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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > window layerに関連した英語例文

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window layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 698



例文

To provide a production process of a light transmitting electromagnetic wave shielding window material having a mesh metal conductive layer formed by soluble dot formation method, in which an anti-glare layer can be provided on the substrate side of the metal layer.例文帳に追加

可溶性ドット形成法を使用したメッシュ状の金属導電層を有し、該金属層の基板側に防眩層を設けることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type light absorption recombination layer 12, an n-type multilayer reflection film 14, a light absorption layer 16, and a window layer 18 are sequentially stacked on an n-type InP substrate 10.例文帳に追加

n型InP基板10上に、n型の光吸収再結合層12、n型の多層反射膜14、光吸収層16、及び窓層18が順に積載されている。 - 特許庁

An n-InP buffer layer 3, an n^--InGaAs light absorbing layer 4, an n-InGaAsP intermediate layer 5, an n^+-InP avalanche multiplication layer 6, and an n^--InP window layer 7 are formed sequentially on an n^+-InP substrate 2 by epitaxial growth.例文帳に追加

n^+−InP基板2上に、n−InPバッファ層3、n^−−InGaAs光吸収層4、n−InGaAsP中間層5、n^+−InPアバランシェ増倍層6、n^−−InP窓層7をエピタキシャル成長法により、順次積層する。 - 特許庁

In the case of growing an epitaxial layer containing an active layer 4 and a window layer 6 on an n-type GaAs substrate 1 by an MOVPE method, the layer 8 has a carrier concentration of 5×1018 cm-3 or more and is formed of an AlGaInP layer having a larger band gap than that of the layer 4.例文帳に追加

n型GaAs基板1上にMOVPE法によって活性層4およびウィンドウ層6を含むエピタキシャル層を成長させる際に、ウィンドウ層6は、5×10^18cm^-3以上のキャリア濃度を有し、かつ、活性層4よりバンドギャップの大きいAlGalnP層により構成する。 - 特許庁

例文

A multi-layered substrate W is prepared, which has a structure with a copper layer 4 less liable to be removed by irradiation of pulse laser beams compared with a resin layer 3 laminated on the resin layer 3, and a window aperture 4a formed on the copper layer 4 with the resin layer 3 exposed at a bottom part through the copper layer 4.例文帳に追加

樹脂層3の上に、樹脂層3よりもパルスレーザ光の照射によって除去されにくい銅層4が積層された構造を有し、銅層4には、銅層4を貫通して底部に樹脂層3が露出した窓穴4aが形成されている多層基板Wを準備する。 - 特許庁


例文

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

n型InP基板10(半導体基板)上に、n型DBR層12(第1導電型の分布ブラッグ反射層)、低キャリア濃度のi−InGaAs光吸収層14(光吸収層)、及びp型InP窓層16(第2導電型の半導体層)が順番に形成されている。 - 特許庁

A diffusion-stop layer 16 is provided between the active layer 14 and the p cover layer 20 so as to suppress the diffusion of Mg-doping atom from the p cover layer to the active layer 14 (the diffusion usually occurs at high growth temperatures to the GaP window layer 22).例文帳に追加

Mgドープ原子がpカバー層20からアクティブ層14へ拡散するのを抑圧するために(この拡散は通常、GaP窓層22に対する高い成長温度の際に発生する)、アクティブ層14とpカバー層20との間に拡散ストップ層16が設けられている。 - 特許庁

The polishing pad 4 having a polishing layer 1 and one or more transparent window members 2, for measuring a polishing state optically, integrally formed on a part of the polishing layer is provided with an antireflective layer on the bottom of the transparent window member.例文帳に追加

研磨層1と、該研磨層の一部に一体に形成された研磨状態を光学的に測定するための一つ以上の透光窓部材2と、を有する研磨パッド4であって、該透光窓部材の底面に反射防止層を有する事を特徴とする研磨パッド。 - 特許庁

To decrease a dark current by reducing an InGaAs photodetection layer in As concentration and improving an InP window layer in crystallinity at the same time.例文帳に追加

InGaAs受光層でのAs抜け低減と、InP窓層での結晶性の向上との両立により、暗電流を低減することができるようにする。 - 特許庁

例文

Then, as shown in figure 2(c), a fluorescent material is packed inside the window part 121 under the condition, to form a fluorescent layer 15 (fluorescent layer formation step).例文帳に追加

