「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。例文帳に追加

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane. - 特許庁

周期表第１２（２Ｂ）族元素及び第１６（６Ｂ）族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりｐｎ接合を形成することにより光電変換機能素子を安定して作製できる光電変換機能素子用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method, by which a photoelectric conversion functional element can be manufactured stably by forming a p-n junction for thermal diffusion by using a compound semiconductor crystal substrate, composed of a group XII (2B) element and a group XVI (6B) element on the periodic table. - 特許庁

この磁気ヘッド用基板１によれば、全体にわたって個々の結晶粒子が小さいために、短冊状に切断したり流路面を形成したりしても、大きな脱粒はほとんど発生しない。例文帳に追加

According to this magnetic head substrate 1, since each crystal particle is small over all, large shedding of grains hardly occurs even when the substrate is cut in the form of strip or the flowing surface is formed. - 特許庁

結晶板を無駄なく利用することができ、比較的低コストで高性能の偏光変換装置及びこれを組み込んだプロジェクタを提供すること。例文帳に追加

To provide a polarization conversion device of a relative low cost and high performance in which crystal plates can be effectively used, and a projector in which the polarization conversion device is incorporated. - 特許庁

また、ガラス振動板６を陽極接合後に１０μｍ以下に研磨薄片化し、たるみを発生させておくことで、圧電膜８の結晶化のための加熱処理中の熱歪によって陽極接合部が剥がれるのを防ぐ。例文帳に追加

The diaphragm 6 anodically joined is thinned and polished to a thickness of not greater than 10 μm and is so flexed that with this flexion, the anodic joint is prevented from peeling off caused by thermal strain during heat treatment for the crystallization of the piezoelectric element 8. - 特許庁

止血創傷部に適用した時にその止血創傷部の水分を吸収して容易に溶解し、血液成分の血小板およびフィブリンの止血作用および創部への細胞接着を補助する新規な可溶性創傷治癒止血セルロース繊維を提供する。例文帳に追加

To provide a cellulose fiber capable of being dissolved by absorbing water in a hemostatic wounded area when applied to the hemostatic wounded area and helping hemostatic action of blood components, which are platelets and fibrin, and cell adhesion to the wounded area. - 特許庁

記録層が光照射により非晶質相と結晶相の可逆的相変化をするものであって、光入射面が透明基板側で、該透明基板上に誘電体下部保護層、記録層、上部保護層、反射放熱層を順次積層した光記録媒体において、上部保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ_２より熱伝導率が低く、かつ結晶化を促進させるＳｉＣ系の物質を用いる光記録媒体であることを主要な構成とする。例文帳に追加

In the optical recording medium having a dielectric lower protective layer, recording layer, upper protective layer and reflective heat radiating layer successively deposited on a transparent substrate, the recording layer shows reversible phase change between an amorphous phase and a crystalline phase by irradiation of light and the face where light enters is in the transparent substrate side. - 特許庁

例えば表面が（１００）面の単結晶からなる基板１を用意し、基板１上に該基板の（０１０）面方位に対しほぼ４５°の方向に短冊状のエッチングのための開孔を施した場合、高集積化インクジェットプリンタヘッドの液室に好適な短冊状の堀形状を形成できる。例文帳に追加

When a single crystal substrate 1 having surface of (100) face is prepared and openings for stripe-like etching are made in the substrate 1 in the direction of about 45° with respect to the (010) face orientation of the substrate, a stripe-like trench shape suitable for the liquid chamber of a high integration ink jet printer head can be formed. - 特許庁

ソースおよびドレイン上にニッケルまたはニッケル合金のシリサイド領域が形成されたｎチャネルＭＩＳＦＥＴのチャネル長さ方向を、半導体基板の結晶方位＜１００＞に平行となるよう配置する。例文帳に追加

The n-channel MISFET having a silicide region of nickel or nickel alloy formed on the source and drain is disposed so that its channel lengthwise direction is in parallel to a crystal orientation <100> of a semiconductor substrate. - 特許庁

フレキシブル性を有するアモルファス太陽電池，或は結晶型シリコンウエハーをフッ素系フィルムでラミネートした太陽電池に，必要に応じた剛性を付与する為のプラスチック平板を接着する。例文帳に追加

