WAFER PROCESSOR AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LINE例文帳に追加

ウェーハプロセス装置及び半導体製造ライン - 特許庁

WAFER PEELING DEVICE AND POLISH LINE APPARATUS例文帳に追加

ウエハ剥離装置及び研磨ライン装置 - 特許庁

DEVICE FOR FORMING MARK LINE FOR WAFER CLEAVING AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加

ウエハ劈開用ケガキ線形成装置及び形成方法 - 特許庁

Wafer process apparatuses A-Z which perform processes A-Z with a wafer are arranged in a single line.例文帳に追加

ウェハにＡ〜Ｚまでの処理を施すウェハ処理装置Ａ〜Ｚが一列に配置されている。 - 特許庁

To facilitate wafer handling of a user, improve working hour (TAT) of the user, and prevent damage to be caused by wafer handling, in a semiconductor manufacturing line.例文帳に追加

半導体製造ラインにおいて、ユーザのウェハの取り扱いを容易にする。 - 特許庁

Then, the wafer 1 is divided along a first dividing line to obtain wafer strips 1.例文帳に追加

次いで、ウェーハ１を第１分割予定ラインに沿って分割し、短冊状のウェーハ１を得る。 - 特許庁

A wafer shape data acquisition part 221 acquires wafer shape data defining a shape of a light cutting line from a wafer image.例文帳に追加

ウエハ形状データ取得部２２１は、ウエハ画像から光切断線の形状を示すウエハ形状データを取得する。 - 特許庁

Before a marking-off line of the wafer is formed, the dummy wafer is placed on the wafer holding table, the cutter is positioned by radiation of laser beams from the laser beam emitting device, and then the marking-off line is formed on the wafer back surface by the cutter.例文帳に追加

ウエハのけがき線形成の前に、ウエハ保持台上にダミーウエハを載置し、レーザ光出射装置からのレーザ光の照射によってカッタを位置決めし、次いでカッタでけがき線をウエハ裏面に形成する。 - 特許庁

To provide a method of dividing a wafer by which the wafer can be divided efficiently by forming a decomposed layer in the wafer by projecting a laser beam upon the wafer along a planned dividing line and dividing the wafer along the decomposed layer.例文帳に追加

ウエーハの内部に分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射することにより変質層を形成し、この変質層に沿って効率良く分割することができるウエーハの分割方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor wafer level package includes: joining a semiconductor wafer 1 to a cap wafer 3; carrying out half-cut 4 from either the semiconductor wafer 1 or the cap wafer 3 side along a scribe line; and partially dividing lateral chips.例文帳に追加

半導体ウエハ１とキャップウエハ３を接合した後で、半導体ウエハ１またはキャップウエハ３側からスクライブラインに沿ってハーフカット４し、横方向のチップ同士を部分的に分割する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR CARRYING WAFER IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LINE例文帳に追加

半導体製造ラインにおけるウェーハの搬送方法及び搬送システム - 特許庁

METHOD FOR DETECTING EDGE BEAD REMOVAL LINE OF WAFER例文帳に追加

ウェーハのエッジビード除去線を検出するための方法 - 特許庁

A wafer 6 has boundary line 5 between chips.例文帳に追加

ウェーハ６は、チップとチップの間の境界線５を有している。 - 特許庁

WAFER CUT LINE FORMATION STRUCTURE FOR SUPPRESSING THERMAL STRESS EFFECT例文帳に追加

熱応力効果を抑制できるウェハ切断線形成構造 - 特許庁

Since the scribe line is formed continuously, no crack is generated on the surface of the wafer 10 and the wafer 10 can be divided along the extension line of the scribe line 60 on the surface of the wafer 10.例文帳に追加

その結果、スクライブ線が連続して形成されている為、ウエハ１０表面に亀裂が生じることがなく、ウエハ１０表面のスクライブ線６０の延長線に沿ってウエハ１０を分割することができる。 - 特許庁

The board inspection device of the present invention includes: a wafer holder 14 for holding a wafer 2; a line sensor camera 20 for observing the edge of the wafer 2; and a wafer support 10 making the edge of wafer 2 and the line sensor camera 20 move relative to each other.例文帳に追加

本発明に係る基板検査装置は、ウェハ２を保持するウェハホルダ１４と、ウェハ２の端部を観察するラインセンサカメラ２０と、ウェハ２の端部とラインセンサカメラ２０とを相対移動させるウェハ支持部１０とを備えている。 - 特許庁

