「impurity」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

PRETREATMENT DEVICE FOR ANALYZING SURFACE IMPURITY OF PLATE SPECIMEN AND PRETREATMENT METHOD FOR ANALYZING SURFACE IMPURITY OF PLATE SPECIMEN USING THE DEVICE例文帳に追加

平板状試料の表面不純物分析の前処理装置およびこれを用いた平板状試料の表面不純物分析の前処理方法 - 特許庁

A high-impurity concentration layer is formed by implantation of ions of phosphorus or the like, and an ohmic electrode is provided on the surface of the high-impurity concentration layer.例文帳に追加

燐等のイオン注入により高不純物濃度層を形成し、その表面にオーミック電極を設ける。 - 特許庁

The pad is arranged on an upper layer of an impurity region so that the pad overlaps one part or entire part of the impurity region forming the electrostatic protective element.例文帳に追加

静電気保護素子を構成する不純物領域の一部又は全部と重なるように、該不純物領域の上層に前記パッドが配置される。 - 特許庁

Impurity diffusion regions 4-1, 4-2 of the same conductivity and different impurity concentration with respect to one another are formed on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表面に互いに同じ導電型で不純物濃度が異なる不純物拡散領域４−１、４−２を形成する。 - 特許庁

Concentration of p-type impurity included in the region 21 is about 1.5 to 2.5 times the concentration of the p-type impurity included in the region 22.例文帳に追加

領域２１に含まれるＰ型の不純物の濃度は、領域２２に含まれるＰ型の不純物の濃度の１．５〜２．５倍である。 - 特許庁

To carry out device simulation on the basis of a changed impurity- concentration distribution after impurity simulation data is changed by a simple operation.例文帳に追加

不純物シミュレーションデータを簡単な操作で変更して、変更後の不純物濃度分布に基づきデバイスシミュレーションを行うこと。 - 特許庁

The lower-part diode impurity layer 41 is formed to be brought into contact with the lower part of the upper-part diode impurity layer 51.例文帳に追加

下部ダイオード不純物層４１は、上部ダイオード不純物層５１の下部に接して形成される。 - 特許庁

A body layer 2 made of a p-type impurity region is formed on an n^- layer 6 made of an n-type impurity region.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域からなるＮ^-層６には、Ｐ型不純物領域からなるボディ層２が形成されている。 - 特許庁

Layers can also line recess sidewalls with one concentration of strain-inducing impurity and fill the remainder to the recess with a lower concentration of the impurity.例文帳に追加

膜は、所定の濃度のひずみを引き起こす不純物でリセス側壁をラインし、より低い濃度の不純物でリセスの残りの部分を埋め込む。 - 特許庁

Next, by using the gate electrode layer 115 as a mask, the impurity is introduced and thus a low concentration impurity diffusion layer of an N type is formed.例文帳に追加

次に、ゲート電極層１１５をマスクにして不純物を導入し、Ｎ型の低濃度不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A p^- impurity region 61 connected to the p^+ impurity region 6 is located below the metal electrode 14.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域６に接続されたｐ^-不純物領域６１は金属電極１４の下方に位置している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a diode having an impurity region small in film thickness and having sufficient impurity concentration.例文帳に追加

膜厚が薄く充分な不純物濃度を有する不純物領域を備えるダイオードを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The luminescent layer 13 is configured using group II-VI compound semiconductors containing a donor impurity and an acceptor impurity.例文帳に追加

発光層１３は、ドナー不純物およびアクセプタ不純物をそれぞれ含有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いて構成されている。 - 特許庁

Furthermore, the solar cell is provided with the semiconductor substrate, whereon the impurity diffusion layer has been formed by means of the impurity diffusion layer formation method.例文帳に追加

また、太陽電池は、上述の不純物拡散層の形成方法により不純物拡散層が形成された半導体基板を備える。 - 特許庁

To provide an impurity amount prediction method, capable of predicting a metal impurity amount in a transistor size of a product wafer.例文帳に追加

製品ウェハにおけるトランジスタ寸法での、金属不純物量を予測可能とする不純物量予測方法を提供する。 - 特許庁

A p-type impurity is introduced in a surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall 6 as a mask to form an impurity introduction region 7.例文帳に追加

サイドウォール６をマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入して不純物導入領域７を形成する。 - 特許庁

A first film 203 is formed on a region where a lightly-doped n-type impurity region of an n-type impurity region is formed.例文帳に追加

ｎ型不純物領域の低濃度ｎ型不純物領域を形成する領域上に第１膜２０３を形成する。 - 特許庁

To quantitatively discharge impurity gas in the discharge system of a fuel cell system using an impurity concentration mechanism.例文帳に追加

不純物濃縮機構を用いる燃料電池システムの排気方式において、不純物ガスを定量排気する。 - 特許庁

An impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 by using an ion implanter, and then an impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁

A concentration of a p-type impurity of the second partial region 44 is higher than a concentration of a p-type impurity of the first partial region 42.例文帳に追加

第２部分領域４２のｐ型不純物の濃度は、第１部分領域４４のｐ型不純物濃度よりも濃い。 - 特許庁

Moreover, carbon (C) to be added becomes an impurity having an electrical characteristic reverse to that of the impurity adhered to the front surface of the substrate 101.例文帳に追加

また、添加されるＣは、基板１０１の表面に付着している不純物とは逆の電気的特性を有する不純物となる。 - 特許庁

A channel layer 107 is doped with a first conductivity type impurity, and the regrown semiconductor layer 112 is doped with a second conductivity type impurity.例文帳に追加

チャネル層１０７は第１の導電型の不純物を含有し、再成長半導体層１１２は第２の導電型の不純物を含有している。 - 特許庁

The depth from the upper surface of the P well 4 to the bottom surface of the N-type impurity introduction region 20 is equal to the depth of the N-type impurity introduction region 7.例文帳に追加

