「zone‐melting」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

This material can be manufactured by heating and melting the gold of ≥4N by the zone melting and refining process in a high vacuum of ≤1×10^-3 Pa.例文帳に追加

該材料は、純度４Ｎ以上の金をゾーンメルト精製法によって１×１０^-3Ｐａ以下の高真空中で加熱溶解して製造される。 - 特許庁

Further, in case of being the atmospheric pressure or the low pressure atmosphere, since a high pressure vessel is unnecessary, the continuous casting method and the floating zone melting method can easily be used.例文帳に追加

更に、大気圧あるいは低圧の場合は、高圧容器不要のため、連続鋳造法、浮遊帯溶融法が容易に使用できる。 - 特許庁

LIGHT CONDENSING AND HEATING APPARATUS AND LIGHT CONDENSING AND HEATING TYPE ZONE MELTING APPARATUS AS WELL AS SINGLE CRYSTAL AND HIGH-PURITY METAL PRODUCED BY THE SAME例文帳に追加

集光加熱装置及び集光加熱式帯溶融装置及びそれにより生産される単結晶及び高純度金属 - 特許庁

In such a case, the quartz glass preform 1 is heated by a heater 12 using a zone melting furnace 11 while moving the quartz glass preform 1 so that the peak temperature of the zone melting furnace 11 is set to a temperature at which the glass structure in the quartz glass preform 1 is mitigated and the in-plane distribution of the virtual temperature is made uniform and after that, quickly cooled.例文帳に追加

このとき、帯域溶融炉１１を用いて石英ガラス母材１を移動させながらヒータ１２により加熱し、帯域溶融炉１１のピークの温度を石英ガラス母材１がガラス構造を緩和する温度とし、仮想温度の面内分布が均一な状態となるように加熱して、その後に急速に冷却する。 - 特許庁

To provide a method for purifying antimony or tellurium, which reduces the cost and enables the mass production, without employing a conventional electrolytic process, vacuum distillation method, zone melting process or the like.例文帳に追加

従来の電解法、真空蒸留法、ゾーンメルティング法等を使用せず、コストを低減し、大量生産できるアンチモン又はテルルの高純度化方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a technology capable of forming a silicon thin film having good crystallinity even when scanning rate is raised in the formation of the silicon thin film using a zone melting recrystallization process, and to provide a solar cell using the formed silicon thin film.例文帳に追加

帯域溶融再結晶化法を使用してシリコン薄膜を形成するにあたり、走査速度を上げても結晶性の良い膜を形成できる技術及び、形成されたシリコン薄膜を使用した太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal production apparatus by a floating zone melting method, which can easily measure a geometric quantity of a melting zone necessary for control by a simple configuration.例文帳に追加

制御に必要な溶融帯域の幾何学量を簡易な構成によって容易に計測することができる浮遊帯域溶融法による単結晶製造装置を提供すること。 - 特許庁

A β-Ga_2O_3 single crystal wafer, prepared by utilizing an optical floating-zone melting method, is used as a substrate, and then a β-Ga_2O_3 single crystal film is grown on the (100) plane of the substrate at a temperature of ≥800°C by a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

光学式浮遊帯域溶融法を用いて作製したβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶ウエハを基板とし、この基板の（１００）面上に分子線エピタキシー法を用いて８００℃以上の温度でβ‐Ｇａ_2Ｏ_3単結晶膜を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZrB_2 single crystal, which is based on a floating zone melting method (FZ method) and by which a large size and good quality single crystal can be obtained at a low growth temperature.例文帳に追加

育成温度が低く、大型かつ良質の単結晶が得られる浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）によるＺｒＢ_２単結晶の育成方法を提供する。 - 特許庁

To make a polycrystalline body highly uniformly containing a necessary composition manufacturable at manufacturing of a single-crystal containing a plurality of components, particularly, a component having a high equilibrium vapor pressure by the zone melting method.例文帳に追加

