「えんげるはーど」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

絶縁ゲート型半導体素子の高周波動作を活かすことができ、インバータ等の電力変換装置を安定に駆動する信頼性の高い絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路を提供する。例文帳に追加

To provide a gate circuit of an insulated gate semiconductor element of high reliability, which enables high frequency operation of an insulated gate semiconductor element and drives stably a power converting device like an inverter. - 特許庁

ベンディングロールによって鋼板３のＵ曲げを円滑に精度よく行う。例文帳に追加

To smoothly accurately execute the U-bending of a steel sheet by a bending roll. - 特許庁

ゲート絶縁膜を多層化すると共に、半導体膜上にゲート電極とは異なる補助電極を形成して、膜厚の異なるゲート絶縁膜を有するＴＦＴを同一基板に形成することを特徴とする。例文帳に追加

A gate insulating film is multilayered, and an auxiliary electrode different from a gate electrode is formed on a semiconductor film to form the TFTs each having the gate insulating film with a different thickness on the same substrate. - 特許庁

臭素或いは塩素のいずれかからなるハロゲン元素と亜鉛とを、ハロゲン元素：亜鉛＝１．５：１〜２．５：１の原子数比で含むように水分／湿度インジケータ用材料を構成する。例文帳に追加

The material for the moisture/humidity indicator is constituted so as to contain a halogen element, which comprises either one of bromine and chlorine, and zinc in an atomic number ratio of halogen element: zinc=1.5:1-2.5:1. - 特許庁

発煙硫酸含浸シリカゲル：ＢＥＴ比表面積２５０〜４５０ｍ^2／ｇ、細孔容積１．４〜２．６ｃｍ^3／ｇのシリカゲルに遊離ＳＯ_3濃度５〜４０質量％の発煙硫酸が含浸された発煙硫酸含浸シリカゲル例文帳に追加

The oleum impregnated silica gel is prepared by impregnating oleum having 5-40 mass% of free SO_3 concentration into the silica gel having a BET specific surface area of 250-450 m^2/g and a pore volume of 1.4-2.6 cm^3/g. - 特許庁

絶縁基板１上に形成された島状パターンを有する半導体薄膜２、３，４と、半導体薄膜の上に形成されたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極６とを備える。例文帳に追加

This thin-film transistor is provided with semiconductor thin films 2, 3 and 4, provided with an island-like pattern and formed on an insulation substrate 1, a gate insulation film 5 formed on the semiconductor thin film and a gate electrode 6 formed on the gate insulation film. - 特許庁

キーボード関連などの制御を行うために用いられているＥＣ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）に衝撃・振動判断エンジン１１を組み込む。例文帳に追加

An impact/vibration decision engine 11 is incorporated in an EC (Embedded Controller) used to make keyboard-related controls. - 特許庁

キーボード関連などの制御を行うために用いられているＥＣ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）に衝撃・振動判断エンジン１１を組み込む。例文帳に追加

A shock/vibration determination engine 11 is assembled in an EC (Embedded Controller) used for performing keyboard-related control and the like. - 特許庁

現在，鐘はニューヨークの国連本部内にある日本庭園に戻っている。例文帳に追加

Now the bell is back in the Japanese garden inside U.N. headquarters in New York. - 浜島書店 Catch a Wave

圧縮機ブレード前縁のエロージョン及び／又は腐食に起因する損傷を軽減すること。例文帳に追加

To reduce damage to the leading edge of a compressor blade resulting from erosion and/or corrosion. - 特許庁

本発明にかかる不揮発性メモリ素子は、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、フローティングゲートを覆い、（ＴａＯ）_1-x（ＴｉＯ）_xＮからなる誘電体膜、そして、誘電体膜の上部に形成されたコントロールゲートを備える。例文帳に追加

The inventive nonvolatile memory element comprises a gate insulation film formed on a semiconductor substrate, a floating gate formed on the gate insulation film, a dielectric film of (TaO)1-x(TiO)xN covering the floating gate, and a control gate formed on the dielectric film. - 特許庁

