「ゲート特性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ゲートもしくはダミーゲートのゲート長が不規則な標準セルにおいて、特性のばらつきを抑制する。例文帳に追加

To control variation in characteristics in a standard cell with irregular gate length of a gate or a dummy gate. - 特許庁

ＩＧＢＴのゲートの絶縁が劣化し、ゲート−エミッタ間の漏れ電流が増加し、オン時のゲート電圧、あるいはオフ時のゲート電圧がゲート−エミッタ間に印加されていない場合の素子特性の異常を精度良く検知する。例文帳に追加

To detect abnormality of element characteristics accurately when the gate-emitter leak current increases due to deterioration of insulation at the gate of an IGBT and the ON or OFF gate voltage is not applied between the gate and the emitter. - 特許庁

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber. - 特許庁

トレンチ型のゲート電極を有し、耐圧特性が高く、かつ、耐圧特性に製造誤差が生じ難い絶縁ゲート型トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an insulated gate transistor, having a trench gate electrode with a high breakdown voltage characteristic, hardly producing a manufacturing error in the breakdown voltage characteristic. - 特許庁

論理ゲートを構成するトランジスタの特性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress characteristic deterioration of a transistor, which constitutes a logic gate. - 特許庁

このようにすれば、センス電流のゲート電圧特性を抑制できる。例文帳に追加

Thus, gate voltage characteristics of a sense current can be suppressed. - 特許庁

そのため、ゲート抵抗が小さくなり、高周波特性が改善される。例文帳に追加

Consequently, the gate resistance is reduced and the high frequency property is improved. - 特許庁

消去特性の優れたスプリットゲート型メモリセルを提供する。例文帳に追加

To obtain a split-gate type memory cell having superior erasure characteristics. - 特許庁

熱交換特性、設置作業性に優れたコルゲートフィンを作製する。例文帳に追加

To manufacture a corrugated fin excellent in heat exchanging characteristic and installation workability. - 特許庁

バックゲート特性が不良である半導体素子の作製を抑制することができるバックゲート特性判定方法及びバックゲート特性判定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a back gate characteristic judging method and a back gate characteristic judging device capable of suppressing the manufacture of a semiconductor element for which back gate characteristics are defective. - 特許庁

絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法、絶縁ゲート型トランジスタの製造方法、絶縁ゲート型トランジスタの特性評価装置、および特性評価プログラムを記録してあるコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

CHARACTERISTIC EVALUATING METHOD AND DEVICE OF INSULATED GATE TRANSISTOR, MANUFACTURE THERE OF AND READING COMPUTER WHEREIN CHACTERISTIC EVALUATING PROGRAM IS RECORDED. - 特許庁

絶縁ゲート型トランジスタの特性評価方法、絶縁ゲート型トランジスタの製造方法、絶縁ゲート型トランジスタの特性評価装置、および特性評価プログラムを記録してあるコンピュータ読み取り可能な記録媒体例文帳に追加

METHOD FOR EVALUATING INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE INSULATION-GATE-TYPE TRANSISTOR, DEVICE FOR EVALUATING CHARACTERISTIC OF INSULATION-GATE TYPE TRANSISTOR, AND COMPUTER READER WITH CHARACTERISTIC EVALUATION PROGRAM RECORDED THEREIN - 特許庁

これにより後続のゲート酸化膜形成工程で均一な厚さのゲート酸化膜が形成できるので、ゲート酸化膜の特性の劣化が防止でき、ゲート酸化膜の信頼性が低下することが防止できる。例文帳に追加

This forms a gate oxide film with uniform thickness in a succeeding gate oxide film formation processes prevents deterioration of the characteristics of the gate oxide film, and hence prevents lowering of the reliability of the gate oxide film. - 特許庁

トレンチゲート構造を有する半導体装置において、トレンチゲート構造の抵抗を低減しつつ、デバイス特性の低下を防止すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a trench gate structure, device characteristics being prevented from decreasing while the resistance of the trench gate structure is reduced. - 特許庁

そしてフラッシュメモリーのゲート電極１１を形成した後、ゲート電極の保護と特性安定化のための酸化膜１２を熱酸化形成する。例文帳に追加

After a flash memory gate electrode 11 is formed, a thermal oxide film 12 is formed by thermal oxidation for protecting the gate electrode and stabilizing its characteristics. - 特許庁

セレクトトランジスタのゲート線駆動用トランジスタのゲート酸化膜を薄膜化することで、スイッチング特性は向上する。例文帳に追加

Switching characteristics are improved, by thinning the gate oxide film of the gate line driving transistor of the select transistor. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴの実測サイズ（ゲート長／ゲート幅）に基づいて、所望のサイズを有するＭＯＳＦＥＴの電気特性を精度高く予測する。例文帳に追加

To highly accurately estimate the electric characteristic of MOSFET having a desired size based on the real size (gate length/ gate width) of MOSFET. - 特許庁

この高誘電体膜１０６をＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜として用いることにより、ゲートリーク特性の良好なＭＩＳＦＥＴが得られる。例文帳に追加

When the high dielectric film 106 is employed as the gate insulation film of an MISFET, an MISFET having good gate leak characteristics can be obtained. - 特許庁

ゲート絶縁膜に所望の大きさでバーズビークが形成され、ゲート絶縁膜の電気的特性に優れた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having excellent electrical characteristics of the gate insulation film in which a bird's beak is formed in the desired size to the gate insulation film. - 特許庁

結晶性半導体を用いるボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、そのゲート電圧−ドレイン電流特性を向上させる。例文帳に追加

To improve gate voltage-drain current characteristics in a bottom gate type thin film transistor employing a crystalline semiconductor. - 特許庁

