「へいきんけっしょうばんようせき」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

また、シリコン単結晶基板を侵すインクを使用しても、流路形成基板１０が酸化ジルコニウムを含んでいるので、インクからの保護のための保護膜を形成する工程が省略でき、製造コストの低減したインクジェット式記録ヘッド１の製造方法を得ることができる。例文帳に追加

Even when an ink by which the silicon single crystal substrate is invaded is used, a step of forming a protective film for protection from the ink can be skipped because the flow path forming substrate 10 contains zirconium oxide, so that the method for manufacturing the inkjet type recording head 1 reduced in manufacturing cost can be obtained. - 特許庁

炭化珪素基板の製造方法は、単結晶炭化珪素からなる複数のＳｉＣ基板２０を準備する工程と、複数のＳｉＣ基板２０を平面的に見て複数並べて配置した状態で、複数のＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｃに接触するように支持基板１０を配置する工程と、支持基板１０により複数のＳｉＣ基板２０同士を接続する工程とを備えている。例文帳に追加

The method of manufacturing a silicon carbide substrate includes a step of preparing a plurality of SiC substrates 20 consisting of single crystal silicon carbide, a step of arranging a supporting substrate 10 to touch one main surfaces 20C of the plurality of SiC substrates 20 while the plurality of SiC substrates 20 are arranged side by side in plan view, and a step of interconnecting the plurality of SiC substrates 20 by means of the supporting substrate 10. - 特許庁

本発明のガラス基板熱処理用セッターは、結晶化ガラス又はセラミックス焼結体からなり、載置面において深さ３μｍ以上の凹部が、平均して５００μｍあたり１つ以上の割合で存在することを特徴とする。例文帳に追加

The setter for heat-treating the glass substrate consists of crystallized glass or a ceramic sintered body and is characterized by that a recessed part having a depth of 3 μm or more exists one or more per 500 μm on average on a placing surface. - 特許庁

こうして形成された薄膜太陽電池の光電変換素子構造は基板に垂直な方向に柱状に成長している結晶質半導体層により形成されている。例文帳に追加

The photoelectric transducer structure of the thin-film solar cell thus formed is formed of the crystalline semiconductor layer growing as pillars in the direction vertical to the substrate. - 特許庁

波長変換用基板１は、強誘電性単結晶からなるＺ板からなり、周期分極反転構造２が形成されており、基本光１５の入射面１ｃ、波長変換光の出射面１ｄ、＋Ｚ面１ａおよび−Ｚ面１ｂを備えている。例文帳に追加

A substrate 1 for wavelength conversion consists of the Z plate consisting of the ferroelectric single crystal, the periodic polarization reversal structure 2 is formed therein, and includes an incident surface 1c of basic light 15, an emitting surface 1d of wavelength conversion light, a +Z surface 1a and a -Z surface 1b. - 特許庁

平面表示装置を構成する絶縁基板上に、各種の回路に必要な性能の結晶状態のシリコン膜を能動層形成時のアライメントマーク加工工程を削減して、高スループット、低コスト化を実現する。例文帳に追加

To reduce the number of alignment mark processing step during the formation of an active layer of a silicon film in a crystalline state, which is necessary for various circuits, on an insulating substrate that constitutes a flat display device, and thereby to achieve a high throughput and a low cost. - 特許庁

その後、多孔質シリコン層３内の剥離層３Ａにおいて、エピタキシャル膜４からなる光電変換部を単結晶シリコン基板５から剥離することにより、太陽電池素子を製造する。例文帳に追加

Thereafter, a solar battery element can be manufactured by removing the photoelectric converting part, consisting of the epitaxial film 4 from the single-crystal silicon substrate 5 at the separation layer 3A in the porous silicon layer 3. - 特許庁

支持基板上にダイヤモンド膜を形成したダイヤモンド基板上へのＸ線あるいは電子線等の吸収体膜もしくは散乱体膜の製膜工程において、ダイヤモンド膜の結晶性を劣化させることなく、容易に吸収体膜もしくは散乱体膜の製膜を行うことができるリソグラフィ用マスク基板の製造方法及びマスク基板、特にマスクブランクスを提供する。例文帳に追加

To provide a mask substrate, in particular mask blank, and a manufacturing method of a mask substrate for lithography that can form a film that absorbs or scatters both the X-ray and the electron beam without deteriorating the crystallinity of the diamond film formed on a supporting substrate. - 特許庁

炭化珪素単結晶基板の精密研磨において、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような精度の高い表面研磨を達成しつつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨スラリーを提供することにある。例文帳に追加