A plastic plate to give the stiffness necessary to a solar cell is bonded to a flexible amorphous solar cell, or, to a solar cell where a crystal silicon wafer is laminated with a fluoride film. - 特許庁

５００℃という高温に加熱されても平坦度の悪化や結晶粒の粗大化を抑制することのできる磁気ディスク用アルミニウム合金基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy substrate for a magnetic disk capable of suppressing deterioration in flatness and an increase in coarseness of crystal grains even when heated at a high temperature of 500°C, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

安価で高精度、高信頼性の基板で支持体が構成され、球状または棒状の半導体の寸法および基板上への配置工合・密度も自由に規定できる、球状または棒状結晶太陽電池を提供するとともに、その製造方法を提供する。例文帳に追加

To freely prescribe the dimensions of a rod-shaped semiconductor and the arrangement condition/density onto a substrate, by arranging a second conductive layer in electrical contact at one portion of a semiconductor substrate at a part that differs from one portion of the spherical or rod-shaped semiconductor crystal in contact with a first conductive layer. - 特許庁

凝固点近傍の低い温度に制御した原料融液に基板を浸漬し、基板上に薄板状の結晶を成長させる板状結晶の製造方法において、角型ルツボなどにおける溶融原料の水平方向における温度分布を均一化するための製造方法及び製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a production apparatus and production method for uniformizing the temperature distribution in a horizontal direction of a molten raw material in a square crucible or the like in a production method of a plate-like crystal, comprising dipping a substrate into a raw material melt controlled to a low temperature close to the solidification point and growing a thin plate-like crystal on the substrate. - 特許庁

非晶質シリコン膜をレーザー照射により多結晶シリコン膜に変化させる際に、非晶質シリコン膜上に形成された自然酸化膜が多結晶化に及ぼす悪影響を防ぐことができる薄膜トランジスタ基板の製造方法及び薄膜トランジスタ基板形成用中間構造物を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin film transistor substrate, along with an intermediate structure for forming a thin film transistor substrate, capable of preventing bad effect on polycrystallization by a natural oxide film formed on an amorphous silicon film when changing the amorphous silicon film into polycrystal silicon film by laser radiation. - 特許庁

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。例文帳に追加

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14. - 特許庁

本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a polycrystalline wafer with which a conversion efficiency of a solar cell is improved by using the polycrystalline wafer as a substrate for a solar cell, to provide a method for manufacturing the polycrystalline wafer, and to provide a method for casting polycrystalline materials for the purpose of obtaining such a polycrystalline wafer. - 特許庁

平坦性、結晶性および配向性に優れ、厚さ方向の熱伝導率が高く放熱性に優れたエピタキシャル成長用基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for epitaxial growth which is excellent in flatness, crystallinity, orientation, in which thermal conductivity in a thickness direction is high, and which is excellent in radiation property. - 特許庁

シリコン融液を凝固して多結晶シリコンインゴットを製造するための角形シリカ容器であって、多孔質シリカからなる平行平板状の多孔質シリカ板体を組み合わせて構成されたものであり、内側表面部分の少なくとも一部に前記多結晶シリコンインゴットの離型を促進する離型促進剤が含有されているものであり、前記多孔質シリカ板体のかさ密度が、両平行平面の表面部分よりも内部の部分において低い多結晶シリコンインゴット製造用角形シリカ容器。例文帳に追加

In this square silica vessel for manufacturing a polycrystalline silicon ingot by solidifying silicon melt, which is constituted by combining parallel planar porous silica plates comprising porous silica, a mold release accelerator for accelerating mold release of the polycrystalline silicon ingot is included in at least a part of an inside surface part, and a bulk density of the porous silica plates is lower at an inner part than surface parts of both parallel planes. - 特許庁

金属級シリコンで形成した金属級シリコン基板の様に安価ではあるが多量の不純物を含む基板の上に成長したシリコン結晶を利用しながら高い変換効率が得られる太陽電池、及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a solar cell and its manufacturing method by which high conversion efficiency can be realized by using silicon crystals growing on a substrate that is low in cost like a metallic silicon substrate made of metallic silicon and includes a large quantity of impurities. - 特許庁

