「シリコンナイトライド」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

被処理基板上に形成されたシリコンナイトライド膜を、高い安定性の下で、しかも発塵の少ない状態にてエッチングする。例文帳に追加

To etch a silicon nitride film formed on a substrate to be processed with high stability and without producing dust. - 特許庁

第１実施形態として、基板上に形成したシリコン含有固体物質は例えば、シリコンナイトライド層のような薄膜層である。例文帳に追加

In a first embodiment, the solid material containing silicon formed on the substrate is a thin film layer, e.g. such as a silicon nitride layer. - 特許庁

これらのステップ１００、１１０、１２０及び１３０を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。例文帳に追加

By repeating these steps 100, 110, 120 and 130, a silicon nitride layer of a desired thickness is formed. - 特許庁

ＳＴＩ埋め込み層３１１を堆積する前にトレンチキャッピングナイトライド３０８及びシリコンナイトライド層３２０を除去している。例文帳に追加

Before a STI burying layer 311 is deposited, a trench capping nitride 308 and a silicon nitride 320 are eliminated. - 特許庁

被処理基板３上に形成されたシリコンナイトライド膜１２を除去するためのエッチング方法である。例文帳に追加

This etching method is used to remove a silicon nitride film 12 on a substrate 3 to be processed. - 特許庁

次に、シリコンナイトライド膜２０よりも屈折率の低い、例えばシリコン酸化膜２２を形成し（ｄ）、表面を平坦化する（ｅ）。例文帳に追加

Next, for example, a silicon oxidized film 22 having a refractive index lower than the refractive index of the silicon nitride film 20 is formed (d) to flatten the surface (e). - 特許庁

シリコンナイトライド膜１２とシリコン基板１との間に配置される酸化膜１０をゲート酸化膜の方向に向かって後退させ、シリコンナイトライド膜１２のシリコン基板１に対する応力集中をシリコン基板１の角部から移動させる。例文帳に追加

The oxide film 10 disposed between a silicon nitride film 12 and the silicon substrate 1 is backed toward the direction of a gate oxide film, and stress concentration on the silicon substrate 1 of the silicon nitride film 12 is moved from a corner of the silicon substrate 1. - 特許庁

減圧下で加熱されたシリコンウェハ表面に原料ガスを供給し熱分解によりシリコンウェハ表面にシリコンナイトライド薄膜を形成するにあたり、シリコンナイトライド薄膜形成用の処理ガスに水素ガスを添加する。例文帳に追加

In the formation of the silicon nitride thin film onto the surface of the silicon wafer by the supply of a material gas to the surface of the silicon wafer heated in a reduced pressure atmosphere and by thermal decomposition, a hydrogen gas is added to a processing gas for forming the silicon nitride thin film. - 特許庁

フッ素原子を含むガスと、酸素ガスと、窒素ガスと、水素原子及びフッ素原子が結合したガスとを混合したガスから成るプロセスガスを用いたドライエッチングによってシリコンナイトライド膜１２を除去する。例文帳に追加

A mixed gas made of oxygen gas, nitrogen gas, and gas combining hydrogen atoms and fluorine atoms is used as a process gas, so that the silicon nitride film 12 is removed by dry etching. - 特許庁

太陽電池ウエハ上にパッシベーション膜として形成されたシリコンナイトライド膜または酸化チタン膜にＹＡＧレーザーを照射して、前記パッシベーション膜を部分的に除去する。例文帳に追加

The passivation film is removed partially by irradiating a YAG laser on a silicon nitride film or titanium oxide film which is formed on the solar battery as a passivation film. - 特許庁

シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ１４０が、反応チャンバー中で実施される。例文帳に追加

A plurality of sequential steps 140 are conducted in a reaction chamber in order to form ultra high quality silicon-containing compound layers including silicon nitride layers. - 特許庁

多結晶シリコン膜上に成膜されたシリコンナイトライド膜を除去する際に、多結晶シリコン膜にシリコンダストが付着することを防止する。例文帳に追加

To prevent silicon dust from sticking on a polycrystalline silicon film when a silicon nitride film formed on the polycrystalline silicon film is removed. - 特許庁

誘電体膜は、導体線１０５の下面と接地導体層１０２の上面との間の領域内に位置する第１誘電体部分（シリコンナイトライド１０４）と、それ以外の部分（チタン酸ストロンチウム膜１０３）とに分かれている。例文帳に追加

The dielectric film is divided in a first dielectric part (silicon nitride 104) located in a region between the underside of the conductor wire 105 and the upside of the grounding conductor layer 102 and another part (strontium titanate film 103). - 特許庁