ゲート電極８は、ソース領域とドレイン領域との間で、Ｆｉｎ状の半導体部３をゲート絶縁膜を介して囲むように形成される。例文帳に追加

The gate electrode 8 is formed so as to surround the semiconductor part 3 of a Fin shape through a gate insulating film between the source region and the drain region. - 特許庁

ゲート抵抗を低減する断面Ｔ字型ゲート電極において、ゲート電極と半導体基板の間にゲート電極を保持するため形成する絶縁膜をゲート電極の幅（長手方向）において部分的に除去する。例文帳に追加

In a T-shaped cross-sectional gate electrode on which gate resistance is reduced, an insulating film 13, which is formed between a gate electrode 11 and a semiconductor substrate 10 for the purpose of retaining the gate electrode 11, is partially removed in the width direction (longitudinal direction). - 特許庁

エンジンの冷機時に、ＨＣの低減と、燃焼安定度の向上とを図る。例文帳に追加

To reduce HC and improve combustion stability at a time of engine cold condition. - 特許庁

他方、副電源５０がエンジンを始動できない場合には、主電源１０からセルモータ２４に電力を供給し、エンジンを始動させる。例文帳に追加

On the other hand, when the sub power supply 50 cannot start the engine, the power is supplied from the main power supply 10 to the starter 24 to start the engine. - 特許庁

このとき、ターゲット材料１４とカソード電極１２の間は絶縁体１３で絶縁されているので、ターゲット材料１４に生じたチャージはカソード電極１２には移動せず、アーク放電は生じない。例文帳に追加

During sputtering, arc discharge does not occur, because a space between the target material 14 and the cathode electrode 12 is insulated by the insulator 13, and consequently the generated charge on the target material 14 does not move to the cathode electrode 12. - 特許庁

半導体層11の周縁部でのゲート絶縁膜18を介したゲート電極19との間の電気信号のリークを確実に抑制できる。例文帳に追加

Further, leakage of an electric signal can be surely suppressed between the peripheral edge of the semiconductor layer 11 and a gate electrode 19 through the gate insulating film 18. - 特許庁

Ｄ／Ａコンバータ７は、音源６による演奏音をサウンドシステム８に出力する。例文帳に追加

The D/A converter 7 outputs performance sound, generated by the sound source 6, to a sound system 8. - 特許庁

そして、変速レバーの操作位置が増速位置に変位したときは、アクセルレバー２の自動操作スピードを速くしてエンジン回転数を急速に上げ、変速レバーの操作位置が減速位置に変位したときは、アクセルレバー２の自動操作スピードを遅くしてエンジン回転数を緩慢に下げる。例文帳に追加

When the operating position of a shift lever is displaced into an accelerating position, the automatic operating speed of the accelerator lever 2 is quickened to rapidly increase engine speed, and when the operating position of the shift lever is displaced into a decelerating position, the automatic operating speed of the accelerator lever 2 is slowed down to slowly reduce engine speed. - 特許庁

また、グリップエンドまわりの慣性モーメントＭ（ｇ・ｍ^2 ）と、曲げ振動の周期Ｔ（ｓｅｃ）とは、Ｍ／Ｔ≦１０３０の範囲に設定されている。例文帳に追加

The inertia moment M (g.m2) around the grip end and the period T (sec) of bending vibration are set in a range of M/T≤1030. - 特許庁

ＣＰＵ１０は、ＤＳＰ生成回路９１、リードゲートＲＧのタイミングを調整する遅延回路１０１、及びライトゲートＷＧのタイミングを調整する遅延回路１０２のそれぞれの遅延量を設定する。例文帳に追加

Each delay amount of a DSP producing circuit 91, a delay circuit 101 for adjusting the timing of the read gate RG, and a delay circuit 102 for adjusting the timing of the write gate WG, is set by a CPU 10. - 特許庁

ＣＰＵ１０は、ＤＳＰ生成回路９１、リードゲートＲＧのタイミングを調整する遅延回路１０１、及びライトゲートＷＧのタイミングを調整する遅延回路１０２のそれぞれの遅延量を設定する。例文帳に追加

