「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

好適な実施形態においては、針状種結晶９の主軸Ｘが窒化物単結晶基板の法線と平行になるように、基板を切り出す。例文帳に追加

In a preferable embodiment form, substrates are segmented so that the main axis X of the acicular seed crystal 9 is parallel with a normal line of the nitride single crystal substrate. - 特許庁

単結晶ウエハとの接合面が平滑であり、単結晶ウエハとの接合強度が高い貼り合わせ基板用支持基板を提供する。例文帳に追加

To provide a support substrate for a laminated substrate in which a bonding surface with a single crystal wafer is smooth, and a bonding strength with the single crystal wafer is high. - 特許庁

結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystal silicon-based solar cell having superior photoelectric conversion efficiency with respect to a heterojunction solar cell using a crystal silicon substrate. - 特許庁

テラヘルツ電磁波検出器用の電気光学結晶素子を、電気光学効果を有するＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶からなる第１結晶基板（テラヘルツ電磁波入射側）と、前記第１結晶基板よりも低抵抗でかつ電気光学効果が小さく、前記第１結晶基板と同じ成分組成を有する第２結晶基板とを接合して構成するようにした。例文帳に追加

The electrooptical crystal element for the terahertz electromagnetic wave detector is constituted by joining the 1st crystal substrate (terahertz electromagnetic wave incidence side) made of ZnTe-based compound semiconductor single crystal having electrooptical effect and the 2nd crystal substrate which has lower resistance and smaller electrooptical effect than the 1st crystal substrate and has the same component composition with the 1st crystal substrate. - 特許庁

結晶成形に際して、種晶が既に基板と溶融状の多結晶シリコンとの間に存在しているため、凝結中の多結晶シリコン層は、種晶両側から外側へ向かって横方向にて結晶する。例文帳に追加

In crystal molding, since a seed crystal already exists between the substrate and a molten polycrystalline silicon, the polycrystalline silicon layer under coagulation crystallizes transversely from both sides of the seed toward an outside. - 特許庁

次いで、育成容器１を第二の姿勢で保持しつつ、種結晶基板４上への窒化物単結晶の育成を行う。例文帳に追加

After that, a nitride single crystal is grown on a seed crystal substrate 4 while holding the growing vessel 1 in a second posture. - 特許庁

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが熱圧着されてなる酸化物超電導積層基板１。例文帳に追加

An oxide superconducting laminated substrate 1 comprises an oxide superconducting crystalline substrate 3 with a high flatness and a high crystallinity and a reinforcing crystalline substrate 1 with high strength, wherein the substrate 3 is bonded to the substrate 1 through a thermal application. - 特許庁

支持多孔膜の少なくとも一方の面上に多孔薄膜が積層された特定の複合膜を浸漬した培養液中において、血小板前駆細胞を培養することで血小板前駆細胞を血小板へ分化させる血小板の誘導方法。例文帳に追加

Disclosed is a blood platelet induction method which causes platelet precursor cells to differentiate into blood platelets by culturing platelet precursor cells in a culture medium into which is immersed a special composite membrane comprising a porous thin film that is laminated onto at least one surface of a porous support membrane. - 特許庁

高い平坦性と高結晶性を有する酸化物超電導結晶基板３と、高強度の補強用結晶基板５とが、酸化物超電導結晶基板３を構成する酸化物超電導単結晶または酸化物超電導多結晶の融点よりも低融点の材料からなる低融点層を最外層に有する中間層７を介して接着された酸化物超電導積層基板１。例文帳に追加

This oxide superconducting laminated substrate 1 is manufactured by joining an oxide superconducting crystal substrate 3 having high flatness and high crystal properties to a high strength reinforcing crystal substrate 5, while interposing between them, an intermediate layer 7 consisting of a material having a lower melting point than that of the constituent oxide superconducting single crystal or polycrystal of the oxide superconducting crystal substrate 3. - 特許庁