複数成分系の、とくに平衡蒸気圧が高い成分を含む単結晶をゾーンメルト法によって作製するにあたって必要な組成の均一性が高い多結晶体を作製する方法と装置を提供すること。 - 特許庁

The deposition of the high-purity organic compound layer is made possible because an organic compound refined in a refining chamber by a zone melting method can be vapor-deposited without lowering its purity onto a substrate disposed in a film deposition chamber.例文帳に追加

本発明では精製室において帯融解法により精製された有機化合物を、その純度を低下させることなく成膜室内に備えられている基板上に蒸着することができるため、高純度な有機化合物層を形成することが可能になる。 - 特許庁

γ-Single phase TiAl single crystal alloy whose primary crystal is γ-phase is used as a seed crystal and TiAl-based single crystal alloy is coagulated in one direction, preferably by optical type floating zone melting method from the above seed crystal to grow the TiAl-based single crystal alloy.例文帳に追加

初晶がγ相であるγ単相ＴｉＡｌ単結晶合金を種結晶として用い、この種結晶から好ましくは光学式浮遊帯域溶融法によって一方向凝固させ、ＴｉＡｌ基単結晶合金を育成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor crystal by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method), by which the slip back generated when a raw material and a melting zone are separated and a crystal is completely solidified in a separation process, can be reduced.例文帳に追加

ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain the variety of a porous body with enlargement in the range of objective raw materials and the variation in kinds of gases, to improve the accuracy in a porosity, a pore diameter and a pore formation and further, to improve the safety and the productivity so as to easily use a continuous casting method and a floating zone melting method.例文帳に追加

対象原料の範囲の拡大並びに使用ガスの種類の多様化によって多孔質体の多様性を求め、気孔率、気孔径及び気孔形態の精度を高め、更に、連続鋳造法、浮遊帯溶融法を容易に用いるようにして、安全性、生産性の向上を計る。 - 特許庁

The method for producing the solid solution comprises a step of obtaining an aluminum oxide-gallium oxide solid solution by a floating zone melting method in which a sintered compact using a gallium oxide powder and an aluminum oxide powder as raw materials is used and a gallium oxide single crystal is used as a seed crystal.例文帳に追加

酸化ガリウム粉末および酸化アルミニウム粉末を原料とした焼結体を用い、酸化ガリウム単結晶を種結晶とした浮遊帯域溶融法により酸化アルミニウム−酸化ガリウム固溶体を得る工程を有する前記固溶体を製造する方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the porous nonmetallic inorganic material comprises successively partially melting a raw material composed of a nonmetallic inorganic material by a floating zone melting method while moving the raw material and dissolving gas into the molten inorganic material, then successively cooling and solidifying the molten inorganic material under gas atmosphere.例文帳に追加

ガス雰囲気下で、非金属無機材料からなる原料を移動させながら浮遊帯溶融法によって順次部分的に溶融させて、溶融した無機材料中にガスを溶解させた後、溶融した無機材料を順次冷却凝固させることを特徴とする多孔質非金属無機材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a focused infrared-heating type floating zone melting device having a low temperature gradient in the circumferential direction of a sample at melting part and a steep temperature gradient in the perpendicular direction and capable of obtaining a sufficiently high maximum reaching temperature and capable of forming a stable melting state.例文帳に追加

溶融部における試料の円周方向の温度勾配が小さく、その垂直方向の温度勾配が急峻であり、且つ充分に高い最高到達温度を得ることができ、安定した溶融状態を形成可能な赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of producing a semiconductor single crystal rod by an FZ method (floating zone method or floating zone melting method) that copes with a growth process (cone step, straight body step, or the like) of a crystal and an operation condition (rotational speed, rotary direction, or the like of a crystal), controls a crystal diameter, or the like stably, and grows a crystal stably.例文帳に追加

