「スクライブライン」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

スクライブラインに対応する開口部を形成しないことで、ボロンを拡散する領域の面積がＰ^＋型埋め込み拡散層の面積に限られ、スクライブラインに対応する開口部を形成した場合に比べて大幅に削減される。例文帳に追加

The area of a region in which boron is diffused is limited in the area of the p^+-type buried diffusion layer because the opening section corresponding to the scribing line is not formed, and the area of the region is made largely smaller than the case when the opening section corresponding to the scribing line is formed. - 特許庁

スクライブライン上に金属の存在する領域を切り込むことにより生じたブレード面の傾きが、予め求めておいた、ブレードが破損するときのブレード面の傾きの臨界値に達する前に、金属の存在しないスクライブラインへの切り込みを行うものである。例文帳に追加

Cutting to a scribe line where no metal is present is carried out before the inclination of a blade surface produced by cutting an area where metal is present on the scribe line reaches the previously found critical value of an inclination of the blade surface where the blade is broken. - 特許庁

半導体ウエハ２４上で複数のチップパターン２１を区画するＸ，Ｙ方向のスクライブライン２９Ｘ，２９Ｙのうち、Ｘ方向のスクライブライン２９Ｘに沿って微調アライメントターゲット２５，２６，２７，３１を配置する。例文帳に追加

In this method for manufacturing semiconductor devices, fine adjustment alignment targets 25, 26, 27, and 31 are arranged along a scribe line 29 in the X-direction among scribe lines 29X and 29Y in the X and Y- directions, dividing plural chip patterns 21 on a semiconductor wafer 24. - 特許庁

脆性材料基板９０の表面に複数本のスクライブラインを互いに交差する向きに形成する場合、スクライブラインの交点となる位置に、カッターホイールの荷重応力を緩和するため、島状の保護膜Ｑを形成する。例文帳に追加

When forming a plurality of scribe-lines on the surface of a brittle material substrate 90 in directions crossing mutually, island-like protective films Q are formed on the intersection points of the scribe-lines to relieve the load stress of a cutter wheel. - 特許庁

脆性基板の上面に形成したスクライブラインに対し、そのスクライブラインを中央に含むようにして所定幅の領域を覆う閉空間を作り、その閉空間を減圧することにより、脆性基板を逆Ｖ字状に僅かに湾曲させてブレイクを行う。例文帳に追加

A closed space covering a region including a scribe line formed on an upper face of the fragile substrate at the center and having a predetermined width is created, and a pressure in the closed space is reduced to break the fragile substrate by curving it slightly into a reverse V shape. - 特許庁

スクライブラインにより区画された複数のダイが形成されるウエハＷに、前記複数のダイが形成された状態で、前記スクライブラインに沿って複数の区画に亘って延びる損傷試験用の信号線路４２０を形成する。例文帳に追加

A signal line 420 for damage test, which extends for a plurality of blocks along a scribe line while a plurality of dies are formed is formed in the wafer W where a plurality of dies divided by the scribe line are formed. - 特許庁

幅方向両側端部近傍にスクライブラインが形成され、前記幅方向両端部の不要部分が切断除去された薄板ガラスシート２が、前記スクライブラインの形成面が内側となるように巻き取られていることを特徴とするガラスロール１とする。例文帳に追加

The glass roll 1 is characterized in that a thin glass sheet 2 in which scribe lines are formed in the vicinities of the edge parts on both the sides in the width direction, and unnecessary parts on both the edge parts in the width direction are cut away is wound in such a manner that the forming face of the scribe lines may become as the inside. - 特許庁

また、ウエハへき開装置は、スクライブライン１が設けてあるウエハ２を加圧、回転移動し、スクライブライン１からへき開するへき開用ローラと、ウエハヘき開時の圧力によるへき開用ローラの変形を防止する押えローラとを備える。例文帳に追加

Also, the wafer cleaving apparatus is provided with the rollers for the cleavage for pressurizing and rotationally moving the wafer 2 provided with the scribe line 1, and cleaving it from the scribe line 1 and a pressing roller for preventing the deformation of the rollers for the cleavage due to a pressure at the time of cleaving the wafer. - 特許庁

このダイシングブレード４は、スクライブライン１上に形成されたＡｌパターン２，４を削りとるための広幅の刃を有する第１ブレード部４ａと、第１ブレード部の広幅の刃に設けられ、スクライブライン１を切断するための細幅の刃を有する第２ブレード部と４ｂ、を具備するものである。例文帳に追加

