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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > スクライブラインの意味・解説 > スクライブラインに関連した英語例文

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スクライブラインを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 449



例文

加えられた振動により機械的衝撃が与えられ、スクライブライン4の底から半導体ウエハー1の略厚さ方向に亀裂5が発生し進展する。例文帳に追加

A mechanical impact is imparted by the vibration and a crack 5 is generated from the bottom of the scribe line 4 substantially in the thickness direction of the semiconductor wafer 1 and developed. - 特許庁

素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域は、半導体ウェハの周辺露光領域境界から高融点金属の成膜領域境界までのリング状の領域、スクライブラインの領域を含む。例文帳に追加

The exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region includes a ring-like region from a peripheral exposure region boundary of a semiconductor wafer to a film formation region boundary of a high-melting-point metal, and a scribe line region. - 特許庁

支持基板の劈開しやすい結晶軸方向と平行な方向に延在するスクライブラインで区分された複数のチップ領域内の前記素子形成層に半導体素子を形成する。例文帳に追加

The method further comprises the step of forming a semiconductor element in the element forming layer in a plurality of chips regions partitioned by a scribing line extended in a direction parallel to the crystal axial direction in which the substrate is easily cleaved. - 特許庁

各チップパターン21のエッジ部にメタルパターン30を形成した後のアライメントには、Y方向のスクライブライン29Yとの交差部に形成する微調アライメントターゲット31を使用する。例文帳に追加

The fine adjustment alignment target 31 formed at a cross part with the scribe line 29Y in the Y-direction is used for alignment, after a metal pattern 30 is formed at the edge part of each chip pattern 21. - 特許庁

例文

ボンディング用パッド9とプロービング用パッド11はスクライブライン5に配置されたメタル配線層17−2b,17−3b,17−4b,17−5bを介して電気的に接続されている。例文帳に追加

The bonding pads 9 are electrically connected to the probing pads 11 through metal wiring layers 17-2b, 17-3b, 17-4b, 17-5b disposed in the scribe line 5. - 特許庁


例文

外周シール剤24を介して貼り合わせた2枚のガラス基板11,15に、短冊状基板部26を切り離す両側のラインに沿って第1のスクライブライン29,29を形成する。例文帳に追加

First scribe lines 29, 29 are formed on the two sheets of the glass substrates 11, 15 stuck to each other via the peripheral sealant 24 along lines on both sides of a strip-shaped substrate part 26 to be cut off. - 特許庁

これにより、SRAMセルを構成する6個のトランジスタのどのノードで不良が発生したのかが把握でき、かつ備えるパッドの数が少なく、スクライブラインに十分に挿し込める。例文帳に追加

Thereby, it can be grasped that defect is caused in which node out of six transistors constituting a SRAM cell, also the number of pads to be provided is less, and the test circuit can be inserted into a scribe line sufficiently. - 特許庁

バッファ層印刷時にスクライブラインへの樹脂の流れ込み及び配線の露出を抑制できる印刷用マスク、印刷用マスクの使用方法及び半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a printing mask capable of suppressing the resin inflow into a scribe line and the exposure of wiring upon buffer layer printing, and to provide a direction for use of the printing mask and a manufacturing method of a semiconductor device. - 特許庁

こうして、半導体Siウエハ11の表面から約100μのところまでエッチングを行うことにより、スクライブライン14が除去されてチップ化が達成される。例文帳に追加

In this way, the scribing line 14 is removed and the wafer 11 is chipped by performing etching to the wafer 11 to a portion at about 100 μ apart from the surface of the Si wafer 11. - 特許庁

例文

マイクロコンピュータ2とマイクロコンピュータスクライブライン3を備えてエバリエーションチップ1上でマイクロコンピュータ2に配線を行わない構成を有している。例文帳に追加

This device has a constitution in which a microcomputer 2 and a microcomputer scribe lines 3 are provided on an evaluation chip 1, where wirings are not given to the microcomputer 2. - 特許庁

例文

線膨張係数の小さい脆性材料基板であっても、レーザビーム照射によってスクライブラインの垂直クラックが基板厚み方向に伸展するようにする例文帳に追加

To provide a method for dividing a brittle material substrate where, even in a brittle material substrate having a low linear expansion coefficient, the vertical crack of a scribe line is made to elongate to a thickness direction of the substrate by laser beam irradiation. - 特許庁

スクライブライン幅に応じて、特定の最大粒子径、平均粒子径、粒子の不定形指数、及びモース硬度を満足する無機粒子粉体からなる。例文帳に追加

This polishing material is constituted by an inorganic particle powder capable of satisfying a specific maximum particle diameter, a specified average particle diameter, a specified indefinite index of the particle and specified Moh's hardness according to the width of the scribe line. - 特許庁

