「vacuum processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

An abnormal value removal processing part 23 acquires three continuous measured values P1, P2, P3, calculates an upper limit value for determining the occurrence of entrance of dust into the Penning vacuum gage 14 based on the measured value P1 and the measured value P3, and removes the measured value P2 not satisfying it.例文帳に追加

異常値除去処理部２３は、連続した３つの測定値Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３を取得し、測定値Ｐ１と測定値Ｐ３とに基づき、ペニング真空計１４への塵埃の侵入の有無を判定する上限値を算出し、これを満たさない測定値Ｐ２を取り除く。 - 特許庁

To provide a tubular medical appliance capable of providing various types of base materials with lubricity with superior durability without being restricted by the base material, having an improved productivity by dispensing with a vacuum processing of the base material, and showing the lubricity when being wet.例文帳に追加

基材材料に制限されず多種の基材材料に耐久性の優れた潤滑性を付与することが可能で、また、基材の真空処理を不要として生産性が改良された、湿潤時に潤滑性を示すチューブ形状の医療器具及び医療器具の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a carrying device where a turning radius is not increased in the case of performing turning operation supporting an object to be carried such as a large substrate, and where the installing area of the whole device is not increased in the case of incorporating the carrying device in a vacuum processing device such as a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

サイズの大きな基板等の搬送対象物を支持して旋回動作を行う場合に旋回半径が大きくならず、搬送装置を半導体製造装置等の真空処理装置に組み込んだ場合に装置全体の設置面積が大きくならない搬送装置を提供する。 - 特許庁

A substrate processing apparatus 101 comprises a process chamber 201 for housing a wafer 200 as a substrate, a heater 207 for heating the wafer 200, a gas supply means for supplying a process gas to the process chamber 201, a vacuum bump 246 for exhausting the gas in the process chamber 201, and a controller 280.例文帳に追加

基板としてのウエハ２００を収容する処理室２０１と、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、処理室２０１内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室２０１内のガスを排気する真空ポンプ２４６と、コントローラ２８０とを備える基板処理装置１０１である。 - 特許庁

A substrate processing system comprising a vacuum deposition process chamber 133 having an exhaust port 152 arrange to discharge one or more particle during a deposition cycle and a cleaning gas reactive species during a cleaning cycle, and an insitu particle monitor 190 coupled with the exhaust port 152 is employed.例文帳に追加

排気口１５２が堆積サイクルの間に１つ以上の粒子と洗浄サイクルの間に洗浄ガス反応種を排出するように構成された真空堆積プロセスチャンバ１３３と、排気口１５２に結合したインサイチュ粒子モニタ１９０とを含む基板処理システムを用いる。 - 特許庁

The water content of the insulating paper used for the tape shaped insulating material structuring the insulating layer is made to be not more than 20wt.%, so that the electrical property of the cable is not affected, and vacuum dry processing at the time of manufacturing an OF cable or the like can be omitted.例文帳に追加

絶縁層を構成するテープ状絶縁材料の絶縁紙部分の含有水分を２０重量％以下とすることで、ケーブルの電気特性に影響を与えることがなく、かつＯＦケーブルなどの製造時における真空乾燥処理を省略することができる。 - 特許庁

The vacuum processing device has a particle sensor for detecting the corresponding number of the particles of the dummy specimen, and a carrying control means for stopping the carrying of the dummy specimen by the carrying device when it is detected that the corresponding number of the particles is smaller than a predetermined number.例文帳に追加

真空処理装置は、前記ダミー試料の表面のパーティクル相当数を検出するパーティクルセンサと、前記パーティクル相当数が予め定められた数より少なくなったことを検出したときに、前記搬送装置による前記ダミー試料の搬送を止める搬送制御手段とを有する。 - 特許庁

This apparatus is provided with a focused ion beam optical system and an electron optical system in the same vacuum device, and provided with a probe separating a minute sample including the desired area of the sample by charged particle beam molding processing and picking up the separated minute sample.例文帳に追加

上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 - 特許庁

In approximately the plate-type space formed inside of metallic board-type members 1, by arranging a spacer 2 of roughly similar configuration with the space, it is possible to prevent the opposing inner faces at the time of vacuum drawing from becoming contact and to deform to the desired form by the post-processing.例文帳に追加

金属製板状体１の内部に形成される略平板状の空間内に、該空間と略同形状のスペーサ２を配設することにより、真空引き時、対向する内面が接触することを防止すると共に、後加工で所望形状に変形可能とする。 - 特許庁

