「スクライブライン」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

互いに貼り合わされた２枚の大型ガラス基板をその各外面に形成されたスクライブラインに沿って切断したとき、切断後のガラス基板の端面がその表面に対して斜めに割れたり、バリが発生するといった、外形不良が発生する度合いを抑制する。例文帳に追加

To suppress a degree of occurring appearance failure such that when two large glass substrates laminated to each other are cut along scribe lines formed on the each outer surface, an end face of the glass substrate after cutting is broken oblique to the surface or produces burrs. - 特許庁

液晶パネル切断システムは、基板が載置されるテーブルと、基板の表面にスクライブラインを形成する切断ホイールと、基板の特性に応じて切断ホイールの駆動条件を制御して切断ホイールを駆動させる制御部とを含む。例文帳に追加

The system comprises a table on which the substrate is loaded, the cutting wheel for forming scribing lines on the surface of the substrate, and a controller for driving the cutting wheel, by controlling the driving condition of the cutting wheel based on the characteristics of the substrate. - 特許庁

半導体ウェハ３０に形成した多数の半導体チップ２０のうちいくつかに陽極接合用パッド５０を形成し、かつ、陽極接合用パッド５０に接続されたコンタクト用配線６０がスクライブライン４０に形成されたものを用意する。例文帳に追加

A board is prepared in which pads 50 for an anode junction are formed to some of a large number of semiconductor chips 20 formed to the semiconductor wafer 30 and sets of wiring 60 for a contact connected to the pads 50 for the anode junction are formed to scribing lines 40. - 特許庁

複数の素子領域３を有した複数個取りの大型素子基板１０に接着剤６を用いて大型封止基板１１を貼着し、その後、スクライブライン５に沿って素子領域３毎に個片化する有機ＥＬ装置９の製造方法である。例文帳に追加

A large-sized sealing substrate 11 is pasted on a multi-piece large-sized element substrate 10 having a plurality of element areas 3 by using adhesive agent 6, and is then turned into pieces for each element area 3 along scribe lines 5, in the manufacturing method of the organic EL device 9. - 特許庁

半導体基板１ａ〜１ｃのスクライブラインＳＬの位置に溝４ａ〜４ｃを設け、半導体基板１ａ〜１ｃを積層した後、半導体基板１ａ〜１ｃの切断面に設けられた溝４ａ〜４ｃ内に導電材料１１を充填する。例文帳に追加

Grooves 4a and 4c are cut in semiconductor substrates 1a to 1c at the position of scribe lines SL, the semiconductor substrates 1a to 1c are laminated, and then the grooves 4a and 4c provided to the cut surfaces of the semiconductor substrates 1a to 1c are filled up with a conductive material 11. - 特許庁

導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残すようにしたものである。例文帳に追加

The electrically conductive light shielding film 124 is circularly left on the outer peripheral part of the TFT substrate 110 in order to make the upper light shielding film of a scribe line side hard to peel during etching and cleaning when the upper light shielding film is formed on the TFT substrate 110. - 特許庁

第２ガラス基板Ｇ２が割断する際に発生する応力がシーリング材５を介して第１ガラス基板Ｇ１に伝わることにより、第２ガラス基板Ｇ２の割断と実質的に同時に、第１ガラス基板Ｇ１をスクライブラインに沿って割断する。例文帳に追加

Stress, generated when the second glass substrate G2 is broken, reaches the first glass substrate G1 through the sealing material 5, thereby the first glass substrate G1 is broken along the scribe line at substantially same time with the breakage of the second glass substrate G2. - 特許庁

巻き取りリール４２を回転させて、従動リール４４に巻回されたフィルムＦを脆性基板に密着させた状態で巻き取るとともに、スクライブヘッド３を走行させ、巻き取られるフィルムＦの上からカッターホイール３３によって脆性基板にスクライブラインを形成する。例文帳に追加

The scribe line is formed on the brittle substrate by rotating a winding reel 42 to wind a film F wound by a driven reel 44 while being in close contact with the brittle substrate, running a scribe head 3 and scribing from the upper side of the film F to be wound by a cutter wheel 33. - 特許庁

