「えんげるはーど」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

ナビゲーション・システムは、エンド・ユーザの表示に応答して動作する報告プログラムを含む。例文帳に追加

The navigation system includes a reporting program that responds to the indication showed by the end user and starts running. - 特許庁

ゲート絶縁膜６にゲート電極７が引張方向の応力差が２×１０^9ｄｙｎ／ｃｍ^2 程度以上になるとゲート電極７だけが変形しようとしてゲート電極７の周囲がゲート絶縁膜６から剥離する。例文帳に追加

When difference in stress in the tensile direction between a gate insulating film 6 and a gate electrode 7 exceeds approximately 2×109 dyn/cm2 or more, only the gate electrode 7 tends to deform and the surrounding of the gate electrode 7 is peeled off from the gate insulating film 6. - 特許庁

テンプレート上で実現される財務情報を構築するのは、エンドユーザである。例文帳に追加

It is the end user that formulates the financial information to be implemented on the template. - 特許庁

筒内直噴型のエンジン２００を制御するＥＣＵ１００は、下限ガード値設定処理を実行する。例文帳に追加

ECU 100 controlling a cylinder direct injection engine 200 executes a lower limit guard value set process. - 特許庁

窒化物半導体電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜２をハロゲン化物で構成する。例文帳に追加

A gate insulating film 2 of the nitride semiconductor field effect transistor is constituted of a halogenide. - 特許庁

ゲート遅延の数の減少は、クロックとしての上記アドレス信号の使用と両立され得る。例文帳に追加

Reduction of the number of gate delay is compatible with use of the address signal as a clock. - 特許庁

ＦＥＴ１０４のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２１との界面における前記金属の濃度は、ＦＥＴ１０２のゲート絶縁膜１１４とゲート電極１２６との界面における前記金属の濃度よりも高い。例文帳に追加

The metal is higher in concentration on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 121 of the FET 104 than on an interface between the gate insulating film 114 and gate electrode 126 of the FET 102. - 特許庁

燃焼室沈積物剥離を減少させるか或はなくすことは、エンジンに由来するコールドスタート排気を減少させることを意味する。例文帳に追加

The reduction or elimination of combustion chamber deposit peel-off means a reduction in cold start emissions originating from the engine. - 特許庁

演出パターン選択手段44は、現に連続演出手段が実行されている場合又は連続演出が開始される場合には連続演出パターンテーブル72から、連続演出は開始されない場合には単独演出パターンテーブル71からそれぞれ演出パターンを選択する。例文帳に追加

The rendering pattern selecting means 44 selects the rendering patterns from the continuous rendering pattern table 72 when the continuous rendering means is being executed or continuous rendering is started, and from the individual rendering pattern table 71 when continuous rendering is not stated, respectively. - 特許庁

演出パターン選択手段44は、現に連続演出手段が実行されている場合又は連続演出が開始される場合には連続演出パターンテーブル72から、連続演出は開始されない場合には単独演出パターンテーブル71からそれぞれ演出パターンを選択する。例文帳に追加

The rendering pattern selecting means 44 selects the rendering pattern from the continuous rendering pattern table 72 when the continuous rendering means is executed currently or when the continuous rendering is started, and selects the rendering pattern from the independent rendering pattern table 71 when the continuous rending is not started. - 特許庁

演出パターン選択手段44は、現に連続演出手段が実行されている場合又は連続演出が開始される場合には連続演出パターンテーブル72から、連続演出は開始されない場合には単独演出パターンテーブル71からそれぞれ演出パターンを選択する。例文帳に追加

When the serial performance is actually executed or the serial performance is about to start, the performance pattern selection means 44 selects a performance pattern from the serial performance pattern table 72 and, when no serial performance is started, selects a performance pattern from the single performance pattern table 71 respectively. - 特許庁

演出パターン選択手段44は、現に連続演出手段が実行されている場合又は連続演出が開始される場合には連続演出パターンテーブル72から、連続演出は開始されない場合には単独演出パターンテーブル71からそれぞれ演出パターンを選択する。例文帳に追加

