To improve the characteristics of a semiconductor device using III-V compound mixed crystal semiconductor materials containing In and III group elements other than In and N, and V group elements other than N.例文帳に追加

InとIn以外のIII族元素、NとN以外のV族元素を含むIII−V族化合物混晶半導体材料を用いた半導体装置の特性を向上させる。 - 特許庁

The other areas are set as merging recommendation areas F_n (n: an integer).例文帳に追加

それ以外のエリアは合流推奨エリアＦ_ｎ（ｎ：整数）と設定される。 - 特許庁

The flow field information HFI_n to HFI_n+m are determined by external cause-imparted fluid simulation by using a Navier-Stokes equation.例文帳に追加

流れ場情報ＨＦＩ_n〜ＨＦＩ_n+mは、Navier-Stokes方程式を用いて外因を与えた流体シミュレーションにより求められる。 - 特許庁

The reflection preventing film 151 is so formed that a ratio R_n=n_D/n_C of a refractive index n_D of an outer peripheral part D through which an outer edge of an effective luminous flux passes to a refractive index n_C of a center part C through which light on an optical axis passes satisfies R_n<1.0.例文帳に追加

反射防止膜１５１は、有効光束の外縁が透過する外周部Ｄにおける屈折率ｎ_Dの、光軸上の光線が透過する中央部Ｃにおける屈折率ｎ_Cに対する比Ｒ_n＝ｎ_D／ｎ_CがＲ_n＜１．０となるよう形成されている。 - 特許庁

For the dosage proposal algorithm, next measurement times (n+1), (n+1)', (n+1)" are determined with consideration of a measurement exclusion time window (EX) and reported to a person in charge optionally.例文帳に追加

用量提案アルゴリズムは、次の測定時間（n+1、(n+1)'、(n+1)''）が測定除外時間窓（EX）を考慮して決定され、任意選択で担当者にレポートされるように構成される。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット（ＵＶ）では、ランプ室６６内に複数（ｎ）個の紫外線ランプ６４(1)〜６４(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ７２(1)〜７２(n)が設けられている。 - 特許庁

SKIN PREPARATION FOR EXTERNAL USE, CONTAINING N-ACYLAMINO ACID DERIVATIVE例文帳に追加

Ｎ−アシルアミノ酸誘導体を含有する皮膚外用剤 - 特許庁

To improve S/N of an infrared ray sensor.例文帳に追加

赤外線センサのＳ／Ｎの向上を図る。 - 特許庁

Some theory insists that phonemes except for/s, z/ (/k, g/,/t, d/,/n/,/h, b/,/p/,/m/ and/r/) were palatalized.発音を聞く 例文帳に追加

音素/s,z/以外の/k,g/、/t,d/、/n/、/h,b/、/p/、/m/ならびに/r/においては口蓋化があったとする説もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The silicon oxide external region is formed at the upper part of the n-, separation, and n+ regions.例文帳に追加

シリコン酸化物外枠は、ｎ^−領域、分離領域部、そしてｎ^＋領域部の上方に形成される。 - 特許庁

The output circuit 14 receives the second voltage VB and operates to output a picture signal Y'(n) to an external instrument.例文帳に追加

出力回路１４は、第２の電圧ＶBを受けて動作し、画像信号Ｙ’(n)を外部機器に出力する。 - 特許庁

This skin disinfection preparation contains ethanol and N-acetylhydroxyproline as active ingredients.例文帳に追加

エタノール及びN−アセチルヒドロキシプロリンを有効成分として含有する皮膚の消毒用外用剤。 - 特許庁

In this hard film 3, N and one or more kinds of elements other than N are entered into solid solution.例文帳に追加

この硬質皮膜３は、ＮやＮ以外の元素を１種又は２種以上固溶している。 - 特許庁

Number n of mountain teeth is not less than 4 and torsional angle β of an external shape surface F exceeds 360°/n.例文帳に追加

山歯の数ｎは４以上であり、外形面Ｆのねじれ角βは３６０°／ｎを超えている。 - 特許庁

Packs a fixed length list (array) of homogeneous items. nis the length of the list; it is not packed into the buffer,but a ValueError exception is raised iflen(array) is not equal to n.発音を聞く 例文帳に追加

n はリストの長さです。 この値はデータバッファにパックされません が、len(array) が n と等しくない場合、例外 ValueError が送出されます。 - Python

The n-side metal pillar has an n-side external terminal that is exposed from the insulating material on a surface different from the surface onto which the n-side electrode is connected.例文帳に追加

ｎ側金属ピラーは、ｎ側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

The integer number M is preferably set to be a value except a value of (N×n+1) ('n' is an integer number not less than 1).例文帳に追加

この整数Ｍは、（Ｎ×ｎ＋１）以外の値（ｎは１以上の任意の整数）に設定されていることが好ましい。 - 特許庁

The n-side wiring layer has an n-side external terminal exposed from the second insulation layer on the third face same as that of the p-side external terminal.例文帳に追加

