート弁のうち何れか１つを通じて各々トランスファチャンバと連通可能な複数の真空処理チャンバ２０，３０，４０と、真空排気が可能であり、内部に酸素含有ガスを供給するための第１ガス供給ラインが連結されているロードロックチャンバ５０とを含む。 - 特許庁

To overcome the problem that when an electrostatic chunk made of sprayed ceramic which is subjected to sealing processing by a silicon resin is used to apply high frequency power to a wafer in a high vacuum area (for example 100m Torr) for plasma processing, as the applied time of high frequency power, extends surface temperature of the wafer under plasma processing gradually drops lower than the initial surface temperature with time.例文帳に追加

シリコーン樹脂によって封孔処理を行ったセラミック溶射製の静電チャックを用いて高真空領域（例えば、１００ｍＴｏｒｒ）で高周波電力を印加してウエハＷのプラズマ処理を行っていると、図７の に示すように高周波電力の印加時間が長くなるに連れてプラズマ処理中のウエハ表面温度が初期の表面温度から経時的に徐々に低下する。 - 特許庁

Moreover, while a third and fourth gate valve 8, 103 are opened wide, the internal pressure of the middle passage 102 carries out a forcible gas exhaust with a fourth vacuum pump 105, so that it may be always controlled by lower pressure than the internal pressure of conveyance chamber 4 and the processing chamber 5.例文帳に追加

そして、中間通路１０２の内部圧力は、第３，４ゲートバルブ８，１０３が開放している間は、常に、第４真空ポンプ１０５で強制排気することで、搬送室４および処理室５の内部圧力よりも低圧に制御される。 - 特許庁

The load/unload chamber 11 can be switched between a state released to atmosphere and a vacuum enclosed state, and it is provided with conveying equipment 110 having a plurality of systems of conveyance line which can be switched for the processing chambers 12 and 13.例文帳に追加

ロード／アンロード室１１は、大気開放と真空密閉とを切り換え可能であり、ロード／アンロード室１１には、処理室１２，１３に対して切り換えることができる複数系統の搬送ラインを有する搬送装置１１０が設けられている。 - 特許庁

The conductive film is formed by adhering and stacking the metal micro-thread array unit in a prescribed thickness in a vacuum environment by the use of surface processing and a mechanical healing technique, and the conductive film is cut into required dimensions by the use of an energy beam, such as laser beam, ion beam and plasma beam.例文帳に追加

真空環境下で表面処理と機械治癒技術により、金属マイクロ線アレイユニットを所定厚さに接着、堆積し、導電膜を形成し、レーザー、イオンビーム或いはプラズマ等のエネルギービームで該導電膜を必要なサイズに裁断する。 - 特許庁

Cassette chambers 3A and 3B are airtightly connected to each of the side walls 23 and 24 of the carrying chambers 2 in a polygonal airtight structure in a plane view, and one set each of the vacuum processing chambers 4A-4F are airtightly connected to the other side walls 25-27, respectively.例文帳に追加

平面的に見たときに多角形をなす気密構造をなす搬送室２の一の側壁２３，２４にカセット室３Ａ、３Ｂを気密に接続し、他の各側壁２５〜７には夫々一組ずつの真空処理室４Ａ〜４Ｆを気密に接続する。 - 特許庁

To provide a technique concerning a method for successfully cleaning the inside of an air suction pipe that sucks gas from a processing chamber by use of a vacuum pump, with respect to a cleaning method for a film forming device or a crystal growing device carrying out a process under a reduced pressure.例文帳に追加

減圧下で処理を行う成膜装置又は結晶成長装置のクリーニング方法に係り、処理室から真空ポンプによりガスを吸気する吸気配管内のクリーニングを良好に行うようにしたクリーニング方法に関する技術である。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus having improved reliability and durability by minimizing change of a gap produced in a bending portion of a feeding connector, and preventing or suppressing generation of a reflected wave of high frequency power flowing through the feeding connector.例文帳に追加

給電コネクタの屈曲部に生じる隙間の変化を最小限に抑え、給電コネクタを流れる高周波電力の反射波発生を防止または抑制して、信頼性や耐久性を向上させた真空処理装置を提供する。 - 特許庁

To efficiently, safely and smoothly convey in/out a substrate by roller conveyance and to suppress a transfer mark of a substrate contact part from remaining on a coating film formed on the substrate as minimum as possible while supporting the substrate by a pin with an arbitrary thickness during vacuum drying processing.例文帳に追加

