「スクライブライン」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

スクライブラインを形成した基板をそのラインに沿って切断する際に、スクライブラインで正確に且つ滑らかに切断すること。例文帳に追加

To exactly and smoothly cut a substrate formed with a scribing line at the scribing line in cutting the substrate along this line. - 特許庁

第１のガラス基板１０の表面にスクライブラインＳ１を形成し（ステップＡ１）、その後にスクライブラインＳ２を形成する（ステップＡ２）する。例文帳に追加

A scribe line S1 is formed on the surface of a first glass substrate 10 (step A1) and then a scribe line S2 is formed (step A2). - 特許庁

このときカラーフィルタ基板１２上のスクライブライン１８をアレイ基板１１上のスクライブライン１７より表示エリア側へずらす。例文帳に追加

At this time, the scribing line 18 on the color filter substrate 12 is offset more to a display area side than the scribing line 17 on the array substrate 11. - 特許庁

遮光膜１５０のスクライブライン１１２に臨む周縁部１５０Ａがスクライブライン１１２から後退している。例文帳に追加

A marginal part 150A facing a scribe line 112 of a light shielding film 150 is retreated from a scribe line 112. - 特許庁

半導体装置の列は、第１のスクライブライン１２ａと直交する第２のスクライブライン１２ｂが延びる方向に複数並んで設けられる。例文帳に追加

A plurality of the trains of the semiconductor devices are provided in a direction where a second scribed line 12b extends perpendicularly to the first scribed line 12a. - 特許庁

更に、取得された表面画像を用いて、ウェハ上にある複数のスクライブラインのうち、一のスクライブラインを検出する（ステップＳ３）。例文帳に追加

Furthermore, one of a plurality of scribe lines on the wafer is detected using the acquired surface image (Step S3). - 特許庁

基準となるスクライブラインに対して一定の距離を保って加工対象のスクライブラインを複数同時に形成すること。例文帳に追加

To simultaneously form a plurality of scribe lines to be machined, while maintaining a fixed distance with respect to a reference scribe line. - 特許庁

スクライブライン形成工程はスクライブ予定ラインに沿って脆性材料基板の第１主面にスクライブラインを形成する。例文帳に追加

The scribe line-forming process is to form a scribe line on a first main surface of the brittle material substrate along a planned scribe line. - 特許庁

次いで、第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂに沿って基板５０を割断する。例文帳に追加

A first scribing line 52a and a second scribing line 52b are formed by thermal stress caused in the substrate 50 and then the substrate 50 is divided along the first scribing line 52a and the second scribing line 52b. - 特許庁

スクライブライン５に配置されているメタル配線層１７−２ｂ，１７−３ｂ，１７−４ｂ，１７−５ｂはスクライブライン５の切断時に除去される。例文帳に追加

The metal wiring layers 17-2b, 17-3b, 17-4b, 17-5b disposed in the scribe line 5 are removed upon cutting the scribe line 5. - 特許庁

スクライブラインは、隣接受動素子ユニット間に電気的連結部を含む。例文帳に追加

The scribe line includes an electrical connection part between neighboring element units. - 特許庁

マーカーＭＸはスクライブライン領域ＳＬ内に形作られる。例文帳に追加

The marker MX is formed in the scribe line area SL. - 特許庁

スクライブは、スクライブライン５に沿って溝１２内で行う。例文帳に追加

Scribing is carried out inside the grooves 12 along the scribe lines 5. - 特許庁

光学フィルタ４は、スクライブライン９上には形成されていない。例文帳に追加

The optical filter 4 is not formed on the scribing line 9. - 特許庁

スクライブライン１が設けてあるウエハ２をスクライブライン１からへき開するウエハへき開装置であり、スクライブライン１が設けてあるウエハ２を加圧、回転移動し、スクライブライン１からへき開する複数のへき開用ローラを備える。例文帳に追加

A wafer cleaving apparatus cleaves a wafer 2 provided with a scribe line 1 from the scribe line 1 and is provided with a plurality of rollers for the cleavage for pressurizing and rotationally moving the wafer 2 provided with the scribe line 1 and cleaving it from the scribe line 1. - 特許庁

相対的に幅の広いスクライブラインＳＬ１のダイシング時には、スクライブラインＳＬ１内に２個所の切断個所を設け、スクライブラインＳＬ１のダイシングも相対的に幅の狭いスクライブラインのダイシングも、すべて同一のステップカット（追従）方式のダイサを用いて行う。例文帳に追加

