its a sinとは 意味・読み方・使い方

A semiconductor substrate is prepared wherein a 2nd Al film 54 and a P-SiN film 55 are formed, in this order on its uppermost part, and an opening 55a is formed on the upper part of the 2nd Al film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。 - 特許庁

A TDM separator 12 separates input signal light Sin into first and second signal light Sa and Sb of its half rate.例文帳に追加

ＴＤＭ分離装置１２は、入力信号光Ｓｉｎをそのハーフレートの第１及び第２の信号光Ｓａ，Ｓｂに分離する。 - 特許庁

A strain correcting controller 9 corrects its strain, based on the deviation between the output voltage of the inverter and the product (a normal voltage instantaneous value) of a voltage command Vref and sin(θ) computed by a phase detected value θ.例文帳に追加

歪み補正制御部９はインバータ出力電圧と、電圧指令値Ｖｒｅｆと位相検出値θにより算出したｓｉｎ（θ）の積（正常電圧瞬時値）との偏差に基づいた歪み補正を行う。 - 特許庁

The membrane has an Si layer 20 having a (100) plane as its principal surface which is provided as a membrane main-body layer, an SiN layer 22 provided on the Si layer which is provided as a membrane supporting layer, and opening portions 24.例文帳に追加

メンブレンは、メンブレン本体層として設けられた（１００）面を主面とするＳｉ層２０と、メンブレン支持層としてＳｉ層上に設けられたＳｉＮ層２２と、開口部２４とを備える。 - 特許庁

A non-SiN-based insulating film, such as a P-SiO film having N-H groups on its surface generated by an HMDS process may be uses as the CU anti-diffusion layer and/or etching stopper layer.例文帳に追加

ＨＭＤＳ処理などにより表面にＮ−Ｈ基を生成したＰ−ＳｉＯ膜などの非ＳｉＮ系絶縁膜をＣｕの拡散防止層および／またはエッチングストッパー層として用いてもよい。 - 特許庁

The second reception circuit 380 checks whether or not the control output signal Sout matches the control input signal Sin, and outputs its result to a comparison signal output terminal 390.例文帳に追加

第２受信回路３８０では制御出力信号Ｓｏｕｔが制御入力信号Ｓｉｎに一致しているか、または不一致であるかを比較し、比較した結果を比較信号出力端子３９０に出力する。 - 特許庁

A passivation film 14 formed between a pixel electrode formed in each of a plurality of pixel areas and a TFT 2 driving the pixel electrode has a laminated structure of an SiN layers 14a and 14b and an SiO layer 14c, and includes the SiO layer 14c as its top layer.例文帳に追加

複数の画素領域にそれぞれ形成された画素電極とその画素電極を駆動するＴＦＴ２との間に形成されるパッシベーション膜１４を、ＳｉＮ層１４ａ，１４ｂ、ＳｉＯ層１４ｃの積層構造とし、その最上層をＳｉＯ層１４ｃとする。 - 特許庁