A CPU 10 sets the amount of respective delays of: a DSP (Data Sector Pulse) generation circuit 91; a delay circuit 101 for adjusting the timing of the read gate RG; and a delay circuit 102 for adjusting the timing of the write gate WG. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタは、半導体基板１０１とゲート電極１０５ａとの間に介在する酸化チタンゲート絶縁膜１０４ａを有している。例文帳に追加

A MOS transistor is provided with a titanium oxide gate insulation electrode 104a that is interposed between a semiconductor substrate 101 and a gate electrode 105a. - 特許庁

日本脳炎ウイルス遺伝子をコードするｃＤＮＡを含む発現ベクターおよびそれを用いたワクチン例文帳に追加

EXPRESSION VECTOR CONTAINING CDNA ENCORDING JAPANESE ENCEPHALITIS VIRUS GENE AND VACCINE USING THE SAME - 特許庁

半導体基板(100)上に、ゲートパターン、複数のコンタクトホールを含む絶縁膜を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 100, an insulating film including a gate pattern and the plurality of contact holes is formed. - 特許庁

データの配信側では、元データを複数のサブブロックに分割し、エンコードデータから任意のデータを一定量取得することでエンコード前のデータを復元可能なエンコード／デコード方式に従い、各サブブロックをエンコードして、サブシンボルと呼ばれる複数のデータに分割する。例文帳に追加

In a data delivery side, original data is divided into a plurality of sub-blocks, and each sub-block is encoded according to an encode/decode method with which data before encoding can be restored by obtaining a constant amount of arbitrary data from encode data and is divided into a plurality of data called a sub-symbol. - 特許庁

そして、前記第１ゲート配線及び前記第２ゲート配線の一部を選択的に除去することによって、各セルのゲート電極を第１ゲートパッド又は第２ゲートパッドから選択的に絶縁可能なことを特徴とする。例文帳に追加

Then, by selectively removing a part of the first gate wiring and the second gate wiring, the gate electrodes of the respective cells can be selectively insulated from the first gate pad or the second gate pad. - 特許庁

押圧部１２は、エンドカムからなる原動部材１２ａと、従動部材１２ｂとから構成されている。例文帳に追加

The thrust part 12 consists of a driving member 12a formed with an end cam and a driven member 12b. - 特許庁

ソース電極１１とゲート電極１５及びドレイン電極１２とゲート電極１５とはそれぞれゲート絶縁膜１４を介して部分的に対向すると共に、ソース電極１１とゲート絶縁膜１４との間及びドレイン電極１２とゲート絶縁膜１４との間にゲート絶縁膜１４とは異なる絶縁材料からなるキャップ層１６，１７が設けられている。例文帳に追加

The source electrode 11 and the gate electrode 15, and the drain electrode 12 and the gate electrode 15 are partially opposed via the gate insulating film 14, respectively, and cap layers 16 and 17, consisting of an insulating material different from that of the gate insulating film 14, are provided between the source electrode 11 and the gate insulating film 14 and between the drain electrode 12 and the gate insulating film 14, respectively. - 特許庁

第１のゲート絶縁膜５、第２のゲート絶縁膜６はともにＳｉＮ_x 膜であり、第１のゲート絶縁膜５の光学的バンドギャップの値が３．０ないし４．５ｅＶの範囲にあるとともに、第２のゲート絶縁膜６の光学的バンドギャップの値が５．０ないし５．３ｅＶの範囲にある。例文帳に追加

Both the first and second gate insulating films 5 and 6 are SiNx films, the value of the optical band gap of the first gate insulting film 5 ranges from 3.0 to 4.5 eV, and that of the second one 6 ranges from 5.0 to 5.3 eV. - 特許庁

しかし、その後、急激な円高の進行は抑制され、円のレート自体は落ち着きを取り戻し、1 ドル84 円台で推移した。例文帳に追加

However, sudden rise in Yen value was checked and the exchange rate of Yen subsequently calmed down, and remained at a level around \\84 against the US dollar. - 経済産業省

聴衆が静まるまでショーを遅らせなければならないほど衝撃的、まるいは印象的な演技例文帳に追加

an act so striking or impressive that the show must be delayed until the audience quiets down  - 日本語WordNet