Ｃｕダマシン配線としてＣＭＰされたＣｕ上にシリコンナイトライド／シリコンカーバイドの二重膜がキャッピング膜として形成された半導体素子の配線である。例文帳に追加

This wiring is used in a semiconductor device having a double capping film which is made of silicon nitride and silicon carbide and is positioned on a Cu material that is CMP to form Cu damascene wiring. - 特許庁

コンタクト抵抗を上昇させることなく、シリコンナイトライド膜端部の転位を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現する。例文帳に追加

To realize a semiconductor device which can prevent dislocation of a silicon nitride film end without raising a contact resistance, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

有機ELの保護膜に高分子ポリマーとシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイトライドを制膜する事により水分及び酸素の外部からの浸入を防ぐ。例文帳に追加

To prevent moisture and oxygen from entering from the outside by forming a polymer, silicon-oxynitride, and silicon-nitride on the protection film of an organic EL substrate. - 特許庁

ゲート絶縁膜６０とゲート電極７０との界面において、複数のシリコンナイトライド粒子８０がゲート絶縁膜６０に接触した状態でゲート電極７０に点在して埋め込まれている。例文帳に追加

On the interface between the gate insulating film 60 and the gate electrode 70, a plurality of particles of silicon nitride 80 are scatteringly buried in the gate electrode 70 in contact with the gate insulating film 60. - 特許庁

これにより、コンタクト抵抗を上昇させることなく、シリコンナイトライド膜端部の転位を防止することが可能な半導体装置を実現することができる。例文帳に追加

As a result, a semiconductor device, which can prevent dislocation of a silicon nitride film end part, can be realized without raising a contact resistance. - 特許庁

次に、下地のプラズマナイトライド膜２０とレジストパターン２１とのエッチング速度が等しくなるようなエッチング条件にて等方性エッチングを行い、シリコンナイトライド膜２０をレンズ形状に加工する（ｃ）。例文帳に追加

The silicon nitride film 20 is then processed to the lens shape by subjecting the silicon nitride film to isotropic etching under such etching conditions under which the etching rates of a plasma nitride film 20 of a base and the resist patterns 21 are equaled (c). - 特許庁

溝２７を形成した後、溝２７から露出するプラグ２２の表面にＲｕシリサイド層２５を形成し、そのＲｕシリサイド層２５の表面にＲｕシリコンナイトライド層２６を形成する。例文帳に追加

After forming trenches 27, Ru silicide layers 25 are formed on the surface of plugs 22 exposed from the trenches 27, and Ru silicon nitride layers 26 are formed on the surfaces of the Ru silicide layers 25. - 特許庁

また、サイドウォール或いはコンタクトホールを形成する膜（例えば、シリコンナイトライド膜）の膜応力を、不純物を打ち込むことで低減させるものである。例文帳に追加

The film stress of a film (e.g., a silicon nitride film) in which a sidewall or a contact hole is formed is reduced by implanting impurities. - 特許庁

減圧された真空容器内に有機EL基板の陰極電極９の上面に最初に高分子ポリマー１０をプラズマCVDで制膜後、その上のシリコンオキシナイトライド及びシリコンナイトライド１１を制膜する例文帳に追加

A polymer 10 is firstly formed by plasma CVD on the top face of the cathode 9 of the organic EL substrate in the low pressure vacuum container, and then, silicon-oxynitride and silicon-nitride 11 are formed on top of it. - 特許庁

また、絶縁性基板１にシリコンナイトライド膜８あるいはシリコンカーバイド膜を設け、基板との界面付近で多結晶Ｓｉ層に発生する結晶欠陥の影響をなくす。例文帳に追加

In addition, a silicon nitride film 8 or a silicon carbide film is formed in the insulation substrate 1, thereby eliminating an influence of a crystal defect occurring in the polycrystalline Si layers near the boundary of the substrate. - 特許庁

また、発光素子１０に塗布された、該シリコンナイトライド系蛍光体と、ＹＡＧ蛍光体と、窒化物蛍光体と、青色系発光蛍光体とを混合した蛍光体１１とを有する発光装置に関する。例文帳に追加

Also this invention relates to a light emitting device having the silicon nitride-based phosphor coated on the light emitting element 10, and a phosphor 11 obtained by mixing a YAG phosphor, a nitride phosphor and a blue series light emitting phosphor. - 特許庁

本発明によれば、シリコンカーバイドの長所である高いエッチング選択比と低い誘電率とを保持しつつシリコンナイトライドの長所である良好な漏れ抑制特性を同時に確保できる。例文帳に追加