コロ搬送により基板の搬入出を効率よく安全かつスムースに行い、減圧乾燥処理中に任意の太さのピンで基板を支持しつつ基板上の塗布膜に基板接触部の転写跡が付くのを可及的に抑える。 - 特許庁

An etching gas 13 is supplied from the top of a vacuum container 1, in which a processing substrate 3 is set, and after diffused by an auxiliary diffusing plate 21 having plural gas channels, the gas is further made uniform by an upper electrode 20 having plural gas distributing channels.例文帳に追加

エッチングガス１３は、処理基板３をセットした真空容器１の上部より供給され、複数のガス経路を有する拡散補助板２１で分散した後、さらに複数のガス分散流路を有する上部電極２０により均一化される。 - 特許庁

To provide a heating assembly which is used for rapid thermal processing a semiconductor substrate, hardly deteriorated in performance even when operated in a vacuum, and capable of keeping an optimal output in accordance with controlling a substrate temperature much better.例文帳に追加

半導体基板の急速熱処理で使用される加熱アセンブリであって、真空中で動作した場合であってもヒータアセンブリの劣化がなく、基板の温度をよりよく制御しながら最適の出力を維持できる加熱アセンブリを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc.例文帳に追加

高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As a result, there can be realized a semiconductor device manufacturing method and apparatus in which the amount of deposition on a film in the processing chamber and the condition thereof can be measured from outside of the chamber while not hindering the vacuum condition of the chamber.例文帳に追加

これにより、処理室内における堆積膜の付着量や状態を処理室の真空状態を阻害することなく処理室の外から測定することが可能な、半導体デバイスの製造方法及び製造装置を実現することができる。 - 特許庁

The method includes a process of forming a collecting layer 12 on a resin layer 11 in vacuum processing, and a process of forming an active material layer 13 on the collecting layer 12 by injecting an active material together with carrier gas into the collecting layer 12.例文帳に追加

真空プロセスによって樹脂層１１の上に集電層１２を形成する工程と、集電層１２に対して活物質をキャリアガスと共に噴射することにより、集電層１２上に活物質層１３を形成する工程とを包含する。 - 特許庁

When processing the wafer W, the wafer W is turned by means of the vacuum chuck 1.例文帳に追加

基板周縁処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するバキュームチャック１と、このバキュームチャック１に保持されたウエハＷの周縁部および周端面から銅薄膜を除去するためのレーザ光を照射する光エッチング装置２とを備えている。 - 特許庁

In the vacuum processing apparatus provided with a means to exhaust the inside of a reaction vessel through exhaust piping, a deposition- preventing member and plasma leakage prevention member attachable to and detachable from the exhaust piping is provided inside the exhaust piping.例文帳に追加

前記反応容器内から排気配管を介して排気する排気手段を備えた真空処理装置において、前記排気配管内部に、該排気配管に対して着脱可能な防着部材及びプラズマ漏れ防止部材を設けるように構成する。 - 特許庁

To provide a substrate processing technique which accurately measures temperatures of an overall substrate in vacuum, and can attain temperature distribution management required to give a uniform temperature distribution on the entire surface of a substrate, and temperature control of the substrate based on the measurement result.例文帳に追加

真空中で基板全体の温度を正確に測定しその測定結果に基づいて、基板全面で均一な温度分布を与えるための温度分布の管理と、基板の温度制御と、が可能な基板処理技術を提供すること。 - 特許庁

A processing electrode device which is placed on an electrode 2 to process a texture in a vacuum atmosphere comprises an electrode integrating a magnet configured so that the magnetic line can be at least 45° relative to the surface of a silicon spherical body 14.例文帳に追加

電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。 - 特許庁

Out of a pair of chambers of the batch type vacuum processing apparatus 11 provided with the pair of chambers vertically constituted so as to be connected in the vertical direction, the upper chamber is used as a heat chamber 13 and the lower chamber is used as a process chamber 12.例文帳に追加

上下方向に連通可能となるように縦型に構成される一対のチャンバを備えるバッチ式真空処理装置１１の一対のチャンバのうち、上側チャンバを加熱チャンバ１３として用い、下側チャンバをプロセスチャンバ１２として用いる。 - 特許庁