「えんげるはーど」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

第１導電型の半導体基板１１上にゲート絶縁膜１２を形成し、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１３を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11 of a first conductive type, and a gate electrode 13 is formed on the film 12. - 特許庁

エンコーダは、フォトダイオードアレイ、コードホイール、光源、及び光学系を含む。例文帳に追加

The encoder includes the photodiode array, a code wheel, a light source, and an optical system. - 特許庁

格子歪を有する微結晶半導体構造の絶縁ゲイトＦＥＴを得る。例文帳に追加

To obtain an insulated gate FET of microcrystal semiconductor structure with lattice distortion. - 特許庁

膜厚が異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE INSULATING FILM HAVING DIFFERENT FILM THICKNESS - 特許庁

ゲート絶縁耐性を向上させる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that improves gate dielectric strength. - 特許庁

高耐圧の絶縁ゲート半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a high breakdown voltage insulating gate semiconductor device. - 特許庁

ゲート電極にシリサイドを使用し、ゲート絶縁膜に高誘電率ゲート絶縁膜を使用する半導体装置において、高誘電率ゲート絶縁膜近傍やゲートエッジに高誘電率ゲート絶縁膜／シリコン界面が生じない半導体装置の製造方法を得ること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device manufacturing method which causes no high dielectric constant gate insulation film/silicon interface near the high dielectric constant gate insulation film or in the gate edge in a semiconductor device which uses silicide for a gate electrode and the high dielectric constant gate insulation film for a gate insulation film. - 特許庁

再エンコード（トランスコード）前のデコード画像にエラーが発生してもエラーの影響が低減されるトランスコード装置の実現。例文帳に追加

To attain a transcoding apparatus by which an influence of an error is reduced even if the error is generated in a decoded image before re-encoding (transcoding). - 特許庁

払下げの対象は船舶、倉庫、農園、炭鉱、ビール・砂糖工場などであった。例文帳に追加

Among the properties to be sold, the ships, the storehouses, the plantations, the coal mining, the beer and sugar factories, etc. were included.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、抄紙機または板紙抄紙機、あるいは仕上げ機におけるロール用、特に加熱ロール用のロールエンド作成方法に関するものである。例文帳に追加

The present invention relates to the roll end forming method for the roll of the paper or board machine, or in a finishing machine, particularly, the heating roll. - 特許庁

薄膜トランジスタ表示板には、絶縁基板上にゲート電極を有するゲート線が形成され、ゲート線を覆うゲート絶縁膜上部には、ゲート電極と重なる半導体層が形成されている。例文帳に追加

In the thin film transistor display plate, gate lines having gate electrodes are formed on an insulating substrate and semiconductor layers overlapping with the gate electrodes are formed at an upper part of a gate insulating film covering the gate lines. - 特許庁

フィールド絶縁層５０はゲート電極４０と重なる部分で、ゲート絶縁層６０側が薄くなるような段差５１を有する。例文帳に追加

The field insulation layer 50 includes a step 51 to reduce the thickness on the gate insulation layer 60 side in a part where the field insulation layer 50 overlaps the gate electrode 40. - 特許庁

ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor transistor that has both superior interface properties between a GaN-based semiconductor and a gate insulator and superior film quality of the gate insulator. - 特許庁

私はスポーツよりも演劇や音楽などの芸術的作品を鑑賞することを好む。例文帳に追加

I prefer appreciating creative works such as music and theater to sports. - Weblio Email例文集

装置は、素早くエンジンクーラント温度を運転温度に上げるための補助油圧回路４０を含む。例文帳に追加

The apparatus includes an auxiliary hydraulic circuit 40 for rapidly raising the engine coolant temperature to the operating temperature. - 特許庁

容器、特にゲルまたはビーズタイプのカードなどの血液型決定用のカードを遠心分離するための遠心分離機および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a centrifuge and a method for centrifuging a container, particularly a card for blood typing such as a gel or bead type card. - 特許庁

放送局のアナウンサーによる方言劇なども公演され、人気を博している。例文帳に追加

Plays in dialect by broadcast announcers are performed and gaining popularity.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

