METHOD FOR FORMING N-TYPE CONDUCTIVE LAYER IN ZINC OXIDE SURFACE LAYER例文帳に追加

酸化亜鉛表層にｎ型伝導層を形成する方法 - 特許庁

(lxii) complex compounds of manganese N,N'-ethylenebis(dithiocarbamate)and zinc N,N'-ethylenebis (dithiocarbamate); mancozeb発音を聞く 例文帳に追加

六十二　Ｎ・Ｎ’―エチレンビス（ジチオカルバミン酸）マンガンとＮ・Ｎ’―エチレンビス（ジチオカルバミン酸）亜鉛の錯化合物（別名マンコゼブ又はマンゼブ） - 日本法令外国語訳データベースシステム

(cccxxix) N,N'-ethylenebis(thiocarbamoylthiozinc)bis(N,N-dimethyldithiocarbamate); polycarbamate発音を聞く 例文帳に追加

三百二十九　ビス（Ｎ・Ｎ―ジメチルジチオカルバミン酸）Ｎ・Ｎ’―エチレンビス（チオカルバモイルチオ亜鉛）（別名ポリカーバメート） - 日本法令外国語訳データベースシステム

(ccclxxviii) polymer of N,N'-propylenebis(dithiocarbamic acid)and zinc; propineb発音を聞く 例文帳に追加

三百七十八　Ｎ・Ｎ’―プロピレンビス（ジチオカルバミン酸）と亜鉛の重合物（別名プロピネブ） - 日本法令外国語訳データベースシステム

The positive electrode is composed of a positive electrode active material or the like such as, for example, a metal oxide and a graphite fluoride ((CF)_n).例文帳に追加

正極は、例えば金属酸化物やフッ化黒鉛((CF)_n)などの正極活物質などからなる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ELECTRODE WITH LOW CONTACT RESISTANCE ONTO n-TYPE CONDUCTIVE ZINC OXIDE例文帳に追加

ｎ型伝導性酸化亜鉛上への低接触抵抗電極の形成法 - 特許庁

The magnet 6 is constructed by overlapping the N-pole just above the S-pole vertically.例文帳に追加

磁石６は、Ｓ極の鉛直上方にＮ極を重ねた構造を有する。 - 特許庁

ALUMINUM-CONTAINING ZINC OXIDE-BASED n-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

アルミニウム含有酸化亜鉛系ｎ型熱電変換材料 - 特許庁

That is, the n-type zinc oxide thin film is reformed to a p-type zinc oxide semiconductor of high concentration.例文帳に追加

すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 - 特許庁

The pipe-coupling tool 21 has a lead layer, formed by winding a lead sheet N around on the outer peripheral surface of a coupling tool body 22 formed into a cylindrical shape.例文帳に追加

パイプ連結具２１は、筒状に形成された連結具本体２２の外周面に鉛板Ｎが巻装されてなる鉛層を有する。 - 特許庁

The inorganic rust-preventive coating film N includes a zinc coating film K formed on a base material J and a manganese coating film M formed on the zinc coating film K.例文帳に追加

無機防錆皮膜Ｎは、基材Ｊに形成された亜鉛皮膜Ｋと、亜鉛皮膜Ｋに形成されたマンガン皮膜Ｍとからなる。 - 特許庁

METAL ELECTRODE FOR LIGHT EMITTING DIODE USING N-TYPE ZINC OXIDE-BASED SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｎ型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極及びその製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF ORGANIC ZINC OXIDE FILM, N-TYPE CONDUCTIVE FILM AND P-TYPE CONDUCTIVE FILM USING THE FILM例文帳に追加

有機酸化亜鉛膜、ならびにそれを用いたｎ型導電膜およびｐ型導電膜の形成方法 - 特許庁

In the rolling lead alloy sheet for storage batteries which is integrated by pressure-sticking and rolling of the lead-antimony alloy foil in the surface of the lead alloy sheet which consists of the lead-calcium alloy, the lead-antimony alloy foil having the tensile strength of 16 N /mm2 or more, is used.例文帳に追加

鉛−カルシウム合金からなる鉛合金シートの表面に鉛−アンチモン合金箔を圧着圧延して一体化した蓄電池用圧延鉛合金シートにおいて、鉛−アンチモン合金箔の引張り強度は１６Ｎ／ｍｍ^2以上のものを用いる。 - 特許庁

A method for solubilizing and stabilizing zinc 6,8-dimercaptooctanoate or N-(6,8-dimercaptooctanoyl)amino acid zinc complex, and its physiologically acceptable salt in the aqueous preparation is characterized by compounding the zinc 6,8-dimercaptooctanoate or N-(6,8-dimercaptooctanoyl)amino acid zinc complex, and its physiologically acceptable salt with a water-soluble polyvinyl compound.例文帳に追加

