A backlight chassis 131 to support the diffusion sheet 25 includes projecting pieces PN, PN fitted in the apertures HL, HL, on a support surface 35u.例文帳に追加

拡散シート２５を支えるバックライトシャーシ１３１は、支持面３５ｕに、開孔ＨＬ・ＨＬに嵌る突出片ＰＮ・ＰＮを含む。 - 特許庁

The electron emitter comprises a PN junction 12, a conductive layer 32, and a dielectric layer 30 interposed between the PN junction 12 and the conductive layer 32, and the PN junction 12 has a nearly flat surface, and the conductive layer 32 covers the nearly flat surface of the PN junction 12.例文帳に追加

ＰＮ接合１２と、導電層３２と、前記ＰＮ接合１２と前記導電層３２との間に挟まれた誘電体層３０を備える様にし、ＰＮ接合12は、ほぼ平坦な表面を有し導電層32はＰＮ接合12のほぼ平坦な表面を覆うようにする。 - 特許庁

The PN junction surface 5 protrudes toward the light-emission surface 11.例文帳に追加

このＰＮ接合面５は、発光面１１に向かって突出した凸形状を有することになる。 - 特許庁

Thus, a pn-junction receptor (optical sensor) is formed on the end surface of the filament 2001.例文帳に追加

これにより、線状体２００１の端面にｐｎ接合の受容部（光センサ）が形成される。 - 特許庁

The semiconductor structure coupling body includes at least one pn junction and has a light receiving surface.例文帳に追加

半導体構造結合体は少なくとも１つのｐｎ接合を含み、被照面を有する。 - 特許庁

A distance D1 between the end part of the current collector electrode and the pn separation groove is larger than a second distance D2 between the outer peripheral end part of the second surface and the pn separation groove in plan view seen from the second surface side.例文帳に追加

前記第２面側から平面視したときに、前記集電極の端部と前記ｐｎ分離溝との間の距離Ｄ１は、前記第２面の外周端部と前記ｐｎ分離溝との距離Ｄ２よりも大きい。 - 特許庁

The ratio anechoic chamber 10 reflects electromagnetic waves radiated from a sample under test 14 up from an installation area of the sample 14 toward measuring positions P1, P2,..., Pn on the floor surface 18, according to the radiating direction of the waves.例文帳に追加

電波暗室１０は、被試験体１４の設置領域の上方に、被試験体１４から放射された電磁波を、その放射方向に応じた床面１８側の測定位置(P1,P2,・・・,Pn)に向けて反射する。 - 特許庁

To provide technique for reducing forward resistance by making good use of a pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on part of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for reducing forward resistance by utilizing an included pn junction diode, with respect to a diode having a p-type semiconductor region formed on a portion of a surface of an n-type semiconductor region.例文帳に追加

n型半導体領域の表面の一部にp型半導体領域が設けられたダイオードにおいて、内在するpn接合ダイオードを活用して順方向抵抗を低減化する技術を提供する。 - 特許庁

All positive/negative carriers generated near the pn junction are collected by the lateral electrodes 16 and 18, passing through the surface layers (layer as thick as light is penetrable) 12a and 14a of a pn junction cell irradiated with light.例文帳に追加

ｐｎ接合近傍で発生した正負キャリアは全て光のあたっているセル表層部分（表面から光が侵入できる厚さ部分）１２ａ，１４ａを通って左右の電極１６，１８に収集される。 - 特許庁

After protrusions and recesses are formed on and in the surface of a crystal substrate 11, a pn junction is formed and an antireflection film 14 is formed on the surface thereof.例文帳に追加

結晶基板１１の表面に凹凸加工を施した後にｐｎ接合し、更にその表面に反射防止膜１４を形成する。 - 特許庁

To provide a surface emitting semiconductor laser capable of reducing variation in resistance due to partial bending of a pn junction surface.例文帳に追加

ｐｎ接合面の部分的な屈曲による抵抗の変化を低減可能な面発光半導体レーザを提供する。 - 特許庁

The solar cell (14) includes a first main surface (31) of a semiconductor body (27) and a second main surface (32) facing the first main surface (31), and a topmost pn-junction (1) of all pn-junctions (1, 2, 3) stacked on top of each other is adjacent to the first main surface (31).例文帳に追加

太陽電池（１４）が、半導体本体（２７）の第１主表面（３１）と、第１主表面（３１）と対向する第２主表面（３２）とを備え、互いの上部上に積層されたｐｎ−接合（１，２，３）の全体の中で最上端のｐｎ−接合（１）が、第１主表面（３１）と隣接する。 - 特許庁

A pn junction layer formed on an inside surface 3a of a groove is perpendicular to the light receiving surface 2a, i.e. parallel with a light incidence direction, so light permeated to nearby the pn junction layer formed on the inside surface 3a is efficiently absorbed.例文帳に追加

前記溝の内側面３ａに形成されたｐｎ接合層が、受光面２ａに対して垂直、すなわち、光入射方向に対し平行となるため、内側面３ａに形成されたｐｎ接合層近傍に浸透した光が効率的に吸収される。 - 特許庁

