「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

基板上への第１の導電型の結晶半導体粒子の溶着を安定させることができ、低コストで高性能な光電変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a low cost and high performance photoelectric transducing apparatus capable of stabilizing the fusion welding of first conductive type crystal semiconductor particles onto a substrate. - 特許庁

また、圧電体基板１１をなすＫＮｂＯ_3 単結晶はＹカット面が基板表面に平行であり、弾性表面波の伝搬方向がＸ軸方向となるように構成されている。例文帳に追加

The substrate 11 is formed, in such a way that its surface is constituted with a Y-cut face of the single crystal of KNbO3 and the substrate 11 propagates surface acoustic waves directed in the X-axis direction. - 特許庁

透湿度、光漏れ、リワーク性に優れ、それに加えて耐光性、結晶化度も満足できる偏光板保護用セルロースエステルフィルム及び偏光板を提供すること。例文帳に追加

To provide a cellulose ester film for protection of a polarizing plate, the cellulose ester film having excellent moisture permeability, leaking property for light and reworking property as well as having satisfactory light resistance and crystallinity, and to provide a polarizing plate. - 特許庁

結晶性及び平坦性に優れた金属膜を基板上に成膜できる成膜装置及び酸化物薄膜成膜用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film-forming apparatus which can form a metal film superior in crystallinity and flatness on a substrate, and to provide a method for manufacturing a substrate for forming an oxide thin film thereon. - 特許庁

溶融シリコンに不純物が混入するおそれがなく、かつガラス基板へ悪影響を与えることなくシリコンの溶融時間を延ばし、結晶粒を成長させることができるレーザーアニール方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laser annealing method, which can grow crystal grains by extending the fusion time of silicon, without the risk of impurities mixing in fused silicon, and without exerting adverse effects upon a glass substrate. - 特許庁

光電変換層としての機能を奏する単結晶半導体層は単結晶半導体基板の表層部を剥離して転置されたものが適用され、水素若しくはハロゲンが添加された不純物半導体層を光入射側若しくはその反対側の面に設ける構成を含む。例文帳に追加

A single crystal semiconductor layer which is a separated surface layer part of a single crystal semiconductor substrate and is transferred is used as the photovoltaic layer and includes a structure in which an extrinsic semiconductor layer added with hydrogen or halogen is provided on a light incident surface or on an opposite surface. - 特許庁

このようなＭＯＳＦＥＴは、傾斜側壁表面を備えた陥凹部を形成するために半導体基板に結晶エッチングを施し、続いて、その上に応力誘導誘電体層を付着させることによって、容易に形成することができる。例文帳に追加

Such MOSFETs can be readily formed by crystallographic etching of the semiconductor substrate to form the recesses with the slanted sidewall surfaces, followed by deposition of a stress-inducing dielectric layer thereover. - 特許庁

本発明はまた、固体の塊から粉末を形成する過程と、その粉末を金属ストリップと組み合わせてワイヤを形成する過程と、ワイヤを基板表面に堆積して金属ガラスを含有する層を形成する過程と、堆積させた金属ガラスがナノ結晶性粒子サイズを有するように結晶性材料に変換する過程とによって、基板上に、硬化された表面を形成する方法を含む。例文帳に追加

The invention also includes a method of forming a hardened surface on a substrate by processing a solid mass to form a powder, forming a wire by combining the powder with a metal strip, applying the wire to the surface of the substrate to form a layer containing metallic glass, and converting the applied metallic glass to a crystalline material having a nanocrystalline grain size. - 特許庁

基板上に形成されたアモルファスシリコン膜を触媒元素により結晶化させて得られる結晶性シリコン膜を利用する半導体装置の作製方法において、該シリコン膜を酸化種と非酸化種の混合ガス中で熱酸化することによって、結晶性シリコン膜表面の平坦性を向上するとともに酸化欠陥数を低減する。例文帳に追加

In the method for fabricating semiconductor device utilizing a crystalline silicon film obtained by crystallizing an amorphous silicon film formed on a substrate using a catalytic element, planarity on the surface of the crystalline silicon film is enhanced while decreasing the number of oxidation defects by thermally oxidizing the silicon film in a mixture gas of an oxidation species and a nonoxidation species. - 特許庁

