「えんげるはーど」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置は、基板１と、半導体膜と、下層絶縁膜９と、上層絶縁膜１０ａ〜１０ｅと、ゲート電極１１ａ〜１１ｄとを備える。例文帳に追加

The semiconductor device has a substrate 1, a semiconductor film, a lower-layer insulation film 9, upper-layer insulation films 10a-10e, and gate electrodes 11a-11d. - 特許庁

格闘技などのゲーム機において、従来の演出効果に加えて、必殺技などの特定の動作に対し、背景全体を変えてプレイヤに新たな刺激を与えることができる背景演出機能を有するゲーム機を提供する。例文帳に追加

To provide a game machine, having a background processing effect whereby new stimuli can be given to the player by changing an entire background for specific action such as lethal techniques, in addition to conventional effects. - 特許庁

遠隔配置されている機構は、ナビゲーションシステムの利用に基づいてエンドユーザーへの請求を処理する。例文帳に追加

The mechanism that is remotely arranged processes filling an end user based on the utilization of the navigation system. - 特許庁

下記一般式（５）で示されるホスホネート（Ｂは塩基を表し、Ｒ^3は水素原子、ヒドロキシ基などを表し、Ｒ^4は担体を表す）。例文帳に追加

The phosphate is expressed by formula (5) (wherein B is a base; R^3 is a hydrogen atom, hydroxy group or the like; and R^4 is a carrier). - 特許庁

半導体装置１９は、基板１と半導体層とゲート絶縁膜７ａとゲート電極８ａとを備える。例文帳に追加

A semiconductor device 19 has a substrate 1, a semiconductor layer, a gate insulation film 7a and a gate electrode 8a. - 特許庁

半導体基板３上に第１ゲート絶縁膜７を介して不純物がドープされていない第１ゲート電極材膜８ｃを形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 3, a first gate electrode material film 8c to which impurities are not doped is formed through a first gate insulating film 7. - 特許庁

ベクターに挿入されたエンハンサーであって、動物ゲノムに存在するcis-acting elementのうち少なくとも一部を有するエンハンサーである。例文帳に追加

The enhancer inserted to a vector has at least a part of a cis-acting element present in an animal genome. - 特許庁

また、酸化物半導体層７は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜５および絶縁膜１１で覆われている。例文帳に追加

The oxide semiconductor layer 7 is covered with an insulative gate dielectric film 5 and a dielectric film 11 made of an oxide material. - 特許庁

形式言語でドクトリンルールを編集するために使用されるルールベース統合編集支援装置４と、ルールベース統合編集支援装置４で編集された形式言語のドクトリンルールを保存するドクトリンルールベース５と、ドクトリンルールを自然言語のドクトリンに変換する形式言語・自然言語変換支援装置１１をドクトリン開発改変システムが備える。例文帳に追加

A doctrine development and amendment system is provided with a rule base integration editing support device 4 to be used for editing a doctrine rule in a formal language, a doctrine rule base 5 for preserving the doctrine rule of the formal language which is edited with the device 4, and a formal language/natural language conversion support device 11 for converting the doctrine rule into a natural language doctrine. - 特許庁

半導体基板１のＤＲＡＭ領域１０１に、ゲート酸化膜を形成し、このゲート絶縁膜の上に第１のゲート電極３１を形成する。例文帳に追加

A gate oxide film is formed in the DRAM area 101 of a semiconductor substrate 1, and a first gate electrode 31 is formed on the gate insulation film. - 特許庁

主軸オリエント動作が完了するｔ８タイミングにおいて、主軸ヘッドは減速することなく最高速度でＺ軸原点を通過できる。例文帳に追加

At the timing t8 at which the main axis orienting action completes, a main shaft head is able to passes the Z axis origin at a maximum speed without decelerating. - 特許庁

本発明の課題は、球技ゲームなどにおけるキャラクタの打撃の動作を無理なく自然に演出することを目的とする。例文帳に追加

To unforcedly and naturally perform a character's striking action in a ball game. - 特許庁