この鋳型等を用いて製造される多結晶シリコンは、不純物（Ｆｅ、Ｃ）が少ないので、変換効率が高い太陽電池用のシリコン基板に好適である。例文帳に追加

Polycrystalline silicon produced using the mold is suitable for a silicon substrate for a solar cell having high conversion efficiency because it includes few impurities (Fe, C). - 特許庁

再結晶焼鈍を行わないでも耳率の変化を低く抑えることができ、かつ、適正な強度を具備するＰＰキャップ用アルミニウム合金板を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy sheet for a PP cap which can suppress a change of an earing ratio to be low even if recrystallization annealing is not performed, and also possesses proper strength. - 特許庁

検出器５０は、光源３０から出射され、基板９０によって反射光の強度変化に基づいて反応容器１０内で結晶成長された半導体層の膜厚を検出する。例文帳に追加

In the thin-film manufacturing apparatus, a sensor 50 senses the film thickness of a semiconductor layer whose crystal is grown in a reaction vessel 10, based on the intensity change of the light emitted from a light source 30 and reflected by a substrate 90. - 特許庁

光導波路５又は光学結晶２１を伝搬する光の偏光状態や、波長板を用いて偏光状態を変化させる場合における該波長板の特性を表すパラメータが、電極９ａ〜９cに印加する電圧を制御することによって任意に且つ容易に設定可能となる。例文帳に追加

By the control of the voltages applied to electrodes 9a-9c, the optical polarization state of the light propagating in the optical waveguide 5 or in an optical crystal 21 and parameters representing characteristics of a wave length board when varying the polarization state by using the wave length board, can be set arbitrarily and easily. - 特許庁

半導体構造の少なくとも一部が形成された１個以上の単結晶Ｓｉ基板１０を、表面にエッジ３２ａを有する位置決め用基板３０上に載置し、１個以上同時に位置決め用基板３０の表面に平行にエッジ３２ａまで移動させて位置決めした後、一時固定する。例文帳に追加

One or more single-crystal Si substrates 10 where at least a portion of a semiconductor structure is formed are mounted on a positioning substrate 30 having an edge 32a on a surface, and moved to the edge 32a and one or more single-crystal Si substrates are positioned in parallel to the surface of the positioning substrate 30 at the same time and then temporarily fixed. - 特許庁

ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れたIII族窒化物系半導体層を形成し、ガウシアン形状に近い垂直ＦＦＰ形状を得られるようにする。例文帳に追加

To form on a GaN substrate, a Group III nitride semiconductor layer with excellent flatness and crystallinity, and to obtain a vertical FFP shape close to a Gaussian shape. - 特許庁

ヤング率、強度及び耐熱性が高く、表面平滑性や表面均質性及び表面加工性に優れ、かつガラスの液相温度が比較的低く安価に製造できる結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及びこの基板を用いた情報記録媒体の提供。例文帳に追加

To provide a substrate for an information recording medium comprising a crystallized glass and having high Young's modulus, strength and thermal durability, being excellent in flatness, uniformity and processability of the surface, and which can be manufactured at the low cost because the liquid phase temperature of the glass is relatively low; and to provide an information recording medium using this substrate. - 特許庁

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。例文帳に追加

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%. - 特許庁

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。例文帳に追加

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor. - 特許庁

表面に金属磁性薄膜を被着させて磁気ヘッドを構成する基板において熱膨張係数が適正で磁性膜の特性を損うことなく、加工性がよく、適正な硬度を有し、焼成が容易な非磁性フェライト多結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide an easily burnable nonmagnetic ferrite polycrystalline substrate of which a magnet head is formed by depositing the surface with a metal magnetic thin film and which has a proper thermal expansion coefficient, does not damage the properties of the magnetic film, and has satisfactory workability and proper hardness. - 特許庁

ここで、ＳｉＣを補給する工程は、溶液３内であってＳｉＣ種結晶基板９の支持棒５と黒鉛坩堝２との間に設けたＳｉＣ製の遮蔽壁４から補給する工程である。例文帳に追加

In the process for replenishing SiC, SiC is replenished from a shielding wall 4 made of SiC, provided between a support rod 5 of the SiC seed crystal substrate 9 and a graphite crucible 2, in the solution 3. - 特許庁