複数の素子領域３を有した複数個取りの大型素子基板１０に接着剤６を用いて大型封止基板１１を貼着し、その後スクライブライン５に沿って素子領域３毎に個片化する有機ＥＬ装置９の製造方法である。例文帳に追加

The manufacturing method of the organic EL device 9 is to bond a large-sized sealing substrate 11 on a large-sized element substrate 10, for obtaining a plurality of individual pieces, having a plurality of element areas 3 with an adhesive 6 and cutting into individual pieces for each element area 3 along scribe lines 5. - 特許庁

このため、厚さが１００μm以上のサファイヤ基板やケミカルポリッシュ面を高荷重でスクライブしても、サファイヤ基板のスクライブラインにチッピングが発生しにくくなり、また、ダイヤモンドスクライバー１の刃先３aが耐摩耗性に優れる。例文帳に追加

Therefore, even if a sapphire substrate having thickness of not less than 100 μm or the chemically polished surface is scribed under a high load, chipping is hardly generated in the scribed line of the sapphire substrate, and the blade edge 3a of the diamond scriber 1 shows excellent wear resistance. - 特許庁

冷却流体ビーム１７０の噴射後、一つのビームパターンを使用してガラス母基板１００を切断するので光学系を単純化させることができ、スクライブライン２１０に大きい引張力を発生させるので、厚い非メタル基板の完全切断を達成することができる。例文帳に追加

The optical system is simplified because a glass-base substrate 100 is cut by making use of a beam pattern after the ejection of the cooling liquid beam 170, and a large tensile force is applied on the scribe line 210, thus a thick non-metallic substrate is completely cut. - 特許庁

電源パッドＶＤＤ１及びグランドパッドＧＮＤ１の少なくとも１つと、外部に対する信号を入出力する信号のパッドＳ１とを、ＩＯバッファ領域に最接近するチップ外周部分のスクライブライン１に垂直な方向で、該ＩＯバッファ領域内に一列に配置する。例文帳に追加

At least one power-supply pad VDD1 and one ground pad GND1 as well as a signal pad S1 which inputs/outputs a signal from and to the outside are arranged in a row on an IO buffer region in the direction perpendicular to a scribing line in the outer circumferential part of a chip which in the closest to the IO buffer region. - 特許庁

その後、砥粒が細かくブレード幅の狭い第２ダイシングブレードによって、スクライブライン１０上を、ガラスウェハ１１側から感光性樹脂層１３並びにその下層の半導体ウェハ１底面までダイシングカットしてチップ毎に分割する。例文帳に追加

After that, the dicing cut is applied to the wafer from the glass wafer 11 side till the bottom surface of the semiconductor wafer 1 in the photosensitive resin layer 13 and its lower layer on the scribe line 10 by a second dicing blade having fine abrasive grains and a narrow blade width to divide the groove for every chip. - 特許庁

マザー基板の透明導電膜が形成されている側の主面に、透明導電膜にキズをつけることなくスクライブラインを形成でき、部材の汚染を抑制できる、透明導電膜を有するガラス基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a glass substrate, in which a scribe line can be formed on a main surface of a mother substrate on which a transparent conductive film is formed, without harming the transparent conductive film, and which can suppress the contamination of a member. - 特許庁

第一のレーザ光８ａにより、スクライブライン２上に溝を形成することで、半導体基板１の表面状態に関わらず、表層の欠けや割れを抑え、第二のレーザ光８ｂで多光子吸収による改質領域１０を形成した後の切断を容易にする。例文帳に追加

Since the groove is formed on the scribe line by the first laser light 8a, the generation of chips or cracks can be suppressed independently of the surface state of the semiconductor substrate and the semiconductor substrate 1 can be easily cut off after forming the reformed area 10 based on the multiple photon absorption by the second laser light 8b. - 特許庁

