The end of the fiber facing the backside of the wafer is coincident with the end of the hollow lift pin.例文帳に追加

ウェーハ裏面に面するこのファイバの端部は、中空のリフトピンの端部と符合する。 - 特許庁

This wafer holder has a wafer holding part (11) having a holding plane (14) for holding the wafer by utilizing a negative pressure, a lift pin (21) for delivering the wafer to the wafer holding part, and a movable part (31) provided around the lift pin to be lifted relative to the holding plane.例文帳に追加

本発明の基板保持装置は、負圧を利用して基板を保持する保持面（１４）を有する基板保持部（１１）と、該基板保持部に基板を受け渡すリフトピン（２１）と、該リフトピンの周りに設けられ、該保持面に対して相対的に昇降可能な可動部（３１）とを有することを特徴とする。 - 特許庁

To definitely discharge static electricity left in a wafer before lifting up the wafer from a block of an electrostatic chuck with a lift pin.例文帳に追加

静電チャックの台からウエハをリフトピンで持ち上げる前に、ウエハに残存している静電気を確実に除去できるようにする。 - 特許庁

To provide a lift pin capable of stably supporting a wafer by neutralizing an accumulated electric charge without causing a bad influence on the wafer.例文帳に追加

蓄積した電荷をウェハに悪影響を与えることなく逃がして安定した支持ができるリフトピンを提供する。 - 特許庁

When the epitaxial layer is formed on the surface of the wafer, the lift pins project upward from the upper surface of the bottom wall, and the height h of the vertex part 16d of each lift pin based on the upper surface of the bottom wall is set in a range from a position exceeding 0 mm to a position immediately before the lift pin contacts the wafer.例文帳に追加

エピタキシャル層をウェーハ表面に形成するときに、リフトピンが底壁上面より上方に突出し、底壁上面を基準とするリフトピンの頭頂部１６ｄの高さｈを０ｍｍを超えた位置からリフトピンのウェーハに接触する直前までの範囲に設定する。 - 特許庁

The wafer lift 106 includes a lift hoop 110 having keys, a lift pin that is essentially at a right angle to the hoop, and a bellows shaft 108 having keys.例文帳に追加

ウェハリフト１０６は、キー付きリフトフープ１１０、このフープに実質的に直角に方向付けされているリフトピン、及びキー付きベローズシャフト１０８を含む。 - 特許庁

To prevent air from leaking from a through hole for lift pin opened to the atmosphere to the wafer suction area even the through hole is enlarge for horizontally moving a lift pin.例文帳に追加

リフトピンが水平方向に移動するため貫通穴が大きい場合であっても、大気開放しているリフトピン用の貫通穴からウエハ吸着領域への空気漏れを防ぐことができる。 - 特許庁

To prevent an adverse effect on a wafer resulting from chemical stuck to members such as a lift pin plate (including a lift pin) and a holding plate positioned on the surface side of the holding part side of a workpiece.例文帳に追加

被処理体の保持部側の面側に位置するリフトピンプレート（リフトピンを含む）や保持プレートといった部材に付着した薬液が原因でウエハに悪影響が生じることを防止する。 - 特許庁

A substrate-carrying apparatus 6 comprises a susceptor 7 for mounting a wafer W, three support pins 9 hanging downwardly from the susceptor 7 to lift the wafer W, and a pin lift mechanism 10 for moving the pins 9 vertically.例文帳に追加

基板支持装置６は、ウェハＷが載置されるサセプタ７と、このサセプタ７に吊り下げられ、ウェハＷを持ち上げる３本の支持ピン９と、各支持ピン９を上下動させるピン昇降機構１０とを備えている。 - 特許庁

To shorten the ashing time of an ion implanted resist and make the ashing efficient, by a new lift pin of a wafer stage.例文帳に追加

ウェーハステージの新規なリフトピン動作により、イオン注入レジストのアッシング時間を短縮、効率化できる。 - 特許庁

After a predetermined time, a residual charge is subjected to natural extinguishing, a lift pin 22 is then raised to release the wafer W.例文帳に追加

所定時間後、残留電荷を自然消滅させた後、リフトピン２２を上昇させ、ウェハＷを離脱させる。 - 特許庁

To suppress generation of micro irregularities on the main rear surface of a silicon epitaxial wafer, especially at a part of the rear surface facing the lift pin head part.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面、特に主裏面のリフトピン頭部に対向する部分に微小な凹凸が生じることを抑制する。 - 特許庁

A lift pin 18 of a lift mechanism 17 is vertically shifted, independently of a shifting operation of a placement section 11 for the wafer 20, in a planar direction operated by an X-axis shifting mechanism 15 and a Y-axis shifting mechanism 14.例文帳に追加

リフト機構１７のリフトピン１８の上下動の動作が、ウエハ２０の載置部１１がＸ軸移動機構１５とＹ軸移動機構１４とによって動作する平面方向との移動動作とは無関係におこなわれるよう構成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer that prevents the epitaxial wafer from decreasing in flatness owing to presence of a lift pin while reducing strain of a reverse surface of the epitaxial wafer due to sticking between the wafer and a susceptor.例文帳に追加