Ｐウェル４の上面からＮ型不純物導入領域２０の底面までの深さは、Ｎ型不純物導入領域７の深さに等しい。 - 特許庁

The device has a structure in which arsenic is used for high-concentration impurity of the low breakdown voltage NMOS, and phosphorous is used as high-concentration impurity of the high breakdown voltage NMOS.例文帳に追加

低耐圧NMOSのソース・ドレイン高濃度不純物をヒ素とし、高耐圧NMOSのソース・ドレイン高濃度不純物をリンとする構成にする。 - 特許庁

Before carbonizing the silicon film of a portion being the impurity region, an impurity is doped into the portion.例文帳に追加

不純物領域になる部分のシリコン膜を炭化処理する前に、この部分に不純物を注入する。 - 特許庁

To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加

可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁

In parts of the base region 5, impurity diffusion regions 9 having a lower impurity concentration than the other part of the base region are formed in the vertical direction.例文帳に追加

ベース領域５の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域９を形成する。 - 特許庁

Next, it is heated to activate impurities of the N-type impurity layer 32 and P-type impurity layer 34.例文帳に追加

次いで、熱処理を施して、Ｎ型不純物層３２及びＰ型不純物層３４の不純物を活性化させる。 - 特許庁

In the n-type regions, silicon is introduced as an impurity, and in the p-type regions 106, zinc is introduced as an impurity.例文帳に追加

また、ｎ型領域１０５はシリコンが不純物として導入され、ｐ型領域１０６は亜鉛が不純物として導入されている。 - 特許庁

The impurity concentration of the deeply doped impurity diffusion layer 8b is made not smaller than 1.00 × 10^19 cm^-3 and preferably not smaller than 1.00 × 10^20 cm^-3.例文帳に追加

高濃度不純物拡散層８ｂの不純物濃度は１．００×１０^19ｃｍ^-3以上、好ましくは１．００×１０^20ｃｍ^-3以上である。 - 特許庁

The p-type impurity concentration in a surface portion 17 of the guard ring 13 is set to be smaller than the n-type impurity concentration.例文帳に追加

そして、このガードリング１３の表層部１７におけるｐ型不純物濃度を、ｎ型不純物濃度よりも小さくする。 - 特許庁

To provide a rainwater storage-infiltration system provided with an impurity receiving frame in a position where an impurity cannot float easily.例文帳に追加

夾雑物が浮遊しにくい位置に夾雑物受枠を設ける雨水貯留浸透システムを提供する。 - 特許庁

To provide a pretreatment device for analyzing the surface impurity of a plate specimen, having superior determination accuracy and detection sensitivity of the impurity.例文帳に追加

不純物の定量精度と検出感度の優れた平板状試料の表面不純物分析の前処理装置を得る。 - 特許庁

To form an impurity diffused layer where the impurity concentration is uniform on the side of a semiconductor fin in a fin-type transistor.例文帳に追加

フィン型トランジスタにおいて、半導体フィンの側面に不純物濃度が一様な不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a formation method of an impurity layer capable of forming a deep impurity layer from a surface to an internal direction in a short time.例文帳に追加

表面から内部方向に向かって深い不純物層を短時間で形成することができる不純物層の形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a cooling device of a fuel cell capable of easily determining a degree of degradation of an impurity removing member of an impurity removing device.例文帳に追加

不純物除去装置の不純物除去部材の劣化の度合を容易に判断できる燃料電池の冷却装置の提供。 - 特許庁

In the substrate, n-type impurity regions 4 and p-type impurity regions 5 that vertically extend are alternately disposed to be horizontally adjacent to each other.例文帳に追加

基板において、縦に延びるＮ型不純物領域４とＰ型不純物領域５とが横方向において、隣接して交互に配置されている。 - 特許庁

A concentration of a first conductivity type impurity contained in the base layer is lower than a concentration of a first conductivity type impurity contained in the drift layer.例文帳に追加

ベース層に含まれる第１導電型の不純物濃度は、ドリフト層に含まれる第１導電型の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

The second semiconductor region 11 is composed of an outer section 19 having a high impurity concentration, and an inner section 21 having a low impurity concentration.例文帳に追加

第２半導体領域１１は、不純物濃度が高い外側部１９と低い内側部２１とで構成される。 - 特許庁

Here, ion implantation is performed in the order of depth of impurity peak position from the surface of the semiconductor substrate 1, in accordance with the order of the depth in the impurity peak position.例文帳に追加

このとき、この半導体基板１の表面からの不純物ピーク位置が深いイオンから順番にイオン注入を行う。 - 特許庁

The impurity concentration of the channel area 17 is set so as to be not less than 1/2 and not more than 2 times of mean impurity concentration.例文帳に追加

このチャネル領域１７の不純物濃度は平均不純物濃度の１／２以上２倍以下とする。 - 特許庁

In the n-type current confinement layer 8, the concentration of the n-type impurity is higher than that of the p-type impurity.例文帳に追加

ｎ型電流狭窄層８においては、ｎ型不純物の濃度はｐ型不純物の濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

The first portion 2 has second conductivity, and has a high peak value of impurity concentration compared with the peak value of impurity concentration of the second layer 1.例文帳に追加

第１の部分２は、第２導電型を有し、かつ第２の層１の不純物濃度のピーク値に比して高い不純物濃度のピーク値を有する。 - 特許庁

Impurity 1 (group VI or II element) is implanted (Fig.5(c)) into the diamond thin film 12 using an ion implanter and then impurity 2 (group III or V element) is implanted (Fig.5(d)).例文帳に追加

ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。 - 特許庁