発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for stably manufacturing an SiC single crystal substrate having high flatness and high quality suitable as a substrate for a light emitting device and an electronic device. - 特許庁

高温部１０ｂ付近から矢印６のように種結晶基板の育成面５ａ（あるいは５ｂ）に添って上昇流が生じ、次いで気液界面の近くでは育成容器の外側へと向かって流れ、次いで矢印８のように育成容器の内壁面に添って下降流が生じる。例文帳に追加

An upward flow is generated from near the high-temperature part 10b along the growing surface 5a (or 5b) of the seed crystal substrate as is shown by arrow 6, then it flows near the gas/liquid interface toward the outside of the growing vessel, then a downward flow is generated along the inner wall of the growing vessel as shown by arrow 8. - 特許庁

このように、整流でかつ効率よく対流させることができるため、気液界面付近で窒素を融液に溶解させた後に、その融液を育成容器の全体にすみやかに供給することができ、種結晶基板の育成面にステップフロー成長がおこり、品質の良い平滑な窒化物単結晶が形成される。例文帳に追加

Since the flow is efficiently convected in straightening like this, after nitrogen is dissolved in the melt liquid near the gas/liquid interface, the melt liquid can be rapidly supplied in the whole growing vessel, and a step-flow growth occurs on the growing surface of the seed crystal substrate and a flat and smooth nitride single crystal of good quality is formed. - 特許庁

II−VI族化合物半導体単結晶を用いて安定した発光特性を有する光電変換機能素子用基板を製造する方法および高い光取り出し効率を有する光電変換機能素子を簡易かつ安価に提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a substrate for photoelectric conversion function elements having stable light emission characteristics, using a II-VI compound semiconductor single crystal and a photoelectric conversion function element having a high light takeout efficiency easily at a low cost. - 特許庁

少なくとも一種のアルカリ金属が含有されている結晶化ガラス製の磁気ディスク用基板において、ＬｉやＮａイオンの磁性膜、保護膜などへの移動による突起物の生成を防止することである。例文帳に追加

To prevent formation of protrusions due to transfer of Li or Na ion to a magnetic film, a protective film or the like, in a substrate for a magnetic disk made of crystallized glass containing at least one kind of alkali metal. - 特許庁

酸化ガリウム基板部材を用いながらも表面平坦性に優れ且つ結晶品質性に優れた窒化ガリウム層を有する光デバイス用基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for an optical device which has a gallium nitride layer excellent in surface flatness and crystal quality although it uses a gallium oxide substrate member, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

電解酸化法によってシリコン単結晶基板上に多孔質層を形成する際、該多孔質層の表面が平坦化するようシリコン単結晶基板の（１１１）面方位のみを表面に残し、かつ、該（１１１）面方位の一部を選択的にエッチングでき、エッチング孔径及び孔密度等、適切に制御された三角柱状孔を生成し、多孔質層を形成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a porous layer on a silicon single crystal substrate by an electrolytic oxidation method wherein only the plane orientation (111) of a silicon single crystal substrate is left on the surface to flaten the surface of the porous layer, and a part of the plane orientation (111) is selectively etched, and a triangular hole with an appropriately controlled etching hole and hole density is formed. - 特許庁

また、冷間圧延前の平均結晶粒径ｄｘを８０〜４００μｍに調整し、最終製品板の平均粒径ｄｚがｄｘ／ｄｚ≦３を満たすようにすることを特徴とするその製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method comprises adjusting an average crystal grain size dx before cold rolling to 80 to 400 μm, and making the average grain size dz in the final product sheet satisfy dx/dz≤3. - 特許庁

また、基板１には、多結晶シリコン材料等からなる導電性接合層８を絶縁膜６と枠状突起７とにわたって設け、その枠状部８Ａには、閉塞板１０を陽極接合等によって接合する。例文帳に追加

On the board 1, a conductive bonding layer 8 formed of a polycrystalline silicon material or the like is formed throughout an insulating film 6 and the frame-like projection 7, and a closing plate 10 is bonded to its frame-like part 8A by anodic bonding or the like. - 特許庁