The dicing blade 4 is provided with a first blade 4a comprising a wide blade to cut Al patterns 2, 4 which are formed on the scribe line 1, and with a second blade 4b provided for the wide blade of the first blade and comprising a thin blade to cut the scribe line 1. - 特許庁

デバイス領域１０にデバイスパターンを配置し、デバイス領域を囲うスクライブライン領域１２にプロセスパターン１４ａ、１４ｂを配置するパターン配置方法において、プロセスパターン１４ａ、１４ｂをスクライブライン領域１２の中心線１３よりも外側の領域に配置する。例文帳に追加

In the pattern arrangement method by which a device pattern is arranged in a device region 10 and process patterns 14a, 14b are arranged in a scribing line region 12 surrounding the device region, the process patterns 14a, 14b are arranged in a region outward away from the center line 13 of the scribing line region 12. - 特許庁

若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。例文帳に追加

In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips. - 特許庁

行方向に延びるスクライブライン用仮想ライン１３と列方向に延びるスクライブライン用仮想ライン１５との交差部に対応する部分における両大型ガラス基板１１、１２間には、シール材３と同一の材料からなる支柱７が介在されている。例文帳に追加

Posts 7 made of the same material as a seal material 3 are interposed between both the large-sized glass substrates 11 and 12 at parts corresponding to an intersection of virtual lines 13 for scribe lines extending in a row direction and virtual lines 15 for scribe lines extending in a column direction. - 特許庁

シリコンウエハ３０の上面に、スクライブライン３１と、素子形成領域３２に跨る溝３４をスクライブライン３１に沿って形成した後、ＳｉＯ_２をシリコンウエハ３０の上面に堆積させることでガラス層４０を形成する。例文帳に追加

Scribe lines 31 and grooves 34 over the element forming region 32 are formed on an upper face of the silicon wafer 30 along the scribe lines 31, and SiO_2 is deposited on the upper face of the silicon wafer 30 so as to form a glass layer 40. - 特許庁

行方向に延びるスクライブライン用仮想ライン１３と列方向に延びるスクライブライン用仮想ライン１５との交差部に対応する部分における両大型ガラス基板１１、１２間には、シール材３と同一の材料からなる支柱７が介在されている。例文帳に追加

A support column 7 made of the same material as a sealing material 3 is inserted between large glass substrates 11, 12 in a portion corresponding to intersections of virtual lines 13 for scribe lines extended in the row direction and virtual lines 15 for scribe lines extended in the column direction. - 特許庁

マスク１１のマスク内スクライブライン１９に所定間隔で位置合せマーク１７を設け、異なるマスク内スクライブライン１９に設けた位置合せマーク１７を結ぶ仮想線を、半導体ウエハに設けられたオリエンテーションフラットと平行にする。例文帳に追加

Positioning marks 17 are drawn at a specified interval on in- mask scribe lines 19 of a mask 11 in such a manner that virtual lines connecting the respective positioning marks 17 in different in-mask scribe lines 19 are parallel to the orientation flat determined in the semiconductor wafer. - 特許庁

相補分割マスク４を用いてパターン転写を行うのにあたり、被露光体であるウエハ１のスクライブライン２上にアライメントマーク３ａ，３ｂを配するとともに、隣り合う原パターン領域同士でスクライブライン２上のアライメントマーク３ａ，３ｂを共有する。例文帳に追加

At the time of transferring a pattern by using a complementarily divided mask 4, alignment marks 3a and 3b are put on the scribed line 2 of a wafer 1 to be exposed and, at the same time, commonly used by adjacent original pattern regions in a shared state. - 特許庁

スクライブライン部１０３と半導体装置１０２を含む層上に保護膜を形成する工程と、保護膜を、少なくとも基板外周部のスクライブライン部１０３に残るように選択的に除去した後、基板１０１の裏面を研磨する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method of a semiconductor device includes the process of forming a protective film on a layer including a scribe line 103 and the semiconductor device 102, and the process of selectively removing the protective film so as to remain at least at the scribe line part 103 of a substrate outer periphery and then polishing the back surface of a substrate 101. - 特許庁

スクライブライン上にダミーパターンを発生するにあたり、スクライブラインをチップ毎に分割し、チップ毎に割り当てられたダミー発生領域に、チップの中心点を発生基準点として規定ギャップ値をもってダミーパターンを発生させる。例文帳に追加

In the process of producing a dummy pattern on a scribe line, the scribe line is divided for every chip, and the dummy pattern is produced at a specified gap from the center point of the chip as the reference point of production in the dummy producing region assigned to each chip. - 特許庁

