「おーらんどー」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ＩＥＥＥ８０２．１１標準に違反しないで音声通話を実行する無線音声端末が音声通話中にアクティブ/ドーズモードを効率的に繰り返して、無線音声端末の使用電力を減少させて通話可能時間を増加させるＷＬＡＮ音声通話の省電力方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for saving power of WLAN voice speech in which power being used by a wireless voice terminal executing voice speech without violating IEEE802.11 standard is reduced by repeating active/dose mode efficiently during voice speech and telephone conversation time is prolonged. - 特許庁

半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。例文帳に追加

An ion implantation system (10) for the implantation of cluster ions into semiconductor substrates for semiconductor device manufacturing and a method of manufacturing a semiconductor device in which clusters of N- and P-type dopants are implanted to form the transistor in CMOS devices. - 特許庁

ＣＭＯＳ回路において、例えば基板が収縮してしまっても、チャネルドープの打ち分け位置（境界位置）を特定できるようにした、薄膜トランジスタ回路基板と、この薄膜トランジスタ回路基板の検査方法、及び電気光学装置、電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor circuit board that can identify a pinpoint channel doping position (boundary area) even if a board contracts in CMOS circuitry and to provide its inspection method, an electro-optical device and electronic apparatus. - 特許庁

このゲート電極のゲート長を測定し（Ｓ５）、短チャネル効果に関するトランジスタ特性が所定のレベルになるように、ソース領域およびドレイン領域を形成するためのイオン注入のドーズ量を上記ゲート長の測定値に応じて可変して設定する（Ｓ７，Ｆ１）。例文帳に追加

The gate length of this gate electrode is measured (S5), and an ion-implantation dose for forming source and drain regions is set variedly according to the measured value of the gate length, so that the transistor characteristics on a short-channel effect of a transistor reach a prescribed level (S7, F1). - 特許庁

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor. - 特許庁

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入するすることで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。例文帳に追加

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with amorphous silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is 70 or more) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor. - 特許庁

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。例文帳に追加

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask. - 特許庁

ＴＦＴ基板に形成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を高誘電率材料を用いた厚膜とし、かつ十分なイオンをドーピングする。例文帳に追加

To make a gate insulating film of a thin film transistor formed on a TFT substrate as a thick film using a high dielectric material, and dope enough ion thereinto. - 特許庁

通常用いられる又は反復される周波数を示す情報を含むシャドー・レジスタ（７４）をトランシーバ側に組み込むことができ、それによって効果的に、対応する周波数シフト制御のベースバンド・プロセッサの負担が低減する。例文帳に追加

A shadow register (74) including information denoting frequencies usually or repetitively in use can be incorporated in the thereby effectively relieving a load on the base band processor for corresponding frequency shift control. - 特許庁

デッドスペースにスリットを形成することにより、局所ドーミング現象による色電子ビームのミスランディングを防止して、色ずれ、色むら、及び輝度低下を防止した陰極線管を提供する。例文帳に追加

To provide a cathode ray tube capable of preventing mislanding of a color electron beam due to a local doming phenomenon to prevent color divergence, irregular color, and lowering of luminance, by forming a slit in a dead space. - 特許庁

この場合、Ｐ＋型埋め込み層２形成のためのボロンイオンのドーズ量を制御部のＮＰＮトランジスタ６０のコレクタ−エミッタ間リーク電流が増大しない範囲に調節する。例文帳に追加

In this case, a dose of a boron ion required to form the type P+ type embedded layer 2 is adjusted to a range not causing the increase of the leak current between the collector and an emitter of the NPN transistor 60 in the control part. - 特許庁

ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。例文帳に追加

An avalanche multiplication layer 3, a p-type InP electric field relaxation layer 4, a light absorption layer 5 and an undoped InP window layer 6 are laminated on the principal plane of an n-type InP substrate 1 in that order. - 特許庁