ウェーハとサセプタとの間のスティッキングによるエピタキシャルウェーハの裏面の歪みを低減しながら、リフトピンの存在によるエピタキシャルウェーハの平坦度の低下を防止するようなエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The wafer W is lifted up above the stage 31 with the lift pin 32 so that the wafer W mounted on the stage 31 and heat processed is cooled approximately evenly all over.例文帳に追加

ステージ３１に載置されて加熱処理されたウエハＷがウエハ全体で略均一に冷却されるように、ウエハＷをリフトピン３２によってステージ３１の上方に持ち上げる。 - 特許庁

After plasma processing on the wafer is completed, application of opposite-polarity voltages, demagnetizing plasma processing, and application of a demagnetizing voltage are carried out in order, and then a lift pin is placed in operation to separate the wafer from the electrostatic chuck 20.例文帳に追加

ウエハに対しプラズマ処理が終了した後、逆極性電圧の印加、除電プラズマ処理、除電電圧の印加を順次行い、その後リフトピンを作動させてウエハを静電チャック２０から脱離する。 - 特許庁

A PEB unit (PEB) comprises a stage 31 for mounting a wafer on which a resist film is formed; a heater 35 for heating the stage 31 to a predetermined temperature; a lift pin 32 arranged through the stage 31; and a elevating device 33 for holding a tip position of the lift pin 32 for supporting the wafer W at an arbitrary height.例文帳に追加

ＰＥＢユニット（ＰＥＢ）は、レジスト膜が形成されたウエハＷを載置するステージ３１と、ステージ３１を所定温度に加熱するヒータ３５と、ステージ３１を貫通して配置されたリフトピン３２と、ウエハＷを支持するリフトピン３２の先端位置を任意の高さ位置で保持する昇降装置３３と、を具備する。 - 特許庁

To provide a substrate support in which particles generated through the mechanical contact of a lift pin and a clamp ring can be prevented from adhering onto a semiconductor wafer.例文帳に追加

リフトピンとクランプリングとの機械的接触により生ずるパーティクルが半導体ウェハ上に付着する事態を防止できる基板支持装置手段を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer without generating irregularity on an epitaxial layer at a position facing a lift pin even when an output ratio of upper and lower lamps is changed or depositing silicon on the back face of a silicon wafer.例文帳に追加

上側及び下側ランプの出力比を変量しても、リフトピンに対向する位置のエピタキシャル層に凹凸を発生させず、シリコンウェーハ裏面にシリコンを堆積させないエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The lift pin 266 projects from the through hole 217a as a susceptor (substrate placement stand) 217 goes lower, and retains a wafer (substrate) 200; and draws back from the through hole 217a as the susceptor 217 goes up and places the wafer 200 on the susceptor 217.例文帳に追加

リフトピン２６６は、サセプタ（基板載置台）２１７の下降にともなって貫通孔２１７ａから突き出してウェハ（基板）２００を保持し、サセプタ２１７の上昇にともなって貫通孔２１７ａから引っ込んでウェハ２００をサセプタ２１７に載置する。 - 特許庁

The susceptor has a through-hole at a periphery of the through-hole for lift pin insertion, and the vapor-phase epitaxy is carried out by placing the semiconductor wafer on the susceptor after the reverse principal surface of the semiconductor wafer with a hydrogen-fluoride-based solution.例文帳に追加

前記サセプタは、上記リフトピン挿通用貫通孔の周囲に貫通孔を有し、前記気相成長を、前記半導体ウェーハの主裏面を弗酸系溶液により洗浄した後、該半導体ウェーハを前記サセプタ上に載置して行う。 - 特許庁

The lift pin 3 composed of a semi conductive ceramics for supporting a wafer used in a semiconductor manufacturing device or the like comprises a tip end 5 which contacts with the wafer, a connecting part 6 composed of metal with its diameter larger than that of the rear end face of the tip end 5, and a screw shaped rear end 7 composed of a metal.例文帳に追加

半導体製造装置等に用いられ、ウェハを支持するリフトピン３であって、半導電性セラミックスからなり、ウェハと接触する先端部５と、金属からなり上記先端部５の後端面より径が大きい接続部６と、金属からなりネジ形状をなす後端部７とからなる。 - 特許庁

Also, in the attracted-object separating method from the electrostatic chuck, there is adopted the method performing a first attracted-object lifting process for lifting once the wafer 10 by raising the electrostatically attracting electrode 11a, and performing thereafter a second attracted-object lifting process for lifting further the wafer 10 by raising the remaining electrode 11b or a lift pin 13.例文帳に追加

また、静電チャックにおける被吸着物離脱方法においては、各静電吸着電極１１ａを上昇させてウエハ１０を一旦持ち上げる第１の被吸着物上昇工程の後、残りの静電吸着電極１１ｂ，１１ａまたはリフトピン１３でウエハ１０をさらに持ち上げる第２の被吸着物上昇工程を行う方法を採用した。 - 特許庁