また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。例文帳に追加

By changing the speed distribution of the flux on a seed crystal substrate surface, the semiconductor crystal growing on the surface is made into uniform thickness. - 特許庁

単結晶若しくは多結晶半導体基板から分離した単結晶若しくは多結晶半導体層を光電変換層とする光電変換装置であって、当該半導体層を絶縁表面を有する基板若しくは絶縁基板に接合させる所謂ＳＯＩ構造を備えたことを要旨とする。例文帳に追加

The photovoltaic device using a single crystal or polycrystalline semiconductor layer separated from a single crystal or polycrystalline semiconductor substrate as a photovoltaic layer has a so-called SOI (silicon on insulator) structure in which the semiconductor layer is bonded to a substrate having an insulating surface or an insulating substrate. - 特許庁

半導体デバイスへの応用が可能な、均質性を有し（ＳｉＣ結晶等の局所的構造がない）、良好な結晶性を持つＳｉＧｅＣ結晶を基板上に成長させる。例文帳に追加

To grow an SiGeC crystal that can be applied to a semiconductor device, and has uniformity (there is no local structure such as an SiC crystal) and excellent crystallinity on a substrate. - 特許庁

薄いｐ型単結晶あるいは多結晶シリコン基板を用いたヘテロ接合太陽電池において、光電変換効率に優れた結晶シリコン太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal silicon-based solar cell which is excellent in photoelectric conversion efficiency, in a heterojunction solar cell using a thin p-type single crystal or polycrystalline silicon substrate. - 特許庁

単結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光起電力素子に対して光が斜めに入射する場合においても、光電変換効率に優れ、生産性も向上した結晶シリコン太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal silicon-based solar cell, using a single crystal silicon substrate, which has superior photoelectric conversion efficiency and is improved in productivity even when light is obliquely incident on a photovoltaic element. - 特許庁

シリコン系結晶薄板の製造方法および光電変換素子用基板の製造方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF SILICON CRYSTAL THIN PLATE AND MANUFACTURE OF SUBSTRATE FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT - 特許庁

平坦かつ均一な結晶シートを低コストで製造することが可能な結晶シート製造装置および結晶シート製造方法、さらにこの結晶シート製造方法を用いて製造される基板およびこの基板を用いた太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a device for manufacturing a crystal sheet capable of manufacturing a flat and uniform crystal sheet at a low cost, a method for manufacturing the crystal sheet, a substrate manufactured by using the method for manufacturing the crystal sheet, and a solar battery using the substrate. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板３の近傍において、該炭化珪素単結晶基板３の外周を囲むようにガイド７を配置し、炭化珪素単結晶１０を結晶成長させる際にガイド７が炭化珪素の昇華温度よりも高温となるようにすることによって、炭化珪素単結晶１０のガイド方向への成長を制御する。例文帳に追加

When placing a guide 7 in the vicinity of a silicon carbide single crystal substrate 3 so as to surround the circumference of the substrate 3 and to grow a silicon carbide single crystal 10, the growth of the single crystal 10 toward the guide direction is controlled by making the guide 7 have a higher temperature than the sublimation temperature of silicon carbide. - 特許庁

スリット状の開口部23を有し、開口部23を結晶成長時に基体21の結晶成長面内で移動可能とした遮蔽板24を、結晶成長用原料供給部25と基体2１との間に配置したことを特徴とする。例文帳に追加

A shielding plate 24 which has a slit-like opening part 23 capable of being moved within a crystal growing surface of a substrate 21 when the crystal is grown is provided between the substrate 21 and a supplying part 25 for supplying a raw material for growing the crystal. - 特許庁

エッジデファインド・フィルムフェッド・グロース（ＥＦＧ）法により単結晶材を製造する単結晶材製造方法において、平板形状の単結晶を成長させる液だまり３０４の長手方向に対して垂直な方向に結晶成長用のシード基板１３０を配置して引き上げることにより、平板形状の単結晶材を製造する。例文帳に追加

