「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

もう１つの態様として、金属ケイ素を前記平板状炭化ケイ素種結晶に接触させて層状に配置し、溶融状態の層状の金属ケイ素を介して、炭化ケイ素単結晶を前記炭化ケイ素種結晶上に成長させる。例文帳に追加

In another embodiment, metal silicon is brought into contact with the planar silicon carbide seed crystal to be arranged in the layered state, and a silicon carbide single crystal is grown on the silicon carbide seed crystal through the layered metal silicon in the molten state. - 特許庁

このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。例文帳に追加

At this time, the amorphous silicon is altered into single-crystal silicon through liquid-phase epitaxy to easily form the region differing in crystal plane on the surface of the wafer for the active layer of the laminated substrate. - 特許庁

珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。例文帳に追加

To constitute a semiconductor element from a group III nitride semiconductor layer exhibiting excellent crystallinity and planarity of surface when constituting a semiconductor element by using a group III nitride semiconductor layer on a silicon crystal substrate. - 特許庁

本発明の目的は、結晶シリコン基板を用いた結晶シリコン太陽電池において、光電変換効率に優れたヘテロ接合太陽電池を提供することにある。例文帳に追加

To provide a heterojunction solar cell excellent in photoelectric conversion efficiency, in a crystal silicon solar cell using a crystal silicon substrate. - 特許庁

このような結晶面選択を行うと、研磨速度の結晶面指数依存性に起因して生じる「段差」の程度が軽減され、平坦・平滑な基板面を得ることが可能となる。例文帳に追加

By selecting the crystal surface in this manner, the degree of "level difference" due to the crystal surface index dependency of the polishing speed is reduced, thus obtaining a flat/smooth substrate surface. - 特許庁

圧電膜の成膜・結晶化工程において振動板が変形したり流路基板との陽極接合部が剥がれたりするのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent a diaphragm from being deformed or an anodic joint to a channel substrate from peeling off in a film formation/crystallization process of a piezoelectric element. - 特許庁

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。例文帳に追加

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors. - 特許庁

低駆動電圧光変調器用の基板として使用できるニオブ酸リチウム単結晶ウエーハ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium niobate single crystal wafer which can be used as a substrate for a low driving voltage optical modulator, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

高圧設備を必要とせず、簡便な方法で、結晶の上部から下部に至るまで均一に異種（不純物）元素をＩｎＰ基板中へ添加した半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造する。例文帳に追加

To provide a method for producing a semiinsulating InP single crystal in which a different kind (impurity) of element is added to an InP substrate uniformly from the top to the bottom of crystal by a simple method without requiring a high-pressure facility. - 特許庁

上記キットは患者の血液から多血小板血漿を調製するための構成及び血管新生を必要とする領域へ投与するための構成を含む。例文帳に追加

The kit comprises a formulation for preparing the plethoric platelet plasma from the blood of a patient and a formulation for administering the plasma to an affected part needing neovasculature. - 特許庁

結晶板を無駄なく利用することができ、比較的低コストで高性能の偏光変換装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a polarization conversion device of a relative low cost and high performance in which crystal plates can be effectively used. - 特許庁

シリコン単結晶インゴットを切削加工して形成され、変形が抑制され、耐久性を有する半導体基板熱処理用部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member for heat treating a semiconductor substrate which is formed by cutting a silicon single crystal ingot, is suppressed in deformation, and has durability. - 特許庁

同一基板上に、結晶粒の平均粒径が互いに異なり、各々優れたキャリア移動度を有する２種類の結晶質半導体膜を形成し、それら２種類の結晶質半導体膜を用いて異なる電気特性が要求される各半導体素子に所望の電気特性を得る。例文帳に追加

To provide electrical characteristics demanded of semiconductor elements requiring different electric characteristics using two kinds of crystalline semiconductor films, by forming two kinds of crystalline semiconductor films, having different average crystal particle sizes and superior carrier mobility on the same substrate. - 特許庁

多結晶シリコンの結晶方位を制御することとマスキング剤を使用したＣＭＰ研磨を行うことと基板の主面上に、ＳｉＯ_2酸化膜厚を備えることにより、平坦性を持ち機械的強度や耐熱衝撃性等に優れ、安価な多結晶シリコンダミーウェハを提供する。例文帳に追加

By controlling the crystal orientation of polycrystalline silicon, performing CMP (Chemical Mechanical Polishing) using a masking reagent, and providing an SiO_2 oxide film thickness on the principal plane of the substrate, a low-cost polycrystalline silicon dummy wafer with planarity and excellent in mechanical strength, thermal shock resistance, etc. is provided. - 特許庁