When performing dicing of a relatively wide scribe line SL1, two cutting places are provided in the scribe line SL1 and then the dicing of the scribe line SL1 and dicing of a relatively narrow scribe line are both carried out using the same step-cut (following) dicer. - 特許庁

次に、この表面にスクライブライン１１を形成する（加工工程：Ｓ２）。例文帳に追加

Then, a scribing line 11 is formed on a surface (working process S2). - 特許庁

基板のスクライブラインを、スクライブラインの延在する方向に長いビームスポットを持つ第１のレーザビームで走査することにより、スクライブラインに沿った溝を形成する。例文帳に追加

A scribe line of a substrate is scanned with a first laser beam that has a long beam spot in the extending direction of the scribe line, thereby forming a groove along the scribe line. - 特許庁

一方のガラス基板１５の外周シール剤２４の内側で短冊状基板部２６の一側の第１のスクライブライン２９と第２のスクライブライン３１との間にわたって、第３のスクライブライン３２を形成する。例文帳に追加

A third scribe line 32 is formed inside the peripheral sealant 24 of the one glass substrate 15 across the first scribe line 29 on a side of the strip-shaped substrate part 26 and the second scribe line 31. - 特許庁

スクライブライン及び該スクライブラインに起因するリブマークの深さをスクライブライン形成中に確認することができる電気光学装置の製造装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing equipment of an electrooptical apparatus, a manufacturing method of the electrooptical apparatus and the electrooptical apparatus, in which depth of a scribe line and a rib mark caused by the scribe line is checked during a scribe line forming period. - 特許庁

第１スクライブライン５２ａを形成した後、第１スクライブライン５２ａと交差する第２スクライブライン５２ｂを形成する際、脆性材料基板５０を冷却するための冷却水量を０．５ｍｌ／ｍｉｎ以下とする。例文帳に追加

When forming a second scribe line 52b that crosses with a first scribe line 52a that has been first formed, the amount of a cooling water used for cooling the brittle material substrate 50 is adjusted to ≤0.5 ml/min. - 特許庁

半導体基板１１に形成されたスクライブライン１に形成された電極パッド２と、前記スクライブライン１に形成されるとともに前記電極パッド２より前記スクライブライン１の幅方向に広く開口された開口部３とを形成する。例文帳に追加

The electrode pad 2 is formed on the scribe line 1 formed on the semiconductor substrate 11, and an aperture 3 is formed on the scribe line 1 so as to be opened in the widthwise direction of the scribe line 1 wider than the electrode pad 2. - 特許庁

本発明に係るスクライブラインの配置方法は、矩形のチップデータ領域９及びその周囲のスクライブラインデータ領域１０，１１からなるレチクルパターン３をウェハー上に露光することにより、該ウェハー上にスクライブラインを配置する方法である。例文帳に追加

This method for arranging the scribed lines on a wafer consists in exposing chip data regions 9 of a rectangular shape and a reticle pattern 3 consisting of scribed line data regions 10 and 11 around the same onto the wafer. - 特許庁

複数のチップをマトリックス状に配置するために半導体ウエハに形成されるスクライブライン上に位置し、スクライブラインの幅方向より、スクライブラインの延びる方向に長いことからなるアライメントマークにより上記の課題を解決する。例文帳に追加

The alignment mark is positioned on a scribe line formed on a semiconductor wafer in order to arrange chips in matrix, and the mark is longer in the extending direction of the scribe line than the widthwise direction. - 特許庁

レーザビームを用いて、互いに交差する２方向のスクライブラインを形成し、脆性材料基板を割断する場合に、２つのスクライブラインが交差する領域において、最初に形成したスクライブラインの垂直クラックの固着発生を抑える。例文帳に追加

To prevent fixing of a vertical crack of a scribe line first formed in a region wherein two scribe lines cross with each other when breaking a brittle material substrate by forming the two scribe lines crossing each other using a laser beam. - 特許庁

次いで、第１スクライブライン３１の内側を第１スクライブライン３１に沿ってカッター２によってスクライブし、基板厚み方向に対して傾斜し、第１クラック４１に合流する第２クラック４２からなる第２スクライブライン３２を形成する。例文帳に追加