In the method of producing a single crystal material by an edge-defined film-fed growth (EFG) method, the single crystal material having a flat plate form is produced by arranging a seed substrate 130 for crystal- growing in the vertical direction with respect to the longitudinal direction of a liquid pool 304 for growing the single crystal having the flat plate form and pulling up the seed. - 特許庁

ＸＲＤによるロッキングカーブと蛍光Ｘ線ファンダメンタル・パラメータ法の併用により、結晶性の基板または層上に製膜された、格子定数のミスマッチによる結晶歪みを有する組成比未知の結晶性固溶体薄膜の結晶歪み度合いを分析する。例文帳に追加

The degree is analyzed by simultaneous use of the rocking curve method by XRD and a fluorescent X-ray fundamental parameter method. - 特許庁

半導体基板上のトランジスタへ熱ダメージを与えることなく、多結晶電極上に、電荷密度の大きい（１０４）面が半導体基板の主面に対して平行になるように多結晶強誘電体膜を形成することである。例文帳に追加

To form a polycrystalline ferroelectric film on a polycrystalline electrode to set a (104) plane large in charge density in parallel to a principal surface of a semiconductor substrate without giving thermal damage to a transistor on the semiconductor substrate. - 特許庁

結晶構造を有する半導体膜の形成過程における反応ガスの利用効率を向上させ、安価な基板上に結晶品質の優れた結晶質半導体膜を形成し、その結晶質半導体膜を光電変換層とする光電変換装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric converter with which efficiency of a reaction gas in the forming process of a semiconductor film having a crystal structure is improved, a crystalline semiconductor film improved in a crystal quality is formed on an inexpensive substrate and that crystalline semiconductor film is made into photoelectric converting layer. - 特許庁

結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor crystal structure wherein the cross-sectional strain introduced during separating the nitride semiconductor crystal into a plurality of pieces is reduced to improve the utilization efficiency of the crystal and to provide a method for manufacturing a free-standing nitride semiconductor substrate. - 特許庁

少なくとも炭化珪素単結晶基板３の直径以上の平面部を有する複数枚の遮蔽板５ａを、炭化珪素単結晶基板３と炭化珪素原料粉末４との間に、炭化珪素単結晶基板３の成長表面と平面部とが対向するように積層配置して炭化珪素単結晶の成長を行なう。例文帳に追加

Growing of a silicon carbide single crystal is carried out by laminatedly arranging plural shielding plates 5a having a flat surface part of a diameter at least not less than that of a silicon carbide single crystal substrate 3, between the silicon carbide single crystal substrate 3 and a silicon carbide powdery raw material 4 so that the growing surface of the silicon carbide single crystal substrate 3 opposes to the flat surface part. - 特許庁

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。例文帳に追加

The method of making a micro corner cube array 10 comprises a step of preparing a single crystal substrate 1, 4 which consists of cubic single crystals and has a surface substantially parallel to {111} planes of the crystals; and a step of etching the surface of the single crystal substrate 1, 4 anisotropically. - 特許庁

マイクロコーナーキューブアレイ１０は、立方晶系の結晶からなる単結晶基板１，４であって結晶の｛１１１｝面と実質的に平行な表面を有する単結晶基板１，４を用意する工程と、この単結晶基板１，４の表面に対して異方性エッチング処理を行なう工程とによって作製される。例文帳に追加

The micro-corner cube array 10 is produced by a process for preparing single crystal substrates 1 and 4 which consist of a cubic system crystal and have a surface being substantially in parallel with the (111) surface of the crystal and a process for performing an anisotropic etching processing concerning the surfaces of the single crystal substrates 1 and 4. - 特許庁

ｃ軸に平行な結晶面に対して＋ｃ軸方向に２°以上傾斜した主表面を備える六方晶系結晶構造を有する結晶基板１０１を用意（作製）する。例文帳に追加

A crystal substrate 101 is fabricated which has a hexgonal system crystal structure with a main surface inclined by ≥2° to a +c axial direction to a crystal surface which is in parallel with a c axis. - 特許庁