単結晶シリコン層を貼り合わせる絶縁体層表面を平坦化することができる電気光学装置用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an electro-optic device which can flatten the surface of an insulator layer, having a single-crystal silicon layer stuck. - 特許庁

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。例文帳に追加

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10. - 特許庁

半導体素子への適用が可能な低欠陥密度の化合物半導体結晶基板、およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor crystal substrate having a low defect density which can be applied to a semiconductor device, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

微細な貫通孔を容易に且つ高精度に形成できる結晶基板のエッチング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法。例文帳に追加

To provide a crystalline substrate etching method capable of readily and highly precisely forming fine through holes, and a liquid injection head manufacturing method. - 特許庁

一定方位への規則的な結晶配向構造を有する金属含有材料を含む結晶面を有する基板を金属酸化物が析出可能な反応溶液中に浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に金属酸化物結晶を析出させることを特徴とする金属酸化物構造体である。例文帳に追加

The metal oxide structure is obtained by dipping a substrate, having a crystal face comprising a metal-containing material with a regular crystal orientation structure to a fixed orientation, in a reaction solution, in which the metal oxide can be deposited, and depositing the metal oxide crystal on the crystal face comprising the metal-containing material. - 特許庁

氷結晶成長抑制剤は、濃度１０ｍｇ／ｍｌの水溶液が非扁平円盤型の氷晶を析出させる非タンパク質物質からなる。例文帳に追加

The ice crystal growth suppressing agent comprises a nonprotein substance which is precipitated in a 10 mg/mL-dense water solution into disk-shape ice crystals with surfaces not flat. - 特許庁

ミラーシステム２と平板状の結晶部材３と、をそなえ、第１角度が第２角度以下となるように結晶部材３が配置されるとともに、第３角度が第４角度の１／２と実質的に同等となるように結晶部材３が構成される。例文帳に追加

A mirror device includes a mirror system 2 and a flat plate crystal member 3, wherein the crystal member 3 is arranged so that the first angle becomes equal to or less than the second angle, and constituted such that the third angle becomes substantially equal to a half of the fourth angle. - 特許庁

異形のパターンが複数具備された一つのマスクを準備した後、マスクを用いて基板上にアラインキーを形成し、アラインキーからの離隔情報及び隣接したアラインキーの仮想の連結線と平行に結晶化を進める結晶化装置及びこれを利用した結晶化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a crystallization apparatus and a crystallizing method using it, in which alignment keys are formed on a substrate with one mask having a plurality of different patterns, and a crystallization process progresses according to information about distances from the alignment keys and in parallel with imaginary lines connecting adjacent alignment keys. - 特許庁

選択成長用のマスクパターンを、基板の結晶構造と一致させた対称性を持つ基本形をある適当な間隔で平行に並べたものとし、半導体薄膜結晶の選択成長を行う。例文帳に追加

The selective growth of the semiconductor thin film crystal is carried out by forming a mask pattern for the selective growth into the one obtained by arranging root forms having symmetric properties corresponding to the crystal structure of the substrate in parallel at a proper interval. - 特許庁

この方法は、平坦面と、第１の結晶面と同一の第２の結晶面とを形成するプローブ基板を配設することと、特定の腐食剤を使用してプローブ基板からプローブを形成する際に、第１および第２の結晶面が全く同じに配置され、プローブが第１の側壁及び第２の側壁と一致する表面を形成するようにプローブ基板を配置することとをさらに含む。例文帳に追加

The method further comprises providing a probe substrate defining a planar surface and a second crystal plane identical to the first crystal plane and positioning the probe substrate so that the first and the second crystal planes are positioned identically when forming the probe from the probe substrate using the specific etch reagent, and the probe defines congruent surfaces to the first sidewall and the second sidewall. - 特許庁

このような基板３０では、ｃ軸方向に平行に延びる結晶欠陥の影響を受けにくく、結晶欠陥による素子特性の劣化を抑制することができる。例文帳に追加

This type of substrate 30 is hardly affected by a crystal defect extending in parallel with the c-axis direction to make it possible to suppress a deterioration in element characteristic due to the crystal defect. - 特許庁

これにより、ＳｉＣ単結晶基板４のマイクロパイプを高い率で閉塞し、格子欠陥の少ないＳｉＣ単結晶膜を形成することができるようになる。例文帳に追加

Thereby, micropipes in the SiC single crystal substrate 4 is blocked at a high rate, and it becomes possible to form the SiC single crystal film almost free from lattice defects. - 特許庁

光電変換装置１の結晶シリコン粒子１２の受光面に形成される反射防止膜１８は、結晶シリコン粒子１２が接合される基板１１の一主面から最も突出した結晶シリコン粒子１２の頂上部１２ａに向かって膜厚が漸増するように形成される。例文帳に追加

