W・sの英語

In the nitrogen-containing metal powder, the ratio W/S of the amount of contained nitrogen W[ppm] to the specific surface area S[m^2/g] measured by the BET method is 500-3,000.例文帳に追加

窒素を含有する金属の粉末であり、含有する窒素量Ｗ［ｐｐｍ］と、ＢＥＴ法により測定された比表面積Ｓ［ｍ^２／ｇ］との比Ｗ／Ｓが、５００〜３０００である。 - 特許庁

The Ni-W-S alloy film 2 preferably has a finely uneven surface, and has an amorphous or microcrystalline X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

このとき、Ｎｉ−Ｗ−Ｓ合金膜２の表面が微細凹凸面になっていることが好ましく、そのＸ線回折パターンがアモルファス状又は微結晶状であることが好ましい。 - 特許庁

The powder is that of the nitrogen-containing metal, and the ratio between the amount of contained nitrogen W [ppm] and the specific surface area S [m^2/g] measured by the BET method, W/S ranges from 500 to 3000.例文帳に追加

窒素を含有する金属の粉末であり、含有する窒素量Ｗ［ｐｐｍ］と、ＢＥＴ法により測定された比表面積Ｓ［ｍ^2/ｇ］との比Ｗ／Ｓが、５００〜３０００である。 - 特許庁

A ratio of hardening expressing material = C/(S+C+B)×100(%) is set to 0.1 wt.% or more and less than 1 wt.%, and a ratio of water to powder = W/(S+C+B)×100(%) is set to 30-200 wt.%.例文帳に追加

硬化発現材比＝Ｃ／（Ｓ＋Ｃ＋Ｂ）×１００（％）を０．１重量％以上１重量％未満、水粉体比＝Ｗ／（Ｓ＋Ｃ＋Ｂ）×１００（％）を３０〜２００重量パーセントとする。 - 特許庁

The equation (1) is w=S/p and equation (2) is α=δ×p/S^2, where S is the irradiation area of one semiconductor laser device, p is an interval between the adjacent semiconductor laser devices, and δ is the amount of the displacement of the peak position of the light quantity.例文帳に追加

ｗ＝Ｓ／ｐ （１） α＝δ×ｐ／Ｓ^２（２） 但し、Ｓ：１つの半導体レーザ装置の照射領域 ｐ：相隣半導体レーザ装置間の間隔 δ：光量ピーク位置のずれ量 - 特許庁

A signature adding section 36 adds the digital signature s created at the encrypting section 34 to the key padding host data w created at the watermark padding section 30 to output key padding host data with signature w+s.例文帳に追加

署名付加部３６は、透かし埋め込み部３０により生成された鍵埋め込みホストデータｗに暗号化部３４により生成された電子署名ｓを付加し、署名付き鍵埋め込みホストデータｗ＋ｓを出力する。 - 特許庁

The method of design of ruled surfaces includes steps (S110 and S120) of accessing data defining guiding curves P(u) and Q(v) and a cost function f(t, w), and an unknown coupling curve is a parameterized curve s|→(t(s), w(s)).例文帳に追加

線織面の設計方法に関し、案内曲線Ｐ（ｕ）及びＱ（ｖ）とコスト関数ｆ（ｔ，ｗ）とを定義するデータにアクセスするステップ（Ｓ１１０、Ｓ１２０）を含み、未知の連結曲線はパラメータ化曲線である。 - 特許庁

The electrode includes an Ni-W-S alloy film 2 formed on a base material 1, and the W content in the alloy film 2 is 0.6 mass% or more and 3 mass% or less, and the S content is 8 mass% or more and 44 mass% or less.例文帳に追加

基材１上にＮｉ−Ｗ−Ｓ合金膜２が設けられ、その合金膜２中のＷ含有量が０．６質量％以上３質量％以下で、Ｓ含有量が８質量％以上４４質量％以下であるようにして、上記課題を解決した。 - 特許庁