ga fとは 意味・読み方・使い方

The fuel injection amount is corrected in response to a change of an catalyst window with an intake air amount Ga so that the controlled A/F is richer as the amount of Ga is greater.例文帳に追加

触媒ウィンドウが吸入空気量Gaに応じて変化するのに対応して、Gaが多量であるほど、制御A/Fがリッチ化するように燃料噴射量を補正する。 - 特許庁

The key processing unit k1, key processing unit ka generate an element g1=F(g,x) and an element ga=F(ga-1, xa) on a residue field G and the elements are fed sequentially to other device.例文帳に追加

鍵処理装置ｋ_1、鍵処理装置ｋ_aは剰余体Ｇ上の元ｇ_1＝Ｆ（ｇ，ｘ_1）、元ｇ_a＝Ｆ（ｇ_a-1，ｘ_a）を生成し、これらの元は順次他装置に供給される。 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

The fuel cell system comprises a reformer 2 which produces hydrogen contained reformed gas Ga from a reforming fuel F and a fuel cell 3 which performs power generation utilizing the hydrogen contained reformed gas Ga.例文帳に追加

改質用燃料Ｆから水素含有改質ガスＧａを生成する改質器２と、水素含有改質ガスＧａを利用して発電を行う燃料電池３とを備えている。 - 特許庁

A phase line inclination determination part (model) 38 determines phase difference characteristics between transmission function Ga(f) and a transmission function Gb(f) determined by a transmission function determination part 36, and outputs the determined phase difference characteristics to a searching part 40.例文帳に追加

一方、位相線傾き算出部（モデル）３８は、伝達関数算出部３６で算出された伝達関数Ｇａ（ｆ）と伝達関数Ｇｂ（ｆ）との間の位相差特性を算出し、算出した位相差特性を探索部４０へ出力する。 - 特許庁

A display driving circuit 35 applies either on-voltage or off-voltage on the liquid crystal device 324 in each of a plurality of sub-fields SF in each field F, according to a grayscale data GA.例文帳に追加

表示駆動回路３５は、オン電圧およびオフ電圧の何れかを各フィールドＦ内の複数のサブフィールドＳFの各々にて階調データＧAに応じて液晶素子３２４に印加する。 - 特許庁

Then, a ZnO single crystal film 130 is formed, and a treatment for preventing initial nitriding of the surface of the ZnO film 130 (e) is subsequently performed to impart Ga polarity to GaN 140 which grows a single crystal film on the ZnO film 130 (f).例文帳に追加

その後、ＺｎＯ膜１３０の表面の初期窒化を防ぐ処理する（ｅ）ことで、その上に単結晶膜を成長させるＧａＮ１４０の結晶極性をＧａ極性とする（ｆ）。 - 特許庁