ＳＯＩ基板１１の素子形成領域を取り囲むように溝３５を形成し、側壁に厚い酸化膜１７ａを形成した上で多結晶シリコン１７ｂで埋め込み、トレンチ分離層１７を形成する。例文帳に追加

A groove 35 is formed surrounding an element-forming region of the SOI substrate 11 and a thick oxide film 17a is formed on a side wall and then embedded under a polycrystalline silicon 17b, to form a trench separation layer 17. - 特許庁

アルミナを35質量％以上70質量％以下、炭化チタンを30質量％以上65質量％以下の範囲で含む焼結体からなる磁気ヘッド用基板１であって、前記焼結体の平均結晶粒径が0.25μｍ以下（但し、０μｍを除く）である磁気ヘッド用基板１である。例文帳に追加

The magnetic head substrate 1 is formed with a sintered body including an alumina within a range from 35 mass% to 70 mass% and a titanium carbide within a range from 30 mass% to 65 mass% wherein an average crystalline grain size of the sintered body is 0.25 μm or less (except 0 μm). - 特許庁

天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の（１００）配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記（１００）配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。例文帳に追加

The thin-film electrode is manufactured by forming a conductive thin film on a (100) orientation plane in a single crystal state having cleavage properties as in the cleavage surface of natural mica, bonding the conductive thin film to the substrate via a polymer adhesive layer, and separating the (100) orientation plane. - 特許庁

このように構成するとガラス基板５を介して入射された光束が混合部材４に含まれる結晶２を通過する際にその偏光方向が変化するため、混合部材４からガラス基板５を介して出射される出射光を偏光成分に偏りのない光束とすることができるようになる。例文帳に追加

In such a configuration, the polarization direction changes when the luminous flux incoming via the glass substrate 5 passes through the crystal 2 contained in the mixed member 4, thus setting outgoing light from the mixed member 4 via the glass substrate 5 to be the luminous flux, where there is no bias in the polarization component. - 特許庁

貼り合わせ基板６００において、単結晶シリコン基板２００の表面にイオン遮蔽用マスク３００ａを形成し、酸素イオン４００を注入する。例文帳に追加

A stuck substrate 600 has an ion shielding mask 300a formed on the surface of a silicon substrate 200 and oxygen ions 400 are implanted. - 特許庁

基板上１に、ゲート絶縁膜３０とゲート６０ａとゲート側壁のスペーサ８０ａを形成した後、選択的シリコン成長を適用してゲート上部に多結晶シリコン層１００を成長させ、基板上１には単結晶シリコン層を成長させるショットキー障壁トランジスタの製造方法である。例文帳に追加

In the method for manufacturing Schottky barrier transistor, after a gate insulating film 30, a gate 60a, and a spacer 80a of a sidewall of the gate are formed on a substrate 1, a polycrystalline silicon layer 100 is grown on the gate by applying selective silicon growth, and a single crystal silicon layer is grown on a substrate 1. - 特許庁

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode. - 特許庁

このＬｉＮｂＯ_３配向性薄膜形成方法によって、石英基板上またはＳｉＯ_２上に、図２に示すような＜００１＞方向へ高配向したＬｉＮｂＯ_３結晶薄膜を得ることが可能になった。例文帳に追加

The crystalline thin film of the LiNbO_3 highly oriented to such a <001> direction as shown in the figure is obtained on the quartz crystal or SiO_2 by the method for depositing the oriented thin film of the LiNbO_3. - 特許庁

低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device maintaining a deposition rate even at a low substrate temperature to deposit a crystalline silicon thin film on a substrate, thereby industrially putting the direct deposition of the crystalline silicon thin film onto the substrate into practical use and contriving high performance by using this silicon thin film. - 特許庁

単結晶材料から成る基板の主面に、異方性エッチングにより形成した複数の溝を形成し、これら各溝に光学素子を配設するようにした光実装基板Ｓ１であって、基板の主面は、配設させる光学素子の光軸方向に平行な結晶方位が異なっている複数の溝形成領域を備えていることを特徴とする。例文帳に追加

In an optical mounting board S1 wherein a plurality of grooves formed by anisotropic etching are provided on the main surface of the board consisting of single crystal material and the optical devices are disposed in these respective grooves, the principal surface of the board is provided with a plurality of groove-formed areas where crystal orientations parallel to the optical axis direction of the optical devices to be disposed are different. - 特許庁