Then, the inner side of the first scribe line 31 is scribed along the first scribe line 31 by the cutter 2, and inclined in the substrate thickness direction to form a second scribed line 32 including a second crack 42 merging with the first crack 41. - 特許庁

半導体ウェハ１００は、複数の素子形成領域が設けられた半導体基板の主面に、素子形成領域の外縁に沿ってスクライブライン溝１１２が形成され、スクライブライン溝１１２の交差部分に、スクライブライン溝１１２を閉塞するストッパ１１８が形成されている。例文帳に追加

In the semiconductor wafer 100, scribed line trenches 112 are formed along the outer edge of a device forming region on the principal surface of a semiconductor substrate where a plurality of the device formation regions are provided, and stoppers 118 for closing the scribed line trenches 112 are formed at intersecting points of the scribed line trenches 112. - 特許庁

スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。例文帳に追加

In a scribe line, a region where interlayer insulating films 2, 4 and 6 do not exist on both sides of the scribe line and a surface of a semiconductor substrate 1 is exposed is provided, and the interlayer insulting films 2, 4 and 6 are left at a middle position of the scribe line, namely in a region held between grooves T. - 特許庁

レーザビームの波長を変えることなくスクライブラインの深さを調整できるようにする例文帳に追加

To adjust the depth of the scribe line without changing the wavelength of the laser beam. - 特許庁

半導体基板は、スクライブラインに沿って複数の溝部が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor substrate has a plurality of groove portions formed along scribe lines. - 特許庁

各半導体基板はスクライブラインに沿った複数のスクライブ溝部が形成されている。例文帳に追加

Each semiconductor substrate has a plurality of scribe-groove parts formed along scribe lines. - 特許庁

次に、スクライブラインＳ２に沿って第１のガラス基板２０をブレイクする（ステップＡ４）。例文帳に追加

Then, the first glass substrate 20 is broken along the scribe line S2 (step A4). - 特許庁

次いで、溝１１の相互間に構成されたスクライブライン１５に沿って、第１ダイシングを行う。例文帳に追加

First dicing is performed along the scribing line 15 formed in the space between the grooves 11. - 特許庁

セラミックス基板スクライブライン形成用スクライビングホイール、スクライブ装置及びスクライブ方法例文帳に追加

SCRIBING WHEEL FOR FORMING CERAMIC SUBSTRATE SCRIBE LINE, SCRIBING APPARATUS AND SCRIBING METHOD - 特許庁

一の大判基板部36の第１大判基板31側にプレスクライブラインPSLを形成する。例文帳に追加

A prescribe line PSL is formed in the side of a first large substrate 31 of a large substrate unit 36. - 特許庁

第１基板主面を、ａ軸に沿った第２スクライブラインの各々に沿ってスクライブする。例文帳に追加

The first substrate main face is scribed along each of second scribe lines along the a axis. - 特許庁

半導体ウエハは、スクライブライン領域６０により区画された素子形成領域５０を有している。例文帳に追加

The semiconductor wafer includes an element formation region 50 defined by a scribed line region 60. - 特許庁

半導体基板はスクライブラインに沿って複数の溝部が形成されている。例文帳に追加

A semiconductor substrate has a plurality of groove portions formed along scribe lines. - 特許庁

半導体基板は、スクライブラインに沿って複数の溝部が形成されている。例文帳に追加

The semiconductor substrate has a plurality of groove portions formed along scribe lines. - 特許庁

高浸透性のスクライブラインを形成することができるカッターホイールを提供する。例文帳に追加

To provide a cutter wheel which can form a scribe line high in permeability. - 特許庁

第１のスクライブライン１８の幅は、半導体基板１０を切断し得る最小の幅に等しい。例文帳に追加

The first scribe line 18 is as wide as a minimum width that allows cutting of the semiconductor substrate 10. - 特許庁

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。例文帳に追加

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved. - 特許庁

プロセスモニタ用ＴＥＧ領域の幅を縮小して、スクライブライン幅を狭くする。例文帳に追加

To narrow the width of a scribing line by reducing the width of a TEG region for monitoring the process. - 特許庁

スクライブライン領域４の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。例文帳に追加

The cutting strength of the scribe line area 4 is made lower than those of the other area. - 特許庁

スクライブライン１４には、各半導体チップ１２に対応して基点標識３０が設けてある。例文帳に追加

Reference markers 30 are formed on the scribe lines 14 corresponding to each semiconductor chip 12. - 特許庁