電源ハウジングは、電源と、電源ハウジングから延ばされるディスタルエンドを備えたランプアームとを有する。例文帳に追加

The power source housing has the power source and a lamp arm equipped with a distal end extending from the power source housing. - 特許庁

本発明は、ＢｓｍＢＩ制限エンドヌクレアーゼ及びＢｓｍＢＩメチルトランスフェラーゼをコードする組換えＤＮＡ、並びに該組換えＤＮＡを含有する大腸菌細胞におけるＢｓｍＢＩ制限エンドヌクレアーゼ及びＢｓｍＢＩメチラーゼの発現に関する。例文帳に追加

To provide a recombinant DNA encoding BsmBI restriction endonuclease as well as BsmBI methyltransferase and expression of the BsmBI restriction endonuclease and BsmBI methylase in E. coli cells containing the recombinant DNA, and further a method for purifying the recombinant BsmBI restriction endonuclease. - 特許庁

基板内の延長ソース／ドレインの側のゲートの下に、ハロゲン注入領域を形成するため、斜めハロゲン注入工程が実施される。例文帳に追加

An oblique halogen implantation process is carried out to form a halogen implantation region under the gate, on the side of the extension source/drain region 310a on the substrate 300. - 特許庁

半導体装置に、信頼性の高いマルチゲート絶縁膜が、簡便で高精度に形成できるようにする。例文帳に追加

To form a highly reliable multi-gate insulating film on a semiconductor device easily and precisely. - 特許庁

当局は，エンジンの故障の原因はバードストライクだった可能性があると話した。例文帳に追加

The authorities said the cause of the engine trouble may have been bird strikes.  - 浜島書店 Catch a Wave

ローレンスさんは，行動と発言が愛らしい外見とはまったく対照的な人物を演じている。例文帳に追加

Lawrence plays a character whose behavior and remarks contrast sharply with her pretty looks.  - 浜島書店 Catch a Wave

本発明は、省資源、リサイクル、環境保護などの支援機器の一つである減容機の適正な普及を助成できるシール発行機を提供する。例文帳に追加

To provide a seal issuer, which can assist adequate propagation of a capacity reducing machine which is one of a support equipment of resources saving, recycle, environmental protection, etc. - 特許庁

次に、縦延伸工程の２段階分割化、それぞれの延伸ゾーンにおける遠赤外ヒータと延伸ロールとの間隙などの位置関係の条件、延伸工程における延伸倍率の条件などをある範囲内に限定して縦延伸する。例文帳に追加

Next, longitudinal orientation is conducted by dividing the longitudinal orientation process into two stages and limiting a condition of positional relation such as an interstice between an infrared ray heater and an orientation roll in respective orientation zones, a condition of the magnification of orientation in an orientation process or the like into a range. - 特許庁

モールド樹脂による応力を低減することにより、層間絶縁膜の膜剥がれの発生を防止する。例文帳に追加

To prevent an interlayer insulating film from coming off by reducing stress by a mold resin. - 特許庁

半導体基板１０上にゲート絶縁膜１４を形成し、このゲート絶縁膜１４上にタンタル膜１５を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film 14 is formed on a semiconductor substrate 10, and a tantalum film 15 is formed on the gate insulating film 14. - 特許庁

ただし、演算量削減のため、オーバーフローの起きたサンプルでは高域ゲインを０にするなどしても良い。例文帳に追加

In order to reduce the operation quantity, the high-pass gain may be set to 0 for the sample where the overflow occurred. - 特許庁

絶縁トレンチゲートの閾値電圧の変動を動的に制御可能な半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that dynamically controls variation in threshold voltage of a trench isolation gate. - 特許庁

優先度の高い移動局のデータ送信遅延を低減可能な高速ハンドオフ方法を得ること。例文帳に追加

To obtain a high speed handoff method capable of reducing the data transmission delay of mobiles having the highest priority. - 特許庁