本発明の目的は、スクライブラインに形成されたマークを避けて迅速にチップの切り分けを行うことができるレーザダイシング装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a laser dicing apparatus which can dice a wafer into chips quickly while avoiding a mark formed on a scribe line. - 特許庁

集積型薄膜太陽電池の裏面電極膜をレーザスクライブする際、スクライブラインに付着した導電性付着物によるリーク電流を抑制する。例文帳に追加

To suppress the leak current due to deposition of conductive deposits on scribe lines during laser scribing of a backside electrode film of an integrated thin film solar cell. - 特許庁

基板内部にレーザ光を集光することで改質領域からなる分割予定線を形成する際に、分割予定線の端部付近においても良好に基板の分割を可能とするスクライブライン形成方法等を提案する。例文帳に追加

To provide a scribe line forming method capable of excellently dividing a substrate even in a vicinity of an end of a division projected line when forming the division projected line consisting of a reforming area by condensing laser beams inside the substrate. - 特許庁

スクライブライン工程と分断工程とを基板を反転することなく同時に行うことにより、分断システムの合理化を図ることのできる分断装置を提供する。例文帳に追加

To provide a disruption apparatus capable of rationalizing a disruption system by executing a scribe line step and a disruption step simultaneously without reversing a substrate. - 特許庁

スクライビングホイール160は、ダイヤモンド含有物により成形されており、脆性材料基板4に対して移動させられることによって、脆性材料基板4上にスクライブラインを形成するツールである。例文帳に追加

This scribing wheel 160 is a tool formed of a diamond-containing material, and forming a scribe line on the brittle material substrate 4 by being moved relative to the brittle material substrate 4. - 特許庁

スクライブ性能に大きく寄与する溝部分の全周に占める割合を変えることにより、脆性基板に対して、所望の深さの垂直クラックのスクライブラインを形成することができる。例文帳に追加

It is possible to form the scribe line of the vertical crack having the predetermined depth on a fragile substrate by changing a ratio of the groove portion greatly contributing to the scribing performance to the whole circumference. - 特許庁

ヒューズをレーザトリミングをするICにおいて、高精度でヒューズを切断し、及びスクライブライン領域に占めるトリミング位置決め用パターンの面積を小さくすること。例文帳に追加

To cut a fuse with high accuracy and lessen the area of a pattern for positioning in trimming that it occupies in a scribe line region, in an IC where the fuse is trimmed with a laser. - 特許庁

このスクライブライン領域には、配線1が、チップ用素子形成領域を取囲むように、かつウェハの端縁近傍領域Pにまで延びるように形成されている。例文帳に追加

A wiring 1 is formed in the scribe line region, so as to surround each of the chip element forming regions and to extend to close-to-edge regions P of the wafer. - 特許庁

相互に隣接する第1の区画と第2の区画のうち第1の区画を露光する時に、第1及び第2のレチクルの各々のマーク領域が第1の区画と第2の区画との重なったスクライブラインに対応する。例文帳に追加

When a first section between the first section and a second section which are adjacent to each other is exposed, mark regions of first and second reticles correspond to the scribe line where the first section and second section overlap with each other. - 特許庁

脆性材料基板をスクライブし、スクライブラインに沿って分断する基板分断装置において、脆性材料基板の端部の不要となる端材部分を基板分断装置の外部に排出できるようにすること。例文帳に追加

To discharge an end material part to be unnecessary of the end of a fragile material substrate outside a substrate disruption apparatus in the substrate disrupting apparatus which scribes the fragile material substrate and disrupts it along a scribe line. - 特許庁

ウェハ10には、複数のチップ用素子形成領域と、複数のチップ用素子形成領域を互いに分けるためのスクライブライン領域とが設けられている。例文帳に追加

A plurality of chip element forming regions and a scribe line region separating the plurality of the chip elements forming regions from one another are formed on a wafer 10. - 特許庁

カラーフィルタの基板上に、切断時のスクライブライン2が通過する間隙を有する形状の切断マーク1を形成し、該切断マーク1を目標にスクライブする。例文帳に追加

Cutting marks 1 having such shapes as to leave a gap through which a scribing line 2 passes in cutting between the opposite marks are formed on the substrate of a color filter and scribing is carried out using the cutting marks 1 as targets. - 特許庁

これにより、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、第3配線層7を形成する際のマスクとして用いるレジスト21が膜減りすることを抑制できる。例文帳に追加

This suppresses a film thickness reduction of a resist 21 used as a mask during formation of a third wiring layer 7, in the vicinity of a boundary position between the scribe line and a chip. - 特許庁