６，８−ジメルカプトオクタン酸亜鉛、またはＮ−（６，８−ジメルカプトオクタノイル）アミノ酸亜鉛コンプレックス、およびその薬理学的に許容できる塩に水溶性ポリビニル化合物を配合することを特徴とする、水性製剤中の６，８−ジメルカプトオクタン酸亜鉛、またはＮ−（６，８−ジメルカプトオクタノイル）アミノ酸亜鉛コンプレックス、およびその薬理学的に許容できる塩を可溶化および安定化する方法。 - 特許庁

Reaction impurities are removed to isolate methylene blue by using a chemical reaction product composed of a color developer N, N'-Dimethyl-p-phenylenediamine and ferric chloride 'fixing solution', auxiliary filter paper after capturing and fixing hydrogen sulfide in a specimen by using filter paper or a support obtained by containing zinc in a swab.例文帳に追加

濾紙もしくは綿棒に亜鉛を含有させた支持体を用いて検体中の硫化水素を捕捉、固定後、発色剤N,N'-Dimethyl-p-phenylenediamineと塩化第２鉄からなる化学反応産物を「固定液」、補助濾紙を用いることにより、反応夾雑物を除去し、メチレンブルーを単離することである。 - 特許庁

An n-type InP buffer layer 22, a reflector layer 23, an i-type InGaAs photo-absorption layer 24, and an n-type InP cap layer 28 are laminated on an n-type InP substrate, and zinc(Zn) is diffused in the n-type InP cap layer 28 to form a p-type diffusion region 32 as a photo-receiving portion.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板２０上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２２，反射鏡層２３，ｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２４，ｎ−ＩｎＰキャップ層２８が積層され、ｎ−ＩｎＰキャップ層２８内に亜鉛（Ｚｎ）が拡散されて、受光部となるｐ型拡散領域３２が形成されている。 - 特許庁

The active semiconductor layer 34 is an n^--type semiconductor consisting of the zinc oxide thin film which is formed by ion plating.例文帳に追加

活性半導体層３４は、イオンプレーティング法で形成される酸化亜鉛薄膜からなるｎ^−型半導体である。 - 特許庁

The above-described problem is solved by the semiconductor particle having a p-type semiconductor such as nickel oxide and an n-type semiconductor such as zinc oxide.例文帳に追加

酸化ニッケル等のｐ型半導体と、酸化亜鉛等のｎ型半導体とを有する半導体粒子により、上記課題を解決する。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

When covering an exposed portion of lead with copper, radiation with the property of uranium begins to be emitted from the N pole.例文帳に追加

そこで鉛の露出している部分を銅で覆うと、今度はＮ極からウランの性質を帯びた放射線が放出され始める。 - 特許庁

To provide, especially, an n-type zinc antimony-based compound thermoelectric semiconductor with respect to a thermoelectric semiconductor material which directly transduces heat into electric power.例文帳に追加

熱から電力に直接変換する熱電半導体材料に関し、特に、ｎ型亜鉛アンチモン系化合物熱電半導体を提供する。 - 特許庁

The n-type conductive film and the p-type conductive film are formed by rapidly heating the organic zinc oxide film in a predetermined atmosphere.例文帳に追加

前記有機酸化亜鉛膜を、所定の雰囲気中で急速に加熱することによりｎ型導電膜およびｐ型導電膜を形成する方法。 - 特許庁

A transparent conductive layer 14 made of n-type zinc oxide is provided via an overcoat film 13 on the photoelectric conversion thin film transistor 12.例文帳に追加

光電変換薄膜トランジスタ１２上にはオーバーコート膜１３を介してｎ型酸化亜鉛からなる透明導電層１４が設けられている。 - 特許庁

A precursor is prepared by subjecting zinc oxide (ZnO) and a nitrogen source or a sulfur source to mechanochemical treatment and heat-treated to dope zinc oxide (ZnO) with nitrogen (N) or sulfur (S).例文帳に追加

酸化亜鉛（ＺｎＯ）と窒素源または硫黄源とをメカノケミカル処理することにより前駆体を作製する。 - 特許庁

In the n-type regions, silicon is introduced as an impurity, and in the p-type regions 106, zinc is introduced as an impurity.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５はシリコンが不純物として導入され、ｐ型領域１０６は亜鉛が不純物として導入されている。 - 特許庁

The n-type charge transfer layer is formed by attracting one or more kinds of fine particles to the needle crystal of zinc oxide.例文帳に追加