これによって、ベース領域のドーピングレベル及び幅を高周波回路に最適の状態で調節することができるので、高利得の高周波回路に適するバイポーラ接合トランジスタを形成することができる。例文帳に追加

As a result, the doping level and width of the base region can be adjusted to a high-frequency circuit in an optical state, thereby making it possible to form the bipolar junction transistor suitable for the high-frequency circuit with high gain. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen. - 特許庁

発光層におけるホスト材料に燐光発光材料をドープしても、正孔及び電子の輸送性が低下せず、正孔と電子とをバランスよく輸送することができる有機ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL element capable of transporting holes and electrons in good balance without decreasing the transportability, even when a host material in a light emitting layer is doped with a phosphorescent material. - 特許庁

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。例文帳に追加

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated. - 特許庁

水素アニール中に適度にジボランを添加することによって、ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化が図れる。例文帳に追加

Boron concentration in the direction of the wafer depth of the wafer surface layer of the boron-doped silicon wafer is equalized by properly adding diborane into hydrogen annealing. - 特許庁

また、ドープ剤を拡散させたり、イオン照射によってイオンを注入することにより、グランドプレーン膜の一部を超電導性を示さない領域に変化させてもよい。例文帳に追加

A part of the ground plane film may also be changed into a region exhibiting no superconductivity by diffusing a dopant or by injecting ions using ion irradiation. - 特許庁

打抜加工後のドーナツ状板にダレが生じ難く、研削加工後において表面うねりが生じ難いメモリーディスク用Ａｌ合金製ブランク材を提供する。例文帳に追加

To provide a blank made from an Al alloy for a memory disc, which hardly generates sag on a doughnut-shaped sheet after being blanked and surface waviness after being ground. - 特許庁

チャネルとして機能するアンドープ非晶質シリコン層上に非晶質シリコン酸化層を形成することによって、特性および信頼性が高い絶縁ゲート型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate transistor exhibiting excellent characteristics and a high reliability by forming an amorphous silicon oxide layer on an undoped amorphous silicon layer functioning as a channel. - 特許庁

ｐ−ドーピングが増強されたこれらの領域に、トランジスタは半導体の残りの部分よりｐ−抵抗率がより大きい別な領域３７０，３７１を有する。例文帳に追加

The transistor has other regions 370 and 371 whose p-resistance factor is higher than the remaining part of the semiconductor, in the region where p-doping is enhanced. - 特許庁

合わせて摩擦攪拌溶接されてブランクを形成し、回転および／または延伸されて形作られる複数のプレートから作られた大径ドームタンクである。例文帳に追加

The large hemispherical dome is a large diameter dome tank composed of a plurality of plates which form blanks by being friction-agitation- welded together and are formed by revolution and/or drawing. - 特許庁

計測した明るさＬが最小値Ｌ２以下では（１０６で否定、１０８で肯定）、ブザーを小音量で鳴らしかつドームランプを点灯させることで音と光で報知する（１１４）。例文帳に追加

When measured brightness L reaches the minimum value L2 or less, negation 106 and acknowledgement 108 are informed by a sound and light by ringing the buzzer in small sound volume and lighting a dome lamp (114). - 特許庁

ドーピング処理の条件の厳密な管理および新たな製造工程を追加することなく、良好なＶｇ−Ｉｄ特性を有する薄膜トランジスタを実現する。例文帳に追加

To realize a thin-film transistor with a superior Vg-Id property without adding strict management of doping process conditions and a new manufacturing process. - 特許庁

タイヤにおいて、エラストマー材料で作られたドーナツ形リングから成る少なくとも１つのブランクを断面同一に膨張させる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for expanding at least one blank constituted of a toroidal ring formed of an elastomeric material in the same cross-section in a tire. - 特許庁

ソースフォロアトランジスタは第１導電型の物質がドーピングされたソース領域及びドレイン領域、第１導電型と反対の第２導電型の物質がドーピングされたゲート領域、ゲート領域下の前記ソース領域とドレイン領域との間に位置する第１導電型ベリードチャンネルを具備する。例文帳に追加