To provide a polishing slurry that can establish highly accurate surface polishing at high surface flatness, small surface roughness without generating micro scratches or micro pits and processing deteriorated layers on the surface, as well as high polishing speed when precisely polishing a silicon carbide single crystal substrate. - 特許庁

組織が均一であり、再加熱時の結晶粒の粗大化を抑制可能な厚板用鋼材およびその素材となる鋳片の連続鋳造方法を提供する。例文帳に追加

To provide thick plate steel that has a homogeneous structure and can suppress coarsening of crystal grains at reheating, and a method for continuous casting of an ingot as a raw material. - 特許庁

ＣＺ法による単結晶引上げ装置に使用される、例えば石英ルツボの支持ルツボやヒータ、遮蔽板などの高温部材として好適なＣ／Ｃ部材を提供すること。例文帳に追加

To provide a C/C member suitable as a member used at a high temperature, e.g. a supporting crucible for a quartz crucible, a heater, a shielding plate or the like, which is incorporated in a single crystal pulling device based on a CZ-method. - 特許庁

基板上に塗布されたシリコン粉末に対して短時間かつ容易に不純物を導入して、ヘテロ接合を有した多結晶シリコン膜を形成する技術を提供すること。例文帳に追加

To provide a technique for forming a polycrystalline silicon film, having a heterojunction, by quickly and easily introducing impurities into silicon powder coated on a substrate. - 特許庁

コラーゲン誘発性の血小板凝集を阻害するヘパリン様化合物、及び血管または毛細血管の傷害および介入による動脈血栓の予防的処置における使用法の提供。例文帳に追加

To provide heparin-like compounds inhibiting collagen-induced platelet aggregation, and to provide their use for prophylactic treatment of arterial thrombosis associated with vascular or capillary injury and intervention. - 特許庁

電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池としての変換効率が高く維持された多結晶シリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and method for producing a silicon ingot by using electromagnetic induction heating and plasma heating in combination, allowing production of a polycrystalline silicon ingot which is used as a substrate material for a solar battery and which maintains high conversion efficiency as a solar battery. - 特許庁

炭化珪素基板２上に炭化珪素単結晶５を製造する方法において、原料３の昇華組成のズレや変動要因及びこれらが生成する単結晶５に与える影響等をなくすため、炭化珪素原料３を収容するルツボ１として内面が炭化タンタルで被覆された黒鉛ルツボ１を使用する。例文帳に追加

The method for producing the silicon carbide single crystal 5 on a silicon carbide substrate 2 uses a graphite crucible 1 having an inner surface covered with tantalum carbide as a crucible 1 for storing a raw material 3 for silicon carbide in order to eliminate the deviation and a variation factor of a sublimed composition of the raw material 3, and the influence on the single crystal 5 caused by the factors. - 特許庁

血小板の粘着および活性化を抑制する血液適合性材料として、特定の平衡含水率を有する血液適合性高分子を提供し、また該血液適合性高分子とヘパリンとを血液と接触する表面に有する医療用器具の提供。例文帳に追加

To obtain a blood-compatible polymer having a specific equilibrium moisture content as a blood-compatible material for inhibiting adhesion and activation of platelets; and to provide a tool for medical care, having the blood-compatible polymer and heparin on a surface contacting with the blood. - 特許庁

エピタキシャル成長に寄与しなかった原料溶液を原料溶液受けに落下させる際の落下速度をコントロールすることで、基板表面に残る原料溶液を減らし、結晶欠陥部を少なくすることが可能な発光ダイオード用エピタキシャルウェハの成長方法を提供する。例文帳に追加

To provide a growth method of an epitaxial wafer for a light emitting diode capable of reducing material solution left on a substrate surface and reducing a crystal defective part by controlling a dropping speed in dropping the material solution not having contributed to epitaxial growth into a material solution receiver. - 特許庁

赤色から近赤外線領域の連続発振レーザビームと可視光線から紫外線領域のパルスレーザビームを組み合わせ、基板上に蒸着された非晶質状態のシリコン薄膜を多結晶状態のシリコン薄膜に変換するＴＦＴ用多結晶シリコン薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a polysilicon thin film for TFTs, in which a combination of a continuous-wave laser beam having a wavelength range of red light to near-infrared light and a pulse laser beam having a wavelength range of visible light to ultraviolet light is used to transform an amorphous silicon thin film deposited on a substrate into a polycrystalline silicon thin film. - 特許庁

