臨界歪の英語

発光半導体デバイスが、ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、該活性領域の近くに形成され、ＩＩＩ族窒化物層内の歪みの緩和のために臨界厚さを超える厚さを有するＩＩＩ族窒化物層とを含む。例文帳に追加

A luminous semiconductor device is formed in the active area of a group III nitride and in the vicinity of the area, and contains a group III nitride layer having a thickness exceeding a critical thickness to loosen strain in the group III nitride layer. - 特許庁

耐薬品性試験「１／４楕円法」により、ＡＢＳ樹脂の臨界歪み値が０．３０％以上の値となる油剤が０．１〜５．０質量％付着してなる原液着色ポリプロピレン系繊維。例文帳に追加

The spun-dyed polypropylene-based fiber to which is stuck 0.1-5.0 mass% of an fishing oil in which the critical strain value of ABS resin by the resistance test by a 1/4 ellipse method is ≥0.30% value. - 特許庁

超電導線材の接続部の柔軟性を確保することにより、歪みの影響による臨界電流値等の超電導特性の劣化を抑制することができる超電導線材の接続構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a connection structure for a superconductive wire, capable of suppressing the deterioration of superconductive characteristics including a critical current value due to the influences of distortion by securing the flexibility of a connection portion between the superconductive wires. - 特許庁

低コストで製造可能で、高い臨界電流密度を達成でき、歪みにも強く、機械的強度にも優れたＮｂ_３Ｓｎ超電導線用芯線、Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a core wire for an Nb_3Sn superconductive wire and the Nb_3Sn superconductive wire which can be manufactured at a low cost, in which high critical current density can be achieved, and which has high distortion resistance and superior mechanical strength, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

核融合炉等に使用されるＡ１５型の超電導線は、わずかな歪が加わっただけで、臨界電流値が大幅に低下するという性質を有している。例文帳に追加

To solve such a problem that a superconducting wire cannot demonstrate its inherent performance because a critical current significantly lowers when only a slight strain is given in an A15 superconducting wire used in a nuclear fusion reactor or the like. - 特許庁

２つの水平面は、背景視界のぼかしを除去し且つ運転者に向けて明瞭な無歪み表示で臨界死角域から像を配向又は誘導するよう機能する。例文帳に追加

The two horizontal surfaces will serve to eliminate distracting background view and direct or channel the image from the critical blind spot area with a clear non-distorted view toward the driver. - 特許庁

Niを特定の範囲で含有するFe-Ni合金からなるリード線は、その変態点と、鉛フリーの軟質ガラスにおいて、その温度以下となると歪みが蓄積される臨界温度との差が大きいことで、当該臨界温度の近傍でリード線の熱膨張係数が急激に増加することが無く、リード線が過度に収縮されることを抑制する。例文帳に追加

The lead wire made of the Fe-Ni alloy containing Ni in a specific range, is restrained from being contracted excessively without rapidly increasing a thermal expansion coefficient of the lead wire in the vicinity of a critical temperature due to the large difference between its transformation point and the critical temperature at which stress accumulates in the lead-free soft glass when the temperature reaches the transition temperature or lower. - 特許庁

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。例文帳に追加

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress. - 特許庁