The source follower transistor contains a source region and a drain region where a substance of primary conductivity-type is doped, a gate region where a substance of secondary conduction type as opposed to the primary conduction type is doped, and buried channel of the primary conductivity-type located between the source region and the drain region under the gate region. - 特許庁

石英ウインドウ１４は、ランプヒータ１２側に向けてドーム状に凸に湾曲するとともに、頂部である中央部１４ｂに向けて薄肉に形成される。例文帳に追加

The quartz window 14 is curved toward the side of the lamp heater 12 to be projected in the form of dome, and formed thin toward a central part 14b of the top. - 特許庁

また、バランスのとれた市場アクセスやルールといったドーハラウンドの合意として期待される成果を途上国が十分に活用するためには、途上国における供給サイドの制約解消が必要であるとともに、自由化に起因する一部途上国の調整コストへの対応が、ドーハラウンドでの野心的な成果を達成する上で重要である、との事務局ペーパーの認識を共有いたします。例文帳に追加

I share the following views on trade, expressed in the paper presented to the Development Committee.First, we need to help developing countries overcome supply-side constraints in order for them to fully benefit from the expected outcome from the Doha Round, such as balanced market access and trade rules.Second, addressing transitional adjustment costs from liberalization in some developing countries will also be essential to realize the ambitious outcome from the Doha Round.  - 財務省

このアプローチは，進展が達成可能であり，全体のバランスをはかる上で、かかる合意を反映させるための規定を含むドーハマンデートに従って、暫定的に若しくは確定的にコンセンサス合意が得られるドーハ作業計画における特定の分野において，実際的に交渉を前進させる可能性を含むべきである。例文帳に追加

Such approaches should include the possibility of advancing pragmatically in specific areas under the Doha work program where progress can be achieved, and where consensus agreements might be reached on a provisional or definitive basis in accordance with the Doha mandate, including the provision to reflect such agreements in assessing the overall balance.  - 経済産業省

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする例文帳に追加

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity. - 特許庁

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。例文帳に追加

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27. - 特許庁

インナーリング８が、アッパードーム５及び上部クランプリング７ａのうち少なくとも一方の表面をカバーするように設けられているので、当該インナーリング８がカバーしている部分から熱を逃げにくくすることができる。例文帳に追加

An inner ring 8 is provided to cover at least one surface of those of an upper dome 5 and an upper clamp ring 7a so that it is possible to prevent heat escaping from a portion covered by the inner ring 8. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability. - 特許庁

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability. - 特許庁

例えば、グリシドールと、これと反応する官能基を有するトリアルコキシシランから得られた水酸基含有トリアルコキシシランを縮合させて得られた、例えば、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の水酸基を含有するポリシルセスキオキサンを含む水性低汚染塗料。例文帳に追加

This aqueous low stain coating is provided by containing eg. a polysilsesquioxane containing ≥150 mgKOH/g hydroxy group, prepared by condensing eg. a hydroxy group-containing trialkoxysilane obtained from glycidol and the trialkoxysilane having a functional group reacting with the above. - 特許庁

このため，我々はシャドーバンキング・システムに対する規制・監視を強化することに合意し，FSBの最初の11の提言と2012年のうちにこれら提言を更に進展させるための作業計画を承認した。これらは，銀行を通じた間接的なシャドーバンキング規制と，マネー・マーケット・ファンド（MMF），証券化，証券貸借・レポ取引，及びその他のシャドーバンキング主体を含むシャドーバンキングの活動に対する直接的な規制の間のバランスを取ったアプローチに立脚している。例文帳に追加

To this end, we agree to strengthen the regulation and oversight of the shadow banking system and endorse the FSB initial eleven recommendations with a work-plan to further develop them in the course of 2012, building on a balanced approach between indirect regulation of shadow banking through banks and direct regulation of shadow banking activities, including money markets funds, securitization, securities lending and repo activities, and other shadow banking entities.  - 財務省