次に、図2(c)に示されるように、この状態で、窓部121内部に蛍光材料を充填し、蛍光層15を形成する(蛍光層形成工程)。 - 特許庁

例文

Therefore, the light beam L_1 progressing radially in the window portion 44 is absorbed with the light absorbing layer 41 when the beam reaches the light absorbing layer 41.例文帳に追加

そのため、窓部44を放射状に広がって進む光L__1は、光吸収層41に至ると、光吸収層層41により吸収される。 - 特許庁

The leakage inspection implement 1 includes a band part 3 having a two-layered structure of a transmitting layer 5 and a rubber magnet layer 7 and having window parts 25, and a holding band 11.例文帳に追加

漏洩検査器具1は、透過層5とゴム磁石層7との2層構造で窓部25を有する帯部3と、保持バンド11とを有している。 - 特許庁

To provide a window glass having a water-repellent layer (exterior surface) showing a high abrasion resistance and transparency and a hydrophilic layer (interior surface) showing a high water resistance, heat resistance and transparency.例文帳に追加

耐擦性・透明性の高い撥水層(室外面),耐水性・耐熱性・透明性の高い親水層(室内面)を有するウインドーガラスを提供すること。 - 特許庁

A clad layer has a grating coefficient between GaAs and GaP, and a window layer made of GaInAsP is provided at an edge face of a resonator.例文帳に追加

クラッド層がGaAsとGaPの間の格子定数を有しており、共振器端面にGaInAsP材料よりなる窓層が設けられている。 - 特許庁

At a region in the vicinity of the end surfaces on the first semiconductor layer 20 and the second semiconductor layer 30, end surface window parts 20a and 30a are formed, respectively.例文帳に追加

第1の半導体層20及び第2の半導体層30の端面近傍の領域には、それぞれ端面窓部20a、30aが形成されている。 - 特許庁

According to the existence of the third semiconductor layer, the distribution of refractive index of light in the window is symmetry in the direction of lamination with the extended surface of the active layer as a center.例文帳に追加

第3の半導体層により、窓部の光の屈折率の分布は、活性層の延長面を中心にして積層方向に対称である。 - 特許庁

In the above-mentioned window layer, a GaP layer grows at temperatures equal to 730°C or higher , the growth rate is equal to 7.8 μm per hour or greater, and the dopant is zinc.例文帳に追加

また、上記の窓層は、GaP層を730°以上の温度で成長し、その成長速度を毎時7.8μm以上、そのドーパントを亜鉛とする。 - 特許庁

The window layer 2 is made of an insulative glass having a thickness of several μm-several hundreds μm and transmitting an infrared ray.例文帳に追加

ウインドウ層2は、数μm〜数百μmの厚みを有し、赤外線を透過できる絶縁性のガラスからなる。 - 特許庁

The electrodes are electrically connected to the structure via a window opening 38 of the isolation layer.例文帳に追加

電極は、電極分離アイソレーション層の窓開口38を介して積層構造に電気的に接続している。 - 特許庁

A reflection plate to reflect ambient light is formed on the organic insulation layer corresponding to the reflective window.例文帳に追加

反射窓に対応する有機絶縁層の上部に自然光を反射するための反射板が形成される。 - 特許庁

To make a double glazing glass from an existing single layer glass window by a relatively simple work such as attaching a board to the glass.例文帳に追加

複層用板の取り付けという比較的簡単な作業により、既存の単層ガラス窓を複層化する。 - 特許庁

A chip package includes a base re-wiring layer 16 having an opening formed therein, an adhesive layer 24 having a window 26 formed therein free of adhesive material, and a die 12 affixed to the base re-wiring layer by way of the adhesive layer, the die being aligned with the window such that only a perimeter of the die contacts the adhesive layer.例文帳に追加

チップパッケージは、開口部が形成されているベース再配線層16と、接着材料が塗布されていない窓部26が形成された接着剤層24と、接着剤層を介してベース再配線層に固着されたダイ12とを含み、ダイの周囲部のみが接着剤層と接触するように、ダイは窓部と位置合わせされる。 - 特許庁

A clearance is provided between the window member and the case member, and an adhesive layer formed in the clearance closely joins the case member and the window member so that the window member is adhered to the case member.例文帳に追加

前記ウィンドウ部材と前記ケース部材との間には隙間が存在しており、前記隙間に形成される粘着層が前記ケース部材とウィンドウ部材とを緊密に結合し、前記ウィンドウ部材を前記ケース部材に固着させる。 - 特許庁