The performance pattern selection means 44 selects a performance pattern from the multiple performance pattern table 72 when continuous performances are currently being executed, or continuous performances are about to be started, while it selects a performance pattern from the single performance pattern table 71 when no continuous performances are started. - 特許庁

演出パターン選択手段は、現に連続演出手段が実行されている場合又は連続演出が開始される場合には連続演出パターンテーブルから、連続演出は開始されない場合には単独演出パターンテーブルからそれぞれ演出パターンを選択する。例文帳に追加

The performance pattern selection means selects a performance pattern from the continuous performance pattern table when the continuous performance means are currently being executed or when the continuous performances are about to be started, while it selects a performance pattern from the single direction pattern table when no continuous performances are started. - 特許庁

ソース領域２と延長ドレイン領域３との間にはゲート絶縁膜を介してゲート電極１０が形成され、ゲート電極１０および半導体基板１の表面は絶縁膜１２により覆われている。例文帳に追加

A gate electrode 10 is formed via a gate insulating film between the source region 2 and an extension drain region 3, and the gate electrode 10 and the surface of the semiconductor substrate 1 are covered with an insulating film 12. - 特許庁

レーザ光の強度は，上層絶縁層４のみをレーザ加工する場合と比較してさほど極端に上げる必要はない。例文帳に追加

It is not necessary to sharply make the intensity of laser beams higher than that in the case of the laser working only of an upper insulating layer 4. - 特許庁

コート材料によりレジスト層からのクエンチャーを中和し、クエンチャーの活性と流動性を低減させ、レジスト内にあるクエンチャーが水滴に入る可能性を大幅に下げ、ウォータマークの発生を防ぐ。例文帳に追加

To neutralize a quencher from a resist layer by a coating material to reduce activity and fluidity of the quencher, which significantly reduces the possibility of the quencher in the resist to diffuse into water drops, and thereby, prevents production of a watermark. - 特許庁

エンジンルーム内の構造物とフード間のクリアランスを充分確保することのできる自動車のフード跳ね上げ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a hood pop-up system of an automobile capable of sufficiently securing a clearance between a structure in an engine room and a hood. - 特許庁

次に、ソース／ドレイン電極間におけるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成する。例文帳に追加

Then, a semiconductor thin film is formed on the gate insulating film between the source/drain electrodes. - 特許庁

イオンビーム照射装置のグリッド間に配置される絶縁スペーサの交換頻度を低減する。例文帳に追加

To reduce replacement frequency of an insulating spacer provided between grids of an ion beam irradiator. - 特許庁

駆動源としてエンジンとジェネレータモータとを有するハイブリッド車両の燃費を向上する。例文帳に追加

To improve fuel cost of a hybrid vehicle having an engine and a generator motor as a driving source. - 特許庁

移動座標を発生させて、ゲーム性を持った面白みのある演奏を実現する。例文帳に追加

To realize performances enjoyable with game potentialities by generating moving coordinates. - 特許庁

副電源５０の電力を用いてエンジンを始動できる場合は、副電源５０からセルモータ２４に電力を供給し、エンジンを始動させる。例文帳に追加

When the power of the sub power supply 50 can start the engine, the power is supplied from the sub power supply 50 to a starter 24 to start the engine. - 特許庁

夏場にかけて円高が進行し、更に 10 月末にはドル円レートで史上最高値を更新した。例文帳に追加

The yen appreciated in around summer, and the exchange rate of the yen against the dollar recorded an all-time high at the end of October. - 経済産業省

引き数keyと同様に、blockはエンコードされた実際の値を表現するビットの配列である。例文帳に追加

Like the key argument, also block is a bit vector representation of the actual value that is encoded.  - JM

メタルゲート形成用等の金属原子が半導体基板、特にゲート絶縁膜に残存することによるゲートリーク電流の増大又はゲート電極の形成材料における仕事関数の変動を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent an increase in gate leakage current or variation of the work function of a gate electrode forming material caused by metal gate forming and other metal atoms remaining on a semiconductor substrate, especially in a gate insulating film. - 特許庁

予備曲げ刃９および本曲げ刃１１を水平方向に前進移動させた状態で可動フレーム７を下降させることで、予備曲げ刃９によりダイ３上のワークＷの縁部Ｆを予備曲げ加工する。例文帳に追加