結晶の成長工程（コーン工程や直胴工程等）や操業条件（結晶の回転数や回転方向等）に対応でき、安定して結晶径等を制御でき、安定した結晶成長を行うことが可能なＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体単結晶棒の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a silicon germanium nanowire aggregate is characterized in that an alloy having a composition shown by general formula Si_xGe_1-x (wherein, 0<x<1) is melted by a floating zone melting method, and, by regulating the melting temperature, the differential degree of x in the formula between the spherical part and the nanowire part is controlled.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムナノワイヤー集合体の製造方法は、一般式Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ（式中、０＜ｘ＜１）で示す組成を有する合金を浮遊帯域溶融法により溶解させることからなり、その溶融温度を調整することで、前記球状部とナノワイヤー部との前記式中のｘの相違具合を制御する構成である。 - 特許庁

The method for producing the gallium oxide single crystal which applies an FZ method (floating zone melting method) in multistep is characterized in that the gallium oxide single crystal is obtained by using the gallium oxide single crystal produced by the FZ method as a source rod and is obtained under the atmosphere containing oxygen by the FZ method, wherein the crystal grows within 2.5-20 mm/h of a growth rate.例文帳に追加

ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 - 特許庁

In the method for sintering the porous quartz glass preform where a porous quartz glass preform 1 produced by a soot process is heated and sintered so as to be a transparent glass body, and while moving the porous quartz glass preform 1 from the lower part to the upper part of a furnace core tube 11, sintering is progressed by using a zone melting furnace 10, and the OH concentration is uniformized in the longitudinal direction.例文帳に追加

スート法により製造された多孔質石英ガラス母材１を加熱焼結し、透明ガラス体とする多孔質石英ガラス母材の焼結方法であって、帯域溶融炉１０を用いて、多孔質石英ガラス母材１を炉心管１１の下方から上方に移動させながら焼結を進め、ＯＨ濃度を長手方向に均一にする。 - 特許庁

To improve productivity by providing both a production method in small quantity and large variety and a mass production method, which can produce a porous semiconductor with unidirectional porosities comparatively safely and easily under a gas atmosphere higher than atmospheric pressure, by use of a general casting apparatus with a mold, a continuous casting apparatus and a special floating zone melting apparatus.例文帳に追加

鋳型を用いる一般的な鋳造装置、連続鋳造装置及び特殊な浮遊帯溶融装置を用い、大気圧以上のガス雰囲気下において比較的安全ならびに容易に一方向性の気孔を有する多孔質半導体の多種少量の作製方法ならびに大量製造方法を提供して、生産性の向上を計る。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal fluoride body by growing a metal fluoride single crystal by a Czochralski method or a floating zone melting method, when the metal fluoride single crystal is grown, the method for manufacturing the metal fluoride body is characterized in that millimeter-wave heating is utilized in at least a part of heating means for melting the metal fluoride.例文帳に追加

チョクラルスキー法または浮遊帯域融解法で金属フッ化物単結晶を育成して金属フッ化物体を製造する方法において、前記金属フッ化物単結晶を育成する際、金属フッ化物を融解する加熱手段の少なくとも一部にミリ波加熱を用いることを特徴とする金属フッ化物体の製造方法。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

The production method comprises cutting out a rod-like glass body having a face parallel to the stria from a lump of silica-titania glass having layered striae, holding both ends of the rod-like glass body with a pair of rotatable holding means, and performing a homogenization treatment to remove the striae by applying a zone-melting method so that shearing stress acts in the direction perpendicular to the axis parallel to the striae.例文帳に追加

層状の脈理を有するシリカ・チタニアガラス塊から、脈理と平行な面を有する棒状ガラス体を切り出し、該棒状ガラス体の両端部を一対の回転可能な保持手段で保持し、脈理と平行な軸と垂直な方向にせん断応力が作用するように帯域溶融法を適用して脈理を除去する均質化処理を施すようにした。 - 特許庁