変換効率の向上を図れる多結晶シリコン薄膜の製造方法、多結晶シリコン薄膜基板および多結晶シリコン薄膜型太陽電池を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a polycrystalline silicon thin film capable of improving conversion efficiency, a polycrystalline silicon thin film substrate and a polycrystalline silicon thin film type solar battery. - 特許庁

第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。例文帳に追加

A first vertex P1 of a first single crystal silicon carbide substrate 11 and a second vertex P2 of a second single crystal silicon carbide substrate 12 are abutted against each other so that a first side S1 of the first single crystal silicon carbide substrate 11 and a second side S2 of the second single crystal silicon carbide substrate 12 are aligned. - 特許庁

微結晶シリコン膜を光電変換層に適用した薄膜系の太陽電池を形成する場合に、所定の結晶方位配向性を有する光電変換層の薄膜形成を阻害しない太陽電池用基板を得ること。例文帳に追加

To provide a substrate for a solar battery, which never disturbs the formation of a thin film of a photoelectric conversion layer having a predetermined crystal orientation when forming a thin-film solar battery where a fine crystal silicon film is applied to a photoelectric conversion layer. - 特許庁

単結晶を基板とする太陽電池素子において、変換効率をより高くすることのできる太陽電池用シリコン単結晶基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon monocrystalline substrate for a solar cell that can set the conversion efficiency higher in a solar cell using a single crystal for the substrate, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

移動ステージの基板とレーザ光源との間に、ビームプロファイル変調部を設置し、基板面におけるレーザ光のビームプロファイルを予め設定した目標と一致するように変調し、移動ステージを結晶領域に位置を合わせて動かしながら、この変調されたレーザ光を基板上の半導体層に照射して、結晶を横方向に成長させることにより、所望の結晶粒径に結晶化する。例文帳に追加

A beam profile modulation section is disposed between the substrate of a moving stage and a laser beam source, the beam profile of a laser beam on the substrate surface is modulated so as to match a preset target, the semiconductor layer on the substrate is irradiated with the modulated laser beam, and this allows the crystal to be grown in the lateral direction to achieve crystallization with the desired crystal grain size. - 特許庁

支持基板８が、波長変換用基板２の強誘電性単結晶の体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する材質からなる。例文帳に追加

The support substrate 8 is formed of material quality having a lower volume resistivity than the volume resistivity of the ferroelectric single crystal of the wavelength conversion substrate 2. - 特許庁

ミクロ的な組成分布が不均一な多元系多結晶からなる基板１０と、この基板上に薄膜結晶を堆積成長させてなる堆積成長層２０との２層ヘテロ構造を備えた太陽電池。例文帳に追加

A solar cell is provided with a double-layer heterostructure of a substrate 10 comprising a polycrystal of plural elements having a non- uniform micro composition distribution and a deposit 20 formed by depositing to grow a thin film crystal on this substrate. - 特許庁

埋め込み酸化膜１２、１４の幅を単結晶半導体層１３、１５の幅よりも狭くなるように構成し、単結晶半導体基板１１上で単結晶半導体層１３、１５を支持する支持体１８を、単結晶半導体層１３、１５の側壁を介して単結晶半導体層１３、１５下に回り込むように配置する。例文帳に追加

The buried oxide films 12 and 14 are formed so that their widths are smaller than the widths of single-crystal semiconductor layers 13 and 15, and a supporter 18 for supporting the semiconductor layers 13 and 15 on a single-crystal semiconductor substrate 11 is arranged so as to enter in below the semiconductor layers 13 and 15 via the sidewalls of the semiconductor layers 13 and 15. - 特許庁

結晶化ガラス製調理器用トッププレート１は、平板部と、平板部の表面に凹部が形成されている結晶化ガラス製調理器用トッププレートである。例文帳に追加

The top plate 1 for a cooking device made of crystallized glass has a flat part and the recessed part formed on the surface of the flat part. - 特許庁