下ブレークバー５をスクライブライン１１が形成されている側と反対側にスクライブライン１１に沿って圧着させ、下ブレークバー５と第１の上ブレークバー６ａで脆性材料基板１を挟んだ状態で上ブレークバー６ｂにてブレークする。例文帳に追加

Further, the lower breaking bar 5 is made to come into contact under pressure with the opposite side to the side where the scribing line 11 is formed, along the scribing line 11, and then, the substrate is broken with the help of the upper breaking bar 6b as the brittle material substrate 1 is held between the lower breaking bar 5 and the first upper breaking bar 6a. - 特許庁

プロセスモニタ用電極パッド１１は、スクライブライン５の切断領域１３を含んで切断領域１３よりも広い幅をもってスクライブライン５に配置されており、かつ、３層メタル配線構造のうち最下層のメタル配線層２１−１を除く２層のメタル配線層２１−２，２１−３によって形成されている。例文帳に追加

The electrode pads 11 are arranged in the scribe line 5 with a width larger than a cut-off region 13 including the cut-off region 13 of the scribe line 5, and are formed of two metal wiring layers 21-2 and 21-3 excepting for the lowest metal wiring layers 21-1 in the three-layer metal wiring structure. - 特許庁

その後、次に行われる研磨によってチップ領域１ａ内の凸パターン４上における層間膜６が除去された時点で、スクライブライン４ｓ上の層間膜６が除去されるかまたは５ｎｍ以下の膜厚で残るように、スクライブライン４ｓ上の層間膜６の一部を選択的に除去する。例文帳に追加

After that, the part of the interlayer film 6 on the scribe line 4s is selectively removed, so as to have the interlayer film 6 on the scribe line 4s removed or left with a thickness of not thicker than 5 nm when the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 in the chip region 1a is removed by polishing in the next process. - 特許庁

弾性フィルム４と、弾性フィルム４の上方にて上下方向に移動することができるように配設された、スクライブライン１１に沿ってブレークする上ブレークバー６ａ、６ｂと、弾性フィルム４の下方にて上下方向に移動することができるように配設された、スクライブライン１１に沿ってブレークする下ブレークバー５とを備える。例文帳に追加

The substrate breaking apparatus includes: an elastic film 4; upper breaking bars 6a and 6b which are arranged above the elastic film 4 so as to move vertically and perform breaking along a scribing line 11; and a lower breaking bar 5 which is arranged below the elastic film 4 so as to move vertically and performs breaking along the scribing line 11. - 特許庁

そして、両大型ガラス基板１１、１２の外面にスクライバを用いてスクライブラインを形成すると、支柱７に対応する領域に形成されるスクライブラインの深さが所定の深さよりも深くなり、ひいては切断後のガラス基板の端面がその表面に対して斜めに割れたり、バリが発生するといった、外形不良が発生する度合いを抑制することができる。例文帳に追加

When scribe lines are drawn by using a scriber on the outer surfaces of the large glass substrates 11, 12, depth of the scribe lines formed in a region corresponding to the support column 7 is deeper than a predetermined depth, which suppresses the degree of appearance failure such that the end face of the glass substrate after cutting is broken oblique to the surface or produces burrs. - 特許庁

半導体を含んでパッケージ化された半導体装置の製造方法であって、スクライブラインＳＬで区分された基板の半導体装置形成領域ＳＤにおいて、基板１０上に積層された絶縁樹脂層（１６，２０）からなる絶縁層と、絶縁層に埋め込まれた再配線層（１７，１８，２１，２３）を形成し、さらに、スクライブラインＳＬにおいて基板１０を切断する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the packaged semiconductor device including a semiconductor; an insulating layer consisting of insulating resin layers (16, 20) laminated on a substrate 10 and re-wiring layers (17, 18, 21, 23) buried in the insulating layer are formed on a semiconductor device forming region SD of the substrate segmented with scribe lines SL, and the substrate 10 is cut on the scribe lines SL. - 特許庁

被分断基板１を分断する前に、被分断基板１のスクライブラインＳＬ形成位置の少なくとも両端部に、押圧部材により被分断基板１を分断するに際し、スクライブラインＳＬから進行するクラックＣが被分断基板１の厚さ方向に進行するようにクラックＣの進行方向を拘束するクラック進行方向拘束手段４を形成する。例文帳に追加

Before parting a substrate 1 to be parted, crack proceeding direction constraining means 4 each of which constrains the proceeding direction of a crack C are formed at least at both ends of the scribe line SL forming part of the substrate 1 so that the crack C proceeding from the scribe line SL proceeds in the thickness direction of the substrate 1 during the parting of the substrate by a pressing member. - 特許庁