A reflection preventing film 18 formed on a light reception face of crystal silicon particles 12 of the photovoltaic device 1 is formed so that film thickness gradually increases from one main face of a substrate 11 to which the crystal silicon particles 12 are bonded toward a top 12a of the crystal silicon particle 12 which projects the most. - 特許庁

シリコン基板をアニール処理する際に発生するＳＯＩ層への転位等の結晶欠陥導入を容易に抑制し得る。例文帳に追加

To easily suppress introduction of crystal defects, such as dislocation, etc., which are produced on SOI layer in conducting the annealing processing of a silicon substrate. - 特許庁

半導体基板中に存在する結晶欠陥および結晶粒界を効率よく水素終端化し、光電変換効率などの特性を向上させることが可能な太陽電池セルの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a solar cell manufacturing method that improves characteristics such as photoelectric conversion efficiency by efficiently hydrogen-terminating crystal defects and crystal boundaries existing in a semiconductor substrate. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板１１とイリジウム膜又はロジウム膜１２の間に、ヘテロエピタキシャル成長させたＭｇＯ膜１３をさらに有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０’であってもよい。例文帳に追加

Further, a base material 10' for growing single crystal diamond may be used, where the base material having an MgO film 13 heteroepitaxially grown between the single crystal SiC substrate 11 and the iridium film or rhodium film 12. - 特許庁

本発明の板状結晶の製造装置は、原料をルツボ内で加熱溶融し、基板上で原料の結晶を凝固成長させる板状結晶の製造装置であって、ルツボの開口部における辺部縁上に複数の可動式断熱手段を備えることを特徴とする。例文帳に追加

In the apparatus for manufacturing a plate-like crystal, in which a raw material is heated and melted in a crucible and the crystal of the raw material is solidified and grown on the substrate, a plurality of movable heat insulating means are provided on the edge parts of side parts of the opening part of the crucible. - 特許庁

エッチング時に部材の寸法を均一に形成できるようなシリコン単結晶基板材料の選択基準を定量的に表し、そのシリコン単結晶基板を用いたインクジェットヘッド、さらに、そのヘッドを用いた印刷等の記録装置等を得る。例文帳に追加

To show a selection criterion of a silicon mono crystal substrate material quantitatively so as to form the size of a member evenly at etching, and to obtain an ink jet head using a silicon mono crystal substrate and a recoding device such as a printer using the head. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物結晶の表面平坦性改善方法、エピタキシャル成長用基板、および半導体素子例文帳に追加

METHOD FOR IMPROVING SURFACE FLATNESS OF GROUP III NITRIDE CRYSTAL, SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

ＬＣＤなどの平板ディスプレーに使用されるＴＦＴのための多結晶シリコン薄膜を製造する際に、熱処理後の基板の冷却速度を速め、平板ディスプレーの生産性を向上させることができる非晶質シリコン結晶化システムを提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous silicon crystallization system, capable of improving productivity of a flat plate display by increasing the cooling speed of a substrate after heat treatment, when manufacturing a polycrystalline silicon thin film for TFT that is used for the flat plate display, such as LCD. - 特許庁

太陽電池１においては、シリコン単結晶インゴットから切り出されたｐ型シリコン単結晶基板の第一主表面２４ａ上に、多数の溝２が互いに平行に形成されている。例文帳に追加

In this solar battery 1, many grooves 2 are formed in parallel with each other on the first main surface 24a of a p-type single-crystal silicon substrate cut off from a single-crystal silicon ingot. - 特許庁

基板１に形成した結晶性サファイア薄膜５０をシードにして多結晶シリコン等を溶解した低融点金属層からヘテロエピタキシャル成長により単結晶シリコン層７を形成し、この単結晶シリコン層７を表示部−周辺駆動回路一体型のＬＣＤなどの電気光学装置のトップゲート型ＭＯＳＴＦＴに用いる。例文帳に追加

Using a thin film 50 of crystalline sapphire formed on a substrate 1 as a seed, a single crystal silicon layer 7 is formed from a low melting point metal layer of molten polysilicon through heteroepitaxial growth and the single crystal silicon layer 7 is employed in a top gate type MOSFET of an electrooptic device, e.g. a display section-peripheral drive circuit integrated LCD. - 特許庁

製造コストの上昇を抑制しつつ、基板を溶融させることなく、表面が平滑化した多結晶半導体膜を形成する。例文帳に追加

To form a polycrystalline semiconductor film having a surface smoothed without fusing a substrate while suppressing manufacturing cost from rising. - 特許庁