ＳＯＩ技術を採用した半導体基板の製造方法において、単結晶シリコン層への欠陥発生を一層確実に防止できる手法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of more surely preventing the generation of defects in a monocrystal silicon layer as to a method for manufacturing a semiconductor substrate by adopting SOI technology. - 特許庁

本発明の太陽電池は、液体シリコン前駆体に結晶質シリコンナノ粒子を分散し、基板１０３上に塗布又は印刷した後、熱処理して液体シリコン前駆体を非晶質シリコン１０４に変形させて形成する。例文帳に追加

The solar cell is manufactured by: dispersing crystalline silicon nanoparticles in a liquid silicon precursor; coating the dispersion on a substrate 103 or printing the substrate with the dispersion; and heating the coated or printed substrate to modify the liquid silicon precursor into amorphous silicon 104. - 特許庁

加工が容易で低コストの基板を用いて、ＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造に有用な、表面が平滑で結晶性の優れたＩＩＩ族窒化物半導体積層物を提供する。例文帳に追加

To provide a group III nitride semiconductor laminate that is useful for manufacturing a group III nitride semiconductor element whose surface is flat and whose crystallinity is excellent using a substrate that is easily processed and of low cost. - 特許庁

領域ごとに透過軸方向の選択可能な偏光分離作用のあるフォトニック結晶偏光子や、領域ごとに遅相軸方向の選択可能な偏光回転作用のあるフォトニック結晶波長板を、石英系光導波路チップの導波路上に挿入することで、偏光多重光コヒーレント通信用９０°ハイブリッドを小型にする。例文帳に追加

The 90° hybrid for polarizing multiplex light coherent communication is miniaturized by inserting a photonic crystal polarizer having polarizing separation action capable of selecting the transmission axis direction for each region, and a photonic crystal wavelength plate having polarizing rotation action capable of selecting the slow phase axis direction for each region into a waveguide of a quartz-based optical waveguide chip. - 特許庁

平板状無機結晶体と水溶性ポリマーを含有する塗膜と樹脂基材を構成要素として含む積層フィルムにおいて、該樹脂基材が一軸配向樹脂フィルムを含むことを特徴とするガスバリア性積層フィルム。例文帳に追加

The gas-barrier laminated film, which comprises a resin base material and a coating film containing a flat plate-shaped inorganic crystal and a water-soluble polymer, is characterized in that the resin base material includes a uniaxially orientated resin film. - 特許庁

本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide polycrystalline silicon enabling to inhibit reduction of conversion efficiencies of solar cells by using the same as a substrate of the solar cells and a method for casting the same. - 特許庁

結晶構造の変化を利用する相変化型光記録媒体において、記録トラックの間に、非晶質状態を保持するガードバンド領域を持つことを特徴とする光記録媒体を主たる構成にしたこと。例文帳に追加

The constitution in this invention is featured in that the optical recording medium has a guard band region between recording tracks to maintain amorphous state in a phase change recording optical recording medium that utilizes the change in crystalline structure. - 特許庁

ＯＦ部やＩＦ部を設けることなく、目視により容易に結晶方位及び表裏を判別でき、しかもデバイス製造プロセス中に高速回転させるても偏心が生じない新規な半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a novel semiconductor wafer, with which a crystal azimuth and the front/back can be easily discriminated visually, without providing an 'OF part' or 'IF part' and further, eccentricity will not occur even when it is made to rotate at a high speed during a device production process. - 特許庁

充分な耐衝撃性・耐熱性と、低いフライングハイトを実現可能な優れた表面平坦性を備えた安価な磁気記録媒体用の多結晶Ｓｉ基板を提供すること。例文帳に追加

To provide an inexpensive polycrystalline Si substrate for magnetic recording media having sufficient impact resistance/heat resistance and excellent surface flatness while achieving low flying height. - 特許庁

凝固界面から３００ｍｍまでの領域の保持温度が１２８０℃以上であれば、当該多結晶シリコンを基板として太陽電池を構成したときにより高い変換効率が期待できるので、望ましい。例文帳に追加

