「"growing rate"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Thereby, the growing rate becomes constant and the thicknesses of the growing layers at the center part and the peripheral part become uniform.例文帳に追加

その結果、成長速度が一定になって周辺部と中心部との成長層の厚みが均一になる。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride substrate of which the variation of carrier in-face concentration is small and a crystal growing rate is high.例文帳に追加

キャリア面内濃度のばらつきが少なく、結晶の成長速度が速いIII族窒化物基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

This air conditioner comprises a humidity sensor 63 for detecting relative humidity, a remote controller 3, and an estimating part 51 of a mold growing rate.例文帳に追加

空気調和装置は、相対湿度を検出する湿度センサ６３と、リモコン３と、カビ生育度合い推定部５１とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high-quality silicon carbide (SiC) single crystal at a high growing rate by a solution growth method.例文帳に追加

溶液成長法により、高い成長速度で良質なＳｉＣ（ＳｉＣ）単結晶を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a SWCNT (single-walled carbon nanotube) achievable a higher growing rate, higher growing efficiency or vertical alignment synthesis or the like.例文帳に追加

より高い成長率、成長効率または垂直合成等を達成できるＳＷＣＮＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition method for hyperfine particles by which a uniform film having reduced defective parts can be deposited at a high film growing rate, and to provide a system therefor.例文帳に追加

膜の成長速度の速く、欠陥部分の少ない均一な膜を形成できる超微粒子の成膜方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。 - 特許庁

Namely, in the initial stage, evaporation is performed under the condition where the nuclear forming rate of ruthenium is higher than the growing rate, and ruthenium is finely evaporated, and in the latter stage, ruthenium is evaporated under the condition where the growing rate is higher than the nuclear forming rate, and its growth to various directions is made uniform, so that a ruthenium film having good surface morphology while being fine is obtained.例文帳に追加

すなわち、初期にはルテニウムの核形成速度が成長速度より速い条件で蒸着して稠密にルテニウムを蒸着し、後では核形成速度より成長速度が速い条件でルテニウムを蒸着してさまざまな方向への成長を均一にすることにより、稠密でありつつ表面モーフォロジが良好なルテニウム膜を得る。 - 特許庁

Next, the relation (fig. 2) between the size and the density of the grow-in defect caused by the void and the growing rate of the silicon single crystal is obtained by the simulation using the computer.例文帳に追加

次いで、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズならびに密度とシリコン単結晶の成長速度との関係（図２）を、電子計算機を用いたシミュレーションにより求める。 - 特許庁

To provide a production method for a nitride semiconductor which realizes a homogeneous doping concentration in a wafer plane in growing an n-type nitride semiconductor even when the distribution of growing rate is present in the wafer plane.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体を成長する際に、ウェハ面内に成長速度の分布が存在する場合においても、ウェハ面内で均一なドーピング濃度を実現する窒化物半導体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that can increase a growing rate of an epitaxial layer without greatly increasing the number of processes.例文帳に追加

工程数を大幅に増加させることなしに、エピタキシャル層の成長レートを早くすることができる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This invention realizes a GaN layer growing method capable of realizing a GaN layer growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and provides the semiconductor element having the growing GaN layer just above the Si substrate.例文帳に追加

本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 - 特許庁

The silicon single crystal is grown by selecting the growing rate to control the size and density of the grow-in defect caused by the void introduced into the inside of the crystal to be a desired value based on the simulation result.例文帳に追加

そして、そのシミュレーション結果に基づいて、結晶内部に導入される空孔起因のグローンイン欠陥のサイズと密度とが所望の値となるように成長速度を選択し、シリコン単結晶を育成する。 - 特許庁

Besides, the mass increment of a single crystal grown at the underside of a lid 5 is monitored by a load cell 7b and the mass increment of the single crystal is converted to the growing rate in the direction of its thickness.例文帳に追加

また、蓋５の下面に成長した単結晶の質量増加量をロードセル７ｂによりモニタし、単結晶の質量増加量をその厚さ方向の成長速度に換算する。 - 特許庁

Also it is possible to improve controllability of crystal morphology or growing rate of crystals by adding a group IIa element (an alkaline earth metal element) to the melt as an additive of small amount.例文帳に追加

また、融液に少量添加物としてIIａ族元素（アルカリ土類金属元素）を添加することにより結晶形態の制御性や結晶成長速度を改善することが可能である。 - 特許庁

To provide a GaN layer growing method capable of realizing a GaN growing rate applicable to manufacture of a semiconductor element, and to provide a semiconductor having a GaN layer growing just above an Si substrate.例文帳に追加

半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。 - 特許庁

The growing rates of the second composition compound semiconductor layers 23, 25 is obtained based on a difference (d_2-d_1), and the growing rate of the first composition compound semiconductor layers 22, 22' is obtained.例文帳に追加

差（ｄ_２−ｄ_１）に基づいて第２組成の化合物半導体層２３，２５の成長レートを求めるとともに、第１組成の化合物半導体層２２，２２′の成長レートを求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC single crystal, which can grow the SiC single crystal of excellent quality with a low density of lattice defects at a high growing rate stably for a long period of time.例文帳に追加

低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a cutting tree selecting apparatus of a tree under a transmission line, which can reduce cost required for cutting work, by calculating a growing rate at every tree and putting the trees whose separation distance becomes near after several years to a cutting plan without omission.例文帳に追加

