GE anとは 意味・読み方・使い方

A Ge solar cell layer may be formed on the other surface of the Si solar cell layer to include a solar cell layer having an InGaP/(In)GaAs/Si/Ge 4-junction structure.例文帳に追加

前記Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/(In)GaAs/Si/Ge４接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。 - 特許庁

Then, the substrate is heated to form an (Ni_1-xPt_x)Ge thin film made of three elements, e.g. Ni, Pt and Ge on the Ge substrate.例文帳に追加

その後、熱処理を加えることによって、Ｇｅ基板上にＮｉ、Ｐｔ、Ｇｅの三元素からなる（Ｎｉ_1-xＰｔ_x）Ｇｅ薄膜が形成された。 - 特許庁

The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.例文帳に追加

高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁

To provide a Ge light receiving element having high photosensitivity and low dark current characteristics, and to provide a method for manufacturing the same by establishing a method for forming a Ge of a large area and low defect density on an Si substrate.例文帳に追加

Si基板上に大面積且つ低欠陥密度のGeを形成する手法を確立し、高い受光感度と低暗電流特性を有するGe受光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress Ge atom from intruding into a compound semiconductor when a Ge crystal as an intermediate layer is used.例文帳に追加

中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

By this manner, an oxygen combined to Ge in the nonlinear optical silica material is substituted by H or X, and in the portion Ge.providing non-linearity to this silicon material, one Ge has two Ge-O bonds and one Ge-H (or Ge-X) bond.例文帳に追加

これにより非線形光学シリカ材料中のＧｅと結合する酸素がＨ又はＸで置換され、このシリカ材料に非線形性を発現させる部分Ｇｅ・では、１つのＧｅが、２本のＧｅ−Ｏ結合と１本のＧｅ−Ｈ（又はＧｅ−Ｘ）結合を備える。 - 特許庁

An impurity as an acceptor is any one of C, Si, Ge, and Sn.例文帳に追加

そのアクセプタとしての不純物としては、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかを用いる。 - 特許庁