ｎ型の電荷輸送層は少なくとも一種類以上の微粒子を酸化亜鉛針状結晶上に吸着させる。 - 特許庁

Flakes of a graphite compound are prepared by shaking a liquid to be treated containing the graphite compound and a cyclic compound having a five-member ring such as tetrahydrofuran and N-methylpyrrolidone. Thereby, the dispersion liquid of flake type graphite containing the flake type graphite stably dispersed therein can be efficiently produced by peeling layers of the graphite compound.例文帳に追加

本発明は、黒鉛化合物と、テトラヒドロフランやＮ−メチルピロリドンなどの五員環を含有する環状化合物とを含む被処理液を振とうさせて、上記黒鉛化合物を薄片化することを特徴とするので、黒鉛化合物の層面同士を剥離して薄片化黒鉛が安定的に分散してなる薄片化黒鉛分散液を効率良く製造することができる。 - 特許庁

The zinc-based oxide obtainable by this manufacturing method is useful as an n-type semiconductor and a thermoelectric transformation material, for example, when this oxide including zinc is used as an n-type thermoelectric transformation material it can be a high efficiency thermoelectric transformation module.例文帳に追加

この製造方法で得られる亜鉛系酸化物は、ｎ型半導体材料や熱電変換材料として有用であり、例えば、ｎ型熱電変換材料としてこの亜鉛系酸化物を用いると、効率の高い熱電変換モジュールとなる。 - 特許庁

The suspending member 6 is suspended over a support rod 9 arranged over the exciter 3, one end thereof is fixed to a position on a vertical line passing through the center of gravity N (an outer circumferential portion M on the vertical line passing through the center of gravity N) of the exciter 3, and the other end is fixed to a weight 10 whose mass is equal to the mass of the exciter 3.例文帳に追加

懸吊部材６をエキサイタ３の上方に配設した支柱９に巻き架け、その一端をエキサイタ３の重心Ｎを通る鉛直線上の位置（重心Ｎを通る鉛直線上の外周部Ｍ）に固定し、他端をエキサイタ３の質量と等しい質量の錘１０に固定する。 - 特許庁

The n-type thermoelectric conversion material which contains metal sulfides, such as zinc sulfide ZnS, lead sulfide PbS, and tin sulfide SnS, is excellent in electrical conductivity, and low in thermal conductivity is obtained.例文帳に追加

硫化亜鉛ＺｎＳ、硫化鉛ＰｂＳ、硫化スズＳｎＳなどの金属硫化物を含んで、電気伝導性に優れるとともに低熱伝導性のｎ型熱電変換材料を得る。 - 特許庁

This aqueous preparation comprises zinc 6,8-dimercaptooctanoate or N-(6,8-dimercaptooctanoyl)amino acid zinc complex, and its physiologically acceptable salt and a water-soluble polyvinyl compound.例文帳に追加

６，８−ジメルカプトオクタン酸亜鉛、またはＮ−（６，８−ジメルカプトオクタノイル）アミノ酸亜鉛コンプレックス、およびその薬理学的に許容できる塩と水溶性ポリビニル化合物を含有する水性製剤。 - 特許庁

To provide a stable aqueous preparation containing zinc 6,8-dimercaptooctanoate or N-(6,8-dimercaptooctanoyl)amino acid zinc complex, and its physiologically acceptable salt in effective concentrations.例文帳に追加

６，８−ジメルカプトオクタン酸亜鉛、またはＮ−（６，８−ジメルカプトオクタノイル）アミノ酸亜鉛コンプレックス、およびその薬理学的に許容できる塩を有効濃度含有する、安定な水性製剤を提供する。 - 特許庁

A metal catalyst layer is introduced on a zinc oxide thin film having electrical characteristic of an n-type semiconductor and is subjected to heat treatment to be reformed to a zinc oxide thin film having electrical characteristic of a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。 - 特許庁

Further, the negative electrode 16 may include one or more of the graphite coated with the film including at least one of N and F, graphite, active carbon, an alkali metal, and an alkali metal compound.例文帳に追加

また、負極１６は、Ｎ及びＦの少なくとも一方を含む皮膜で被覆された黒鉛、黒鉛、活性炭、アルカリ金属及びアルカリ金属化合物のうち１以上を含むものとしてもよい。 - 特許庁

In the corrosion prevention method for a galvanized face, an alkali aqueous solution consisting mainly of an alkali silicate (M_2O-nSiO_2) is applied on either or both of a galvanized face and a galvanized face in which white rust is generated; wherein, M is Na, K, Li or Cs, and n is 1 to 5.例文帳に追加

