「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ＩｎxＧａyＡｌzＮ半導体結晶を用いた半導体発光素子において、共振面をへき開によって容易に製作できるようにし、さらに安価な基板コストで製作できるようにする。例文帳に追加

To easily manufacture a resonance plane by cleaving, using an InxGayAlzN semiconductor crystal at further lower substrate cost. - 特許庁

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。例文帳に追加

To reduce costs in an SOI substrate 1 which uses so-called smart cutting to obtain a single crystal silicon thin film by implanting hydrogen ions into a single crystal silicon piece 6, sticking the single crystal silicon piece 6 onto a substrate 2 and then performing heat treatment to embrittle hydrogen on the surface where the hydrogen ions are implanted. - 特許庁

単結晶シリコン片６内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片６を基板２に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるＳＯＩ基板１において、低コスト化を図る。例文帳に追加

To attain cost reduction in an SOI substrate 1 using, so-called a smart cut method, constituted so as to perform hydrogen embrittlement on an implantation surface of hydrogen ion to obtain a single-crystal silicon thin film by implanting the hydrogen ion in a single-crystal silicon strip 6, and performing heat treatment after having stuck the single-crystal silicon strip 6 to a substrate 2. - 特許庁

サファイア基板５０の直前で偏平形状を有するライナー管１２を用いて反応ガスがサファイア基板５０の結晶成長面の一端から他端へ均一に流れるように供給する。例文帳に追加

Reaction gas is supplied so as to flow uniformly from one end of the crystal growing surface of a sapphire substrate 50 to the other end, using a liner tube 12 having a flat shape just in front of the sapphire substrate 50. - 特許庁

多結晶シリコン層の薄膜の組み合わせが容易で光電変換効率が高く、基板温度が低くて安価な基板材料が使用でき、短かい時間で比較的膜厚の厚い多結晶半導体薄膜の形成ができ、コスト低減が可能な高品質の結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a crystal silicon thin film semiconductor device, wherein polycrystalline silicon layer thin films can be easily combined so as to keep the device high in photoelectric conversion efficiency, an inexpensive board material can be used because a board temperature is low, a polycrystalline semiconductor thin film of comparatively large thickness can be formed in a short time, and the device can be lessened in cost and enhanced in quality. - 特許庁

ブランケット放射プロセスがアモルファス・シリコン層を選択的に溶融した後、シード層として働く単結晶シリコン基板への接触によって固化プロセス中に単結晶シリコン被膜が形成されるように冷却条件が選択される。例文帳に追加

After a blanket radiation process has selectively melted the amorphous silicon layer, a cooling condition is selected in such a way that a single- crystal silicon film is formed during a solidification process due to its contact with a single-crystal silicon substrate acting as a seed layer. - 特許庁

単結晶基板１と、最下層から最上層に向かって格子定数が段階的若しくは連続的に変化するように単結晶基板１上に形成された格子整合層２と、格子整合層２上に形成された光導波路層６と、を有することを特徴とする光導波路による。例文帳に追加

The optical waveguide has the single crystal substrate 1, a lattice matching layer 2 formed on the single crystal substrate 1 in such a manner that a lattice constant changes stepwise or continuously from the lowermost layer to the uppermost layer and an optical waveguide layer 6 formed on the lattice matching layer 2. - 特許庁

この目的を達成するため、銅と不可避不純物を除き残部が亜鉛である銅−亜鉛合金からなる銅−亜鉛合金板条において、当該銅−亜鉛合金は、亜鉛含有量が６質量％〜１５質量％の丹銅組成を備え、その結晶組織を構成する結晶粒の平均結晶粒径が４μｍ以下であることを特徴とする銅−亜鉛合金板条を採用する。例文帳に追加

In a copper-zinc alloy linear sheet composing the copper-zinc alloy in which the balance is zinc except copper and inevitable impurities, the copper-zinc alloy includes the red brass composition with zinc content of 6-15 mass% and the average crystal grain diameter of the crystal grains constituting its crystal structure is ≤4 μm. - 特許庁