波長変換用ＣＬＢＯ結晶ｎｃの光入射面および光出射面に吸湿性の少ない材料からなる平板状光学素子ｃ１，ｃ２をオプテイカルコンタクトにより各々接合する。例文帳に追加

This optical device is obtd. by joining planer optical devices c1, c2 having little moisture absorption to the entering face and exiting face of a CLBO crystal nc for wavelength conversion, respectively, into an optical contact state. - 特許庁

波長走査は、微小領域３を固定し、平板結晶６及びＸ線検出器８をローランド円５に沿って移動させる従来の機構をそのまま利用すればよい。例文帳に追加

A conventional mechanism of fixing the micro area 3, and of moving the plane crystal 6 and the X-ray detector 8 along the Rowland circle 5 may be used, as it is, in wavelength scanning. - 特許庁

分極反転構造の形成領域に電流が流れ易くなるような強誘電体結晶を用いた場合であっても、高精度の分極反転構造を形成可能とした、光学素子基板、及び、該基板を用いた波長変換デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide an optical element substrate capable of forming a polarization inversion structure of high accuracy even when a ferroelectric crystal wherein current easily flows in a region where the polarization inversion structure is formed is used and to provide a wavelength conversion device using the substrate. - 特許庁

水晶デバイス等の電子デバイスを収容してプリント配線基板等に実装する基板実装型電子デバイス用パッケージであって、底部１ａとその周囲に設けられた周壁部１ｂとを有する略有底短筒状のパッケージ本体１を、感光性ガラスを再結晶化した再結晶化ガラスにより一体に形成したことを特徴とする。例文帳に追加

In this package for a board-mounting type electronic device for housing an electronic device, such as a crystal device, and for mounting it on a printed wiring board or the like, an almost closed-end cylindrical package body 1 having a bottom part 1a and a peripheral wall part 1b formed in the surrounding is integrally formed on a recrystallized glass formed by recrystallizing photosensitive glass. - 特許庁

磁場中で銀シースＢｉ２２１２超伝導線材を部分溶融処理し、平板結晶粒のアスペクト比を小さくし、部分溶融処理は、９００℃〜９５０℃の範囲でなされる。例文帳に追加

The partial melting treatment is applied to the silver sheath Bi2212 superconducting wire in the magnetic field to reduce the aspect ratio of a flat plate crystal grain, and the partial melting treatment is applied within a range of 900-950C°. - 特許庁

SOI基板を用いてトレンチ素子分離構造を適用した場合、トレンチ側壁の酸化時にトレンチコーナー部の酸化膜が薄膜化し、応力集中により素子領域の半導体層に達する結晶欠陥が発生する。例文帳に追加

To solve the problem that when an SOI substrate is used and a trench element isolation structure is applied, an oxide film at a trench corner part becomes thin during oxidation of a trench sidewall to generate a crystal defect reaching a semiconductor layer in an element region owing to stress concentration. - 特許庁

式（１）で表されるアセン系化合物を含む有機電子材料を、シクロヘキサンと、アセン系化合物を溶解しうる溶媒との混合溶媒に溶解させ、その溶液を基板に塗布して該有機電子材料の結晶性薄膜を形成する。例文帳に追加

An organic electronic material containing an acene-based compound represented with formula (1) is dissolved in a mixed solvent of cyclohexane and a solvent capable of dissolving the acene-based compound, and a substrate is coated with the solution to form the crystalline thin film of the organic electronic material. - 特許庁

透明基板１上に、下部保護層２、第２の下部保護層３、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする記録層４、上部保護層５、Ａｌを主要元素とする反射層６の順に積層する。例文帳に追加

A lower protective layer 2, a second lower protective layer 3, a recording layer 4 making reversible phase change between amorphous and crystalline phases, a upper protective layer 5, and a reflection layer 6 mainly composed of Al are sequentially laminated on a transparent plate 1. - 特許庁