脆性材料基板50に形成されたスクライブライン52に沿ってレーザビームLBを照射する際、レーザビームLBの照射側が凹形状となるように脆性材料基板50を湾曲させる。例文帳に追加

When a laser beam LB is irradiated along a scribe line 52 formed at a brittle material substrate 50, the brittle material substrate 50 is curved in such a manner that the irradiation side of the laser beam LB is made into a recessed shape. - 特許庁

ウエハ1の形成されたスクライブラインに沿って、樹脂膜3に切込み溝4を形成(図1(c))した後、ウエハ1の裏面1bをグラインダなどを用いて研削する(図1(d))。例文帳に追加

After forming cut recesses 4 in the resin film 3 along scribe lines formed in the wafer 1 (Figure 1 (c)), a rear face 1b of the wafer 1 is ground, using a grinder or the like (Figure 1 (d)). - 特許庁

スクライブ装置は、母基板に互いに平行である複数のスクライブラインを同時に生成できるように、互いに並列に配置されるスクライブユニットを有する。例文帳に追加

The scribing device comprises scribing units arranged in parallel so that a plurality of scribing lines parallel to each other can be simultaneously formed in a mother substrate. - 特許庁

液晶マザーガラス基板120のマザー対向基板120bを上にし、第1のスクライブ装置124を用いてマザー対向基板120bにスクライブラインS1を入れる。例文帳に追加

A liquid crystal mother glass substrate 120 is placed with its mother counter substrate 120b upside, and a scribe line S1 is cut into the mother counter substrate 120b using a first scribing device 124. - 特許庁

なお、素子分離層12を形成する工程において、引き続くフォトリソグラフィ工程における露光用マスクの位置合わせ基準となる第1アライメントマークを、シリコン基板11上におけるスクライブラインに形成する。例文帳に追加

In the step of forming the element isolation layer 12, a first alignment mark used as an aligning reference of an exposure mask in a subsequent photolithography step is formed on a scribing line on the silicon substrate 11. - 特許庁

スクライブライン幅を増加することなく、半導体装置を容易に短時間で評価することができるように改良された大規模集積回路のウェハを提供する。例文帳に追加

To provide a wafer of a large-scale integrated circuit improved in such a way that a semiconductor device can be estimated in a short time with ease without increasing the width of a scribed line. - 特許庁

半導体ウェハWF上に複数の集積回路チップ領域12がスクライブライン領域13を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。例文帳に追加

Initial stage of a process for exposing a specified mask pattern such that a plurality of integrated circuit chip regions 12 are formed on a semiconductor wafer WF while being spaced apart by a scribe line region 13 is shown. - 特許庁

ICチップ2を隔離し、後に切断されるスクライブライン3上に、ICチップ2の内部回路に電気的に接続された検査用パッド4を形成する。例文帳に追加

IC chip 2 is isolated, and on a scribe line 3 which is later cut, an inspection pad 4 electrically connected to an internal circuit of the IC chip 2 is formed. - 特許庁

アライメントマーク数が増加した場合でも、スクライブライン領域の面積の増加を抑制することができ、半導体チップの製造における理論収量を十分に確保することができ、製造コストの増加を抑制する。例文帳に追加

To suppress increase in the area of a scribe line area even when the number of alignment marks is increased, to sufficiently secure theoretical yield in the manufacture of a semiconductor chip and to suppress the increase of a manufacture cost. - 特許庁

Siウェハのスクライブライン領域AのSi基板1上に集積回路構成中の不純物拡散層と配線金属のオーミック接続構造を等価的に評価する装置が構成される。例文帳に追加

A device, for equivalently evaluating an impurity diffused layer in the constitution of an integrated circuit and the ohmic connection structure of wiring metal layers, is constituted on an Si substrate 1 of a scribed line region A of an Si wafer. - 特許庁

スクライブライン飛びを防ぎ、スクライブ/ブレイク割断工程における割断不良、ワレカケを低減する液晶表示パネルの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display panel preventing a scribe line from skipping and reducing a defective cutting in a scribe/break cutting step and a crack and a chip. - 特許庁

高浸透可能で寿命の長いセラミックス基板(特に低温焼成セラミックス基板)にスクライブラインを形成するために好適なスクライビングホイール、スクライブ装置及びスクラブ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a scribing wheel, a scribing apparatus and a scribing method which are suitable for forming a scribe line at a ceramic substrate (particularly, a low temperature-fired ceramic substrate) achieving high penetration and having a long life. - 特許庁