ゲート絶縁膜１４と有機半導体層２０とを有してなる有機半導体装置１である。例文帳に追加

An organic semiconductor device 1 has a gate insulating film 14 and an organic semiconductor layer 20. - 特許庁

メダル１７はエンドレスベルト１１の上を転動しながらターゲット２０に向かって進行する。例文帳に追加

The token 17 rotates on the endless belt 11 and proceeds to the target 20. - 特許庁

ハンマーを手動で上下動させるための部品の寿命の延長化を図る。例文帳に追加

To elongate the service life of a component for vertically moving a hammer manually. - 特許庁

メダル１７は、エンドレスベルト２１の上を転動しながらターゲット２５に向かって進行する。例文帳に追加

The token 17, rolling on the endless belt 21, proceeds toward the target. - 特許庁

ＬＶＰトランジスタ４０は、絶縁体層４１ａ、Ａｌ_２Ｏ_３層４１ｂおよび高誘電率絶縁体層４１ｃからなるゲート絶縁膜４１と、金属層４２ａおよび半導体層４２ｂからなるゲート電極４１を有する。例文帳に追加

The LVP transistor 40 has a gate insulating film 41 consisting of an insulator layer 41a, an Al_2O_3 layer 41b and a high dielectric ratio insulator layer 41c, and a gate electrode 42 composed of a metal layer 42a and a semiconductor layer 42b. - 特許庁

リード模擬部３１は、リードＭRの曲げ剛性Stiff(x)を適用した演算でリードＭRの変位ｙ(x,t)を順次に算定する。例文帳に追加

A reed simulating section 31 sequentially calculates displacement y (x, t) of the reed MR, by operation applying flexural rigidity Stiff (x) of the reed MR. - 特許庁

それぞれのファイルエントリでは、``permit'' または ``deny'' であるキーワードと2つの始点アドレスフィールドは最低限指定しなければならない。例文帳に追加

Each file entry must at a minimum specify the keyword ``permit''or ``deny'' and the two source fields.  - XFree86

半導体層11上に突起が成長してもゲート絶縁膜18による半導体層11の絶縁化領域16より内側の領域との間の絶縁性を、ゲート絶縁膜18および絶縁化領域16にて確実に確保できる。例文帳に追加

Even when a projection grows on the semiconductor layer 11, insulation between a gate insulating film 18 and the inside of the insulated area 16 on the semiconductor layer 11 can be surely secured by the gate insulating film 18 and the insulated area 16. - 特許庁

エンドツーエンドノード遅延を低減することによりトラヒック輻輳を最小限にするとともに共有Ｎ−ツリーＡＬＭノードで利用可能な帯域幅を最大化すること。例文帳に追加

To enable reduction of the traffic congestion to a minimum by reducing the end-to-end node delay and maximization of the bandwidth which a shared N-tree ALM node can use. - 特許庁

エンドツーエンドノード遅延を低減することによりトラヒック輻輳を最小限にするとともに共有Ｎ−ツリーＡＬＭノードで利用可能な帯域幅を最大化すること。例文帳に追加

To minimize traffic congestion by reducing end-to-end delay, and maximize the bandwidth available in shared N-tree ALM nodes. - 特許庁

第１絶縁層７は半導体層６と略同一の形状を有し、第２絶縁層８はゲート電極９と略同一の形状を有する。例文帳に追加

The second insulating layer 8 has an almost identical form to the gate electrode 9. - 特許庁

半導体層またはゲート絶縁膜上にはデータ線１７１、ソース電極及びドレーン電極１７５を含むデータ配線が形成されている。例文帳に追加

A data wiring comprising a data line 171, a source electrode and a drain electrode 175 is formed on the semiconductor layer or the gate insulating film. - 特許庁

仕上げ板材６は、パネル左右の両側部にそれぞれ配設される一枚分ずつの仕上げ板材６ａ，６ａを残して胴縁５に固定している。例文帳に追加

The finishing plates 6 are fixed to the furring strips 5 except for the finishing plates 6a, 6a that are to be arranged at both lateral ends of the panel. - 特許庁