After that, by irradiating l the lid substrate wafer 50 side with laser light along the cutting line of each piezoelectric vibrator 1 to create a cut line, and pressing the wafer body by a sharp pressing blade 830 from the opposite side, the wafer body is sequentially cut.例文帳に追加

その後、リッド基板用ウエハ５０側に、各圧電振動子１の切断線に沿って、レーザを照射して切れ目を入れ、反対側から鋭利な押圧刃８３０で押圧することで、順次切断する。 - 特許庁

In the method of the technology, a scribe line 9 is formed on a surface of a semiconductor wafer 1, and then the semiconductor wafer 1 is cleft along the scribe line 9 by using a cleaving blade 8, thereby separating off a wafer piece 1b.例文帳に追加

半導体ウエハ１の表面にスクライブライン９を入れた後、劈開用ブレード８を用いて、このスクライブライン９に沿った半導体ウエハ１の劈開を行い、ウエハ片１ｂを分断する。 - 特許庁

A wafer cleaving apparatus cleaves a wafer 2 provided with a scribe line 1 from the scribe line 1 and is provided with a plurality of rollers for the cleavage for pressurizing and rotationally moving the wafer 2 provided with the scribe line 1 and cleaving it from the scribe line 1.例文帳に追加

スクライブライン１が設けてあるウエハ２をスクライブライン１からへき開するウエハへき開装置であり、スクライブライン１が設けてあるウエハ２を加圧、回転移動し、スクライブライン１からへき開する複数のへき開用ローラを備える。 - 特許庁

A parameter extraction device 100 extracts an in-line parameter for monitoring in-line data from a wafer 20 in a manufacturing line.例文帳に追加

パラメータ抽出装置１００は製造ラインにおいてウエハ２０からインラインデータをモニタリングするインラインパラメータを抽出する。 - 特許庁

For each wafer W_1-W_6, line widths at six points Q_1-Q_6 of measurement in different wafer regions R_1-R_6 are measured.例文帳に追加

この際、各ウェハＷ_１〜Ｗ_６では、互いに異なるウェハ領域Ｒ_１〜Ｒ_６にある６箇所の測定点Ｑ_１〜Ｑ_６の線幅が測定される。 - 特許庁

METHOD OF POSITIONING SPINDLE ROTATION AXIS LINE OF WAFER POSITIONING APPARATUS, AND WAFER POSITIONING APPARATUS USING THE SAME例文帳に追加

ウエハ位置決め装置のウエハ座回転軸線位置決め方法およびその方法を用いたウエハ位置決め装置 - 特許庁

In this way, the pattern of a desired line width is formed for each wafer, and each wafer is developed in an optimum time length.例文帳に追加

かかる場合，各ウェハに対し所望の線幅のパターンが形成され，各ウェハが最適時間で現像される。 - 特許庁

Since the wafer 1 and the protective film 5 on the division-scheduled line 1 are melted and evaporated, a slit S is formed in the wafer 1.例文帳に追加

これにより、分割予定ライン２のウェーハ１および保護膜５が溶解、蒸散するため、ウェーハ１にスリットＳが形成される。 - 特許庁

A quartz chamber 10 has a wafer introducing part 101 and contains a wafer WF, indicated a broken line, together with a support part, such as a susceptor 102.例文帳に追加

石英製のチャンバ１０は、ウェハ導入部１０１を有し、破線で示すウェハＷＦをサセプタ１０２等の支持部を伴ない収容する。 - 特許庁

The inlet 101 and the outlet 102 are provided so as to be confronted with each other on an extension line in the radial direction of the wafer 10 by arranging to sandwich the wafer 10 between them.例文帳に追加

また、導入口１０１と排気口１０２とは、ウェハ１０を挟んでその径方向の一延長線上に対向するように設けられている。 - 特許庁

The coating and development treatment system 1 includes a wafer carrying device 50 for carrying a wafer W in a direction along a carrying line A.例文帳に追加

塗布現像処理システム１は、ウェハＷを搬送ラインＡに沿った方向に搬送するウェハ搬送装置５０を有している。 - 特許庁

To allow a process line for a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm to process a semiconductor wafer having a diameter smaller than 300 mm.例文帳に追加

直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインでそれよりも小径の半導体ウエハの加工を行うことができるようにする。 - 特許庁

Consequently, the semiconductor wafer 21 having the diameter of 200 mm can be processed through the process line for the semiconductor wafer having the diameter of 300 mm.例文帳に追加