本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。例文帳に追加

A recrystallization energy is applied to the amorphous film to form a single crystal semiconductor film 3 with solid phase growth. - 特許庁

浸漬手段は、坩堝移動手段によって第１チャンバ内で並列になるように配置される２つの坩堝のうちから選択される１つの坩堝に下地基板を浸漬し、下地基板の結晶生成面で多結晶シリコンウエハを凝固成長させる。例文帳に追加

The dipping means can dip the ground substrate into one of crucibles selected from the two crucibles that are arranged in parallel within the first chamber by the crucible-transferring means, and can grow by solidification of a polycrystalline silicon wafer on the surface for crystalline growth of the ground substrate. - 特許庁

ＳＬＳ結晶化技術を利用して単結晶シリコンを形成する際に、既存より非晶質シリコン層を一定範囲内で厚く蒸着して、シリコン層が熔融過程で容易に凝集することを防止して、平板表示装置用薄膜トランジスタの信頼性及び生産収率を向上させる。例文帳に追加

To improve reliability and production yield of a thin film transistor for a flat-type display unit by preventing a silicon layer from becoming easily aggregated in a melting step, by thickly vapor depositing an amorphous silicon layer in a predeter mined range from existing ones, when a single crystal silicon is formed by utilizing SLS crystallization technology. - 特許庁

シリコン単結晶基板に膜厚が１０μｍ以上であるような厚い絶縁膜を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰が小さいコプレーナ線路及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coplaner line with small attenuation caused by leak of electromagnetic waves to a substrate in a millimeter wave band without forming such a thick insulating film with film thickness equal to or more than 10 μm on a silicon monocrystalline substrate. - 特許庁

磁気記録媒体等の情報記録媒体用の基板として適した高剛性（＞130GＰa）の特性を維持する結晶化ガラスであって、高表面平滑性及び高平坦性など性能に優れた、即ち、表面粗さをRaで0.5nm以下に抑えられる結晶化ガラスを提供すること。例文帳に追加

To provide a crystallized glass holding the characteristic of high stiffness (>130 GPa) suitable as a substrate for an information recording medium such as a magnetic recording medium and having excellent characteristics such as high surface smoothness and high surface flatness having a surface roughness Ra suppressed to ≤0.5 nm. - 特許庁

基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。例文帳に追加

To surely and uniformly fill up insulator in a microclearance, formed by columnar crystal structure in a compound semiconductor device, made by forming a columnar crystal structure of nanoscale, called "nanocolumn", nanorod, and so on a substrate. - 特許庁

基板上にナノコラムやナノロッドなどと称されるナノスケールの柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体素子において、絶縁物を柱状結晶構造体による極微細間隙へ確実かつ均一に充填できるようにする。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor element in which a nano-scale columnar crystal structure called as a nano-column or nano-rod is formed on a substrate, wherein an insulator can be surely and uniformly filled in an ultramirco-gap formed by the columnar crystal structure. - 特許庁

光電変換層に接する表面の凹凸高さの二乗平均値Ｒａが７０ｎｍ以下である太陽電池用基板、特にそのうち、少なくとも１つの光電変換素子における活性層が非単結晶シリコンもしくは非単結晶シリコン合金であるとか、光電変換層が単位セルを複数個積層して形成された太陽電池用基板などを提供する。例文帳に追加

In a substrate for a solar battery, the square average value Ra of roughness height on a surface coming into contact with a photoelectric conversion layer is ≤70 nm, especially an active layer of at least one photoelectric conversion element consists of non-monocrystal silicon or non-monocrystal silicon alloy and the photoelectric conversion layer is formed by laminating a plurality of unit cells. - 特許庁

アルミナを６０〜７０質量％、炭化チタンを３０〜４０質量％含有する焼結体からなる磁気ヘッド用基板であって、任意断面の１０μｍ角における炭化チタン結晶粒子７７とアルミナ結晶粒子７９との間の全界面平均長さが１２０μｍ以上である。例文帳に追加

The substrate for a magnetic head includes: a sintered body containing 60 to 70 mass% of alumina and 30-40 mass% of titanium carbide, and the average length in total interface between a titanium carbide crystal particle 77 and an alumina crystal particle 79 at 10 μm angle of arbitration cross-section is 120 μm or more. - 特許庁

窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）を利用した半導体素子の製造性を向上しつつ、ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能な技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for forming a nitride semiconductor layer superior in planarity and crystallinity on a GaN substrate while improving manufacturing characteristics of a semiconductor element utilizing a gallium nitride substrate (GaN substrate). - 特許庁

しかし、オゾン水処理による非晶質シリコン膜表面への極薄シリコン酸化膜の成膜工程を実際の工程に適用した結果、ロット内の一部の基板に於いて、熱結晶化後の結晶質シリコン膜に渦状の模様の発生が認められた。例文帳に追加

As pretreatment of the spin doping process of a catalytic element solution, a step of forming an extremely thin silicon oxide film by ozone water treatment is practically included in the actual process. - 特許庁

酸化ＬＤＬ受容体の動態異常、血小板及び活性化血小板の酸化ＬＤＬ受容体への結合、及び／またはそれらの酸化ＬＤＬ発現細胞内への取込（貪食）に起因する種々疾患、病変過程において白血球の組織への浸潤を伴う種々の疾患（例えば、炎症）、種々の炎症、動脈硬化症、PTCRやPTCA等の術後の血管再狭窄などの種々の疾患の予防及び治療するための医薬組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain the subject composition useful for preventing and treating various diseases by making the composition include a substance capable of combining with oxidized LDL receptor and preventing in vivo ligand from combining with the receptor and a pharmacologically acceptable carrier. - 特許庁

シリコン単結晶基板に膜厚が１０μｍ以上であるような厚い絶縁層を形成することなく、ミリ波帯域での基板への電磁波の漏れによる減衰を抑制する。例文帳に追加

To suppress attenuation by leak of electromagnetic waves to a substrate in a millimeter wave band without forming such a thick insulating layer that film thickness is 10 μm or more on a silicon single crystal substrate. - 特許庁

比抵抗が１×１０^8Ω・ｃｍ〜８×１０^8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a GaAs crystal substrate which has a high specific resistance such a specific resistance of 1×10^8 to 8×10^8 Ω cm and reduces dispersion of a specific resistance value and/or a carrier mobility within a plane parallel to a main crystal surface. - 特許庁

縦型の半導体素子の形成が可能で、かつ、ベース基板のような中間介在物や基板表面の平坦化が必要な貼り合せ工程を必要とせずに製造でき、高品質な単結晶ＳｉＣの使用量を減らすことが可能なＳｉＣ半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a SiC semiconductor substrate which can form a vertical semiconductor device, can be produced without a sticking process requiring the planarization of an intermediate interposing member such as a base substrate and a substrate surface, and can reduce the use amount of a high quality single crystal SiC. - 特許庁

溝部１７に、基板表面に対して５３．５度以上６３．４度以下の傾きを有する結晶面１６ができるように、溝部１７の側壁を含む窒化物半導体基板１０上に、窒化物半導体からなる下地層２１を形成する。例文帳に追加

An underlying layer 21 consisting of nitride semiconductor is formed on the nitride semiconductor substrate 10 including the side walls of the groove 17 so that crystal planes 16 are formed having an inclination ≥53.5° and ≤63.4° with respect to the substrate surface. - 特許庁

基板全面に半導体結晶をエピタキシャル成長させることが可能で、かつサセプタへの基板のセット作業が容易な化合物半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for manufacturing a compound semiconductor, capable of epitaxially growing a semiconductor crystal over the whole surface of a substrate and facilitating the work to set wafers in a susceptor. - 特許庁

このような結晶化方法を採用することで、ＤＶＤのような厚み０．６ｍｍ以下のプラスチック製基板を用いた場合でも、基板変形が的確に防止される。例文帳に追加

By using the crystallization method, deformation of the substrate can be prevented exactly, even when a plastic substrate of ≤0.6 mm thickness, such as DVD, is used. - 特許庁

面方位が（１００）であるシリコンウエハ（単結晶シリコン基板）１を用い、結晶方位依存性を利用した異方性ウエットエッチングを行うことにより、壁面１１ａの面方位が（１１１）である貫通穴１１を、形成する薄膜パターンに対応させた開口部として形成する。例文帳に追加

