「臨界歪」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、第２の半導体層１５の厚さＴ１５は、無歪みの第１のIII族窒化物半導体材料の組成と、第２のIII族窒化物半導体の組成により規定される臨界膜厚より大きい。例文帳に追加

The thickness T15 of the second semiconductor layer 15 is larger than the critical film thickness defined by the composition of the first group III nitride semiconductor material that is distortionless and the composition of the second group III nitride semiconductor. - 特許庁

曲げ歪みに対する耐性を効果的に向上すると共に、臨界電流密度やｎ値等の超電導特性を劣化させないようなブロンズ法Ｎｂ_3Ｓｎ超電導線材を提供する。例文帳に追加

To provide a bronze method Nb_3Sn superconductive wire rod to effectively improve durability against bending deformation, and not to deteriorate superconductive characteristics such as critical current density and n value. - 特許庁

発光半導体デバイスが、ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、該活性領域の近くに形成され、ＩＩＩ族窒化物層内の歪みの緩和のために臨界厚さを超える厚さを有するＩＩＩ族窒化物層とを含む。例文帳に追加

A luminous semiconductor device is formed in the active area of a group III nitride and in the vicinity of the area, and contains a group III nitride layer having a thickness exceeding a critical thickness to loosen strain in the group III nitride layer. - 特許庁

耐薬品性試験「１／４楕円法」により、ＡＢＳ樹脂の臨界歪み値が０．３０％以上の値となる油剤が０．１〜５．０質量％付着してなる原液着色ポリプロピレン系繊維。例文帳に追加

The spun-dyed polypropylene-based fiber to which is stuck 0.1-5.0 mass% of an fishing oil in which the critical strain value of ABS resin by the resistance test by a 1/4 ellipse method is ≥0.30% value. - 特許庁

超電導線材の接続部の柔軟性を確保することにより、歪みの影響による臨界電流値等の超電導特性の劣化を抑制することができる超電導線材の接続構造体を提供する。例文帳に追加

To provide a connection structure for a superconductive wire, capable of suppressing the deterioration of superconductive characteristics including a critical current value due to the influences of distortion by securing the flexibility of a connection portion between the superconductive wires. - 特許庁

低コストで製造可能で、高い臨界電流密度を達成でき、歪みにも強く、機械的強度にも優れたＮｂ_３Ｓｎ超電導線用芯線、Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a core wire for an Nb_3Sn superconductive wire and the Nb_3Sn superconductive wire which can be manufactured at a low cost, in which high critical current density can be achieved, and which has high distortion resistance and superior mechanical strength, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

核融合炉等に使用されるＡ１５型の超電導線は、わずかな歪が加わっただけで、臨界電流値が大幅に低下するという性質を有している。例文帳に追加

To solve such a problem that a superconducting wire cannot demonstrate its inherent performance because a critical current significantly lowers when only a slight strain is given in an A15 superconducting wire used in a nuclear fusion reactor or the like. - 特許庁

２つの水平面は、背景視界のぼかしを除去し且つ運転者に向けて明瞭な無歪み表示で臨界死角域から像を配向又は誘導するよう機能する。例文帳に追加

The two horizontal surfaces will serve to eliminate distracting background view and direct or channel the image from the critical blind spot area with a clear non-distorted view toward the driver. - 特許庁

Niを特定の範囲で含有するFe-Ni合金からなるリード線は、その変態点と、鉛フリーの軟質ガラスにおいて、その温度以下となると歪みが蓄積される臨界温度との差が大きいことで、当該臨界温度の近傍でリード線の熱膨張係数が急激に増加することが無く、リード線が過度に収縮されることを抑制する。例文帳に追加

The lead wire made of the Fe-Ni alloy containing Ni in a specific range, is restrained from being contracted excessively without rapidly increasing a thermal expansion coefficient of the lead wire in the vicinity of a critical temperature due to the large difference between its transformation point and the critical temperature at which stress accumulates in the lead-free soft glass when the temperature reaches the transition temperature or lower. - 特許庁

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。例文帳に追加

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress. - 特許庁

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。例文帳に追加

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer. - 特許庁

シード層は、半導体構造体内の歪みの緩和のための臨界厚より薄くすることができ、その結果、半導体構造体内の歪みは、シード層内に形成される転位により、又は、シード層と接合層の間を、その２つの層の間の界面において滑らせることにより、緩和される。例文帳に追加

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure, so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer on an interface between the two layers. - 特許庁

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser. - 特許庁

短い線材を接続してできるだけ長い線材を製造することができ、かつ歪みの影響による臨界電流値の低下を抑制することが可能な酸化物超電導線材の接続方法と、その方法によって構成される超電導機器を提供する。例文帳に追加