ウェーハは、スクライブラインで互いに分離された複数の実質的に同一な半導体ダイを有し、ウェーハ平面上に、この平面と実質的に平行な上面を有する窒化シリコン２２の層が形成され、この上面に、上面上方の高さが異なる二酸化シリコン２８の層が堆積される。例文帳に追加

A wafer has a plurality of substantially same semiconductor dies separated by scribing lines; and a layer of silicon nitride 22 with a top face substantially in parallel with a wafer plane is formed on the wafer plane, and the layer of silicon dioxide 28 having different heights in the upper section of the top face is deposited on the top face. - 特許庁

仮想的なウェハ１０及びマスク１９とを、オリフラ１２をＸ方向のスクライブライン１６xに重ね、良品１４の個数を数えた後、相対移動させ、良品個数が変化する毎に、相対移動量と対応付けて記憶しておく。例文帳に追加

A virtual wafer 10 and a mask 19 are moved relatively, after an orientation flat 12 is overlapped on a scribe line 16x in an X-direction and the number of non-defective products is counted, and a result corresponding to the quantity of relative movement is stored every time, when the number of non-defective products varies. - 特許庁

そして、前記多層配線膜を形成する工程において、前記スクライブライン領域における前記ダイシング領域を除く領域には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成し、前記ダイシング領域における前記層間絶縁膜の少なくとも上部には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成しない。例文帳に追加

In the multi-wiring film forming step, a dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed in a region other than the dicing region in the scribe line region, and no dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed at least on an upper part of the interlayer insulating film in the dicing region. - 特許庁

半導体基板はスクライブラインに沿って複数の溝部を形成し、複数の溝部が形成されている側の表面に絶縁材を塗布して表面絶縁層を形成し、半導体装置に接続され、かつ表面絶縁層の表面よりも上に浮かび上がった凸状の配線電極を表面絶縁層よりも後に形成することによって製造することができる。例文帳に追加

The semiconductor substrate can be formed by forming the plurality of groove portions along the scribe lines, forming the surface insulating layer by coating the surface on the side where the plurality of groove portions are formed with an insulating material, and forming the wiring electrodes which are connected to the semiconductor substrate and are in the protruding shape rising above the surface of the surface insulating layer after the surface insulating layer is formed. - 特許庁

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。例文帳に追加

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier. - 特許庁

ウエハ１上に形成された複数のＬＳＩとして、ダイ領域上にはデジタル回路６を搭載し、またウエハ１上に形成されたスクライブライン上にはテスト回路５を備え、そのテスト回路５とダイ領域上のインターフェイス部となる入力及び出力パッド部４とを配線で接続し、入力及び出力パッド部４を用いて試験信号を供給する。例文帳に追加

As a plurality of LSI formed on a wafer 1, a digital circuit 6 is packaged on a die area, a test circuit 5 is provided on a scribe line formed on the wafer 1, input and output pads 4 to become interfaces with the test circuit 5 on the die area are connected by wiring, and a test signal is supplied by using the input and output pads 4. - 特許庁

薄仕上げ半導体ウエハ２７の被研削面２８にレジストからなるマスク２９を使用してドライエッチングを施し、スクライブライン２４に対応したリブ部３０をサブストレート２０の厚みを残して形成し、チップ部２３に対応した窪み３１をリブ部３０で囲むように陥没させる。例文帳に追加

A surface 28 to be ground of a thin finished semiconductor wafer 27 is dry-etched by using a mask 29 composed of a resist, and a rib 30 is formed corresponding to a scribe line 24 by leaving the thickness of a substrate 20 behind, and a cavity 31 corresponding to a chip 23 is recessed so as to encircle the cavity with the rib 30. - 特許庁

ＴＦＴ基板母材１０１上に、対向基板母材１０２の対向電極に電気的接続をとるためのトランスファ形成部１０７と導電材１１２とを、隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域間で、ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙを通ってＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に対称に形成する。例文帳に追加

Transfer forming parts 107 and conductive materials 112 for electrically connecting to a counter electrode of a counter substrate preform 102 are formed on a TFT substrate preform 101 symmetrically with respect to the surface passing through a yTFT scribe line 114y between two adjacent TFT substrate forming regions and orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform. - 特許庁