結晶シリコン基板を用いた光電変換装置において、シリコンインゴットの利用効率を高めることができる経済的な方法によって、Ｆｅ等の不純物の影響を減少させた高い電気的特性を有する光電変換装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an economical manufacturing method which can improve use efficiency of a silicon ingot, and a photoelectric converter having high electrical property wherein impact of dopant like Fe is decreased by the method. - 特許庁

透明性基板１上に形成された透明性導電膜２の上面に、結晶性ｎ型半導体と、アナターゼ型低結晶性を有する過酸化チタンと、低沸点媒体とからなる光電変換素子用塗布組成物を塗布し、５０℃〜２５０℃の温度条件下で、焼結することで、半導体膜３を成膜し、光電変換素子１０を形成する。例文帳に追加

This coating composition for a photoelectric conversion element comprising a crystalline n-type semiconductor, titanium peroxide having an anatase type low-crystallinity and a low-boiling-point medium is applied to the upper surface of a transparent conductive film 2 formed on a transparent substrate 1, and sintered in a temperature condition of 50-250°C to form a semiconductor film 3 so that this photoelectric conversion element 10 is formed. - 特許庁

結晶化前の粘度が１０^6.0Ｐａ・ｓ以下の結晶化ガラスを含むグリーンシートの表面に電極形成用の電極ペーストを付与する工程と、電極ペーストを付与したグリーンシートを積層、圧着して、積層圧着体を形成する工程と、積層圧着体を焼成する工程を経て多層基板を製造する。例文帳に追加

Manufacturing processes of the multilayer board comprises a process for applying an electrode paste on the surface of a green sheet containing a crystallized glass with the viscosity before crystallization of ≤10 6.0 Pa.s in order to form electrodes, a process for forming a laminated compression body by laminating and compressing the green sheet on which the electrode paste is applied, and a process for sintering the laminated compression body. - 特許庁

支持体（基板）上に、下記一般式（１）で表される蛍光体（柱状結晶）を含有する蛍光体層を形成後に、蛍光体（柱状結晶）を覆うようにポリウレア（ＰＵ：ポリ尿素）膜とＳｉＯｘ或いはＡｌ_2Ｏ_3を組み合わせた積層構成の保護層を有することを特徴とする放射線画像変換パネル。例文帳に追加

The radiographic image conversion panel has a protective layer composed of a laminated layers, by combining a polyurea (PU) film with SiOx or Al_2O_3 so as to cover phosphors (columnar crystals), after forming a phosphor layer containing the phosphors (the columnar crystals) expressed in general Formula (1) on a support (substrate). - 特許庁

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が特定方向に配向のすることがない、ランダム配向している。例文帳に追加

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented randomly without being oriented in a specific direction. - 特許庁

Ｓｉ含浸ＳｉＣまたは再結晶ＳｉＣなどの高温強度の高い耐火物からなる断面Ｕ字状の支持ビーム４の内部に、複数個に分割された平板瓦焼成用棚台１を配置した。例文帳に追加

The shelf plates 1 for firing the flat plate tile divided into a plurality of pieces are arranged at the inside of a supporting beam 4 having a U-shaped cross section and consisting of a refractory material having high strength at a high temperature such as an Si-impregnated SiC or a recrystallized SiC. - 特許庁

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が（１１１）面に配向している。例文帳に追加

In a variable capacitor formed by sequentially laminating a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 whose the dielectric constant varies by applying an outer control voltage, and a upper electrode 4 on a holding substrate 1, the dielectric layer 3 consists of perovskite oxide crystalline particles containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystalline particle is oriented to the face (111). - 特許庁

シリコン単結晶基板に替わる樹脂基板を用い、エキシマレーザ加工に替わるエッチング手段により、円筒状孔と弧状孔とが連通してなる二段形状のノズル孔を形成した、インクジェットヘッド用のノズル基板を提供する。例文帳に追加

To provide a nozzle substrate for ink jet head which forms a nozzle hole of double stage type by connecting a cylindrical hole with an arc-shaped hole by an etching means in stead of an excimer laser treatment, utilizing a resin substrate in stead of a silicon single crystal substrate. - 特許庁

支持基板１上に下部電極層２、外部制御電圧を印加することにより誘電率が変化する誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる可変容量コンデンサにおいて、前記誘電体層３が、少なくともBa、Sr、Tiを含有するペロブスカイト型酸化物結晶粒子からなり、その結晶粒子が（１１０）面に配向している。例文帳に追加

In the variable capacity capacitor where a lower electrode layer 2, a dielectric layer 3 where a dielectric rate changes by applying an external control voltage, and an upper electrode layer 4 are deposited successively, the dielectric layer 3 is made of a Perovskite type oxide crystal particle containing at least Ba, Sr, and Ti, and the crystal particle is oriented on (110) surface. - 特許庁