By lowering the movable frame 7 in the state where the preliminary bending blade 9 and the normal bending blade 11 are moved forward in the horizontal direction, the edge part F of a work W on a die 3 is preliminarily bent with the preliminary bending blade 9. - 特許庁

発煙装置２は、パラフィンＰを収容する発煙容器２５と、発煙容器２５内に収容されるヒーター２６および吸上げ芯２７と、電源などで構成する。例文帳に追加

The smoking device 2 comprises a smoking container 25 which houses paraffin P, a heater 26 and a suction wick 27 housed in the smoking container 25, a power source, etc. - 特許庁

ドレイン領域はゲート絶縁層上にあり、そしてゲート電極の切欠き上にあって、ゲート電極の切欠きの端部にオーバラップする。例文帳に追加

The drain region is existent on the gate dielectric layer, wherein it is over the notch of the gate electrode, and overlaps the gate electrode at the edge of the notch. - 特許庁

ＱＲ−ＭＬＤ法と同等の復調精度を得ると共に演算量削減を図る。例文帳に追加

To obtain a demodulation accuracy equal to that by QR-MLD and to reduce an amount of calculation. - 特許庁

［式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ_１〜Ｒ_４はそれぞれ独立して置換もしくは無置換のアリール基、ヘテロ環基など；Ｘ’、Ｙ’及びＺ’はそれぞれ独立してターシャリーブチル基またはアリール基；Ａはハロゲン化亜鉛またはハロゲン化亜鉛錯体；Ｘ”は塩素、臭素またはヨウ素］例文帳に追加

(In these formulae, X, Y, and R_1 to R_4 are each independently a substituted or unsubstituted aryl group, a heterocyclic group, or the like; X', Y' and Z' are each independently a tert-butyl group or an aryl group; A is a zinc halide or a zinc halide complex; X" is chlorine, bromine or iodine). - 特許庁

分割データ単位のエンコード処理はＤＳＰを占有する時間が短いため、メインの処理であるデコード処理の妨げになりにくい。例文帳に追加

Encoding processing in the unit of divided data hardly hinders decoding processing being main processing because occupying DSPs for a short period. - 特許庁

メモリセルＭＣは、半導体基板１０と、この半導体基板上に形成された第１のゲート絶縁層１１と、半導体基板１０上に第1のゲート絶縁層１１を介して形成された浮遊ゲート１２と、この浮遊ゲート１２上に形成された第２のゲート絶縁層１３と、浮遊ゲート１２上に第２のゲート絶縁層１３を介して形成された制御ゲート１４とを有する。例文帳に追加

A memory cell MC includes: a semiconductor substrate 10; a first gate insulating layer 11 formed on the semiconductor substrate; a floating gate 12 formed on the semiconductor substrate 10 through the first gate insulating layer 11; a second gate insulating layer 13 formed on the floating gate 12; and a control gate 14 formed on the floating gate 12 through the second gate insulating layer 13. - 特許庁

本発明の半導体装置１００は、半導体層１０と、半導体層１０の上方に形成され、窒素原子を含む酸化膜からなるゲート絶縁層１２と、ゲート絶縁層１２の上方に形成されたゲート電極１４とを含む。例文帳に追加

The semiconductor device 100 comprises a semiconductor layer 10, a gate insulation layer 12 consisting of an oxide film containing nitrogen atoms formed on the semiconductor layer 10, and a gate electrode 14 formed on the gate insulation layer 12. - 特許庁

ＬＣＤドライバにおいて、高耐圧ＭＩＳＦＥＴでは、電界緩和用絶縁領域３上にゲート電極１０ｂの端部が乗り上げている。例文帳に追加

In the LCD driver, an end part of the gate electrode 10b is provided over an insulating region 3 for alleviating electric field in the high withstand voltage MISFET. - 特許庁

Ｑ７にはマイナスチャージを注入してエンハンスメント型とし、ゲートとドレインを接続する。例文帳に追加

The FET Q7 is injected with negative charges, to make it an enhancement type with the gate connected to the drain. - 特許庁