これらの径方向外側への流れ及び周方向の流れとにより電解液の流れはフランジ部３６の周囲に形成されている断面コ形のドーナツ状残部空間の全周においてほぼ均等になる。例文帳に追加

With the radially outward flow and the circumferential flow, the flow of the electrolyte becomes almost equal in the whole periphery of a doughnut-shaped remainder space of U-shaped cross section formed around the flange part 36. - 特許庁

新規の抗アカラン硫酸抗体及びこれを産生するハイブリドーマ、並びに上記抗体を応用した検出方法及び検出キットを提供すること。例文帳に追加

To provide a novel anti-acharan sulfate antibody, a hybridoma producing the same, and a detecting method and a detecting kit to which the antibody is applied. - 特許庁

フォトダイオードの光吸収層に注入されたドーパントの拡散および光吸収層表面の劣化を防止でき、高周波特性および高信頼性に優れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ集積化受光回路の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing hetero-junction bipolar transistor integration light receiving circuit which prevents diffusion of dopant injected in a light absorption layer of a photodiode and deterioration of a light absorption layer surface, and is excellent in high frequency characteristic and high reliability. - 特許庁

ＧａＡｓの半絶縁性基板１の上に、バッフア層２、チャネル層３、スペーサ層４およびキャリア供給層５を成長させた電界効果トランジスタ用ウエハにおいて、炭素をドーピングしたＧａＩｎＰによりバッファ層２を構成する。例文帳に追加

In a field-effect transistor wafer in which a buffer layer 2, a channel layer 3, a spacer layer 4, and a carrier supply layer 5 grow on a semi-insulation substrate 1 of GaAs, the buffer layer 2 is constituted of carbon- doped GaInP. - 特許庁

後方散乱による近接効果の影響を考慮しブレーズのピッチ幅に応じてドーズ量で描画することによりブレーズ形状の安定化が可能な電子ビーム描画方法、光学素子用金型の製造方法、光学素子の製造方法及び電子ビーム描画装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electron beam drawing method, a manufacturing method for a metal mold for an optical element, a manufacturing method for the optical element, and an electron beam drawing device that can stabilize a blaze shape by carrying out drawing with a dosage according to the pitch width of blazes while taking into consideration influence of proximity effect by back scattering. - 特許庁

少なくとも１種類のランタニド族金属リン酸塩及び少なくとも１種類のランタニド系列ドーパントとを含む複数のナノ粒子から構成され、前記複数のナノ粒子の各々が球状形態、小板状形態等の所定の形態を有する発光ナノ材料でである。例文帳に追加

The light-emitting nano material is constituted of the many nano particles containing at least one kind of a lanthanide metal phosphate, and at least one kind of lanthanide-series dopant, and each having a prescribed shape such as a spherical shape and a platelet shape. - 特許庁

我々は，したがって，WTOドーハ開発ラウンドを，そのマンデートと整合的に及びこれまでの進展を基礎として，できるだけ早期にバランスのとれた野心的な妥結に導くことについての支持を改めて表明する。例文帳に追加

We therefore reiterate our support for bringing the WTO Doha Development Round to a balanced and ambitious conclusion as soon as possible, consistent with its mandate and based on the progress already made.  - 財務省

チャネルドープによるしきい値電圧の制御を行うことなく、容易にしきい値電圧制御を可能とする蓄積モードトランジスタから構成された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device composed of an accumulation mode transistor enabling threshold voltage control easily without controlling a threshold voltage by channel doping. - 特許庁

ビット線コンタクトを容易に形成できると共に、選択ゲートトランジスタに対する不純物のイオン注入時にドーズ量の打ち分けを必要とすることなく構成できるようにする。例文帳に追加

To make a bit line contact to be formed easily and, at the same time, to make unnecessary the selective placing of dose at the time of injecting the ion of an impurity into selective gate transistors. - 特許庁