d stとは 意味・読み方・使い方

Thus, the user of the device can correct the target shape ST in situations shown by the figure 8 (c) and (d), e.g.例文帳に追加

これにより、装置使用者は、例えば図８（ｃ）及び（ｄ）に示すような状況において、ターゲット形状ＳＴの修正を実施することが可能である。 - 特許庁

A D/A converter 12 converts the composite data DT into an analog composite signal ST and a frequency converting unit 13 up-converts the analog composite signal to a radio frequency.例文帳に追加

合成データＤＴをＤ／Ａ変換器１２でアナログの合成信号ＳＴに変換して周波数変換部１３で無線周波数にアップコンバートする。 - 特許庁

(1) ST5%(warp)+ST 5%(weft)≤1.2 g/d, (2) AP≤0.5 cc/cm2/sec., (3) W≤205 g/cm2, (4) S(warp)+ S(weft)≤220 mm, (5) T≤0.30 mm.例文帳に追加

1)ＳＴ５％（経）＋ＳＴ５％（緯）≦１．２ｇ／ｄ、2)ＡＰ≦０．５ｃｃ／ｃｍ^^2 ／ｓｅｃ．、3)Ｗ≦２０５ｇ／ｍ^2 、4)Ｓ（経）＋Ｓ（緯）≦２２０ｍｍ、5)Ｔ≦０．３０ｍｍ。 - 特許庁

With respect to the lens 25, intervals D on the document 1 corresponding to line intervals of three CCD line sensors, the scan speed(s), and the electric charge storage time T in the 3-line CCD sensor have a relation D=sT' (3n±1) where (n) is an integer.例文帳に追加

レンズ２５に関して３本のＣＣＤラインセンサのライン間隔に対応する原稿１上の間隔Ｄ、走査速度ｓ、および、３ラインＣＣＤセンサにおける電荷蓄積時間Ｔは、或る整数ｎに対して、Ｄ＝ｓＴ（３ｎ±１）なる関係を有する。 - 特許庁

A parallel processing correction circuit 30 superimposes a second sawtooth wave current HI obtained by a parallel processing correction gain control circuit 9 and a D/A converter 10 onto a vertical deflection current SI on the basis of the step wave component ST.例文帳に追加

平行化補正回路３０は、階段波成分ＳＴに基づいて平行化補正ゲイン制御回路９およびＤ／Ａ変換器１０により得られた第２ののこぎり波電流ＨＩを垂直偏向電流ＳＩに重畳する。 - 特許庁

A reference signal Sa from a reference voltage generating circuit 5, temperature signal St from a bridge circuit 4 for detecting temperature, and detection signal Sd from a bridge circuit 3 for detecting a pressure are time-division processed through an analog multiplexer 6, and those signals Sd, St, and Sa are collected through the same differential amplifier circuit 8 and A/D conversion circuit 9.例文帳に追加

基準電圧発生回路５からの基準信号Ｓａ、温度検出用ブリッジ回路４からの温度信号Ｓｔ、圧力検出用ブリッジ回路３からの検出信号Ｓｄは、アナログマルチプレクサ６を通じて時分割処理され、それらの信号Ｓｄ、Ｓｔ及びＳａが同一の差動増幅回路８及びＡ／Ｄ変換回路９を通じて採取される。 - 特許庁

Then, a laser beam is irradiated to the amorphous semiconductor film 260 for heat treatment (see Fig. 3(d)), thereby forming a semiconductor film 265a in an approximately single crystal state over a predetermined region including the slit ST of the film 260 (see Fig. 3(e)).例文帳に追加

次に、非晶質半導体膜２６０にレーザ光を照射して熱処理を施すことで（図３（ｄ）参照）、非晶質半導体膜２６０のうちスリットＳＴを含む一定範囲の領域に略単結晶状態の半導体膜２６５ａを形成する（図３（ｅ）参照）。 - 特許庁