温度が変化してもスイッチング速度が変化し難い絶縁ゲート型半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate semiconductor device the switching speed of which hardly changes in spite of a change in temperature. - 特許庁

本発明は加熱ヘッドを有するエンジン本体と、加熱ヘッドを加熱する加熱器を備えるスターリングエンジンとして具現化される。例文帳に追加

This stirling engine comprises an engine body having the heating head and a heater for heating the heating head. - 特許庁

半導体基板ＳＵＢ上に第１ゲート絶縁層ＧＩ１を介してコントロールゲートＧＥ１が形成されている。例文帳に追加

On the semiconductor substrate SUB, a control gate GE1 is formed via a first gate insulating layer GI 1. - 特許庁

色階調値を用いる２次元カラーバーコードは、前記バーコードについての構成情報をエンコードする白黒構成ブロックと、データをエンコードする複数の色データブロックを含んでいる。例文帳に追加

The two-dimensional color barcode using color gradation values includes a black and white configuration block that encodes configuration information about the barcode and a plurality of color data blocks that encodes data. - 特許庁

バニリンの類縁化合物は、所定のフェニル化合物であり、オイゲノールの類縁化合物は、所定のフェノール誘導体であり、マルトールの類縁化合物は、所定のマルトール誘導体である。例文帳に追加

The relative compounds of the vanillin are predetermined phenyl compounds, the relative compounds of the eugenol are predetermined phenol derivatives, and the relative compounds of the maltol are predetermined maltol derivatives. - 特許庁

回路の遅延時間演算方法及び遅延時間演算装置に関し、ＬＳＩ等を含む半導体集積回路の論理セルにおける演算素子ゲート部の遅延時間を演算するに際し、配線抵抗の影響によるゲート遅延の飽和現象の効果を適切に当該遅延時間の演算に反映させ、正確な遅延時間の算出により正確なシミュレーションを実行させることを目的とする。例文帳に追加

To execute accurate simulation by calculating an accurate delay time while appropriately reflecting the computation of the delay time with the effect of a gate delay saturation phenomenon due to the influence of wiring resistance when computing the delay time of a computing element gate unit in a logic cell of a semiconductor integrated circuit including an LSI or the like, regarding a method and apparatus for computing a delay time of a circuit. - 特許庁

高周波同軸ケーブルの絶縁層の誘電損失を低減し、ギガヘルツバンドの高周波帯域での信号減衰量を低減する。例文帳に追加

To reduce attenuation of a signal in a high frequency band of a giga- hertz band, by reducing a dielectric loss in an insulating layer of a high frequency coaxial cable. - 特許庁

サポートされている BPEL 2.0 言語の構文と関連する制限事項については、『BPEL サービスエンジンユーザーガイド』を参照してください。例文帳に追加

See the BPEL Service Engine User's Guide for details about the supported BPEL2.0 language constructs and related limitations.  - NetBeans

サーバ装置２００は、ビデオゲーム装置群１４０、１５０、…に属するビデオゲーム装置のうちから何れかをフロントエンドサーバに指定する。例文帳に追加

The server device 200 designates a video game device from among the video game devices that belong to the video game groups 140, 150, etc., as a front-end server. - 特許庁

エンジンを動力源として走行する運転モードへ移行する際に、モータジェネレータによりエンジンをクランキングして始動していると、それだけエンジンの始動、更にはエンジンを動力源として走行する運転モードへの移行が遅くなる。例文帳に追加

To solve the problem that the use of a motor generator for starting an engine with cranking in the case of transition to an operation mode of travel with the engine as a power source causes so much delay of engine start and transition to the operation mode of travel with the engine as the power source as well. - 特許庁

タンパク質コード領域を発見するため、コドンの先頭２塩基にはＧＡがもっとも高い頻度（Ｎ１）で出現し、ＴＧがもっとも低い頻度（Ｎ３）で出現し、後尾２塩基にはＴＧがもっとも高い頻度（Ｎ４）で出現し、ＧＡがもっとも低い頻度（Ｎ２）で出現することを利用する。例文帳に追加