The drift region 33 includes a high resistance lower drift region 33b, separated from a surface of pn junction with the body region 34.例文帳に追加

ドリフト領域３３は、ボディ領域３４とのｐｎ接合面から離反した領域に高抵抗な下部ドリフト領域３３ｂを含む。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a second well 29_b made of a p-type semiconductor, so as to make a second pn joint diode 32_b.例文帳に追加

ｐ型半導体である第２のウェル２９_bの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第２ＰＮ接合ダイオード３２_bを形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a fourth well 29_d made of a p-type semiconductor, so as to make a 7th pn joint diode 32_g.例文帳に追加

ｐ型半導体である第４のウェル２９_dの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第７ＰＮ接合ダイオード３２_gを形成する。 - 特許庁

A mesa groove (19) is so provided on the first main surface (31) as to penetrate at least the topmost pn-junction (1).例文帳に追加

メサグルーブ（１９）が、第１主表面（３１）上に設けられ、少なくとも最上端のｐｎ−接合（１）を貫通する。 - 特許庁

The laser light source 410 is disposed so that the pn junction surface of a laser chip is parallel to the vertical direction.例文帳に追加

レーザ光源４１０は、レーザチップのｐｎ接合面が鉛直方向に平行となるように配される。 - 特許庁

The laser light source 410 is disposed so that a pn junction surface of a laser chip is parallel to a vertical direction.例文帳に追加

レーザ光源１００は、レーザチップのｐｎ接合面が鉛直方向に平行となるように配される。 - 特許庁

A pn junction which is to be a light reception region is formed between the first diffusion region and the region of the first conductivity of a surface layer part.例文帳に追加

第１の拡散領域と表層部の第１の導電型の領域との間に、受光領域となるｐｎ接合が形成される。 - 特許庁

Even if a pn structure on the surface of the second level difference section 33 is damaged by dry etching, the generation of a leak path, or the like is restrained.例文帳に追加

第２段差部３３の表面のｐｎ構造にドライエッチングによる損傷が生じていてもリークパスなどの発生が抑えられる。 - 特許庁

The PN junction having an in-plane distribution of the obtained impurity concentration is formed on a back surface side of the semiconductor chip.例文帳に追加

この求めた不純物濃度の面内分布を持つＰＮ接合部を半導体チップの裏面側に形成する。 - 特許庁

Since the GaAs layer 106 is semi-insulating, even if the p-type diffused region 107 is made, pn junction is not made in the vicinity of the surface of the substrate.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１０６が半絶縁性なので、ｐ型拡散領域１０７を形成しても、基板表面付近にはｐｎ接合が形成されない。 - 特許庁

The second doped region is proximate to an upper surface of the substrate and forms a pn junction with the first doped region.例文帳に追加

第２のドープ領域は、基板の上面の近傍にあり、第１のドープ領域と共にｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

To greatly reduce damage by electrostatic discharge by letting a breakdown current flow along the bottom surface of a large-area pn junction with the manufacturing process not growing too sophisticated.例文帳に追加

製造工程が煩雑にならず、面積が広いＰＮ接合の底面部に降伏電流を流すことで静電破壊を大幅に抑制する。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

When a light scattering member RF is fixed inside an opening OP1 and a decorative panel PN is arranged at a prescribed position, the upper surface of the light scattering member RF is exposed from an opening OP2 stipulated by the inner wall surface of the opening OP1 and the side face of the decorative panel PN.例文帳に追加

光散乱部材ＲＦを開口部ＯＰ１内に固定し、装飾パネルＰＮを所定位置に配置すると、開口部ＯＰ１の内壁面と装飾パネルＰＮの側面とで規定される開口部ＯＰ２から、光散乱部材ＲＦの上面が露出する。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

This metal wiring 14 is provided at its end above the pn junction portion so as to coat the pn junction portion (an interface between the p^--type well layer 12c and the n^+-type semiconductor region 12d) exposed to the light incident surface of the semiconductor substrate 12 (p^--type well layer 12c), and exhibits a lattice shape.例文帳に追加

この金属配線１４は、その端部が半導体基板１２（Ｐ−型ウエル層１２ｃ）の光入射面に露出するｐｎ接合部分（Ｐ−型ウエル層１２ｃとＮ＋型半導体領域１２ｄとの界面）を覆うように当該ｐｎ接合部分の上方に設けられており、格子形状を呈している。 - 特許庁

Impurity concentration at a part adjacent to the pn junction side of diffusion layers (p-type diffusion separation walls) 14, 14a, 14b for electrically dividing the inside of a substrate through a pn junction is enhanced selectively near the substrate surface, where high-concentration regions (n^+-layer) 15a-15c are formed.例文帳に追加

ｐｎ接合を通じて基板内部を電気的に区画する拡散層（Ｐ型拡散分離壁）１４および１４ａおよび１４ｂのｐｎ接合側に近接する部分の不純物濃度を基板表面の近傍にて選択的に高めて、そこに高濃度領域（Ｎ^+層）１５ａ〜１５ｃを形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