樹木１本毎に伸び率を算出して数年後に離隔距離が近くなる樹木を伐採計画に漏れなく入れることによって伐採作業に要する費用を低減できる送電線下樹木の伐採樹木選定装置を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing polycrystalline silicon which increases the thickness of a silicon rod with preventing meltdown of the silicon rod and maintaining a high growing rate and a high yield under the conditions of a high pressure state and supplying a large amount of the raw material.例文帳に追加

高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。 - 特許庁

To provide a koji mold which vigorously proliferates even when water content charged to raw materials is lower than a conventional water content and having rapid growing rate in a method for producing koji for brewing and to provide the method for producing the koji for brewing by using the koji mold.例文帳に追加

醸造用麹の製造法において原料の盛込み水分が通常よりも低水分でも旺盛に繁殖し、生育速度が早い麹菌、及び該麹菌を用いる醸造用麹の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for rearing animals and plants by which illumination is distributed to preservation and growth of animals and plants and appearance of animals and plants are made more vivid than that obtained by a conventional panel light and growing rate is remarkably improved.例文帳に追加

動植物の維持や成長に照明の面から寄与し、従来の照明灯よりも動植物の外観が鮮やかで、成長速度も格段に向上する動植物の育成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a simulation method and a simulation program more accurately calculating a form near an interface when taking a large time-step or reducing the number of surface growing rate calculating steps.例文帳に追加

大きなタイムステップをとった場合、あるいは表面成長速度を計算するステップを減らした場合、において、界面付近の形状をより正確に算出できるシミュレーション方法およびシミュレーションプログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a crystallization apparatus and method in which melting and crystallizing state of a semiconductor film can be observed in real time, and a growing rate and a direction of the semiconductor film can be measured accurately.例文帳に追加

半導体膜が溶融して、結晶化する状態をリアルタイムで観察することが可能であり、半導体薄膜の、例えば、成長速度及び成長方向を正確に測定することが可能な結晶化装置及び結晶化方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus with which both of reduction in the warpage of a base substrate caused by a heating mechanism and high temperature capable of achieving a high crystal growing rate can be achieved, in an aluminum-based group III nitride crystal growth apparatus.例文帳に追加

アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。 - 特許庁

In the method for producing a Co-Cr based alloy single crystal for an implant member using a Bridgman method, a Co-Cr based alloy having a prescribed composition is melted at 1,500 to 2,050°C, and crystal growing is performed at a growing rate of 1.0 to 500 mm/h under the condition that the temperature gradient is ≥0.5°C/mm.例文帳に追加

ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。 - 特許庁

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4.例文帳に追加

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 - 特許庁

To provide a method for depositing a layer capable of executing coating of an area larger than that in the conventional MWP-CVD method and free from the need of the restriction of the growing rate similarly to the case in an HF-CVD method and to provide a device therefor.例文帳に追加

従来のＭＷＰ-ＣＶＤ法よりも大きな面積の被覆を行うことができ、しかもＨＦ-ＣＶＤ法におけると同様に成長速度を制限する必要のない、層を堆積させる方法及び装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a new oxide superconductor by which the crystal growing rate of a Bi2Sr2CaCu2OX compound superconductor can be significantly improved, the synthesizing time for the superconductor can be reduced, the superconducting characteristics can be improved and the crystal size can be increased.例文帳に追加

Ｂｉ_2Ｓｒ_2ＣａＣｕ_2Ｏ_X化合物系超伝導体の結晶成長速度を飛躍的に高めることができ、超伝導体の合成時間の短縮化を図り、超伝導特性の向上および結晶サイズの大型化をも可能とする、新しい酸化物超伝導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a raw material rod for growing magnetic single crystals, which can obtain a YIG single crystal without deteriorating its magnetic properties since the controllability of the orientation of the single crystal is kept even when a growing rate is increase to prevent the increase of a magnetic resonance half-value width (ΔH), and to provide the magnetic single crystal.例文帳に追加

育成速度を速くしても単結晶の方位制御性が保たれて強磁性共鳴半値幅（ΔＨ）が大きくならず、磁気特性が劣化しないＹＩＧ単結晶が得られる磁性単結晶育成用原料棒と磁性単結晶を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a metal silver part includes exposing a silver salt-containing layer containing a silver halide as an optical sensor disposed on a substrate and carrying out a developing treatment thereby forming a light transmissive part and a mesh metal silver part, in which the width of a line constituting the mesh is 3 to 18 μm, and an intersection growing rate in intersections of the lines constituting the mesh is >1 and ≤1.5.例文帳に追加

支持体上に設けられた光センサとしてハロゲン化銀を含有する銀塩含有層を露光し、現像処理することにより光透過性部とともにメッシュ状の金属銀部を形成し、前記メッシュを構成する線の線幅が３〜１８μｍであり、かつ、前記メッシュを構成する線の交点における交点太り率が１を超え１．５以下であることを特徴とする、金属銀部の製造方法。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a single crystal capable of improving growing rate into the single crystal by smoothly discharging SiO vaporizing from the surface of the melt and preventing SiO_2 from depositing onto the outer side of a radiation shield, even when widening the spacing between the radiation shield and the melt, aiming at uniforming the temperature gradient in a crystal axis direction with respect to the radial direction.例文帳に追加

結晶軸方向温度勾配の半径方向の均一を図るために輻射シールドと融液間の間隔を広げても、融液表面から蒸発するＳｉＯを円滑に排出し、輻射シールド外側へのＳｉＯ_２の付着を防止して、単結晶化率を向上させることができる単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