The temperature maintained in the area from the solidification interface to 300 mm is preferably 1,280°C or above since a higher conversion efficiency can be expected when the polycrystal silicon is used as a substrate to constitute a solar cell. - 特許庁

内部に流通させる液体から外部へ少なくとも酸素または栄養分のいずれか一方を透過可能な材質からなる管状部材２と、該管状部材２の周囲に配置された生体組織補填材、幹細胞および多血小板血漿の混合物３と、これらを被覆する生体適合性材料からなる膜４とを備える生体組織再生用移植材１を提供する。例文帳に追加

The implant material 1 for regeneration of a biological tissue comprises a tubular member 2 made of a material allowing at least either oxygen or nourishment from a liquid flowing in the inside to permeate to the outside, a mixture 3 of the biological tissue prosthesis, stem cells and platelet-rich plasma, disposed around the tubular member 2, and a membrane 4 made of a biocompatible material covering the above. - 特許庁

結晶化シリコン層の表面の平坦性やトンネル酸化膜を損なうことなく、半導体膜を所望のように多結晶化する一方で、所望のように、半導体ドットを形成することができ、基板がガラスあるいはプラスチックで形成されている場合にも、容易に、かつ、低コストで、微粒子フローティングゲートを有するメモリ素子を製造することができるメモリ素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method which can form semiconductor dots as desired, while making a semiconductor film polycrystalline without spoiling the planarity of the top surface of a polycrystalline silicon layer and a tunnel oxide film and can easily manufacture a memory element, having a fine particle floating gate easily at a low cost, even when the substrate is made of glass or plastic. - 特許庁

モノリシック光共振器１１０と電気機械変換素子１４０により移動される可動ミラー１３０の間に共振器長制御用のＬＮ結晶板１２０が設けられているので、上記可動ミラー１３０による共振器長の制御と、上記ＬＮ結晶板１２０による共振器長の制御を同時に行う。例文帳に追加

Since an LN crystal plate 120 for controlling resonator length is disposed between a monolithic optical resonator 110 and a movable mirror 130 which is moved by an electromechanical converting element 140, the control of resonator length by means of the movable mirror 130 and the control of resonator length by means of the LN crystal plate 120 are concurrently performed. - 特許庁

結晶成長用基板６６と光波長変換部材５０とが表面活性化接合またはプラズマ接合によって互いに直接接合され、光波長変換部材５０と半導体発光素子６２とが互いに固着される。例文帳に追加

The crystal-growing substrate 66 and the light wavelength conversion member 50 are jointed directly to each other by surface activation jointing or plasma jointing, and the light wavelength conversion member 50 and the semiconductor light-emitting device 62 are mutually adhered. - 特許庁

第１の絶縁層３は熱伝導層２への熱の流出速度を制御する機能を有し、基板１上の温度分布の差を利用して第１の絶縁層３上に単結晶半導体膜を形成する。例文帳に追加

The first insulating layer 3 has a function to control the flow rate of heat that is transferred to the thermal conductive layer 2, and a single-crystal semiconductor film 3 is formed on the first insulating layer 3 taking advantage of a temperature distribution difference on the substrate 1. - 特許庁

レーザ光が直線偏光で発振するようにレーザ共振器の内部に配されるブリュースター窓であって、アルカリ土類金属フッ化物単結晶から成り、表面が平坦化された基板１と、その基板の少なくとも一方の面に形成された多結晶又はアモルファス構造であるフッ化物膜２ａ，２ａ’と、を備える。例文帳に追加

The brewster window is disposed inside a laser oscillator such that laser light is oscillated by linear polarization, and includes: a substrate 1 which is constituted of an alkaline earth metal fluoride monocrystal and of which the surface is flattened; and fluoride films 2a, 2a' of a polycrystal or amorphous structure formed on at least one surface of the substrate. - 特許庁

原料１７を昇華させて、異種基板１１の主表面１１ａを覆うように、ＡｌＮ結晶を成長させることにより、表面１２ａが平坦な第１の層１２が形成される。例文帳に追加

A first layer (12) having a flat surface (12a) is formed by subliming the raw material (17) and growing an AlN crystal so as to cover the main surface (11a) of the substrate (11) of a different type. - 特許庁