基板表面にスクライブラインを形成して該基板を分断する基板分断装置に用いられる設定治具１において、スクライブホイール５を保持するスクライブホルダ３と、分断ホイール９をスクライブホイール５の走行方向に沿ったスクライブホルダ３の後方で保持する分断ホルダ６とを備える。例文帳に追加

The setting tool 1 used in a substrate-dividing device for dividing a substrate by forming a scribe line on the surface of the substrate is provided with: a scribe holder 3 for holding a scribe wheel 5; and a divide holder 6 for holding a divide wheel 9 at the rear of the scribe holder 3 along a running direction of the scribe wheel 5. - 特許庁

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド４の上面にメッキ処理でバンプ電極６を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン１０に絶縁層３ａが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。例文帳に追加

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places. - 特許庁

隣り合う液晶パネルの液晶注入口を向かい合わせた対を作り、それぞれに注入口を形成する突起は互いに入れ子となり、対になっているパネルを切断するスクライブラインを越えて形成し、相手の注入口内にある突起は切断分離後相手のドテとして機能することを特徴とする。例文帳に追加

A pair of adjacent liquid crystal panels of which the liquid crystal injection ports face each other are prepared, and projections forming injection ports are nested into each other and are formed beyond a scribe line along which the pair of panels should be cut, and projections in the injection ports of each other function as banks for each other after panels are separated by cutting. - 特許庁

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。例文帳に追加

In the semiconductor apparatus where an opening is formed from the back of a semiconductor substrate 1 such that a pad electrode 3 formed thereon is exposed and a wiring layer 10 is formed for the pad electrode 3 through the opening, an opening 6b for monitoring the formation state of the opening is formed on a scribe line. - 特許庁

ウェハ状のＳＯＩ基板１０のうち、スクライブライン領域であるマーク形成領域１５０のＳＯＩ層を構成する第２のシリコン層１６上に、エピタキシャル成長法によって凸部形成用材料層であるエピタキシャルシリコン層２２を形成した後、当該エピタキシャルシリコン層に対してエッチングを行って、位置合わせ用マークとしての凸部２２ａをパターニング形成する。例文帳に追加

In a wafer-shaped SOI substrate 10, an epitaxial silicon layer 22, which is a convex formation material layer, is formed through an epitaxial growth method on a second silicon layer 16 constituting an SOI layer of the mark formation area 150, which is a scribe line area, and then the corresponding epitaxial silicon layer is etched to pattern a convex 22a as a positioning mark. - 特許庁

半導体基板は、スクライブラインに沿って複数の溝部を形成し、複数の溝部に絶縁材を埋め込み平坦化して絶縁層を形成し、複数の溝部のいずれか少なくとも１つに接する矩形状の単位領域から溝部の内側に延出された延出端子部を備える配線電極を形成することによって製造する。例文帳に追加

The semiconductor substrate is manufactured by forming the plurality of groove portions along the scribe lines; embedding an insulating material in the plurality of groove portions and planarizing a surface to form the insulating layers; and forming the wiring electrode including the extended terminal portion extended from the rectangular unit region in contact with at least any one of the plurality of groove portions to the inside of the groove portion. - 特許庁

カッターホイルにウエイトで切断圧力を加えることで、カッターホイルに対して加える力を軽減して安定することができ、ガラスのサイズが大きい場合やステンドグラスの切断及び作業環境により作業姿勢が不十分な場合でも、スクライブラインを確実に入れることができるガラスカッターを提供する。例文帳に追加

To provide a glass cutter which enables to firmly make a scribe line, even if a case of cutting glass of a large size or a case of cutting stained glass or working posture is insufficient because of a working environment, by adding a cutting pressure by a weight to a cutter wheel thereby lightening and stabilizing the force to the cutter wheel. - 特許庁

