「おーらんどー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ドーピング装置及びドーピング方法、並びに薄膜トランジスタの作製方法例文帳に追加

DOPING APPARATUS, DOPING METHOD AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

イオンドーピング方法および薄膜トランジスタの製造方法例文帳に追加

ION DOPING METHOD AND MANUFACTURE OF THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

ディスクをドライブに入れるとオートランウインドーが開きます例文帳に追加

When you put the disc in the drive, the Autorun window opens.  - 研究社 英和コンピューター用語辞典

大規模ハイテクラグビーと他の多目的ドーム、グランド及びそのアクセス例文帳に追加

LARGE SCALE HIGH-TECH RUGBY, OTHER MULTIPLE-PURPOSE DOMES, STADIUM AND ITS ACCESS - 特許庁

プランジャーは、メタルドームに対応するように配置されている。例文帳に追加

The plungers are located correspondingly to the metal domes. - 特許庁

フランス王国では王太子に「ドーファン（dauphin）」の称号が与えられた。例文帳に追加

The crown prince in the Kingdom of France was given a title of 'dauphin'.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

反射鏡２にレドーム３を固定するための側面Ｌ字形のレドーム取付金具において、レドーム乗載板に、レドーム３のフランジ３’の位置を確認するための目盛りを表示したレドーム取付金具。例文帳に追加

The radome attachment fittings display a scale for confirming the position of flange 3' of the radome 3 on a radome mounting plate in radome attachment fitting with an L-shaped side surface for fixing the radome 3 to the reflecting mirror 2. - 特許庁

バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。例文帳に追加

The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10. - 特許庁

死後その功績に対し、エランドール特別賞が贈られた。例文帳に追加

After his death, he was awarded a special Elan d'or Prize for his achievements.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ストロンチウムドープマンガン酸ランタン微粒子及びその製造方法例文帳に追加

STRONTIUM-DOPED LANTHANUM MANGANATE MICROPARTICLE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

ドーピング方法及び電界効果型トランジスタの作製方法例文帳に追加

DOPING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR - 特許庁

チタンドープドランタンクロマイト系焼結体及びその製造方法例文帳に追加

TITANIUM-DOPED LANTHANUM CHROMITE BASED SINTERED COMPACT AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁

ブライオニ荘の玄関へ向かうのは、あの小型のランドー型馬車だった。例文帳に追加

It was a smart little landau which rattled up to the door of Briony Lodge.  - Arthur Conan Doyle『ボヘミアの醜聞』

ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。例文帳に追加

A dopant source may be intermixed with the trisilane and the etchant source to selectively deposit the doped Si-containing film. - 特許庁

上記中間層１２は、ＬａをドープしたセリアとＳｒ及びＭｇをドープしたランタンガレートとの複合体である。例文帳に追加

The intermediate layer 12 is a complex of ceria doping La and lanthanum gallate doping Sr and Mg. - 特許庁

従来のＤＭＯＳトランジスタでは、トレンチ型構造に関して、側壁のドーピングは床部領域のドーピングと同時に行われる。例文帳に追加

To solve the problem of the sidewall and floor region of a trench structure being doped, at the same time in conventional DMOS transistors. - 特許庁

従来のＤＭＯＳトランジスタでは、トレンチ型構造に関して、側壁のドーピングは床部領域のドーピングと同時に行われる。例文帳に追加

To solve the problem of the sidewall and floor region of a trench structure being doped, at the same time in a conventional DMOS transistor. - 特許庁

イオンをドーピングする装置、イオンをドーピングする方法、半導体装置の製法及び薄膜トランジスタの製法例文帳に追加

DEVICE FOR DOPING ION, METHOD FOR DOPING ION, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF THIN-FILM TRANSISTOR - 特許庁

フランスには｢シャンパン｣｢ブルゴーニュ｣｢ボルドー｣など特別な指定のワインが数多くある。例文帳に追加

In France, there are many wines with special designations like Champagne, Bourgogne and Bordeaux. - 浜島書店 Catch a Wave

ダイナミックハイライト及びシャドー制御を伴うピッチ毎オンライングレーバランスの校正例文帳に追加

ONLINE GRAY BALANCE CORRECTION PER PITCH WITH DYNAMIC HIGHLIGHT AND SHADOW CONTROL - 特許庁

ＭＯＳトランジスタのゲルマニウムがドーピングされたポリシリコンゲートの形成方法及びこれを利用したＣＭＯＳトランジスタの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING GERMANIUM DOPED POLYSILICON GATE OF MOS TRANSISTOR AND METHOD FOR FORMING CMOS TRANSISTOR USING THE SAME - 特許庁

拡散領域は、気相ドーピング、プラズマドーピング、あるいはプラズマ浸漬イオンインプランテーションにより形成される。例文帳に追加

The diffused region 367 is formed through vapor-phase doping, plasma doping, or plasma infiltration ion implantation. - 特許庁

アンドープGaN層102上部には二次元電子ガスが発生しており、アンドープGaN層102上部は電界効果トランジスタのチャネル層として機能する。例文帳に追加

A two-dimensional electron gas is produced at the upper side of the undioped GaN layer 102, and the upper side functions as the channel layer of the field effect transistor. - 特許庁

フルオロ置換シクロアルカノインドール及びそのプロスタグランジンＤ２受容体拮抗薬としての使用例文帳に追加

FLUOROSUBSTITUTED CYCLOALKANOINDOLE AND USE THEREOF AS PROSTAGLANDIN D2 RECEPTOR ANTAGONIST - 特許庁

低濃度にドープされたドレインを有するラテラルＭＯＳ電界効果トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