To provide a method of connecting oxide superconducting wire which can produce wire as long as possible by connecting short wires and can prevent decrease in the threshold current value resulting from distortion effect, and superconducting equipment constructed by this method. - 特許庁

本発明は、１ｍを超える長尺の基材上に製造でき、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備え、超電導コイル等への応用も加味した曲げ歪に強い酸化物超電導導体を効率良く製造する方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a method for efficiently producing, on a continuous substrate of 1 m length or more, an oxide superconductor highly resistant to flexural strain also taking its application to superconductive coils and the like into account, furnished with an oxide superconductive layer of high crystal orientation and high critical current density. - 特許庁

超電導線の歪に起因した電気特性の顕著な劣化を避けつつ、臨界電流の低下および交流損失の増大の少なくともいずれかを抑制することができる、高温超電導コイルおよび積層型高温超電導コイルを提供する。例文帳に追加

To provide a high temperature superconducting coil and a laminated high temperature superconducting coil in which either decrease in the critical current and/or the increase in AC loss can be minimized while avoiding significant deterioration in the electrical characteristics due to distortion of a superconducting wire. - 特許庁

基板上に高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜を有する場合でも、このＳｉＧｅ膜において高い緩和度を達成することができ、さらにスループットが高く、安価な、半導体基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a low-cost semiconductor substrate of high throughput and a method for manufacturing it in which a high degree of relaxation is achieved in a strain SiGe film, even when the SiGe film having a thickness thinner than that of a critical film of high Ge concentration is formed on a substrate. - 特許庁

シード層は、前記シード層に形成される転位によって、または前記シード層と前記接合層の間、即ちこれら二つの層間の界面での滑りによって半導体構造における歪みが解除されるように、前記半導体構造における歪みの緩和のための臨界圧力よりも薄くすることができる。例文帳に追加

The seed layer may be made to be thinner than a critical thickness for relaxation of distortion in the semiconductor structure so that distortion in the semiconductor structure is relieved by dislocations formed in the seed layer, or by gliding between the seed layer and the bonding layer, i.e. an interface between the two layers. - 特許庁

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。例文帳に追加

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness. - 特許庁

半導体基板上に形成された高濃度のＧｅ濃度を有する臨界膜厚以下の歪ＳｉＧｅ膜においても高い歪緩和度を達成し、貫通転位密度を低減し、その上に形成される第２のＳｉＧｅ膜表面のうねりを抑制し、平滑性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a method for producing a semiconductor device, and the semiconductor device in which high strain relaxation rate is attained even in a strained SiGe film having thickness equal to or thinner than critical film thickness and high Ge concentration formed on a semiconductor substrate, through dislocation density is reduced, undulation of a second SiGe film surface formed on it is inhibited and smoothness can be enhanced. - 特許庁

歪み系ヘテロ接合結晶を用いる電界効果トランジスタの製造方法に関し、面積サイズ効果を利用して臨界膜厚を越えた厚さに形成した歪み系ヘテロ接合結晶を用いた電界効果トランジスタに於いて、その面積サイズでは、必要とされる素子特性を実現できないほど小さい場合であっても、簡単な手段を採ることに依って、要求されている素子特性を実現できるようにする。例文帳に追加

To make it possible to realize a required element characteristic by adopting a simple means even when the area size of a field effect transistor (FET) is such a small that the required element characteristic can not be realized as to an FET, using strain group heterojunction crystals formed as thickness exceeding critical film thickness by utilizing an area size effect. - 特許庁

１以上の欠陥を含む結晶及び反応条件下で超臨界流体となる適当な圧力媒体を用意し、結晶及び圧力媒体を高圧セル内に入れ、高圧セルを高圧装置内に置き、単結晶中の欠陥又は歪みを除去するのに十分な高い圧力及び温度の反応条件下で十分な長さの時間処理する。例文帳に追加

A crystal containing one or more defects and an appropriate pressure medium becoming supercritical fluid under a reaction condition are prepared, and the crystal and the pressure medium are placed in a high pressure cell, and the crystal is treated for a sufficiently long time at the reaction condition of high pressure and temperature for removing the defect or the strain in the crystal. - 特許庁

超電導ケーブル用の冷却装置において、万一の短絡等の事故で電力用ケーブルに臨界値を超える電流が生じたときに、過電流で冷却用液体が昇温し、熱膨張することにより冷却用液体あるいはその流路内の圧力が過度に上昇し、外周にある断熱管等に永久歪を生じさせることを防止する。例文帳に追加

To provide a chilling device for a superconductive cable wherein it is prevented that the temperature of a liquid for chilling rises due to an excess current, the pressure of the liquid for chilling or in its passage excessively rises by thermally expanding, and a permanent distortion is caused in heat insulated pipes on the periphery of the device. - 特許庁