The double capping film can secure a good leakage-inhibiting property, which is an advantage of silicon nitride, while retaining a high etching selectivity and a low dielectric constant, which are advantages of silicon carbide. - 特許庁

下部電極２８上に誘電体膜２９を形成する工程で行われる酸素雰囲気中での高温熱処理の際には、Ｒｕシリコンナイトライド層２６が犠牲的に酸化されてＲｕシリコンオキシナイトライドとなり、Ｒｕシリサイド層２５の酸化の進行が防止される。例文帳に追加

In a high temperature heat treatment in an oxygen atmosphere in a step of forming a dielectric film 29 on the lower electrodes 28, the Ru silicon nitride layer 26 is oxidated into Ru silicon nitride as a sacrifice to prevent the oxidation of the Ru silicide layer 25 from progressing. - 特許庁

情報蓄積用容量素子Ｃの下部電極２８の下部に形成されたスルーホール１９内のプラグ２２の表面にはＲｕシリサイド層２５が形成され、Ｒｕシリサイド層２５の表面にはさらにＲｕシリコンナイトライド層２６が形成されている。例文帳に追加

A Ru silicide layer 25 is formed on the surfaces of plugs 22 in through-holes 19 piercing lower parts of lower electrodes 28 of information storing capacitance elements C and a Ru silicon nitride layer 26 is formed on the Ru silicide layer 25 surface. - 特許庁

非晶質シリコンより成り、キャリアを生成しかつ増倍する機能を有するキャリア生成増倍層を、ｐ型非晶質シリコンカーバイドの電子注入阻止層と、ｎ型非晶質シリコンナイトライドの正孔注入阻止層とで挟む。例文帳に追加

A carrier generation/multiplication layer made of amorphous silicon has a function for generating and multiplying carrier and is held between an electron injection preventive layer of p-type amorphous silicon carbide and a positive hole injection preventive layer of n-type amorphous silicon nitride. - 特許庁

第１の発光スペクトルを有する青色発光素子１０からの光の一部を吸収して、波長変換を行い、黄から赤色領域に第２の発光スペクトルを有する光を発する、Ｍｎが添加されたＳｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ系シリコンナイトライド蛍光体１１を有する発光装置。例文帳に追加

This light emitter has a Mn-added Sr-Ca-Si-N:Eu silicon nitride phosphor 11 which absorbs a part of light from the blue light emitting device 10 having a first light-emitting spectrum, performs a wavelength conversion and emits light having a second light-emitting spectrum in the range from yellow to red. - 特許庁

キャパシタの製造プロセスにおいて、高誘電体金属酸化膜をシリコン層上に成膜した後、窒素を添加する際に、窒素が高誘電体金属酸化膜を通り抜け、シリコン層の界面に到達してシリコンナイトライド（ＳｉＮ）層が形成されることがないようにする。例文帳に追加

To provide a manufacturing process of a capacitor for forming a high dielectric metal oxide film on a silicon layer, and for preventing nitrogen from being transmitted through the high dielectric metal oxide film to the interface of a silicion layer, or for preventing a silicon nitride(SiN) layer from being formed at doping of nitrogen. - 特許庁

ガラス、シリコン、シリコンナイトライド、もしくは超硬合金などの硬く、かつ、脆い材料から形成された加工対象に対し、優れた切断性能を安定して示す円盤状のブレード、および、優れた切断性能を安定して示し、かつ、設計が容易な切断装置を提供する。例文帳に追加

To provide a disk-like blade stably showing an excellent cutting performance to an object formed of a hard and fragile material such as glass, silicon, silicon nitride, cemented carbide or the like, and to provide a cutting means which stably shows the excellent cutting performance and is easily designed. - 特許庁

半導体基板１１上に下部電極１３、アンチヒューズ膜１４を構成するシリコンナイトライド膜１４１とアモルファスシリコン膜１４２を堆積し、下部電極１３およびアンチヒューズ膜１４を覆う絶縁膜１６を形成する。例文帳に追加

This manufacturing method is a method for manufacturing a semiconductor device of a structure wherein a lower electrode 13, a silicon nitride film 141 and an amorphous silicon film 142 constituting an antifuse film 14, are deposited on a semiconductor substrate 11 and an insulating film 16 covering the electrode 13, and the film 14 is formed on a first insulating film 12. - 特許庁

これにより、誘電体膜２９を形成する工程で行われる酸素雰囲気中での高温熱処理の際に、Ｒｕシリコンナイトライド層２６が犠牲的に酸化されてＲｕシリコンオキシナイトライドとなり、Ｒｕシリサイド層２５の酸化の進行を防止できる。例文帳に追加