反射膜４と色調補正膜３とは、可視波長域において、色調補正膜３と透明結晶化ガラス基板２との間の界面における平均光反射率が、色調補正膜３と反射膜４との間の界面における平均光反射率よりも低くなるように構成されている。例文帳に追加

In the visible wavelength range, the reflective film 4 and the color tone correction film 3 have a mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the transparent crystallized glass substrate 2 lower than the mean optical reflectivity at the interface between the color tone correction film 3 and the reflective film 4. - 特許庁

エピタキシャル成長用の単結晶サファイア基板であって、主面の算術平均表面粗さＲａが０.０００２〜０.００１μｍであり、上記主面の最大高さＲｍａｘが０．１μｍ以下であること。例文帳に追加

A single crystal sapphire substrate is the substrate for epitaxial growth, where the arithmetic average surface roughness Ra of a main surface is 0.0002 to 0.001 μm and the maximum height Rmax of the main surface is not more than 0.1 μm. - 特許庁

作業性、経済性に優れたＣＴＰシステムに適合したレーザー走査露光用平版印刷版、更に詳しくは、バイオレットレーザーで描画可能であり、長期に亘り、増感色素の凝集状態の変化（結晶化）を防止し、かつ安定して高感度を示す平版印刷版を提供する。例文帳に追加

To provide a planographic printing plate for laser scanning exposure having excellent workability and economic efficiency and suitable for a CTP (computer-to-plate) system, and moreover, to provide a planographic printing plate which enables drawing with violet laser, which prevents changes (crystallization) in the aggregation state of a sensitizing dye for a long period of time, and which stably shows high sensitivity. - 特許庁

本発明による半導体装置は、最終的に形成する酸化物誘電体結晶の格子定数に近づくように組成を変化させた酸化物薄膜を多層に形成し、この酸化物薄膜の格子定数を半導体基板の格子定数から酸化物誘電体結晶の格子定数まで徐々に変化させることで、従来問題となっていたミスフィット転位を低減させることによって、半導体基板上であっても高品質な酸化物誘電体結晶を得ることが可能となる。例文帳に追加

Therefore, a high-quality oxide dielectric crystal can be obtained even on the semiconductor substrate. - 特許庁

例えば六方晶Ｃｏ−Ｉｒ合金はそのＣ軸方向に対して結晶磁気異方性エネルギーＫｕ^ｇｒａｉｎが負となる性質があるから、Ｃ軸を基板面に平行に配向させると、Ｋｕ^⊥＝−２πＭｓ^２−Ｋｕ^ｇｒａｉｎより、基板面に強力に磁化しようとする性質をもつ。例文帳に追加

For example, a hexagonal Co-Ir alloy naturally has a negative crystal magnetic anisotropic energy Ku^grain along its C axis, so when the C axis is oriented in parallel to the substrate surface, the substrate surface has properties of strong magnetization because of Ku^&bottom;=-2πMs^2-Ku^grain. - 特許庁

多接合型薄膜太陽電池２０は、ガラス基板１１ａ、凹凸表面層１１ｂ、非晶質シリコン光電変換層１２、中間層１３、結晶質シリコン光電変換層１４、裏面反射層１５、裏面電極１６が、この順番で積層されて構成されている。例文帳に追加

A multi-bonded thin film solar cell 20 is constituted by laminating a glass substrate 11a, a roughened surface layer 11b, an amorphous silicon photoelectric conversion layer 12, an intermediate layer 13, a crystalline silicon photoelectric conversion layer 14, a rear reflective layer 15, and a rear electrode 16 in this order. - 特許庁

記憶媒体に記憶された結晶番号、結晶ブロックに付与されたブロックＩＤおよび１枚毎の半導体ウェーハに付与されたウェーハＩＤに基づき、特定の半導体ウェーハが各加工工程をどのような経路を経て、各加工工程でどのように処理されたかをウェーハ１枚毎に簡単に追跡することができる。例文帳に追加

Based on a crystal number stored in a storage medium, a block ID given to a crystal block, and a wafer ID given to each semiconductor wafer, it is easy to trace which route a particular semiconductor wafer passes in respective processing processes and how the semiconductor wafer is processed in the respective processing processes on a one by one basis of semiconductor wafer. - 特許庁