Performing anisotropic wet etching using crystal orientation dependence using a silicon wafer (a single-crystal silicon substrate) 1 whose face direction is (100), forms penetrating holes 11, whose wall surfaces 11a have face directions of (111), as opening parts correspond to the thin film pattern made to form. - 特許庁

以上のような構成により、前記ファイバーバンドルを１バンドルとしたときには出力端は直径２ｍｍ以下となり、一対の非線形光学結晶で波長変換部を構成できる。例文帳に追加

When the fiber bundle is set as one bundle, its output end diameter is at most 2 mm, and the wavelength converting part can be constituted by using a pair of nonlinear optical crystals. - 特許庁

以上のような構成により、前記ファイバーバンドルを１バンドルとしたときには出力端は直径２ｍｍ以下となり、一対の非線形光学結晶で波長変換部を構成できる。例文帳に追加

By the above-mentioned constitution, the diameter of the output terminal becomes 2 mm or smaller when the fiber bundle is formed in one bundle, and the wavelength changing part is composed of a pair of non-linear optical crystals. - 特許庁

このように、表面がＣ面であるＳｉＣ基板にＡｌＮ、ＧａＮおよびＡｌＧａＮなどの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を結晶成長させることによって、結晶性および周波数特性にすぐれたヘテロ接合電界効果型トランジスタの作製が可能である。例文帳に追加

By making nitride III-V compound semiconductor materials such as AlN, GaN, and AlGaN undergo crystal growth on a SiC substrate whose front face is a C surface, a heterojunction field effect transistor having superior crystallinity and frequency characteristics can be manufactured. - 特許庁

本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。例文帳に追加

To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer. - 特許庁

薄膜トランジスタ用半導体層の材料として、高い正孔移動度を示すｐ形半導体多結晶薄膜を、かつ、低い成膜温度でのプラスチック基板上への成膜をも行うことのできるｐ形半導体多結晶薄膜を、提供する。例文帳に追加

To provide a p-type semiconductor polycrystalline thin film having a high hole mobility and capable of forming the film on a plastic substrate at low film forming temperature for a material of a semiconductor layer for a thin film transistor. - 特許庁

入射側偏光板、液晶パネル、出射側偏光板よりなる液晶ライトバルブにおいて、液晶パネルと出射側偏光板の間に配置される合成石英、溶融石英または結晶性である水晶を基板とするワイヤグリッド偏光板。例文帳に追加

In a liquid crystal light valve comprising a incident side polarizing plate, a liquid crystal panel and an emission side polarizing plate, a synthetic quartz, fused quartz or crystalline quartz crystal arranged between a liquid crystal panel and an emission side polarizing plate is a substrate of a wire grid polarizing plate. - 特許庁

炭化珪素単結晶２２の成長途中に原料ガスの供給を一旦停止するとともにアルゴンガスを流しながら、炭化珪素単結晶２２の成長表面温度を原料ガスの炭化珪素単結晶基板８への供給用の管１０を通してパイロメータ３０で測定する。例文帳に追加

In the method of manufacturing silicon carbide single crystal, the supply of a raw material gas is once stopped on the way of the growth of a silicon carbide single crystal 22, and the growing surface temperature of the silicon carbide single crystal 22 is measured with a pyrometer 30 through a pipe 10 for supplying the raw material gas to a silicon carbide single crystal substrate 8, while making argon gas flow there. - 特許庁

このように、基板の表面側と裏面側からレーザー光を照射して半導体層を直接加熱して、半導体層から基板側への熱伝導制御と、半導体層の基板と水平方向への熱伝導を利用することにより結晶粒の大粒形化を実現している。例文帳に追加

Thus, with the semiconductor layer directly heated under the irradiation of laser beam from the front surface side and the rear surface side of a substrate, the heat conduction control from the semiconductor layer to the substrate side as well as the thermal conductivity of the semiconductor layer to the substrate in horizontal direction are utilized for a large crystal grain. - 特許庁