前記ｎ側配線層は、前記ｐ側外部端子と同じ前記第３の面で、前記第２の絶縁層から露出されたｎ側外部端子を有する。 - 特許庁

A component n of one round external disturbance signal is taken out by a BPF 14, and a phase difference with the external disturbance signal N put in is measured by a measuring circuit 15.例文帳に追加

一巡した外乱信号成分ｎはＢＰＦ１４で取り出され、注入した外乱信号Ｎとの位相差が測定回路１５で測定される。 - 特許庁

The N-th step rotating part 23 has an inside diameter larger than the outside diameter of the N-th step fixed part 13 but smaller than the outside diameter of the (N-1)th step fixed part 13.例文帳に追加

Ｎ段目の回転部２３の内径は、Ｎ段目の固定部１３の外径より大きく、Ｎ−１段目の固定部１３の外径より小さい。 - 特許庁

The outline dimensions M, N of the inner case 2 are made larger than the outline dimensions m, n of the outer case 3.例文帳に追加

インナーケース２の外形寸法Ｍ，Ｎをアウターケース３の外形寸法ｍ，ｎより大きくする。 - 特許庁

All of these external representations are seen as'n'by the Python program.発音を聞く 例文帳に追加

これらの改行文字の外部表現はどれも、Python プログラムからは'n' に見えます。 - Python

To provide an infrared sensor device for improving the S/N ratio.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比の向上を図れる赤外線センサ装置を提供する。 - 特許庁

The sound emission part 24R is arranged in the sound field canceling the external noise N.例文帳に追加

放音部２４Ｒは外部ノイズＮを相殺する音場内に配される。 - 特許庁

A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti.例文帳に追加

（Ｔｉ_u Ｎ_v ）が第２の元素であり、ＮはＴｉ以外の元素である。 - 特許庁

An external strap attaching member can be attached to the female screw member N.例文帳に追加

雌ネジ部材Ｎには、外部ストラップ取付部材を取付可能である。 - 特許庁

MULTIPORT AMPLIFIER PROVIDED WITH AMPLIFIER ELEMENTS OF NUMBERS EXCEPT N-th POWER OF 2例文帳に追加

２Ｎ以外の数の増幅器要素を備えた多重ポート増幅器 - 特許庁

In the display device, a signal control part receives an n+k bit first video signal per pixel from the external part and constitutes a second video signal from lower n bits of the first video signal.例文帳に追加

本発明によるディスプレイ装置では、信号制御部が、１画素当たりn＋kビットの第１映像信号を外部から受け、その第１映像信号の下位nビットから第２映像信号を構成する。 - 特許庁

Furthermore, the N-multiplied clock is output outside a semiconductor integrated circuit, frequency dispersion or duty deterioration is computed and an input timing and a duty of the input signal are adjusted, thereby supplying a high-precision N-multiplied clock.例文帳に追加

また、N逓倍クロックを半導体集積回路の外部に出力し、周波数のバラツキやデューティ劣化量を計算し、入力信号の入力タイミング及びデューティを調整することで高精度なN逓倍クロックを供給する。 - 特許庁

A reading section 143 during reading operation reads out the data and sub clip other than the first N data or the first N' data while reproducing the VO data and sub clip, and buffers it into the buffer.例文帳に追加

再生中読出部１４３は、ＶＯデータとサブクリップの再生中に、最初Nデータまたは最初N´データ以外のデータとサブクリップを読み出し、バッファにバッファリングする。 - 特許庁

During an operation of a steering wheel 54, a relation in the rotation speeds N_A and N_C of the electric motors M_A and M_C on a side of outer wheels is opposite to a relation in the rotation speeds N_B and N_D of the electric motors M_B and M_D on a side of inner wheels.例文帳に追加

ハンドル５４の操作中における外輪側の電動モータＭ_AとＭ_Cの回転数Ｎ_ＡとＮ_Cの大小関係と内輪側の電動モータＭ_BとＭ_Dの回転数Ｎ_BとＮ_Dの大小関係とは、逆となっている。 - 特許庁

Further, each aperture 62 of the inner liner 32 is disposed on one side of a center line A_n of each fuel injector 73, and each aperture 64 of the outer liner 34 is disposed on the other side of the center line A_n of each fuel injector 73.例文帳に追加

さらに、内側ライナ３２の各孔６２は、各燃料噴射器７３の中心線Ａ_nの一方の側に配置され、外側ライナ３４の各孔６４は、各燃料噴射器７３の中心線Ａ_nのもう一方の側に配置される。 - 特許庁

Then a 1st weighting value W1 (n) is calculated on the basis of the range finding point from the range finding information (S26), and subtracting the external light photometry value D1 (n) from the strobe photometric value D2 (n) calculates a 2nd weighting value W2 (n) (S27).例文帳に追加