A plasma processing device, which performs surface treatment for a workpiece sample by ionizing the raw gas inside a vacuum container with an evacuation means, a raw gas supply means, a processing sample installation means and a high frequency power application means to a workpiece sample, is constituted to control the temperature of a workpiece substrate to a temperature pattern which is preset according to proceeding of treatment.例文帳に追加

排気手段と、原料ガス供給手段と、被加工試料設置手段と、被加工試料への高周波電力印加手段を有する真空容器内で、前記原料ガスをプラズマ化し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、被処理基板の温度を処理の進行に従って予め設定された温度パターンに制御するよう構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

Surfaces of the plurality of garnet single crystals are etched by performing ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation, or plasma processing under a vacuum to be cleaned and activated, and then the surfaces are brought into contact with each other without being exposed to an atmosphere except working gas of the ion beam irradiation, high-speed atom beam irradiation or plasma processing, and directly joined together, thereby forming the Faraday rotator.例文帳に追加

複数のガーネット単結晶の表面を、真空中にてイオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の何れかを行うことによりエッチングして、清浄及び活性化し、前記表面同士を前記イオンビーム照射、高速原子ビーム照射又はプラズマ処理の動作ガス以外の雰囲気にさらすことなく接触させて直接接合することによってファラデー回転子を形成する。 - 特許庁

In a vacuum processing valve having a gate valve between two vacuum chambers, the valve is equipped with two flanges having an opening for an objective band article to pass through during carrying in or out, a valve holding the article and shielding a fluid, and a valve chamber constituting a passage for the article, and one of the flanges consists of a movable flexible flange.例文帳に追加

２個の真空チャンバー間にゲートバルブを配設されてなる真空処理装置において、前記ゲートバルブが、帯状の被処理物が搬入・搬出に際して通過する開口部分を有する２つのフランジと、帯状の被処理物を挟持して流体を遮断する弁と、帯状の被処理物の通路を構成する弁室とを具備し、該被処理物が通過する開口部分を有する２つのフランジの一方が、可動可能なフレキシブルフランジからなることを特徴とする真空処理装置のゲートバルブである。 - 特許庁

Plasma light 3 of a vacuum processing chamber 2 is spectrally dispersed using a plurality of spectral devices 7, and a plurality of spectrally dispersed light beams having a plurality of wavelengths are made incident on one photomultiplier 9 to detect etching end points without any alteration of a device control system when films of a plurality of specifies are successively etched.例文帳に追加

真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁

To provide a method for molding an inexpensive molding conforming to the necessary quality of residual bubbles and pinholes by removing the complication of a mold caused by a closed mold construction method, the complexity of assembly/disassembly, and the complication of an equipment apparatus necessary for vacuum defoaming processing by using an open mold construction method and its mold.例文帳に追加

オープンモールド工法を利用して、クローズドモールド工法で生じるモールド型の複雑化、組立分解の煩雑さ、真空脱泡処理に必要な設備装置の複雑化を取り除き、残留気泡やピンホールの所要品質に適合する安価なモールド成形品のモールド方法及びそのモールド型を提供しようとすることにある。 - 特許庁

In the multistep dry etching method for processing a gate electrode of a semiconductor device, a step for removing residual components under a high vacuum state is provided between steps, or a step for introducing an He gas or N_2 gas into a chamber and substituting it for the residual components is provided between the steps.例文帳に追加

半導体装置のゲート電極加工をマルチステップのドライエッチングにて行うドライエッチング方法において、ステップとステップの間に高真空状態で残留成分を除去するステップを設ける、あるいは、ステップとステップの間にＨｅガスあるいはＮ_2ガスをチャンバー内に導入し、残留成分を置換するステップを設ける。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus performing surface modification by carburizing or the like an object to be treated comprising a metal material using plasma in an inside of a vacuum furnace, capable of optionally changing an electric field strength for plasma generation, thereby improving degree of freedom in surface modification of various objects to be treated.例文帳に追加

真空炉の内部にてプラズマを用いて金属材料からなる被処理物の浸炭等による表面改質を行うプラズマ処理装置において、プラズマ生成のための電界強度を任意に変更可能とし、これによって多種多様な被処理物の表面改質における自由度を向上させる。 - 特許庁

A fine mesh of a conductive material 6 in a mesh structure the same as the mesh structure 3 of the nanoparticles 1 can be formed on the surface of the substrate 4, and, simply without the need of using a vacuum processing, a transparent conductive film 7 endowed with both high conductivity and high transparency can be formed.例文帳に追加