The wiring design device opens, when acquisition of position information is determined, a new window different from a window that is an operation object before starting via layout processing, and displays a wiring layer belonging to a multilayer printed board and an attribute of the wiring layer in association with each other on the opened window using an acquired layer attribute DB.例文帳に追加

配線設計装置は、位置情報を獲得したと判断すると、ビア配置処理を開始する前に作業対象となっていたウィンドウとは異なる新たなウィンドウをオープンし、オープンしたウィンドウに、取得した層属性DBを用いて、多層プリント基板に属する配線層と当該配線層の属性とを関連付けて表示する。 - 特許庁

To establish a method for properly evaluating a window layer for compound semiconductor solar cells, to accurately control the quality of the window layer, and to inexpensively manufacture the solar cell with excellent performance and high quality with an appropriate yield.例文帳に追加

化合物半導体太陽電池用窓層の適切な評価方法を確立し、前記窓層の的確な品質管理と、高性能・高品質の太陽電池を歩留まり良く安価に製造することを可能にすることを目的とする。 - 特許庁

A shield element 20 is positioned between the base re-wiring layer and the adhesive layer and is generally aligned with the opening formed in the base re-wiring layer and the window of the adhesive layer such that only a perimeter of the shield element is attached to the adhesive layer.例文帳に追加

シールド要素20はベース再配線層と接着剤層との間に配置され、シールド要素の周囲部のみが接着剤層に装着されるように、シールド要素は、ベース再配線層に形成された開口部及び接着剤層の窓部とほぼ位置合わせされる。 - 特許庁

A semiconductor crystal comprising an n-type InP buffer layer 2, an undoped GaInAs light-absorbing layer 3, an undoped InP diffusion buffer layer 4 and a p-type InP window layer 5 is successively grown on an n-type InP substrate 1.例文帳に追加

n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2、アンドープGaInAs光吸収層3、アンドープInP拡散バッファ層4、およびp型InP窓層5からなる半導体結晶を順に成長させた。 - 特許庁

The image generation unit 10 generates the layer image P1, and also generates the layer image P2 in which an area corresponding to the arrangement of a window W11 is set to be transmissive such that at least a partial area (for example, the window W11) of the layer image P1 is included in the composite image MP.例文帳に追加

画像生成部10は、レイヤ画像P1を生成するとともに、レイヤ画像P1の少なくとも一部の領域(例えばウインドウW11)が合成画像MPに含まれるように、ウインドウW11の配置に対応する対応領域が透過設定されたレイヤ画像P2を生成する。 - 特許庁

To provide the structure of a window layer that can have light emission extracted efficiently to the outside, and can obtain satisfactory ohmic contact with a III-V compound semiconductor layer having a low resistance in an AlGaInP LED with the window layer made of a transparent metal oxide having conductivity.例文帳に追加

透明で導電性を有する金属酸化物からなる窓層を備えたAlGaInPLEDにおいて、発光を外部に効率良く取り出すことが可能で、III−V族化合物半導体層と低抵抗で良好なオーミック接触を得ることができる窓層の構造を提供する。 - 特許庁

An optical system 31, by radiating light on the level of the ultraviolet curing resin 37 through the glass-paned window 36, formes a cured layer between the Z-stage 38 and the glass-paned window 36.例文帳に追加

光学系31は、ガラス窓36を介して紫外線硬化樹脂37の液面に光を放射することにより、Zステージ38とガラス窓36との間に硬化層を形成する。 - 特許庁

To solve a contradiction between an improvement in light extraction efficiency from a window electrode on a p-type cladding layer and a reduction of contact resistance between the window electrode and a p-type GaN.例文帳に追加

pクラッド層上の窓電極からの光取り出し効率を向上させることと、窓電極とp型GaNとの間の接触抵抗の低減させることは相矛盾する。 - 特許庁

Such a window structure 5 can be formed easily, by accumulating a semiconductor layer of the same thickness on the optical waveguide forming region 1B and the window structure forming region 1A.例文帳に追加

かかる窓構造5は、光導波路形成領域1B及び窓構造形成領域1A上に同一厚さの半導体層を堆積することで容易に形成することができる。 - 特許庁

The light-receiving layer 21 of the semiconductor light-receiving element 11, absorbs part of incident light that an incoming window 15 has received, and sends remainder as outgoing light L_OUT from an outgoing window 17.例文帳に追加

半導体受光素子11の受光層21は、入射窓15に受けた入射光の一部を吸収して、残りの出射光L_OUTを出射窓17から出射する。 - 特許庁

The light receiving element is made by forming an n-InP buffer layer 102, an n-InGaAs optical absorption layer 103, and an n-InP window layer 104 in sequence on an InP substrate 101.例文帳に追加