In this PN-type electron beam detector 100, a PN junction is composed of a P+-type diffusion layer 102 formed on the front face (on the lower side in Figure) of an N--type semiconductor substrate 101, while the rear face of the N--type semiconductor substrate 101 is an incident surface of the electron beam or the reflected electrons.例文帳に追加

Ｎ^-型半導体基板１０１の表面（図１中、下側）に形成されたＰ^+型拡散層１０２にてＰＮ型電子線検出器１００のＰＮ接合が構成され、Ｎ^-型半導体基板１０１の裏面が電子線又は反射電子の入射面となる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing, with high productivity, an epitaxial wafer of parallel pn junction structure in high quality, by evenly removing a rise in a silicon in forming a parallel pn junction structure for precise and efficient final polishing process of a silicon substrate surface.例文帳に追加

並列ｐｎ接合構造を形成する際に生じるシリコンの盛り上がりを均一に除去し、シリコン基板表面の最終研磨工程を高精度かつ高効率に行い、高品質な並列ｐｎ接合構造エピタキシャルウェーハを優れた生産性で製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of evaluating the silicon substrate includes forming a PN junction on a silicon substrate surface, irradiating a depletion region of the silicon substrate having the PN junction formed with an electron beam, and evaluating the silicon substrate from the wavelength and intensity of light emitted by the silicone substrate irradiated with the electron beam.例文帳に追加

シリコン基板表面にＰＮ接合を作製し、ＰＮ接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。 - 特許庁

A pn junction is formed by forming an n-type diffusion layer 3 on the light receiving surface side of a p-type polysilicon substrate 2, and an antireflection film 4 and a light receiving surface silver electrode 10 are formed, respectively, on the light receiving surface.例文帳に追加

ｐ型多結晶シリコン基板２の受光面側にｎ型拡散層３を形成することによりｐｎ接合を形成し、受光面には反射防止膜４および受光面銀電極１０をそれぞれ形成する。 - 特許庁

The semiconductor base body 1 includes a first slope 4a formed continuous to the first surface 1c and formed to incline against the extending direction of the pn junction surface 7, and an end surface 4b continued to the first slope 4a.例文帳に追加

半導体基体１は、第１表面１ｃに連続して形成され、ｐｎ接合面７の延びる方向に対して傾斜するように形成されている第１傾斜面４ａと、第１傾斜面４ａに連続する端面４ｂとを有する。 - 特許庁

The regions of the first principal surface 1a and the second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1 which are opposed to the pn junction are optically exposed.例文帳に追加

ｎ^−型半導体基板１の第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおけるｐｎ接合に対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor base body 1 comprising a pn junction surface 7, an anode electrode 3 formed on a first surface 1c of the semiconductor base body 1, and a first insulating film 5.例文帳に追加

半導体装置は、ｐｎ接合面７を有する半導体基体１と、半導体基体１の第１表面１ｃに形成されているアノード電極３と、第１絶縁膜５とを備える。 - 特許庁

On the surface 1A, an N-type semiconductor layer 2 and P-type semiconductor layer 3 are sequentially epitaxial-grown, with a PN junction surface 5 which contributes light emission formed at the interface.例文帳に追加

この表面１Ａ上に、Ｎ型半導体層２およびＰ型半導体層３が順にエピタキシャル成長させられていて、これらの界面に、発光に寄与するＰＮ接合面５が形成されている。 - 特許庁

In contrast, the metal silicide layer is not formed on a P+ diffusion layer 14 whose junction surface with the N-epitaxial layer 4 is a pn junction surface and which is used as a collector region.例文帳に追加

一方、Ｎ-エピタキシャル層４との接合面がｐｎ接合面となるコレクタ領域としてのＰ+拡散層１４には、金属シリサイド層は形成されていない。 - 特許庁

As a result, generation of partial breakdown on a side surface of a chip, from which side surface the pn junction is exposed is prevented, and a semiconductor diode 10 having the desired stable breakdown voltage can be realized.例文帳に追加

これにより、ｐｎ接合が露呈するチップ側面で局所的な降伏が発生するのを防止して、安定した所望の降伏電圧を有する半導体ダイオード１０を実現することが出来る。 - 特許庁

The re-combination region 7 is formed only on a path, through which an electric current flows immediately after the passage of an electric current in the forward direction is started, of the PN boundary surface, which is a junction boundary surface between the drift layer 2 and the base region 3.例文帳に追加

再結合領域７は、ドリフト層２とベース領域３との接合界面であるＰＮ界面のうち、順方向通電開始直後に電流が流れる経路上にのみ形成される。 - 特許庁

Then, the upstream side end part Pb of the transfer paper sheet P abuts on the alignment reference surface 24, whereby the upstream side end part Pn of the transfer paper sheet P is aligned by the alignment reference surface 14, and the downstream side end part Pa is also aligned.例文帳に追加

そして、転写紙Ｐの上流側端部Ｐｂが、整列基準面２４と当接し、当該整列基準面２４により、転写紙Ｐの上流側端部Ｐｂが整列するとともに、下流側端部Ｐａも整列する。 - 特許庁