A protein code area is discovered by using the facts that GA appears in the leading 2 bases of codon with the highest frequency (N1), that TG appears with the lowest frequency (N3), that TG appears in the tail 2 bases with the highest frequency (N4), and that the GA appears with the lowest frequency (N2). - 特許庁

スペーサ状浮遊ゲートと制御ゲートとの間にはトンネル絶縁膜が介在しており、スペーサ状浮遊ゲート及びスペーサ状ダミーパターンの外側の半導体基板内にはソース及びドレイン領域が形成されている。例文帳に追加

In addition, a tunnel insulating film is interposed between the spacer-like floating gate and control gate, and source and drain regions are formed in the semiconductor substrate on the outside of the spacer-like floating gate and spacer-like dummy pattern. - 特許庁

同一の絶縁体上に駆動回路部と画素部とを有する半導体装置において、駆動ＴＦＴのゲート絶縁膜１１５、１１６を画素ＴＦＴのゲート絶縁膜１１７よりも薄く設計する。例文帳に追加

A semiconductor device is equipped with a drive circuit section and a pixel section on the same insulator, where gate insulating films 115 and 116 of drive TFTs are set thinner than the gate insulating film 117 of the pixel TFT. - 特許庁

防振材がホルダとエンジンヘッド又は燃料カップの間に設けられ、燃料レールからエンジンヘッドへ伝播する振動を低減する。例文帳に追加

A vibration isolator is provided between the holder and the engine head or the fuel cup and reduces the propagation of vibration from the fuel rail to the engine head. - 特許庁

負荷を間欠駆動する際に生じるエンジンの動作音を小さくして騒音の低減を図ったエンジン駆動インバータ発電装置を提供する。例文帳に追加

To offer an inverter generator driven by an engine which reduces noise by lessening the operation sound of the engine which occurs when driving a load intermittently. - 特許庁

絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース／ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は１から２０Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。例文帳に追加

The transistor includes the semiconductor layer formed on an insulating board, a gate insulating film composed of the filtering oxide film of 1-20 Å in thickness, a gate electrode, an inter-layer insulating film, and source and drain electrodes. - 特許庁

ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に金属元素を含む微結晶半導体膜を形成して、ゲート絶縁膜及び金属元素を含む微結晶半導体膜の界面における結晶性を高める。例文帳に追加

A gate insulating film is formed on a gate electrode, a microcrystal semiconductor film containing a metallic element is formed on the gate insulating film, and thereby crystallinity on the interface between the gate insulating film and the microcrystal semiconductor film containing the metallic element is raised. - 特許庁

演出制御用ＣＰＵは、連続予告演出中、連続予告演出の対象となる図柄変動ゲームでリーチ図柄とする図柄を、入力した事前判定コマンドが示す保留されている図柄変動ゲーム数分、図柄変動ゲーム毎に表示させる。例文帳に追加

A CPU for performance control displays symbols to be ready-to-win symbols in the symbol variation game to be the object of the continuous notice performance, for every symbol variation game, by the number of symbol variation games on hold indicated by an input prior determination command, during the continuous notice performance. - 特許庁

本発明に係わる半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜３上に、ゲート電極を構成するメタル膜４を形成する。例文帳に追加

In the manufacturing method for the semiconductor device, the metal film 4 constituting a gate electrode is formed on a gate insulating film 3. - 特許庁

ＣＰＵ９１ａは、連続演出が実行される最大ゲーム数以上のゲーム数を要する手順で選択操作が行われることで、演出モードを切り替えるとともに、演出モードの選択操作が行われている期間においては連続演出の開始を禁止する。例文帳に追加

A CPU 91a switches the performance mode by the select operation made in the sequence which requires the game counts exceeding the maximum game counts allowed for the execution of a successive performance while inhibiting the start of the successive performance during the period in which the select operation of the performance mode is carried out. - 特許庁