次いで、測距情報からの測距ポイントに基づいて第１の重み付け値Ｗ１（ｎ）を算出し（Ｓ２６）、ストロボ測光値Ｄ２（ｎ）から外光測光値Ｄ１（ｎ）を減算して第２の重み付け値Ｗ２（ｎ）を算出する（Ｓ２７）。 - 特許庁

The DC motor is equipped with an iron core which has n (n≥5) pieces of slots at the periphery and n pieces of coils which are made by winding lead wires in a pair of slots out of n pieces of slots.例文帳に追加

直流モータは、外周面にｎ（ｎ≧５）個のスロットを持つ鉄心と、ｎ個のスロットのうち一対のスロットに導線が巻回されて形成されたｎ個のコイルと、を備えている。 - 特許庁

A BiYIG membrane 207 is filmed on a (SiO2/Ta2O5)n layer 210 and while cooling a heat non-resistant substrate 203 and the (SiO2/Ta2O5)n layer 210 via a substrate holder 201, the crystallizing heat treatment of the BiYIG membrane 207 is performed by infrared rays.例文帳に追加

（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 の上にBiYIG 薄膜207 を成膜し、基板ホルダ201 を介して非耐熱性基板203 及び（SiO_2 /Ta_2O_5）^n 層210 を冷却しつつ赤外線によりBiYIG 薄膜207 の結晶化熱処理を行う。 - 特許庁

To provide an infrared sensor improved more in S/N ratio than conventional infrared sensors.例文帳に追加

従来の赤外線センサと比較して、Ｓ／Ｎ比が向上した赤外線センサを提供する。 - 特許庁

An FPGA 1 and an FPGA 2 are identified by the status settings of the external pin K to the external pin N.例文帳に追加

ＦＰＧＡ１及びＦＰＧＡ２は、外部ピンＫ〜外部ピンＮの状態設定によって識別される。 - 特許庁

The outer periphery N of the insertion port 65 is formed smaller than the outer periphery S of the connector 34.例文帳に追加

この挿通口６５の外周Ｎは、コネクタ３４の外周Ｓよりも小さく形成されている。 - 特許庁

The outer periphery N of the through hole 65 is formed smaller than the outer periphery S of the connector 34.例文帳に追加

この挿通口６５の外周Ｎは、コネクタ３４の外周Ｓよりも小さく形成されている。 - 特許庁

Patterns are classified into the patterns (the patterns P) where sweep data x(n+1) becomes larger compared with sweep data x(n), the patterns (the patterns N) where the sweep data x(n+1) becomes smaller compared with the sweep data x(n), and the other patterns (the patterns Z).例文帳に追加

スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が大きくなるパターン（パターンＰ）、スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が小さくなるパターン（パターンＮ）、それ以外のパターン（パターンＺ）に分類する。 - 特許庁

The patterns are classified to: a pattern (pattern P) of which the sweep data x(n+1) become larger with respect to sweep data x(n); a pattern (pattern N) of which the sweep data x(n+1) become smaller with respect to the sweep data x(n); and patterns (patterns Z) other than said patterns.例文帳に追加

スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が大きくなるパターン（パターンＰ）、スイープデータｘ（ｎ）に対して、スイープデータｘ（ｎ＋１）が小さくなるパターン（パターンＮ）、それ以外のパターン（パターンＺ）に分類する。 - 特許庁

An n-type electrode layer is composed of a first n-type electrode layer 11 and a second n-type electrode layer 12, and a degree of the overhang is set so that the n-type region of the second n-type electrode layer 12 is located inside enough for a circumference of an avalanche multiplying layer 13.例文帳に追加

ｎ型電極層を、第１のｎ型電極層１１と第２のｎ型電極層１２とで構成することとし、第２のｎ型電極層１２のｎ型領域が、なだれ増倍層１３の外周に対して充分内側に位置するようにオーバーハングの程度を設定することとした。 - 特許庁

In the region other than the light receiving portion S among the n-type semiconductor layer 12 (the outer edge region of the n-type semiconductor layer 12), a plurality of p-type semiconductor region 16 is formed regularly in the in-plane direction of the n-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体層１２のうち受光領域Ｓ以外の領域（ｎ型半導体層１２の外縁領域）には、複数のｐ型半導体領域１６がｎ型半導体層１２の面内方向に規則的に形成されている。 - 特許庁

Accordingly, virtual cutting and normal cutting become possible with n+1 pieces of eternal terminals, for n pieces of polyfuses installed for controlling n pieces of transistors (switching circuits), and this circuit is smaller in the number of external terminals than the conventional one.例文帳に追加

従って、ｎ個のトランジスタ（スイッチ回路）を制御するために備えたｎ個のポリヒューズに対して、ｎ＋１個の外部端子で仮想切断と通常切断が可能となり、従来に比べて外部端子数が少なくない。 - 特許庁