ショット領域9の対角部のL字型マークは、ショット領域9の対角部単位に十字型マーク16となってスクライブライン14上に形成される。例文帳に追加

In the reticle, an L-shaped mark at the diagonal part of the shot region 9 is formed on a scribe line 14 as a cross type mark 16 in units of the diagonal part of the shot region 9. - 特許庁

基板に形成されるX軸及びY軸スクライブラインを一工程によって処理することができる多軸同期制御を利用したスクライブ装置及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide a scribing device and method utilizing a multiaxial synchronized control which can treat an x-axis and y-axis scribe lines formed on a substrate in one operation. - 特許庁

パッド開口時のオーバーエッチングに対し、スクライブラインが外観異常とならないような半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, preventing a scribe line from having an abnormal appearance with respect to overetching for opening a pad, and to provide the semiconductor device. - 特許庁

そして第2の製品テーブル14を回動させると、クランプバーを押圧点として基板GのスクライブラインSに対して剪断力と引張力が作用する。例文帳に追加

When the second product table 14 is rotationally moved, shearing force and tensile force act on the scribing line S of the substrate G with the clamping bars as pressing points. - 特許庁

ガラス板にカッターホイールを用いてスクライブラインを形成する際に、水平クラックを抑制しつつ深い位置にまで垂直クラックを形成する。例文帳に追加

To form vertical crack up to a deep position while suppressing the occurrence of horizontal crack when a scribe line is formed on a glass plate using a cutter wheel. - 特許庁

こうすればスクライビングホイールの走行方向を自在に変えながらスクライブラインを形成することができ、所望の方向にスクライブできるようになるまでの距離を短くすることができる。例文帳に追加

As a result, the scribe line is formed while freely changing the running direction of the scribing wheel to shorten the distance enabling the scribe line to be scribed in a desired direction. - 特許庁

このように、ダイヤモンドスクライバーの刃先がリッジ状に形成されているため、ウエハーの溝幅の広がりを一定に抑えることができ、良好なスクライブラインを長く維持することができる。例文帳に追加

Since the edge of the diamond scriber is formed in the shape of the ridge, according to this constitution, enlargement of the groove width of a wafer can be suppressed to be prescribed and the excellent scribe line can be maintained for a long time. - 特許庁

スクライブライン領域に環状のシールリング60が設けられており、シールリング60に含まれるp型半導体領域35の一部がチップの内側のレイアウトパターン領域にまで延在している。例文帳に追加

A loop-shaped sealing ring 60 is arranged in scribe-line regions, and a part of a p-type semiconductor region 35, included in the sealing ring 60, extends to a layout pattern region lying in the inside of the chip. - 特許庁

各応力吸収パターン33,77は、チップ領域2を囲むように連続して形成され、スクライブライン領域3の中心線SCを跨ぐベタパターンである。例文帳に追加

Each of the stress-absorbing patterns 33 and 77 is successively formed so as to surround the chip region 2, and each is a solid pattern straddling a center line SC of the scribe-line region 3. - 特許庁

これにより、スクライブ装置1では、スクライブラインの形成に必要な各構成を脆性材料基板Sの表面に対して移動させても、加熱領域及び冷却領域の形成位置に変動が生じることが防止される。例文帳に追加

In this way, in the scribing apparatus 1, even when each formation necessary for forming the scribe line is moved in relation to the surface of the brittle material substrate S, the occurrence of variation in the forming positions of a heating area and a cooling area is prevented. - 特許庁

ガラス基板16に対して、サンドブラスト法により、貫通穴13aを形成すると共に、スクライブラインSに対応した位置に断面くさび状をなす非貫通状の切込み溝17を予め形成しておく。例文帳に追加

Penetrating holes 13a are formed on a glass substrate 16 by using a sand blast method, and notch trenches 17 which not penetrating with wedge-shaped sections are previously formed at a position corresponding to the scribe line S. - 特許庁

半導体レーザダイオード70の製造時における、個別素子80の劈開に際しては、まず、個別素子80におけるc軸に直交するスクライブライン7に沿って、レーザ光9が走査される。例文帳に追加

On the occasion of the cleavage of a discrete element 80 during a manufacture of a semiconductor laser diode 70, first of all a laser beam 9 is scanned along a scribe line 7 which perpendicularly intersects with a c-axis in the discrete element 80. - 特許庁

例文

ウェハ表面の凹凸に拘わらず一定長さと深さのスクライブラインを刻め、ウェハから個々のチップを高精度かつ高歩留まりで能率良く劈開分割できるスクライブ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for scribing on the surface of a wafer at a constant length and depth regardless of irregularities in order to cleave the wafer efficiently into individual chips with high accuracy and high yield. - 特許庁

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