ナノ粒子１のメッシュ構造体３と同じメッシュ形状で、導電材料６による微細なメッシュを基板４の表面に形成することができ、真空プロセスなどを用いる必要なく簡便に、高導電性と高透明性を兼ね備えた透明導電膜７を形成することができる。 - 特許庁

Also, the reaction gas nozzles 31, 32 and the separation gas nozzles 41, 42 are detachably provided along a circumferential direction of a vacuum vessel 1, and the ceiling member 4 is detachably provided on a top board 11, thus adjusting the size of a processing region and the adsorption time of the reaction gas, and hence increasing the flexibility corresponding to a change in processes.例文帳に追加

また反応ガスノズル３１，３２や分離ガスノズル４１，４２を、真空容器１の周方向に沿って着脱自在に設ける共に、天井部材４を天板１１に着脱自在に設けているので、処理領域の大きさや反応ガスの吸着時間を調整でき、プロセスの変更に対応する自由度が高くなる。 - 特許庁

Moreover, shield wall plates 22 are arranged in such a way as to surround the substrate mounting surface of a lower electrode 9, between the upper and lower electrodes, thereby stagnation of the gas and unevenness in the plasma on the processing substrate in the vacuum container can be prevented, and the uniformity of the etching speed and the film forming speed on the surface of a large substrate can be improved.例文帳に追加

さらに、下部電極９の基板載置面の周囲を囲むようにして上下電極間にシールド壁板２２を配置したことにより、真空容器内における処理基板上のガスの淀みやプラズマの不均一化を防止し、大型基板上のエッチングスピードや成膜スピードの面内均一化を高める。 - 特許庁

While relatively moving the material gas discharging device 30 and a processing table 12 along the thin film forming direction 5, the material gas is discharged from each of the discharging device bodies 31_1, 31_2 and 31_3 into a vacuum tank 11 to make the gas reach a film forming object 20 on the mounting surface 13 to form a plurality of linear thin films simultaneously.例文帳に追加

材料ガス放出装置３０と処理台１２を一の薄膜形成方向５に沿って相対移動させながら、各放出装置本体３１_1、３１_2、３１_3から材料ガスを真空槽１１内に放出させて載置面１３上の成膜対象物２０に到達させ、直線状の薄膜を複数本同時に形成する。 - 特許庁

The central processing control unit 38 controls the action of the arm 58, starts the vacuum source when the pipette 68 is located in a first position, starts the pressure source when the pipette 68 is located in a second position, and is connected to the arm 58 for sequentially moving a sample from a sample vessel 22 to each gel tube 106.例文帳に追加

中央処理演算装置３８は、アーム５８の動作を制御し、かつピペット６８が第１位置にあるときに真空源を起動させ、ピペット６８が第２位置にあるときに圧力源を起動させて、サンプルをサンプル容器２２から各ゲル管１０６に逐次移動させるための、アーム５８に接続されたものである。 - 特許庁

The electrode contact member of the vacuum circuit breaker comprises the Cu-Cr alloy base metal 1 containing 40-80 wt.% of Cu and 20-60 wt.% of Cr, and the Cr fine dispersion layer 2 of 500 μm to 3 mm in thickness formed on the surface of the base metal 1 through surface treatment by friction stir processing.例文帳に追加

真空遮断器の電極接点部材は、Ｃｕの含有量が４０〜８０重量％とＣｒの含有量が２０から６０重量％とを含むＣｕ−Ｃｒ合金母材１の表面に、摩擦攪拌による表面処理で形成した厚さ５００μｍ〜３ｍｍのＣｒ微細分散層２を形成する。 - 特許庁

To provide a methacrylic resin showing improved flowability and moldability which are important for processing such as injection molding, extrusion molding, blow molding, vacuum molding and the like while maintaining thermal resistance, appearance of a molded article, a low generation ratio of a crack and distortion of the molded article in an environmental test, and mechanical strength such as solvent resistance.例文帳に追加

耐熱性、成形品の外観、環境試験におけるクラックや成形品のゆがみの低発生率、耐溶剤性等の機械強度を維持しつつ、射出成形、押出し成形、ブロー成形、真空成形、圧空成形、延伸成形等の加工の際に重要な流動性や成形性が向上されたメタクリル樹脂の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing fiber-reinforced plastic of outstanding quality, while eliminating a level difference and resin reservoir produced at the molding end by difference in the length of profile shape of preform and molding, and excluding trim processing after molding, in a vacuum RTM molding method to manufacture the fiber-reinforced plastic of curved surface shape.例文帳に追加