このダミーパターンは、ＮＭＯＳトランジスタ１６のゲート絶縁膜２１およびゲート電極３１のそれぞれと同一層に形成されたゲート絶縁膜ダミーパターン２１ａおよびゲート電極ダミーパターン３１ａである。例文帳に追加

The dummy patterns are gate insulating film dummy patterns 21a and gate electrode dummy patterns 31a, which are formed on the same layers of the gate insulating films 21 and the gate electrodes 31 in NMOS transistors 16. - 特許庁

ターゲット塩基配列を含む自己塩基配列データ１０１について、ターゲット塩基配列１０７から得られる複数の部分塩基配列の各々の出現数をカウントして得られる自己頻度テーブル１０５を保持する。例文帳に追加

About original base sequence data 101 including a target base sequence, an original frequency table 105 is held where the appearance of each of a plurality of local base sequences obtained from the target base sequence 107 is counted. - 特許庁

この温度制限回路は、クエンチヒータ回路やクエンチ抵抗器回路とすることができる。例文帳に追加

The temperature control circuits can be used as a quench heater circuit or a quench resistor circuit. - 特許庁

吸気管負圧の小さな直噴エンジンまたはリーンバーンガソリンエンジンやディーゼルエンジンで発生する振動を低減すること。例文帳に追加

To damp vibration caused by a direct injection engine with a small intake pipe negative pressure, a lean burn gasoline engine, or a diesel engine. - 特許庁

大腸菌におけるＮＨＥＩ制限エンドヌクレアーゼのクローニングおよび発現のための方法例文帳に追加

METHOD FOR CLONING AND EXPRESSING NHEI-RESTRICTION ENDONUCLEASE IN ESCHERICHIA COLI - 特許庁

本方法は、半導体基板５、ゲート絶縁体１０、ゲート絶縁体上の導体６１、１２、導体上の絶縁キャップ、及び導体及び絶縁キャップの一部の側壁上の絶縁スペーサ９２を提供する。例文帳に追加

This method includes steps for forming a semiconductor substrate 5, a gate insulator 10, conductors 61, 12 on the gate insulator, an insulation cap on the conductors, and an insulation spacer 92 on part of the sidewall of the conductors and of the insulation cap. - 特許庁

第１のｎ型半導体膜１７をトンネル絶縁膜１５と低電圧ゲート絶縁膜１４と高電圧ゲート絶縁膜１６の上に成膜する。例文帳に追加

A first n-type semiconductor film 17 is formed on the tunnel insulating film 15, the low-voltage gate insulating film 14, and the high-voltage gate insulating film 16. - 特許庁

半導体基板上に形成される絶縁膜や誘電体膜のリーク電流低減、絶縁耐圧の向上、経時的絶縁破壊の低減を図る。例文帳に追加

To reduce leakage currents, improve dielectric breakdown voltage, and reduce temporal dielectric breakdowns, of insulation films and dielectric films formed on a semiconductor substrate. - 特許庁

演奏ガイドモードでは、再生中のガイド用演奏データにおける所定パートの現在再生されているイベントデータと演奏者による実際の演奏（実演奏）により発生したイベントデータとを比較する。例文帳に追加

In a performance guidance mode, event data of a prescribed part, which are currently reproduced in performance data for guidance being reproduced are compared with event data generated by actual performance (real performance) by the player. - 特許庁

半導体基板１０上に窒素を含むゲート絶縁膜２５を形成し、このゲート絶縁膜２５上に選択的にゲート電極２７を形成する。例文帳に追加

A gate insulated film 25 including nitrogen is formed on a semiconductor substrate 10, and a gate electrode 27 is formed selectively on the gate insulating film 25. - 特許庁

半導体基板１上にゲート絶縁膜２が形成され、ゲート絶縁膜２上にゲート電極３が形成されている。例文帳に追加

A gate insulating film 2 is formed on a semiconductor substrate 1 and a gate electrode 3 is formed on the film 2. - 特許庁

シリコン半導体基板２上にゲート絶縁膜としてのシリコン酸化膜２０を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極２２を形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film 20 as a gate insulating film is made on a silicon semiconductor substrate 2, and a gate electrode 22 is made on the gate insulating film. - 特許庁