離型材が剥がれることなく、脱型の際のシリコン鋳塊へのクラックの発生を防止して容易に脱型することが可能であり、不純物汚染が少なく、スライス加工等を行わないで、多結晶シリコン基板を製造することができる多結晶シリコン基板鋳造用鋳型およびその製造方法並びに多結晶シリコン基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a molding die for casting a polycrystalline silicon substrate, which casting die does not suffer from separation of a mold release material, enables a silicon ingot to be easily demolded without being cracked, and can produce the polycrystalline silicon substrate silicon ingot less contaminated with impurities without being subjected to slicing, etc., to provide a production method thereof, and to provide a method for producing a polycrystalline silicon substrate. - 特許庁

結晶性物質の原料を収納して結晶成長させる略円筒形状の坩堝であって、結晶成長が開始する前記坩堝の下部の外面側断面形状が上に凸であるか、下部にリング状の平板を有する坩堝と、前記坩堝の円筒面の周囲に沿って配置され、前記坩堝を介して前記原料を加熱して溶融する加熱部とを有する結晶製造装置を提供する。例文帳に追加

The crystal growing equipment comprises: a crucible which is almost cylindrical, containing raw material and growing the crystal, before starting the crystal growth, the lateral sectional shape of lower part of the crucible is convex toward upward, or ring shaped flat plate; a heating part which is arranged around the cylindrical surface of the crucible and heats to melt the raw material via the crucible. - 特許庁

ヘパリン起因性血小板減少症(HIT)を有することが疑われる対象において、HITを検出するのに有用な方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method useful for detecting heparin-induced thrombocytopenia (HIT) in an object suspected of having the HIT. - 特許庁

この光線偏向装置は、入射される光線の波長とは異なるフォトニックバンドギャップ波長を有するように設計されるフォトニック結晶と、フォトニック結晶にエネルギーを印加し、フォトニック結晶の表面に入射される入射光線を偏向させ、入射光線に対して所望の角度をなす透過光線をフォトニック結晶の他面から提供する。例文帳に追加

This ray deflector consists of the photonic crystals designed to have photonic band gap wavelengths different from the wavelength of the incident rays and provides the transmitted rays forming the desired angle with the incident rays by impressing energy to the photonic crystals and deflecting the incident rays made incident on the surfaces of the photonic crystals from the other surfaces of the photonic crystals. - 特許庁

本発明の炭化珪素単結晶基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、導電性を有する炭化珪素単結晶基板であって、前記第１および前記第２の主面のうち、少なくとも一方に加工変質層を有する炭化珪素単結晶基板を用意する工程（Ａ）と、前記加工変質層の少なくとも一部を電解エッチングによって除去する工程（Ｂ）とを包含する。例文帳に追加

The method of manufacturing the silicon carbide single crystal substrate includes a process (A) of preparing a silicon carbide single crystal substrate which has first and second principal surfaces and conductivity, the work-affecting layer being provided on at least one of the first and second principal surfaces; and a process (B) of removing at least a part of the work-affecting layer through electrolytic etching. - 特許庁

新規で有用な結晶方位を有するタンタル酸リチウム単結晶基板を用いて、通過帯域特性の挿入損失や帯域内偏差が最適な弾性表面波フィルタを提供すること、及び、所望の比帯域幅を有する弾性表面波フィルタを容易に設計できる、圧電結晶基板の最適な方位決定方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface acoustic wave filter which has the optimum insertion loss of passing band characteristics and the optimum in-band deviation by using a lithium tantalate single-crystal substrate which has a new and useful crystal azimuth and to provide the optimum azimuth determining method for a piezoelectric crystal substrate which makes it possible to easily design a surface acoustic wave filter having a desired specific band width. - 特許庁

単結晶ＳｉＣ基板１１の単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜又はロジウム膜１２を有する単結晶ダイヤモンド成長用基材１０であって、イリジウム膜又はロジウム膜１２は、単結晶ダイヤモンド成長時に良好なバッファ層として機能する。例文帳に追加

The base material 10 for growing single crystal diamond includes an iridium film or a rhodium film 12 heteroepitaxially grown on a side of a single crystal SiC substrate 11 where single crystal diamond is to be grown, wherein the iridium film or rhodium film 12 functions as a good buffer layer in growing single crystal diamond. - 特許庁

バソプレッシンの低いin vivoの安定性、及び血小板への結合及び血小板からの放出に由来して変化する結果のために、バイオマーカーとしての使用は、急速に生じる分解の影響で、最適化されたサンプルの実施条件であっても極端に制限される。例文帳に追加

To extremely suppress the use as a biomarker even under optimized samples logistics, as the influence of the degradation occurs rapidly, due to a low in vivo stability of vasopression and the variable results due to the binding to and release from blood platelets. - 特許庁