上基板２５と下基板３５とがシール材２４を介して貼り合わされたパネル２６（又は２７）の両方の面の切断箇所に予めスクライブラインを形成しておいて、レーザー射出装置を備え、それら両面のスクライブラインにレーザ光をそれぞれ照射してパネル２６（又は２７）を割断し、製品サイズの液晶パネル２８を得る。例文帳に追加

On the cutting position of both faces of a panel wherein an upper board 25 and a lower board 35 are pasted through a seal material 24, a scribe line is previously formed, and by providing a laser injection device, a laser beam is radiated respectively to the scribe lines of the both faces to part the panel 26 (or 27) and obtain a liquid crystal panel 28 of the product size. - 特許庁

弾性フィルム４と、弾性フィルム４の上方にて上下方向に移動することができるように配設された、スクライブライン１１に沿ってブレークする上ブレークバー６ａ、６ｂと、弾性フィルム４の下方にて上下方向に移動することができるように配設された、スクライブライン１１に沿ってブレークする下ブレークバー５とを備える。例文帳に追加

The substrate breaking apparatus includes: an elastic film 4; the upper breaking bars 6a and 6b which are arranged to enable vertical movement above the elastic film 4 and break along a scribing line 11; and a lower breaking bar 5 which is arranged to enable vertical movement under the elastic film 4 and breaks along the scribing line 11. - 特許庁

本発明にかかる基板切断装置は、基板を載置するステージ２と、基板に形成されたスクライブライン８及びその近傍以外であってスクライブライン８が形成されている面又はその反対面に基板を局所的に冷却するための突出部である冷却突出部７ａを接触させて基板を冷却する冷却板７とを有する。例文帳に追加

The substrate cutting device includes a stage 2 for mounting the substrate, and a cooling plate 7 for cooling the substrate by contacting a cooling projection 7a as a projection for locally cooling the substrate with a surface having a scribe line 8 formed or an opposite surface to it, except for the scribe line 8 formed on the substrate and its periphery. - 特許庁

半導体装置としてのウエハ５上に複数の半導体素子を形成した後、素子間のスクライブライン３０に沿ってダイシングソーで半導体装置を切断する半導体装置の製造方法において、スクライブライン３０のダイシングソーで切断する部分であるダイシングライン４０から少なくともメタルパターンをダイシング前に除去した。例文帳に追加

In a method for manufacturing semiconductor devices wherein a plurality of semiconductor elements formed on a wafer 5 are separated into individual devices by a dicing saw cutting the wafer 5 along scribe lines 30 in between the elements, at least the metal pattern is removed before dicing from the dicing lines 40 along which the wafer 5 is to be cut by the saw. - 特許庁

透光性を有する絶縁基板と、絶縁基板上に形成されたシリコン半導体層とで形成され、スクライブライン領域により区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウェハにおいて、スクライブライン領域に、互いに隙間を介して離間する複数の不透明図形を配置した不透明パターン層を設ける。例文帳に追加

In semiconductor wafer including an insulated substrate having light transparency and a plurality of chip forming regions formed of silicon semiconductor layer formed on the insulated substrate and defined by scribe line regions, a non-transparent pattern layer is provided in the scribe line region wherein a plurality of non-transparent figures separated via gaps with each other are arranged. - 特許庁

そして、第１スクライブ予定ライン５１ａ及び第２スクライブ予定ライン５１ｂに沿ってレーザビームＬＢを相対移動させながら照射して、基板５０を溶融温度未満に加熱した後、基板５０に対して冷却媒体を吹き付けて冷却し、基板５０に生じた熱応力によって、第１スクライブライン５２ａ及び第２スクライブライン５２ｂを形成する。例文帳に追加

The substrate 50 is heated to a temperature of less than melting temperature by being irradiated with the laser beam LB while relatively moving along the first scheduled scribing line 51a and the second scheduled scribing line 51b and then cooled by blowing a cooling medium to the substrate 50. - 特許庁

その後、ガラス層４０の上面で、フォトダイオード１３に対応する箇所にマイクロレンズ２０を形成した後、スクライブライン３１に沿って、シリコンウエハ３０を切断する。例文帳に追加

Micro-lenses 20 are formed in parts corresponding to the photodiodes 13 on the upper face of the glass layer 40, and the silicon wafer 30 is cut along the scribe lines 31. - 特許庁

半導体装置の製造方法において、スクライブライン部分からのオートドーピングの影響が形成中の半導体素子に及び難いようにすることを課題とする。例文帳に追加

To protect a semiconductor element under fabrication against impact of auto-doping from a scribe line portion in the process for fabricating a semiconductor device. - 特許庁