ダミーバンプＢＤの製造工程において、シード膜３１上にダミーバンプＢＤの材料を用いたメッキを行った後、シード膜３１を選択的に残しておくことにより、ダミーバンプＢＤは、このシード膜３１の残留部分を介して、子チップ２と子チップ２に隣接する他のチップ４との間に設けられたスクライブラインＳＣに接続されている。例文帳に追加

In a manufacturing process of the dummy bump BD, a seed film 31 is selectively remained after plating using a material of the dummy bump BD is performed on the seed film 31, whereby the dummy bump BD is connected to a scribe line SC provided between the child chip 2 and other chip 4 adjacent to the child chip 2 via the remained portion of the seed film 31. - 特許庁

半導体基板のスクライブライン領域にて前記半導体基板の表面から第１深さを有する第１凹部により形成された第１段差部よりなるアラインキーと、前記半導体基板のウェル領域にて前記半導体基板の表面から前記第１深さと同じか浅い第２深さを有する第２凹部により形成された第２段差部とを含む。例文帳に追加

An alignment key formed of a first stepped part, formed of a first recess having a first depth from the surface of a semiconductor substrate in a scribe line region on the semiconductor substrate and a second stepped part formed of a second recess, having a second depth that is from the surface of the semiconductor substrate in a well region on the semiconductor substrate and equal to or smaller than the first depth are included. - 特許庁

ウエハプロセスによって形成される複数の表示装置駆動用ドライバ１が形成されたウエハにおいて、各表示装置駆動用ドライバ１におけるダスト検知用回路および該ダスト検知用回路における測定端子６，７が、該表示装置駆動用ドライバ１の周囲におけるスクライブライン上に形成される。例文帳に追加

In the wafer with a driver 1 for driving a plurality of displays formed through a wafer process, a dust detecting circuit in the driver 1 for driving each display and measuring terminals 6, 7 in the dust detecting circuit are formed on a scribe line in the periphery of the driver 1 for driving the displays. - 特許庁

レーザビーム発生装置２１０は非メタル基板に設定された切断経路２００を加熱して切断経路２００上にスクライブライン２１０を形成する第１レーザビーム１３０を照射し、第１レーザビーム１３０と所定距離離隔されて第１レーザビーム１３０の照射経路に沿って一つのビームパターンを形成する第２レーザビーム１５０を照射する。例文帳に追加

A laser beam generating device 210 irradiates a first laser beam 130 with which the cut route 200 set on the non-metallic substrate is heated and a scribe line 210 is formed on the cut route 200, and a second laser beam 150 with which a beam pattern is formed along the irradiation route of the first laser beam 130 separated by a predetermined distance from the first laser beam 130. - 特許庁

本発明に係るフォトマスクは、チップ形成領域に転写する実素子パターンを備えた実素子データ領域１〜４と、スクライブライン形成領域に転写するパターンを備えたスクライブデータ領域５と、このスクライブデータ領域５に形成された、フォトマスクを識別する識別パターン８と、を具備する。例文帳に追加

This photomask includes actual element data regions 1 to 4 having the actual element patterns to be transferred to chip forming regions, a scribing data region 5 having patterns to be transferred to scribing line forming regions and identification patterns which are formed in this scribing data region 5 and identify the photomask. - 特許庁

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にパッド酸化膜を形成する工程と、パッド酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、シリコン窒化膜上のスクライブラインとなる領域に平面から見て少なくとも１つの水滴捕獲領域を含むレジストパターンを設ける工程とを有している。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a pad oxide film on a semiconductor substrate, forming a silicon nitride film on the pad oxide film, and providing a resist pattern containing at least one droplet capturing area in plan view, in an area that serves as a scribe line on the silicon nitride film. - 特許庁

窒化珪素からなるセラミックス母材の一面に形成されたスクライブラインに沿って該セラミックス母材を分割して形成されたセラミックス基板であって、前記一面における酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度が、電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定において２．７Ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The ceramic substrate is formed by dividing a ceramic base material along a scribe line formed on one face of the ceramic material containing silicon nitride, and when the surface is measured using by an electron probe micro analyzer, the concentration of a silicon oxide and a composite oxide of silicon on the face is not more than 2.7 Atom%. - 特許庁

スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。例文帳に追加

Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark. - 特許庁

Ｎ型エピタキシャル層を成長させて形成するＮ型エピタキシャル層形成工程より先に行うＰ型埋め込み層形成工程を、スクライブラインが形成される部分については、酸化膜上に形成したレジスト膜８１Ａによってマスキングをした状態で、或いは酸化膜自体９０Ａを利用してマスキングをした状態で行うようする。例文帳に追加

A step for forming a P type buried layer preceding a step for forming an N type epitaxial layer by growing an N type epitaxial layer is carried out for a portion where a scribe line is formed while masking that portion by a resist film 81A formed on an oxide film or by utilizing an oxide film 90A itself. - 特許庁

基板表面にスクライブラインを形成して該基板を分断する基板分断装置に用いられる設定治具１において、スクライブホイール５を保持するスクライブホルダ３と、分断ホイール９をスクライブホイール５の走行方向に沿ったスクライブホルダ３の後方で保持する分断ホルダ６とを備える。例文帳に追加

The setting tool 1 used in a substrate-dividing device for dividing a substrate by forming a scribe line on the surface of the substrate is provided with a scribe holder 3 for holding a scribe wheel 5, and a divide holder 6 for holding a divide wheel 9 at the rear of the scribe holder 3 along a running direction of the scribe wheel 5. - 特許庁

また、照度センサ１は、光検出領域３以外への入射光を遮光する金属製遮光膜５と、金属製遮光膜５及びボンディングパッド７を保護し絶縁する絶縁膜８と、基板２上におけるセンサ領域の境界に金属製遮光膜５及び絶縁膜８を形成していないダイシングするための領域であるスクライブライン９とを備える。例文帳に追加

In addition, the illuminance sensor 1 comprises a metal filter 5 for blocking the incident light to other than the light detection area 3, an insulating film 8 for protecting and insulating a metal shading film 5 and a bonding pad 7, and a scribing line 9 (dicing area where neither the metal shading film 5 nor insulating film 8 has been formed on the sensor area boundary of the substrate 2). - 特許庁

ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。例文帳に追加

The dicing method of rotating the dicing blade to cut a substrate includes: a blade lowering process of lowering the dicing blade down to the substrate to cut the substrate; a cutting process of cutting the substrate while moving the dicing blade only by a predetermined distance along the scribe line after the blade lowering process; and a blade lifting process of lifting the dicing blade until it completely leaves the substrate after the cutting process. - 特許庁

本発明に係る半導体装置の製造方法は、スクライブライン２１にポリシリコンパッド１５が形成されたウエハを準備する工程と、ポリシリコンパッド１５にＴＥＧ測定のための測定用針を接触させてウエハの電気的な試験を行う工程と、ダイシングブレードを用いて前記ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体チップ２２，２３を形成する工程と、前記半導体チップにＴＣＰ実装を行う工程と、を具備するものである。例文帳に追加

This manufacturing method comprises a step of preparing wafer, having polysilicon pads 15 formed along scribe lines 21, a step of electrically testing the wafer by contacting a test needle for measuring test elementary groups to the pads 15, a step of dicing the wafer by a dicing blade to form a plurality of semiconductor chips 22, 23 and a step of mounting the semiconductor chips on a tape carrier package. - 特許庁

また、レーザトリミング位置決め用パターンを、半導体集積回路チップ内の既存のパッド領域内やブリーダ抵抗領域内に形成したり、スクライブラインの交点に配置して、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークの機能と、繰り返し配置された半導体集積回路一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのトリミングマークの機能とを兼用できる連続した構造として占有面積の縮小を図った。例文帳に追加

The occupied area is reduced by using a continuous structure in which is called the theta mark function for performing comparatively rough alignment against the direction of rotation of a semiconductor wafer and the trimming mark function for accurate alignment against the individual semiconductor integrated circuit that is repetitively arranged can be used for a double purpose. - 特許庁