曲面形状の繊維強化プラスチックを製造する真空ＲＴＭ成形法において、プリフォームと成形品との外形形状の長さの違いによる成形品端部に生じる段差、樹脂溜まりを解消し、成形後のトリム加工を省くと共に、優れた品質の繊維強化プラスチックを得る製造方法を提供する。 - 特許庁

By connecting a gas introduction parts 4 and a gas diffusion parts 6 to the reinforcement rib 3 prepared for breakage prevention of the dielectric top board 2, a structure is constituted that gas is made to distribute uniformly on a substrate 9 in a vacuum processing room 8 from a gas blow-off hole 7 arranged in the gas diffusion parts 6.例文帳に追加

誘電体天板２の破損防止のために設けた補強リブ３にガス導入部品４およびガス拡散のための部品６を接続することで、ガス拡散のための部品６に設けたガス吹き出し穴７から真空処理室８内の基板９上にガスを均一に分布できる構造とした。 - 特許庁

The sealant film for packaging is manufactured by highly kneading a resin composition comprising 20-50 wt.% polylactic acid and 50-80 wt.% polybutylene succinate to form a molten resin, volatilization processing its volatile components by volatilization under vacuum, and forming it into a film, and has a haze of 25-35%, and a heat-seal strength of 10-20 N/15 mm.例文帳に追加

包装用シーラントフィルムは、ポリ乳酸２０〜５０重量％とポリブチレンサクシネート５０重量％〜８０％からなる樹脂組成物が高混練されて溶融樹脂が生成され、その揮発成分が真空脱揮処理された後、製膜された、ヘイズ２５〜３５％及びヒートシール強度１０〜２０Ｎ／１５ｍｍを有する。 - 特許庁

When a high frequency electric power of 13.56 MHz is supplied to a coil 6 via a matching circuit 5 for a plasma generation device by a high frequency power source 4 for the plasma generation device, plasma is generated in a vacuum vessel 1 and plasma processing such as etching, piling and so on is performed for a substrate 8 which is mounted on an electrode 7.例文帳に追加

プラズマ発生装置用高周波電源４により１３．５６ＭＨｚの高周波電力を、プラズマ発生装置用整合回路５を介して、コイル６に供給すると、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積等のプラズマ処理を行うことができる。 - 特許庁

The vacuum processing system 1 has an inert gas supply means 18 which removes a residual reactant gas from gas supply pipes 7a to 7c and from MFCs 8a to 8c when connecting units, such as the MFCs 8a to 8c attached to the gas supply pipes 7a to 7c are replaced, and a purge end checking means 21.例文帳に追加

本発明の真空処理装置１は、ガス供給管７ａ〜７ｃに取り付けられたＭＦＣ８ａ〜８ｃ等の接続機器を交換する際に、ガス供給管７ａ〜７ｃ及びＭＦＣ８ａ〜８ｃに残留する反応ガスを除去するための不活性ガス供給手段１８とパージ終了確認手段２１が設けられている。 - 特許庁

A vacuum processing device is equipped with a work holder holding device, where a work 20 is pinched between a pressing member 18 and a work holder 16, a heat insulating material 30 which restrains heat from being conducted to the work 20 is attached to a part of the pressing member 18 or the holder 16 that bears against the work 20.例文帳に追加

押さえ部材１８とホルダ１６との間に被加工品２０を挟圧して支持した真空加工装置の被加工品保持装置において、前記押さえ部材１８あるいは前記ホルダ１６の前記被加工品２０と当接する部位に、被加工品２０への熱伝導を抑制する断熱材３０を取り付ける。 - 特許庁

To provide a thin film device that greatly reduces the manufacturing cost by reducing initial investment cost and running cost and increases throughput by forming some or all thin films of a thin film laminated structure used for a liquid crystal display substrate etc., without using a vacuum processing apparatus, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

液晶表示基板等に用いられる薄膜積層構造の一部または全部の薄膜を、真空処理装置を用いずに成膜して、初期投資コスト及びランニングコストの低減と共にスループットを高めて、製造コストを大幅に低減することができる薄膜デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a structure for a combination pump of small size, enabling pumping to be performed from 1,000 mbar down to 10^-8 mbar normally required in some kinds of industries, and suitable for being integrated into vicinity of a vacuum enclosure or a processing chamber.例文帳に追加