LATERAL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING DRAIN DOPED TO LOW CONCENTRATION, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

薄膜トランジスタのために自己ドーピング層を使用してオーム接触部を形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING OHMIC CONTACT USING SELF DOPING LAYER FOR THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

東京ドームはホームランが出やすい場所だと言われているが，今年はこれまでのところ，通常ほど多くのホームランは出ていない。例文帳に追加

Tokyo Dome is said to be an easy place to get a home run, but there have not been as many homers as usual so far this year.  - 浜島書店 Catch a Wave

液化ガスタンクのタンクドームのフランジ部に過大な応力が発生することを防ぐことができるドーム構造を提供する。例文帳に追加

To provide a dome structure preventing the production of excessive stress in the flange of a tank dome in a liquefied gas tank. - 特許庁

光学活性４−［（オキシラン−２−イルメチル）オキシ］−１Ｈ−インドールの精製、単離方法例文帳に追加

METHOD FOR SEPARATION AND PURIFICATION OF OPTICALLY ACTIVE 4-[(OXIRAN-2-YLMETHYL)OXY]-1H-INDOLE - 特許庁

アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法例文帳に追加

TRANSISTOR STRUCTURE OF ZIRCONIUM DIELECTRIC FILM DOPED WITH ALUMINUM AND ITS DEPOSITION METHOD - 特許庁

ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法例文帳に追加

DOPED ZIRCONIA OR ZIRCONIA-LIKE DIELECTRIC FILM TRANSISTOR STRUCTURE, AND METHOD OF DEPOSITING THE SAME - 特許庁

インドールに基づく悪臭の発生を防止するフレグランス組成物およびその使用方法例文帳に追加

FRAGRANCE COMPOSITION AND USE OF FRAGRANCE COMPOSITIONS FOR PREVENTION OF DEVELOPMENT OF INDOLE BASED MALODOUR - 特許庁

各トランジスタ・セルは、チャネル領域においてほぼ一定のドーピング濃度を有する。例文帳に追加

Each transistor cell has a substantially constant doping concentration in the channel region. - 特許庁

ドープ済みチャンネル領域１２４はトランジスタのオン・オフを切り替える閾値電圧を変調する。例文帳に追加

The doped channel region 124 modulates a threshold voltage for switching on and off the transistor. - 特許庁

この低散乱無色透明硫化亜鉛は窓およびドームのような物品に使用されうる。例文帳に追加

This low scattering hyaline zinc sulfide can be used for such an object as a window, a dome, etc. - 特許庁

ヘッド３の先端は、ウェル２１の膨らんだドーム形状に合致した内面形状の凹部３１を有しており、凹部３１の曲率半径Ｒ２は、ウェル２１におけるドーム形状の曲率半径Ｒ１よりも大きく選ばれている。例文帳に追加

A tip of a head 3 has an incurved concave part 31 that fits with a dome-shaped inflated well 21, and a curvature radius R2 of the concave part 31 is set to be greater than a curvature radius R1 of the dome-shaped well 21. - 特許庁

ドーパント原子ドープＧｅのラマン散乱分光測定で観測されるドーパント原子の局在振動ピークの有無及び大きさを調べることによって、そのＧｅ中のドーパント原子の存在状態（結合状態や存在位置）を知る。例文帳に追加

By examining the presence and magnitude of the localized oscillating peak of a dopant atom that is observed by Raman scattering spectrometry of a dopant atom dope Ge, the present state (combined state and present location) of a dopant atom in the Ge is determined. - 特許庁

加水分解性アルコキシシランの縮合物およびグリシドールを脱アルコール反応させて得られるエポキシ変性アルコキシシラン縮合物。例文帳に追加

This epoxy-modified alkoxysilane condensate is obtained by subjecting a condensate of hydrolyzable alkoxysilane and glycidol to a dealcoholization reaction. - 特許庁

反射面４３は、ドーム部材４０のフランジ４０ｂの内周部に沿い傾斜状に形成されて、各発光ダイオード９０からフランジ４０ｂに入射する光をドーム本体４０ａの外周端部を通して反射する。例文帳に追加

A reflecting surface 43 is formed slanting along the inner circumferential part of the flange 40b of the dome member 40 and reflects light impinging on the flange 40b from each light emitting diode 90 through the outer circumferential end part of the dome main body 40a. - 特許庁

イオンドーピング装置の処理能力向上と薄膜トランジスタの移動度向上を図る。例文帳に追加

To improve processing capacity of an ion doping device and mobility of a thin-film transistor. - 特許庁

ランニングコストの削減、高速化、耐久性の向上を図ったイオンドーピング装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion doping device that reduces running cost, increases working speed and improves durability. - 特許庁

非均一にドープされた高電圧ドレイン拡張型トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

NON-UNIFORMLY DOPED HIGH-VOLTAGE DRAIN-EXTENDED TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD OF SAME - 特許庁

到着した時点で、ハンソムもランドーも熱気収まらぬ馬とともに、玄関前に停車していたのだ。例文帳に追加

The cab and the landau with their steaming horses were in front of the door when I arrived.  - Arthur Conan Doyle『ボヘミアの醜聞』

こぎれいな小型のランドーがブライオニ・ロッジの戸口にガラガラと乗りつけた。例文帳に追加

It was a smart little landau which rattled up to the door of Briony Lodge.  - Arthur Conan Doyle『シャーロック・ホームズの冒険』

不純物ドープ・コレクタを備えない「コレクタ無し」シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供すること。例文帳に追加

To provide a "non-collector" silicon-on-insulator (SOI) bipolar junction transistor not provided with an impurity doped collector. - 特許庁