As a result, the Ru silicon nitride layers 26 are oxidized sacrificially turning into Ru silicon oxynitride, to enable the prevention of the oxidation of the Ru silicide layers 25 from progressing in a high-temperature heat treatment in an oxygen atmosphere in a step of forming the dielectric films 29. - 特許庁

青色発光素子１０により励起された発光スペクトルの一部を波長変換し、黄から赤色領域に発光スペクトルを有するＭｎが添加されたＳｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ系シリコンナイトライド蛍光体１１を有する発光装置。例文帳に追加

The light-emitting device has an Mn-added Sr-Ca-Si-N:Eu silicon nitride phosphor 11 which changes the wavelength of a part of the emission spectrum excited by a blue luminous element 10 and has an emission spectrum covering from yellow to red region. - 特許庁

青色発光素子１０により励起された発光スペクトルの一部を波長変換し、黄から赤色領域に発光スペクトルを有するＭｎが添加されたＳｒ−Ｃａ−Ｓｉ−Ｎ：Ｅｕ，Ｚ系（Ｚは、Ｐｒ、Ｌａ、Ｔｂ等の希土類元素）シリコンナイトライド蛍光体１１を有する発光装置に関する。例文帳に追加

The light-emitting device contains an Mn-doped Sr-Ca-Si-N:Eu, Z-type silicon nitride fluorescent material 11 (Z is a rare earth element such as Pr, La and Tb) having an emission spectrum extending from yellow to red regions by converting the wavelength of a part of an emission spectrum excited by a blue-light emitting element 10. - 特許庁

本発明の高靭性耐摩耗アルミニウム合金は、遷移金属を３重量％以上６重量％以下含み、アルミナ、シリコンカーバイド、シリコンナイトライド、シリカ、ジルコニア、マグネシアおよび窒化アルミニウムからなる群より選ばれる１種以上の硬質粒子を１体積％以上８体積％以下含み、残部がアルミニウムと不可避不純物とからなっている。例文帳に追加

This high toughness and wear resistant aluminum alloy contains, by weight, 3 to 6% transition metals, and also contains one or more kinds of hard particles selected from the groups of alumina, silicon carbide, silicon nitride, silica, zirconia, magnesia and aluminum nitride by 1 to 8 volume%, and the balance aluminum with inevitable impurities. - 特許庁

次に、後退させたＳＴＩ膜１５の側壁に第２のシリコンナイトライド膜１８を堆積させた後、フローティングゲート形成領域１６の上部の間口が広く、シリコン基板１に近づくにつれて徐々に間隔が狭くなるようにエッチングしてＳＴＩ膜１５の側壁にスペーサ１９を形成する。例文帳に追加

Next, after a second silicon nitride film 18 is deposited to the sidewall of the retreated STI film 15, a spacer 19 is formed to the sidewall of the STI film 15 by etching so that a wide opening of an upper part of the floating-gate-forming region 16 is gradually becoming narrower as nearing to a silicon substrate 1. - 特許庁

半導体基板上にスイッチングトランジスタが形成されており、第１の層間絶縁膜３に形成されたコンタクトホールに埋設されたプラグを介して、スイッチングトランジスタのドレイン領域２と層間絶縁膜上に形成されたキャパシタの電極とが電気的に接続され、プラグがシリコンに対するバリア性を有する導電性膜となるタンタルシリコンナイトライド膜７からなる。例文帳に追加

With switching transistor formed on a semiconductor substrate, a drain region 2 of a switching transistor is electrically connected to a capacitor electrode, formed on a first interlayer insulating film 3 via a plug embedded in a contact hole formed on the first interlayer insulating film 3, and the plug comprises a tantalum silicon nitride film 7, which is to become a conductive film having a barrier characteristics with respect to silicon. - 特許庁

遮光膜１０の各受光素子４に対応する開口１１下に、シリコン半導体基板１の表面部に形成された該開口１１と対応する受光素子４表面を露出させ、該遮光膜１０上にシリコンナイトライド膜２０を各開口１１に露出する各受光素子４表面を直接覆うように形成してなる。例文帳に追加

The top surface of a photodetector 4 corresponding to an opening formed in the top surface of a silicon substrate 1 is exposed below an opening 11 of a light shield film 10 which corresponds to each photodetector 4, and a silicon nitride film 20 is formed on the light shield film 10 while directly covering the top surface of each photodetector 4 exposed in each opening 11. - 特許庁