シート抵抗が十分低く、巨大結晶粒の形成を防止し表面の平滑性を確保し、高い生産性を維持しながら、有機ＥＬガラス基板用薄板ガラス表面への透明導電膜等の薄膜、特に酸化スズ膜の成膜された薄板ガラス条を製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a thin sheet glass strip in which a thin film such as a transparent conductive film, particularly a tin oxide film is deposited on a surface of thin sheet glass for an organic EL glass substrate, while achieving a sufficiently low sheet resistance, preventing the formation of large crystal grains so as to ensure surface smoothness, and maintaining high productivity. - 特許庁

単結晶基板において、互いに対向し、少なくとも一方が鉄ガーネット単結晶膜の育成される膜育成面として用いられる表面１０、１１と、表面１０、１１のそれぞれの外周部の間に位置し、１．０μｍ以下の算術平均粗さＲａに形成された側面１２とを有するように構成する。例文帳に追加

The single crystal substrate has surfaces 10, 11 opposing to each other, at least one of which is used as a surface for growing an iron garnet single crystal film, and a side face 12 situated between respective outer peripheral parts of the surfaces 10, 11 and formed to have an arithmetical average roughness Ra of ≤1.0 μm. - 特許庁

半導体基板の所定の部分に形成された素子を発生源とするノイズの横方向への伝搬に係るクロストークの発生を抑制でき、ＱファクターのＱ値の低下を防止して信号損失を小さくでき、シリコン基板のような結晶性の良くない基板でもＬＳＩ集積回路を形成するのに好適な半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of suppressing crosstalk relating to the propagation in a horizontal direction of noise whose generation source is an element formed at a prescribed part of a semiconductor substrate, preventing the decline of a Q value of a Q factor, reducing signal loss and being suitable for forming an LSI integrated circuit even by a substrate with bad crystallinity such as a silicon substrate, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

表面の結晶に欠陥が少なく、かつSOIの構造を有する領域とSOIの構造を有しない領域との間に段差がない平坦な表面を有する半導体装置用基板の製造方法および半導体装置用基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a substrate of semiconductor device, and a substrate of semiconductor device, having a flat surface between a region having an SOI structure and a region having no SOI structure in which crystal defect is suppressed on the surface. - 特許庁

ｐ型結晶Ｇｅ（基板）／ｉ型非晶質シリコン半導体層／ｎ型非晶質シリコン半導体層からなるヘテロ接合セルを有する太陽電池の発電特性を向上させることのできる光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a photoelectric conversion device capable of improving electric power generation characteristics of a solar cell having a hetero junction cell composed of a p-type crystal Ge (substrate), an i-type amorphous silicon semiconductor layer, and an n-type amorphous silicon semiconductor layer. - 特許庁

ガラス基板１０１上にａ−Ｓi膜１０２aを形成した後、ａ−Ｓi膜１０２aの結晶成長を助長するニッケルを溶質として溶媒に溶解させた流動体の液滴１０３をインクジェット式ヘッド１０４から吐出させてａ−Ｓi膜１０２a上に付着させる。例文帳に追加

An a-Si film 102a is formed on a glass substrate 101, and then droplets 103 of fluid composed of a solvent and nickel dissolved in it as a solute are discharged from an inkjet head 104 and attached onto the a-Si film 102a. - 特許庁

ＡｌＮ単結晶基板について、例えば平均粒径０．１μｍのアルミナ砥粒を１０重量％分散させてあり、かつｐＨがほぼ５から１０の間の研磨液を用いて、平均研磨量が１μｍとなるような研磨を行う。例文帳に追加

When the AlN single crystal substrate is polished, alumina abrasive grains having an average particle diameter of, e.g., 0.1 μm are dispersed in an amount of 10 wt.%, a polishing liquid having a pH value of about 5-10 is used, and polishing is performed so that the average polishing amount becomes 1 μm. - 特許庁

多結晶シリコン膜を採用した薄膜トランジスタの製造方法、それによって製造された薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタを具備した平板表示装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING FILM TRANSISTOR USING POLYCRYSTALLINE SILICON FILM,FILM TRANSISTOR MANUFACTURED BY IT, AND FLAT PLATE DISPLAY HAVING THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means capable of easily controlling the supply ratio of metal and active nitrogen species and forming a nitrogen semiconductor thin film having superior crystal quality and surface flatness for a method of manufacturing the nitride semiconductor thin film in which the metal and active nitrogen species are supplied onto a substrate to react with each other. - 特許庁