さらに、前記第１自由面(2)は前記シリコン基板の結晶面｛１１０｝に平行であり、そして前記ステップｃ）が、前記エッチングのステップによってできた前記第２自由面(16)が前記基板(1)基板の面｛１００｝に平行になるように、前記異方性の薬品を浸入させるステップを具えている。例文帳に追加

Furthermore, the first free surface (2) is parallel to the crystalline planes {110} of silicon substrate and the step (c) comprises a progressing step of the anisotropic agent so that the second free surface (16) resulting from the etching step is parallel to the planes {100} of the substrate (1). - 特許庁

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal. - 特許庁

基板とシリコン層との間に電極形成用金属膜が設けられてなるボトムゲート型のシリコン複合体を、短時間で、クラックや反りの発生を小さく抑制しながら、アモルファスシリコンを結晶化させてシリコン層を結晶シリコンよりなるものに変質させることができるアモルファスシリコンの結晶化方法の提供。例文帳に追加

To provide an amorphous silicon crystallizing method for crystallizing amorphous silicon in a short time and with suppressing occurrence of crack or warp in a bottom gate type silicon composite having an electrode forming metal film between a substrate and a silicon layer, thereby denaturing the silicon layer to crystal silicon material. - 特許庁

単結晶シリコン層を貼り合わせる、遮光層と絶縁体層とを形成した光透過性基板の表面を平坦化することができる電気光学装置用基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a substrate for an electro-optic device which can flatten the surface of a light-transmissive substrate, having a light-shielding layer and an insulator layer having a single-crystal silicon layer stuck thereon. - 特許庁

誘電体材料を加圧した際に静電容量が変化するピエゾ誘電効果を利用した感圧センサ素子１において、誘電体材料として反強誘電体セラミックス板２若しくは反強誘電体単結晶板を用いた。例文帳に追加

In the pressure sensitive sensor element 1 using the piezo-dielectric effect where the capacitance varies when the dielectric material is pressurized, an antiferroelectric ceramic plate 2 or an antiferroelectric single crystal plate is used as the dielectric material. - 特許庁

高輝度発光素子等の高電力印加素子用基板として、素子内部に蓄積される熱を減らし素子の寿命を増加させることができる高熱伝導の窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a single-crystal gallium nitride substrate having high thermal conductivity which may reduce heat accumulated inside a device to increase durability of the device as a substrate for a high power impressing device such as a high-luminescent light emitting device. - 特許庁

シリコンドープ型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。例文帳に追加

To provide a Zn-doped GaAs single crystal wafer which has a suppressed average dislocation density nearly equal to that of a silicon dope-type wafer, and thereby, can be used as a substrate for semiconductor laser for an optical pick-up, or the like. - 特許庁

新たな成長層にてマイクロパイプ欠陥を閉塞させるのではなく、炭化珪素単結晶基板に存在しているマイクロパイプ欠陥を閉塞させることができるようにする。例文帳に追加

To block the micro pipe defects in the silicon carbide single crystal substrate but not to block the micro pipe defects in a new growth layer. - 特許庁

基板１の表面上への結晶半導体粒子４の溶着を安定させることができ、低コストで、高性能な光電変換装置を得ることができる。例文帳に追加

The fusion welding of the crystal semiconductor particles 4 onto the surface of the substrate 1 can be stabilized whereby the low cost and high performance photoelectric converter can be obtained. - 特許庁

微結晶シリコンあるいはナノクリスタルシリコンからなるＴＦＴを有機ＥＬデイスプレイ駆動用のＴＦＴとして具備し、さらに有機ＥＬデイスプレイを動作させる周辺回路用として大粒径のラテラル多結晶シリコンからなる多結晶シリコンＴＦＴを具備し、かつ両者は一つの基板上に一体形成されてなる半導体装置。例文帳に追加

The semiconductor device has a TFT made of microcrystal silicon or nanocrystal silicon as a TFT for driving the organic EL display and also has a polysilicon TFT made of lateral polysilicon of large grain size for a peripheral circuit for operating the organic EL display, both of them being formed in one body on one substrate. - 特許庁