これにより、半導体層１３がエネルギービームＥを吸収し、ゲート絶縁膜１４が加熱される。例文帳に追加

Accordingly, the semiconductor layer 13 absorbs the energy beam E, and the gate insulating film 14 is heated. - 特許庁

ケーブルエンドに加わる曲げ荷重を大きくせずに、その強度向上を図ることができるコントロールケーブルの端末構造を提供する。例文帳に追加

To provide a terminal structure of a control cable which is capable of improving its strength without increasing the bending load to be applied to a cable end. - 特許庁

そして、この選択ゲートスイッチトランジスタが、半導体基板上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されるゲート電極と、半導体基板中に、ゲート電極を挟むように設けられる第１のソース・ドレイン領域と第２のソース・ドレイン領域とを備えている。例文帳に追加

The selector gate switch transistor includes a gate insulation film formed on a semiconductor substrate, a gate electrode formed on the gate insulation film, and a first source/drain region and a second source/drain region provided in the semiconductor substrate so as to sandwich the gate electrode. - 特許庁

酸化物半導体素子は、基板上に配置されるゲート電極と、リセス構造を含むゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の一側上に配置されるソース電極と、ゲート絶縁層の他側上に配置されるドレーン電極と、ゲート絶縁層、ソース電極、及びドレーン電極上に配置されるアクティブパターンとを含むようにすることができる。例文帳に追加

An oxide semiconductor element includes: a gate electrode disposed on a substrate; a gate insulation layer including a recess structure; a source electrode disposed on one side of the gate insulation layer; a drain electrode disposed on the other side of the gate insulation layer; and an active pattern disposed on the gate insulation layer, the source electrode, and the drain electrode. - 特許庁

異なる膜厚のゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜の信頼性及び膜厚差を十分に確保しつつ、異なる膜厚のゲート絶縁膜を形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device having different thickness gate insulating films, which can form the different thickness insulating films while ensuring reliability of the gate insulating films and film thickness difference. - 特許庁

この制限エンドヌクレアーゼをコードするＤＮＡ及びこの制限エンドヌクレアーゼに対して宿主ＤＮＡを保護し得るメチラーゼの発現ベクターを含む発現ベクターで宿主細胞を形質転換することからなるこれらの酵素の過剰発現に関する新規方法を提供する。例文帳に追加

Provided is a new method for the overexpression of these enzymes, which comprises transforming a host cell with an expression vector containing a DNA encoding the restriction endonuclease and an expression vector of a methylase capable of protecting the host cell DNA against the restriction endonuclease. - 特許庁

基板と絶縁ゲート型電界効果半導体装置との間には窒化珪素でなる層膜が設けられ、前記絶縁ゲート型電界効果半導体装置のゲイト絶縁膜は少なくとも窒化珪素でなる層を含む構成を取る。例文帳に追加

A layer film, which is silicon nitride, is provided between a substrate and the insulated gate-type semiconductor device, and the gate insulated film of the insulated gate-type field-effect semiconductor device is at least so structured that it contains a layer of silicon nitride. - 特許庁

代表的な実施形態では、前記システムは、エンターテイメントモード電源スイッチを含むことができる。例文帳に追加

In a representative embodiment form, the system may include an entertainment mode power switch. - 特許庁

｢恋は突然に。｣に主演したジェニファー・ガーナーさんは，支払われた金額１ドルあたり3.6ドルの収益を上げて２位となった。例文帳に追加

Jennifer Garner, the star of “Catch and Release,” came in second with a return of $3.60 for each dollar she was paid.  - 浜島書店 Catch a Wave

（０００−１）面の炭化珪素からなる半導体領域にゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極と、上記半導体領域に電極を有する半導体装置において、ゲート絶縁膜中に１Ｅ１９／cm^3から１Ｅ２０／cm^3の範囲の水素あるいは水酸基（ＯＨ）を含む。例文帳に追加

The semiconductor device has, in a semiconductor region made of a carbon silicate having a (000-1) face, a gate insulating film and a gate electrode on the gate insulating film, and on the semiconductor region, an electrode, the gate insulating film including hydrogen or hydroxyl group (OH) ranging from 1E19/cm^3 to 1E20/cm^3. - 特許庁