亜鉛メッキ面及び白錆の発生した亜鉛メッキ面の一方又は両方に対して、ケイ酸アルカリ（Ｍ_２Ｏ・ｎＳｉＯ_２）〔但し、式中Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃｓのいずれかであり、かつｎは、１乃至５である。 - 特許庁

In the corrosion prevention method for a metal thermal spraying face, the thermal spraying face of metal selected from zinc, aluminum and a zinc/aluminum pseudo alloy is coated with an alkali aqueous solution consisting mainly of an alkali silicate (M_2O-nSiO_2); wherein, M is any one element selected from Na, K, Li and Cs, and also, n is 1 to 5.例文帳に追加

亜鉛、アルミ、及び亜鉛／アルミ擬合金から選択される金属溶射面に、ケイ酸アルカリ（Ｍ_２Ｏ・ｎＳｉＯ_２）〔但し、式中Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｃｓのいずれかであり、かつｎは、１乃至５である。 - 特許庁

In this sheet gasket made of an expanded graphite, a large number of irregular parts n are irregularly formed on the surface h of an expanded graphite 2 and finished in a matted state by a press molding in which a cylindrical press roller 10 with a large number of projecting parts 6a is pressed against the surface h of the expanded graphite 2 while rolling the cylindrical press roller.例文帳に追加

膨張黒鉛製のシートガスケットにおいて、多数の凸部６ａを有する円筒状のプレスローラ１０を転がしながら膨張黒鉛２の表面ｈに押付けるプレス成形により、膨張黒鉛２の表面ｈに多数の凹凸部ｎが不規則に形成してつや消し状態に仕上げる。 - 特許庁

The unleaded gasoline composition comprises ≤10 ppm.mass of sulfur component, 10-25 vol.% of olefinic component, and has ≤96 of research octane number and ≤0.20 of (n-heptane + n-octane)/C6 olefin volumetric ratio.例文帳に追加

本発明による無鉛ガソリン組成物は、硫黄分１０質量ｐｐｍ以下、オレフィン分が１０〜２５容量％、リサーチ法オクタン価が９６未満、（ｎ−ヘプタン＋ｎ−オクタン）／C６オレフィン比（容量比）が０．２０以下である。 - 特許庁

The surface-treated molded article of a polycarbonate has a cured coating film having a surface hardness of ≥150 N/mm^2 and ≤320 N/mm^2 and a pencil hardness of ≥3H on the surface.例文帳に追加

表面硬度が１５０Ｎ／ｍｍ^２以上３２０Ｎ／ｍｍ^２以下で、鉛筆硬度が３Ｈ以上である硬化皮膜が表面に形成されている表面処理ポリカーボネート成形品。 - 特許庁

When an operation mode is a photography mode (step S14), it is judged whether an angle θ which the imaging device 10 takes to a vertical direction L1 is larger than N° (θ≥N) or not (step S16).例文帳に追加

動作モードが撮影モードである場合には（ステップＳ１４）、撮像装置１０が鉛直方向Ｌ１に対してなす角θがＮ度以上（θ≧Ｎ）であるかどうか判断される（ステップＳ１６）。 - 特許庁

Preferably, prior to the hot-dip galvanization process, a compound containing an element X which is at least one of S, Cl, Na, K, Ni, C, N, B, Se and Br is deposited on the sheet surface satisfying [X]≥(1/600)×[M], and the sheet is subjected to recrystallization annealing.例文帳に追加

好ましくは、溶融亜鉛めっき処理を施すに先立ち、まず、元素XとしてS、Cl、Na、K、Ni、C、N、B、Se、Brの少なくとも１種以上を含有する化合物を、下記（１）式を満足するように鋼板表面に付着させ、次いで、再結晶焼鈍する。 - 特許庁

When the operation mode is the reproduction mode (step S26), it is judged whether the angle θ which the imaging device 10 takes to the vertical direction L1 is smaller than (N-α) (θ≤(N-α)) or not (step S28).例文帳に追加

動作モードが再生モードである場合には（ステップＳ２６）、撮像装置１０が鉛直方向Ｌ１に対してなす角θが（Ｎ−α）度以下（θ≦（Ｎ−α））であるかどうか判断される（ステップＳ２８）。 - 特許庁

The thin-film photoelectric conversion device has at least a zinc oxide layer, a p-type semiconductor layer, the photoelectric conversion layer, and a back electrode layer in order from a light incident side, and is characterized in that a stoichiometric composition ratio of zinc oxide near the interface composed of the zinc oxide layer and p-type semiconductor layer is Zn:O=1+N:1 (where N>0).例文帳に追加

光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 - 特許庁