ＧａＮ系半導体／ゲート絶縁膜の界面特性、及び、ゲート絶縁膜の膜質が共に良好である半導体トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor transistor that has both superior interface properties between a GaN-based semiconductor and a gate insulator and superior film quality of the gate insulator. - 特許庁

ゲート絶縁膜に対するチャージダメージを抑止しつつ、ギャップフィル特性のよい層間絶縁膜をゲート絶縁膜上に形成する。例文帳に追加

To provide an interlayer insulating film having a satisfactory gap-fill performance on a gate insulating film by suppressing a charge-damage to the gate insulating film. - 特許庁

電界効果トランジスタの周波数特性の低下を抑制し、かつ、オンゲートリーク電流及びオフゲートリーク電流の抑制を行う。例文帳に追加

To restrain the deterioration of the frequency characteristic of a field effect transistor and to control the on-gate and off-gate leak currents. - 特許庁

安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型ＨＦＥＴを製造することができるリセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法を提供する。例文帳に追加

To manufacture the recess gate type HFET having stable normally off characteristic. - 特許庁

サイドゲート５または読み出しゲート７の電圧により、細線４を流れる電流を独立に制御でき、種々の素子特性を実現できる。例文帳に追加

A current flowing into the fine-lead 4 can be controlled independently with a voltage of the side gate 5 or read gate 7 to realize various element characteristics. - 特許庁

ゲート端子がバックゲート端子と同電位になり、ＰチャンネルＦＥＴ１２の特性劣化を防止できる。例文帳に追加

The gate terminal becomes the same potential as that of a back gate terminal, and can prevent characteristic deterioration of the P-channel FET 12. - 特許庁

単一の金属ゲートの製造工程にダマシーン工程を追加、行うことによって、優れた素子特性を備えたデュアル金属ゲートを形成する。例文帳に追加

To form a dual gate having good element characteristics by adding and carrying out a damascene process in the manufacturing process of a single metal gate. - 特許庁

対向する二つの記憶素子のコントロールゲートのゲート長に起因する記憶素子の特性のばらつきを抑制する。例文帳に追加

To minimize variation in characteristics of two storage elements facing each other due to a gate length of the control gate. - 特許庁

ゲート電極を有する半導体素子の特性の計算方法及びプログラム例文帳に追加

METHOD FOR CALCULATING CHARACTERISTIC OF SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING GATE ELECTRODE, AND PROGRAM - 特許庁

良好な特性を有するゲート絶縁層を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a gate insulation layer having good characteristics, and its fabricating method. - 特許庁

素子面積およびゲート容量の増大を抑制しながら、ハンプ特性を有効に防止する。例文帳に追加

To effectively prevent a hump characteristic while suppressing increase in element area and gate capacity. - 特許庁

ゲート長が０．１ミクロン級であっても、高い高周波特性を得ることを可能にする。例文帳に追加

To provide a high frequency characteristic even if gate length is in a 0.1 micron class. - 特許庁

その結果、電気的特性の損失を被ることなく、ホウ素の汚染に耐えるゲート酸化物が生じる。例文帳に追加

This results in a gate oxide that is resistant to boron contamination without suffering loss in its electrical properties. - 特許庁

トレンチゲート型パワーＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the characteristics of a semiconductor device provided with a trench gate type power MISFET. - 特許庁

ＭＯＮＯＳ方式を採用するスプリットゲート型メモリセルの情報保持特性を向上させる。例文帳に追加

To improve the information holding characteristics of a split gate type memory cell adopting a MONOS system. - 特許庁

素子特性の改善を図ったトレンチゲート構造を有する半導体装置を実現すること。例文帳に追加

To realize a semiconductor device having a trench gate structure whose element property is improved. - 特許庁

高い精度でスプリットゲート型不揮発性半導体記憶装置の電気的特性を把握する。例文帳に追加

To comprehend the electric characteristics of a split gate type non-volatile semiconductor memory with high precision. - 特許庁

ゲート絶縁膜に窒化酸化シリコンを用い、電気的特性に優れた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is excellent in electrical characteristics by using silicon nitride oxide for a gate insulating film. - 特許庁

電荷蓄積層、ブロック絶縁層、及び制御ゲート電極の特性が劣化するのを防ぐ。例文帳に追加

To prevent characteristics of a charge accumulation layer, a block insulation layer and a control gate electrode from being degraded. - 特許庁

良好なゲート耐圧特性を維持し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗を小さくする。例文帳に追加

To sustain good gate withstand voltage characteristics while reducing the contact resistance between the source and the drain. - 特許庁

バイアス回路のゲート抵抗を最適化することにより、パワーアンプの歪み特性を大幅に改善する。例文帳に追加

To sharply improve distortion characteristics of a power amplifier by optimizing gate resistance of a bias circuit. - 特許庁

トレンチゲート構造を有するトランジスタにおいて、サブスレッショルド特性を良好にする。例文帳に追加

To improve sub-threshold characteristics of a transistor having a trench gate structure. - 特許庁

トランジスタにより構成されたアンチヒューズのゲート絶縁膜の破壊後の特性を良好にする。例文帳に追加

To make a gate insulating film of an anti-fuse composed of a transistor excellent in characteristics after breakage. - 特許庁

トランジスタの特性によって生ずる、ゲート信号の立ち上がりのずれを補正することを課題とする。例文帳に追加

To correct a gap of a rise of a gate signal caused by characteristics of a transistor. - 特許庁

ＩＢＩＡＳは、ＭＰ１のゲートを駆動し、例えば正の温度特性を備えた電流Ｉ１を生成する。例文帳に追加

The IBIAS drives a gate of the MP1 to generate current I1 provided with, for example, a positive temperature characteristic. - 特許庁