電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池特性（ライフタイム）が良好に維持された多結晶シリコンを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for producing a silicon ingot, which uses a plasma heating system and an electromagnetic induction heating system in combination and allows the production of polycrystalline silicon used as a substrate material for a solar cell and satisfactorily maintaining solar cell characteristics (life time), and to provide a method for producing a silicon ingot. - 特許庁

基板上に形成された、少なくとも保護層、記録層を含む多層膜を有し、記録層の結晶相とアモルファス相との間の可逆的な相変化を利用して、情報の記録・消去を行なう相変化光記録媒体において、前記保護層を酸化物を主成分とする膜で構成する。例文帳に追加

In a phase change optical recording medium which has multilayers containing at least a protection layer and a recording layer formed on a base plate to record and erase information using a reversible phase change between a crystalline and amorphous phases of a recording layer, the protection layer consists of films mainly containing an oxide. - 特許庁

本発明の目的は、基板の表面全体に有効領域を形成でき、従来のフォトニック結晶の製造方法に比べ、要求に応じた寸法や凹凸の方向に対する角度で、所望個数の偏光子を安価に得ることが可能な偏光子の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for producing a polarizer in which an effective region can be formed over the whole of the surface of a substrate, and, the desired number of polarizers can be inexpensively obtained with dimensions corresponding to a request and at an angle to the direction of ruggedness compared with the conventional production method for photonic crystals. - 特許庁

硼素とリンとを含む気体と、それを随伴する搬送用気体とを、気相成長炉内に流通させて、気相成長炉の内壁に、硼素とリンとを含んでなる被膜を形成した後、珪素単結晶基板上にリン化硼素系半導体層を気相成長させる。例文帳に追加

After a coating film containing boron and phosphorus is formed on an internal wall of the vapor phase growth furnace by passing a gas containing boron and phosphorus and a carrier gas accompanied by the gas through the furnace, the boron phosphide-based semiconductor layer is vapor- phase grown on the single-crystal silicon substrate. - 特許庁

電極間に挟持された結晶板から構成される振動子と、前記振動子上に試料を保持するためのセルとを備えるバイオセンサー装置であって、前記振動子上の前記試料の表面を、前記振動子と平行な面に対して凹面を形成するようにしたことを特徴とする。例文帳に追加

In the biosensor device equipped with the vibrator constituted of a crystal plate held between electrodes and a cell for holding the sample on the vibrator, the surface of the sample on the vibrator is formed into a recessed surface with respect to the surface parallel to the vibrator. - 特許庁

この液晶光偏向器１０は、１／２波長板１１と、それを挟んで配置された二つの液晶セル１２，１２で構成されており、その液晶セル１２，１２は、屈折性を有していて、交流電源に接続されており、印加電圧によって、結晶軸方向を変え得るようになっている。例文帳に追加

The liquid crystal light deflector 10 is composed of a 1/2 wavelength plate 11 and two liquid crystal cells 12 arranged by holding it in between, and the liquid crystal cells 12 have a refracting property, and are connected to an AC power source, so that the direction of a crystal axis is changed by applied voltage. - 特許庁

低コストであり、且つ研磨される表面の欠陥及び平滑性に関して優れた研磨スラリー、表面平滑性の高い情報記録媒体用結晶化ガラス基板の製造方法、及び高性能の情報記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain low-cost polishing slurry that has excellent effect with respect to defects and smoothness of the surface to be polished and to provide a method for producing a crystallized glass substrate for an information recording medium having high surface smoothness and a method for producing a high-performance information recording medium. - 特許庁

結晶化特性が向上するために移動度が増大し、高解像度の駆動回路部一体型液晶表示装置用ＣＭＯＳ素子に利用することができ、また平板表示装置用素子としても広範囲に適用することができる長所を有する。例文帳に追加

Since the crystallization characteristics are improved, the mobility is increased, and hence the method can be utilized for a CMOS element for a drive-circuit integral type liquid crystal display unit, having high resolution, and the method has the advantage of being able to apply in a wide range as a device for the flat-type display unit. - 特許庁

ターゲット１から叩き出されるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ等の金属原子の平均自由工程がターゲット−基板間距離より長くなるように、成膜チャンバー１０内のスパッタリングガス圧を制御することで、後焼成により極めて高配向に結晶化しやすい酸化物薄膜を成膜する。例文帳に追加

Then, the crystals in the formed oxide thin film are easily oriented to the same direction when baked later. - 特許庁