これにより、直径３００ｍｍの半導体ウエハのプロセスラインで直径２００ｍｍの半導体ウエハ２１の加工を行うことができる。 - 特許庁

A wafer is placed on the rotating stage 5 and orientation of the wafer is adjusted when the vacuum atmosphere is switched to the air atmosphere using the line sensor 6.例文帳に追加

回転ステージ５にウエハを載置し、ラインセンサ６を用いて、大気雰囲気と真空雰囲気の切り替え時にウエハの向きを合わせる。 - 特許庁

WAFER ALIGNMENT UNIT, AND METHOD OF CORRECTING OUTPUT VALUE OF LINE SENSOR OF WAFER ALIGNMENT UNIT例文帳に追加

ウェハアライメントユニット、およびウェハアライメントユニットにおけるラインセンサの出力値補正方法 - 特許庁

A projecting mark 2 and a recessed mark 3 of the same shapes, which become the reference of the direction of a wafer, are formed on the same straight line on the wafer.例文帳に追加

ウェハ上にはウェハーの方向の基準となる同一形状の凸マーク２と凹マーク３が同一直線上に形成されている。 - 特許庁

When the processing liquid is supplied to the wafer W from the moving nozzle 2, the moving nozzle 2 is moved on the line of rotating axis of the wafer W.例文帳に追加

移動ノズル２からウエハＷへの処理液の供給時には、移動ノズル２がウエハＷの回転軸線上に移動される。 - 特許庁

A development advancing degree of the outer edge of the wafer W is regulated by this operation, and hence the circuit pattern of uniform line width in the wafer W is formed.例文帳に追加

この操作により，ウェハＷ外縁部の現像進度が調節され，ウェハＷ面内に均一な線幅の回路パターンが形成される。 - 特許庁

Here, the exposure amount at the central part of the wafer 1 is made different from that at a peripheral part, considering a case where unevenness in line thickness takes place in the wafer 1 surface.例文帳に追加

このとき、ウエハ面内で線幅のばらつきが生じる場合を考慮してウエハの中央部と周辺部で露光量を異ならせる。 - 特許庁

When the silicon wafer is pushed by the cushion 9, the depth of the notched line proceeds to split the silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウエハがクッション９によって押圧されると切り筋の深さが進展し、シリコンウエハは割断される。 - 特許庁

To provide a wafer dividing method for precisely forming a continuous deterioration layer along a predetermined dividing line at the intermediate portion in the thickness direction of a wafer even with the thickness of the wafer reduced, and precisely dividing the wafer into individual chips along the predetermined dividing line with the deterioration layer formed.例文帳に追加

ウエーハの厚さを薄くしてもウエーハの厚さ方向中間部に連続した変質層を分割予定ラインに沿って正確に形成し、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って正確に個々のチップに分割することができるウエーハの分割方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wafer carrying device which can prevent a wafer from being broken by a fall in such a way that release preventing equipment is provided to the wafer carrying device used for storing and carrying a wafer during wafer conveyance in a semiconductor manufacturing line.例文帳に追加

半導体生産ラインでウェーハの運搬時にウェーハを保管及び運搬するに用いられるウェーハ運搬装置に離脱防止装置を取り付けることで、墜落などでウェーハが破損されることを未然に防止することのできるウェーハ運搬装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF DICING SEMICONDUCTOR WAFER AND STRUCTURE OF GROOVE PROVIDED IN DICING LINE AREA例文帳に追加

半導体ウエハのダイシング方法およびダイシングライン領域に設けられる溝の構造 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER DICING LINE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR CHIP例文帳に追加

半導体ウェハのダイシングライン加工方法および半導体チップの製造方法 - 特許庁

The semiconductor wafer is cut along the dicing line and thereby the semiconductor chip is fragmented.例文帳に追加

そして、半導体ウェーハをダイシングラインに沿って切断して半導体チップを個片化する。 - 特許庁

Light sources 121 and 131 irradiate front and rear surfaces of a solar battery wafer with a light cutting line CL.例文帳に追加

光源１２１，１３１は太陽電池ウェハの表面及び裏面に光切断線ＣＬを照射する。 - 特許庁

To make uniform the line widths of circuit patterns formed at a center and an outer edge of a wafer.例文帳に追加

ウェハの中心部と外縁部に形成される回路パターンの線幅を均一にする。 - 特許庁

Wafer dicing is performed for a one-cut line by both directional movements in a two-step cut.例文帳に追加

一つの切断ラインを二段カットでの往復動作でウエハのダイシングを行なう。 - 特許庁