スクライブライン６に沿った溝下部分８のみにレーザービーム２１を照射して加熱した後、直ちに半導体ウエハー１全体に液体窒素２２を接触させて熱衝撃を与える。例文帳に追加

After heating by casting a laser beam 21 on a groove lower part 8 only along a scribe line 6, liquid nitrogen 22 is immediately brought into contact with the entire semiconductor wafer 1, and thermal impact is given. - 特許庁

テストチップ３内に形成されたパッド電極４ａにその一方端が接続された第３層配線５ｃが、第１のスクライブライン１２ａ内に延びている。例文帳に追加

Third layer wiring 5c connected at its one end with a pad electrode 4a formed in a test chip 3 extends in the first scribed line 12a. - 特許庁

実施形態に係るダイシング方法は、半導体ウエハ９０上の同一のスクライブラインに沿ってブレード１０を往復させることにより、半導体ウエハ９０をダイシングする方法である。例文帳に追加

The dicing method according to an embodiment comprises a method for dicing a semiconductor wafer 90, by making a blade 10 undergo reciprocating motion along the same scribe line on the semiconductor wafer 90. - 特許庁

ブレイク端面が、スクライブラインに沿って厚み方向におよび幅方向において垂直になるように基板を分割することができる基板の分割方法および基板の分割装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a substrate dividing method for dividing the substrate so that a break end surface is perpendicular to the thickness direction and the width direction along a scribe line, and to provide a device for dividing the substrate. - 特許庁

アライメントマーク１は、ウェハに対するパターン転写に用いられるレチクル５のスクライブライン領域３に、素子構成要素のパターンを密集して配置することにより構成されている。例文帳に追加

An alignment mark 1 is formed by densely arranging patterns of element configuring components in a scribe line region 3 of a reticle 5 used for pattern transfer to the wafer. - 特許庁

そして両面にスクライブラインが入った液晶マザーガラス基板１２０を第１のブレイク装置１２７にセットし、一方のテーブルを上側及び下側に回動させる。例文帳に追加

Then the liquid crystal mother glass substrate 120 with scribe lines on both sides is set on a first break device 127, and either one table of the device is turned upside and downside. - 特許庁

異なる製品を形成する複数種の半導体基板１それぞれに対し、半導体基板１上のスクライブライン上に同じ高さのフォーカスパターン１４ｆを設け、このフォーカスパターンを基準としてフォーカスを合わせる。例文帳に追加

A plurality of types of semiconductor substrate 1 for forming different products are respectively provided with focus patterns 14f identical in height on scribe lines on the semiconductor substrates 1, and focusing is obtained with reference to these focus patterns. - 特許庁

スクライブライン４はそのコーナー部４ａが他の部分４ｂに比べて幅広に形成され、そのコーナー部４ａにウェハテスト回路５及びテスト用パッド６が形成される。例文帳に追加

A corner section 4a of the scribe line 4 is formed wider than other parts, and a wafer testing circuit 5 and testing pads 6 are formed in the corners 4a. - 特許庁

続いて、第１の再配線層９、第２の感光性ポリイミド樹脂層１０、第２の再配線層１３を形成した後に、半導体ウェーハのスクライブラインに沿ってダイシング処理を行なう。例文帳に追加

Further, dicing processing is carried out along scribe lines of the semiconductor wafer after a first rewiring layer 9, a second photosensitive polyimide resin layer 10, and a second rewiring layer 13 are formed. - 特許庁

そして、第２ガラス基板３０２の外側表面においてｘ方向に延在するスクライブラインＳＬｘ２を、レーザーカッターによって形成しブレイクする。例文帳に追加

Then a scribe line SLx2 extending in the (x) direction on an external surface of a second glass substrate 302 is formed with the laser cutter to break the second glass substrate. - 特許庁

ウエハ１が含む複数の半導体装置５０を個々に隔てるスクライブライン３上に配電膜３０を形成すると共に、半導体装置５０上に配線膜を形成する。例文帳に追加

A power distributing film 30 is formed on a scribe line 3 for individually separating a plurality of semiconductor devices 50 on a wafer 1, and a wiring film is also formed on a semiconductor device 50. - 特許庁

前記スルーホールは、前記ウェハの前記スクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後その凹部底面が消失するまで前記ウェハを裏面研磨することによって形成する。例文帳に追加

The through hole is formed by polishing the back side of the wafer until a concavity bottom face is disappeared after forming the concavity by half-etching on the scribe line of the wafer. - 特許庁