真空エンクロージャまたは処理チャンバのすぐ近傍に統合することが可能になるように充分小型であり、また、常圧（１０００ｍｂａｒ）から、ある種の工業で通常必要となる高度真空（１０^−８ｍｂａｒ）へとポンピングする能力がある複合ポンプ用の新規の構造物を考案すること。 - 特許庁

The electrostatic chuck 100 of the vacuum processing device comprises a base material 110 on which a plurality of protruding parts 111 are formed, an insulating layer 120 formed on the base material 110, an electrostatic layer 130 which is formed on the insulating layer 120 for generating electrostatic force by application of power, and a dielectric layer 140 formed on the electrostatic layer 130.例文帳に追加

真空処理装置の静電チャック１００は、複数の突起部１１１が形成された母材１１０と、母材１１０上に形成された絶縁層１２０と、絶縁層１２０上に形成されて電源の供給により静電気力を発生させる静電層１３０と、静電層１３０上に形成された誘電層１４０とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate transfer method of a vacuum processing apparatus performing heating treatment and surface treatment such as deposition process to substrates while manufacturing various kinds of electronic apparatuses, which constantly and securely holds each substrate in a tray even when a substrate transfer mechanism transfers the substrate to the tray with low accuracy.例文帳に追加

各種電子装置の製造で、基板に対して加熱処理や成膜処理等の表面処理を施す真空処理装置の基板の搬送方法であって、基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることが可能な基板の搬送方法を提供する。 - 特許庁

To provide a novel heat resistant resin used preferably for a substrate for dust removal in a substrate-processing apparatus such as for a semiconductor device which excels in performances of transportability and a vacuum-reaching time, and dust removal properties, and usable under a condition possibly involving the generation of serious disadvantages due to silicone contamination such as for HDD application and some semiconductor applications.例文帳に追加

搬送性、真空到達時間などの性能とともに、除塵性に優れた、半導体装置などの基板処理装置内の除塵用基板に好適に使用され、ＨＤＤ用途や一部半導体用途などシリコーンの汚染により重大な障害が発生し得る状況下においても使用可能な新規な耐熱性樹脂を提供する。 - 特許庁

In the ion milling device for fixing the sample having a plane to a sample holder unit in a vacuum chamber and irradiating the sample with an ion beam to make the sample undergo milling processing, the sample holder unit has a fixing structure capable of fixing the sample along the inclination on the back side of the sample with respect to the plane of the sample coming into contact with the mask which shields the ion beam.例文帳に追加

本発明は、平面を有する試料を真空チャンバ内で試料ホルダユニットに固定してイオンビーム照射しミリング加工するイオンミリング装置において、前記試料ホルダユニットは、前記試料を前記イオンビームから遮蔽するマスクに接する前記平面に対してその裏面側の傾斜に沿って固定できる固定構造を有することを特徴とする。 - 特許庁

The drying device 10 includes a first drying means 1 for heating and compressing the charged processed object while conveying it in a vacuum atmosphere, a second drying means 2 for heating the processed object discharged from the first drying means 1 while conveying it and a grinding/kneading means 3 for processing the conveyed processed object into the rolled shape.例文帳に追加

乾燥装置１０は、投入された被処理物を真空雰囲気下で搬送しながら加熱及び圧搾する第一乾燥手段１と、第一乾燥手段１から排出された被処理物を搬送しながら加熱する第二乾燥手段２と、搬送される被処理物をロール状に加工する擂り揉み手段３と、を備えている。 - 特許庁

In a probe device having an ion beam system for irradiating an ion beam, and a probe control device for driving the probe arranged in a vacuum sample chamber, a zone for processing the probe with ion beams is arranged in the sample chamber, and sputter particles of the probe and ion beams passing through in the vicinity of the probe are captured in the zone.例文帳に追加

本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。 - 特許庁

Before packaging an IC chip, a piezoelectric vibrator is packaged in a dedicated recess formed on the package, a lid is packaged in a recessed opening while communicating the relevant recess with an external atmosphere, afterwards, the relevant vibrator packaged recess is sealed by cutting the external communication under vacuum and after aptitude discriminating processing of the piezoelectric vibrator, the IC chip is packaged.例文帳に追加

ＩＣチップ実装に先立ってパッケージに形成した専用の凹部に圧電振動片を実装し、当該凹部を外部雰囲気と連通状態で凹部開口にリッドを実装した後、外部連絡を真空下で遮断して当該振動片実装凹部を密閉し、前記圧電振動片の適性判別処理の後にＩＣチップを実装する。 - 特許庁