本発明に係る受光素子は、InP基板101上に、n−InPバッファ層102、n−InGaAs光吸収層103、n−InP窓層104が順次形成されている。 - 特許庁

On the other hand, a transparent hard coat layer 27 is laminated on the other surface opposed to the window glass of the first film main body.例文帳に追加

更に第1フィルム本体の窓ガラスと反対側の他方の面には透明のハードコート層27が積層される。 - 特許庁

The disk-shaped ceramic 1 is arranged in a center of the pillbox vacuum window, and the metallized layer 2 is formed in an outer peripheral part.例文帳に追加

円板状セラミック1は、ピルボックス真空窓の中心に配置され、外周部分にメタライズ層2が形成される。 - 特許庁

To secure a large window in forming a trench by further deeply forming a deep layer.例文帳に追加

ディープ層がより深く形成されるようにすることで、トレンチを形成する際のプロセスウィンドウを大きく取れるようにする。 - 特許庁

A relatively wide contact region of an ITO layer 35 exists on a passivation film 33 around a contact window 8.例文帳に追加

コンタクト窓8の周囲のパッシベーション膜33上にITO層35の比較的広い接触領域が存在している。 - 特許庁

To provide a hard coat plastic automotive window improved in durability without lowering the hardness of a hard coat layer.例文帳に追加

ハードコート層の硬度を低下させることなく耐久性を向上させた、ハードコートプラスチック製自動車ウィンドウを提供する。 - 特許庁

A user selects, in the window W3, a wiring layer for arranging a via by drag operation using a mouse 215.例文帳に追加

また、ユーザは、ウィンドウW3において、マウス215を用いてビアを配置する配線層をドラッグ操作によって選択する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as a DRAM wherein a contact window is formed in a conductive layer different in height from a substrate.例文帳に追加

基板からの高さが異なる導電層に、コンタクト窓を形成するDRAM等の半導体装置を提供する。 - 特許庁

This pillbox vacuum window comprises a disk-shaped ceramic 1, a metallized layer 2, a metal part 3, and a metal part 4.例文帳に追加

本発明のピルボックス真空窓は、円板状セラミック1、メタライズ層2、金属部品3、および金属部品4からなる。 - 特許庁

The surface emitting laser has the photodetector attached to it by means of a bonding layer having the window of a predetermined diameter on its bottom.例文帳に追加

その底面に所定直径のウィンドウを持つボンディング層により光検出器が付着される面発光レーザー。 - 特許庁

Thus, though the surface layer of the front frame is a glass plate, the window frame 12A becomes lighter and resistant against fire of a cigarette.例文帳に追加

これにより、前面枠の表層が板ガラスであったが、本ウインド枠12Aは、軽量になり、タバコの火に強くなった。 - 特許庁

Thus, an air layer can be formed between a sash glass door, a window screen with the condensation preventive sheet and a sash with the condensation preventive sheet.例文帳に追加

これにより、サッシガラス戸と結露防止シート付き網戸と結露防止シート付きサッシとの間に空気層が出来る。 - 特許庁

The central part 34c and the outer periphery part 34p are separated by a window 30w formed on the base layer 34.例文帳に追加

中央部34cと外周部34pとは下地層34に形成された窓30wにより分断されている。 - 特許庁

The p-type window layer 8 has a thickness of several μm-several hundreds μm, preferably, a thickness of about 30 μm-300 μm.例文帳に追加

p型ウインドウ層8は、数μm〜数百μm、好ましくは約30μm〜約300μmの厚みを有する。 - 特許庁

Because of this, a window part 7 consisting of an n-type single crystal silicon layer is formed in each groove part 3b in almost a rod type.例文帳に追加

このため、各溝部3bには、n型単結晶シリコンからなる窓部7が略棒状に形成されている。 - 特許庁

Also, the active layer 8 including Al is not etched when the window structure is formed so that the oxidization of Al can be prevented from being generated.例文帳に追加

また、窓構造を形成する際に、Alを含む活性層8をエッチングしないので、Alの酸化も生じない。 - 特許庁

例文

A p-type InP impurity diffusion region which constitutes a light receiver 9 is provided in part of the i-type InP window layer.例文帳に追加

i型InP窓層の一部に、受光部9となるp型InP不純物拡散領域が設けられている。 - 特許庁




  
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