次に、この半導体層３を覆うようにゲート絶縁膜４を形成し、ゲート絶縁膜４上の一部にゲート電極５を形成する。例文帳に追加

Then, a gate insulating film 4 is formed so as to cover the semiconductor layer 3 and a gate electrode 5 is formed on a part on the gate insulating film 4. - 特許庁

半導体基板１上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート絶縁膜３およびゲート電極４を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 3 and a gate electrode 4 of an insulated gate field-effect transistor (FET) are formed on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

半導体装置を、ゲート電極１がメタルゲート電極であるか、又は、ゲート絶縁膜４が高誘電率ゲート絶縁膜である場合に、ゲート電極１とゲート絶縁膜４との間に、ゲート電極１側から順に、シリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３を備えるものとする。例文帳に追加

A semiconductor device, when a gate electrode 1 is a metal gate electrode or a gate insulating film 4 is the high dielectric gate insulating film, includes a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 in order from the side of the gate electrode 1 between the gate electrode 1 and the gate insulating film 4. - 特許庁

そして、現在のＤＵＴＹ比が１００％となった場合には、ブレーキング動作を終了する（エンド）。例文帳に追加

Then, when the current DUTY ratio reaches 100%, braking operation is completed (end). - 特許庁

データの読み出しと演算の同時処理を可能にし、演算速度の向上、演算器の削減によるコスト低減を図る。例文帳に追加

To enable simultaneous reading and operating of the data, to increase the operating speed, and to decrease the costs by the reduction of computing elements. - 特許庁

また、第２絶縁膜２８２は、第１のゲート絶縁膜２７と同一の工程で形成する。例文帳に追加

Further, the second insulating film 282 is formed using the same process as in the first gate insulating film 27. - 特許庁

半導体基板200上にゲート絶縁膜205と導電層を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 205 and conductive layer are formed on a semiconductor substrate 200. - 特許庁

マルチゲート絶縁膜を有する半導体装置及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTI-GATE INSULATING FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

デジタル情報媒体を用いるエンハンスド・ナビゲーション・システム例文帳に追加

ENHANCED NAVIGATION SYSTEM USING DIGITAL INFORMATION MEDIUM - 特許庁

半導体基板１２上に、ゲート絶縁膜１４を成膜する。例文帳に追加

A gate insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 12. - 特許庁

ディーゼルエンジンの振動を抑制し、騒音の低減を図る。例文帳に追加

To reduce noise by suppressing the vibration of a diesel engine. - 特許庁

遅延素子による遅延を必要とする回路は、ゲートアレー方式で設計される半導体基板１０の中央に配置されたゲートアレー領域２０内に配置する一方、複数の遅延素子は、ゲートアレー領域２０の外側の遅延素子配置領域４０に、スタンダードセルとして構成される。例文帳に追加

The circuit requiring the delay by the delay element is arranged within a gate array region 20 arranged at the center of the semiconductor substrate 10 designed by the gate array method, and at the same time, the plurality of deley elements are structured as a standard cell in the delay element arrangement region 40 outside of the gate array region 20. - 特許庁

半導体基板１の主表面上にゲート絶縁膜５を介してメモリセルゲート２を形成する。例文帳に追加

A memory cell gate 2 is formed on a main surface of a semiconductor substrate 1 via a gate insulating film 5. - 特許庁

切削仕上げ面の面粗度及び加工精度の向上を図るとともにボールエンドミルの寿命の延長を図ること。例文帳に追加

To improve surface roughness and work accuracy of a cutting finish surface and also extend a life of a ball end mill. - 特許庁

演算手段２ａは、有限要素法により物体の変形または運動を段階的に演算する。例文帳に追加

The operating means 2a operates the deformation or movement of the object stepwise by a finite element method. - 特許庁

エンジン制御装置５１は、エンジンロールを推定または検出し、推定または検出されたエンジンロールが小さくなるように、エンジントルクを制御することにより、エンジンロールに起因するエンジンの振動を低減する。例文帳に追加

An engine control device 51 estimates or detects the engine roll, and controls the engine torque so that the estimate or detected engine roll becomes small in order to reduce the vibration of the engine that originates in the engine roll. - 特許庁