結晶性基板１１と、結晶性基板１１の一主面１１ａ上に配置された、一主面１１ａに平行な底面２１および一主面１１ａに非平行な面を含む複数の結晶面２２を有する突起構造２０とを備えるナノインプリント用モールド１０である。例文帳に追加

A mold for nanoimprint 10 includes: a crystalline substrate 11; and protruding structures 20, each of which is disposed on one main surface 11a of the crystalline substrate 11 and has multiple crystal surfaces 22 including a bottom surface 21 arranged in parallel with the one main surface 11a and surfaces arranged so as not to be in parallel with the one main surface 11a. - 特許庁

透明電極４の上方に偏光板７、複数枚の結晶系の太陽電池セル層１０、透明基板１１が順次に積層されている。例文帳に追加

A polarizing plate 7, a plurality of crystal system solar battery cell layers 10, and a transparent substrate 11, are sequentially laminated above the transparent electrode 4. - 特許庁

肺及び/又は肝臓への血小板の集積、及び/又は当該血小板の脱顆粒を抑制するために有効な量のグリチルリチン又はグリチルレチン酸を、任意に薬学的に許容されうるキャリアとともに含める。例文帳に追加

The pharmaceutical composition comprises glycyrrhizin or glycyrrhetic acid in an active amount for suppressing accumulation of platelets into the lung and/or the liver and/or degranulation of the platelets and arbitrarily a pharmaceutically acceptable carrier. - 特許庁

半導体ウェーハ上に絶縁層が形成され、絶縁層上にデバイス形成用の半導体単結晶層が形成された半導体基板であって、半導体単結晶層と絶縁層の界面が、平坦面（テラス）が半導体単結晶層の結晶面に平行な面で構成される段差（ステップ）構造を有することを特徴とする半導体基板および半導体基板の製造方法。例文帳に追加

The semiconductor substrate has an insulating layer formed on a semiconductor wafer and a semiconductor single-crystal layer for forming a device formed on the insulating layer, wherein the interface between the semiconductor single-crystal layer and the insulating layer has a level difference (step) structure consisting of flat surfaces (terraces), each of which is a plane parallel to a crystal plane of the semiconductor single-crystal layer. - 特許庁

凹凸が選択的に形成された基板の上に平坦な結晶成長膜が形成された半導体装置を実現できるようにする例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a flat crystal growth film is formed on a substrate in which pits and projections are selectively formed. - 特許庁

レーザ出射手段４は出射される光の偏光方向が光学結晶基板の基板面に対して傾くように構成する。例文帳に追加

The laser emitting means 4 is so constituted that the direction of polarization of emitted light may be inclined to the surface of the optical crystal substrate. - 特許庁

半導体デバイス用基板１０は、結晶性のシリコン基板１１の内部に、構造変化層１２が形成されたものである。例文帳に追加

In the substrate 10 for semiconductor devices, a structure transition layer 12 is formed inside a crystalline silicon substrate 11. - 特許庁

この試薬は、血小板の懸濁液からなる固定血小板の液体プレパレーションであって、血小板は操作時にセリンプロテアーゼインヒビターで処理され、固定され、そしてリストセチンまたは蛇毒を含まない水溶液、好ましくは緩衝溶液中に懸濁された血小板の液体プレパレーションである。例文帳に追加

The reagent is the liquid preparation of the fixed platelet consisting of the suspension of the platelet, the platelet is processed by the serine protease inhibitor during the operation, and fixed, and the liquid preparation of the platelet suspended in an aqueous solution containing ristocetin or snake venom, preferably in a buffer solution. - 特許庁

このＮｉ基板１は、予め、ＣＮＴを生成させたい領域における平均結晶粒径が合成後に６０μｍ以下になるようにしておく。例文帳に追加

The Ni substrate 1 is previously controlled to have ≤60 μm average crystal grain diameter after the synthesis in a region where the carbon nanotube (CNT) is to be formed. - 特許庁