The plasma processor for plasma-processing a substrate 7 housed in a process chamber 8 of a vacuum chamber 1 comprises an insulator 10 of a specified width on the top face of a lower electrode 5 insulatively mounted in a base 2 of the chamber 1 forming a gap 9 with the chamber 1 along an entrance of the gap 9.例文帳に追加

基板７を真空チャンバ１の処理室８内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、真空チャンバ１の基部２に絶縁状態で装着され真空チャンバ１との間に空隙部９を形成する下部電極５の上面に、空隙部９の入口部に沿って所定幅で絶縁体１０を装着する。 - 特許庁

To provide a method for reforming a film-formation surface and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by which the base dependency to film formation can be thoroughly eliminated on a film- formation surface, by eliminating an additional energy such as plasma irradiation or high temperature heating, processing in a vacuum, etc., by an extremely simplified method.例文帳に追加

プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CIGS thin film solar cell which can maximize an optical and/or electric conversion rate of a solar cell such that a CIGS thin film is manufactured through a process of printing an ink containing nanoparticles without requirement of vacuum processing or complex equipment and a Cu/(In+Ga) ratio and a Ga/(In+Ga) ratio of the CIGS thin film can be easily regulated.例文帳に追加

太陽電池における光・電変換率の最大化を実現するＣＩＧＳ薄膜太陽電池において、真空工程や複雑な装備の必要なしに、ナノ粒子インクの印刷工程だけでＣＩＧＳ薄膜を製造し、ＣＩＧＳ薄膜のＣｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率及びＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）比率を自在に調節できるようにする。 - 特許庁

The steel for machine structure which contains ≥10 wt.% CaO and ≤5 of number of inclusion of ≥5 μm major axis within 320 mm2 area to be inspected, is obtained by stirring molten steel after refining for ≥40 minutes at 5.0 to 20.0 l/minute gas flow rate per 1 ton of molten steel by using a circulating degassing system vacuum refining processing device.例文帳に追加

精錬終了後の溶鋼を循環脱ガス式真空精錬装置を用いて、溶鋼１トン当たり５．０〜２０．０リットル／分のガス流量で４０分以上攪拌することによって、ＣａＯを１０重量％以上含む長径：５μm以上の介在物個数が、被検面積３２０ｍｍ^2内において５個以下である機械構造用鋼を得る。 - 特許庁

To provide an analog input and output circuit and a vacuum processing apparatus capable of automatically performing correction of all the analog inputs and outputs via a single reference voltage adjustment, in order to solve the problem of requiring a different correction value for each channel which accurately controls the analog input and output, due to the difference in the on-resistances of switches for respective channels of an analog multiplexer.例文帳に追加

アナログマルチプレクサはチャンネル毎にスイッチのオン抵抗値に差があるため、アナログ入出力の精密な補正には、チャンネル毎に異なる補正値が必要になる問題を解決するため、１度の基準電圧調整でアナログ入出力すべての補正を自動的に実施できるアナログ入出力回路及び真空処理装置を提供する。 - 特許庁

At least, one of a developing solution and a development replenisher solution as processing solutions for a silver halide photographic sensitive material used in a developing step when developing, fixing, washing (stabilizing) and drying steps for the sensitive material are carried out using an automatic processing machine is prepared by diluting a powdery developing composition vacuum-sealed in two layers of powdery materials in a packaging material with water.例文帳に追加

ハロゲン化銀写真感光材料を自動現像機を用いて現像、定着、水洗（安定化）及び乾燥工程を行う際、現像工程で用いるハロゲン化銀写真感光材料の処理液である現像液及び現像補充液の少なくとも一方が、粉状の原材料が２層で構成されており、かつ、包装材料に封入され、空気を排気し、封入された粉状の現像組成物を水で希釈して作製したことを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料の処理液。 - 特許庁

To provide an electrostatic attraction member capable of accurately controlling the position of a substrate when transferring a wafer to a transport module without needing to introduce a power supply or a cable into vacuum, and accurately controlling the position of the substrate after being transported to a processing module by the transport module, when transporting the substrate by electrostatically attracting the substrate to a transport arm.例文帳に追加

搬送アームに基板を静電吸着して搬送する場合において、真空中に電源やケーブルを導入する必要がなく、搬送モジュールにウェハを受け渡す際の基板の位置を高精度で制御することができ、更に、搬送モジュールで処理モジュールに搬送した後の基板の位置を高精度で制御することができる静電吸着部材を提供する。 - 特許庁