| 意味 | 例文 (548件) |
タンタル膜の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 548件
一般式（１）で表されるタンタル化合物を、テトラハロシクロペンタジエニルタンタル誘導体とメチル化金属化合物とを反応させることにより製造し、このタンタル化合物を原料としてタンタル含有薄膜を形成させる。例文帳に追加
The tantalum compound expressed by formula (1) (in the formula Me is a methyl group; n is an integer of 1-5; and R is an alkyl group), is produced by reacting a tetrahalocyclopentadienyl tantalum derivative with a methylated metal compound. - 特許庁
半導体基板２上にはキャパシタの下部電極としてのポリシリコン膜４、タンタルシリサイド膜６が形成され、このタンタルシリサイド膜６上にはタンタルナイトライド膜８が形成されている。例文帳に追加
On a semiconductor substrate 2, a tantalum silicide film 6 and a polysilicon film 4 as a lower part electrode of a capacitor are formed, and a tantalum nitride film 8 is formed on the tantalum silicide film 6. - 特許庁
タンタル膜又はその合金膜や酸化膜を酸素が発生する状況下でドライエッチングするとタンタルと酸素が反応し、タンタル酸化物が被エッチング膜の側壁に再付着することを防止する。例文帳に追加
To prevent such a reaction of tantalum on oxygen generated when dry-etching a tantalum film or the alloy and oxide films thereof under the situation of generating oxygen that a tantalum oxide redeposits on the sidewall of the etched film. - 特許庁
本発明は、タンタルハロゲン化物ガスを水素活性種で還元して生成したタンタルの成膜種を含むプラズマ流とＤＭＡＨとによりタンタルアルミ膜を気相成長させ、又はタンタルハロゲン化物ガスを水素活性種、窒素活性種と反応させて生成した窒化タンタルの成膜種を含むプラズマ流とＤＭＡＨとにより窒化タンタルアルミ膜を気相成長させる。例文帳に追加
The tantalum aluminum film is vapor grown by a plasmal flow containing deposition species of the tantalum formed by reducing gaseous tantalum halide by hydrogen active species and DMAH (Dimethylaluminum hydride) or the tantalum nitride aluminum film is vapor grown by a plasmal flow containing the deposition species of the tantalum nitride formed by reducing the gaseous tantalum halide by the hydrogen active species and the DMAH. - 特許庁
タンタル若しくはタンタル合金を真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ_2Ｏ_5が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ_2Ｏ_5を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面にタンタルの炭化物を形成することを特徴とする。例文帳に追加
The tantalum carbide is formed on the surface of tantalum or a tantalum alloy by placing the tantalum or the tantalum alloy in a vacuum heat treatment furnace, heat-treating the tantalum or the tantalum alloy under a condition where a natural oxide film of Ta_2O_5 is sublimated and removed, introducing a carbon source into the vacuum heat treatment furnace, and then heat-treating. - 特許庁
続いて、ＣＭＰ法によって、タンタル／窒化タンタル膜２２および銅膜２４を研磨して配線２５を形成する。例文帳に追加
Continuously, wiring 25 is formed by polishing the tantalum/tantalum nitride film 22 and the copper film 24 by using a CMP method. - 特許庁
そして、この配線溝にタンタル／窒化タンタル膜２２を形成した後、配線溝を埋め込むように銅膜２４を形成する。例文帳に追加
After a tantalum/tantalum nitride film 22 is formed in the wiring trench, a copper film 24 is formed so that the wiring trench may be embedded. - 特許庁
更に窒化タンタル最表面の自然酸化膜を除去すると同時に窒化タンタル膜を防錆する方法の提供。例文帳に追加
The wiring board has a tantalum nitride layer, an inevitable tantalum oxinitride layer, and a rust preventive layer composed of the azole compound successively formed on a substrate. - 特許庁
タンタル酸化膜を有する半導体キャパシタ及びその製造方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR CAPACITOR WITH TANTALUM OXIDE FILM AND ITS FABRICATION METHOD - 特許庁
酸化タンタル膜の形成方法及び電子部品の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING TANTALUM OXIDE FILM AND PRODUCTION OF ELECTRONIC PARTS - 特許庁
プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING TANTALUM OXIDE FILM UTILIZING PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD - 特許庁
タンタル挿入層を使用したＴＭＲセンサ薄膜及びそのシステム例文帳に追加
TMR SENSOR FILM USING TANTALUM INSERTION LAYER AND SYSTEMS THEREOF - 特許庁
導電窒化タンタル膜を制御可能に形成する方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method of controllably forming a conductive tantalum nitride film. - 特許庁
炭化タンタル被覆膜形成工程は、炭素基材の表面に第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１形成工程と、第１炭化タンタル被覆膜上に１回以上新たな炭化タンタル被覆膜を形成する第２形成工程とを有する。例文帳に追加
The process of forming the tantalum carbide coating film includes: a first forming step of forming a first tantalum carbide coating film on a surface of the carbon substrate; and a second forming step of forming a new tantalum carbide coating film more than once on the first tantalum carbide coating film. - 特許庁
低比抵抗のαタンタル膜を、製造コストの増大を抑制しつつ、効率よく製造することが可能なαタンタル膜の製造方法及び該製造方法により製造されるタンタル膜及び該タンタル膜を用いてなる素子を提供する。例文帳に追加
To provide a method for producing an α-tantalum film in which an α-tantalum film of low specific resistance can efficiently be produced while keeping a production cost, to provide a tantalum film produced by the method and to provide an element obtained by using the film. - 特許庁
これを原料としてタンタル含有薄膜を形成する。例文帳に追加
The tantalum-containing thin film is obtained by using the compound as a raw material. - 特許庁
タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。例文帳に追加
The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate. - 特許庁
さらにＣＶＤ法により非晶質の酸化タンタル膜５７を堆積し、この酸化タンタル膜５７を酸化性雰囲気で熱処理し、多結晶酸化タンタル膜を形成する。例文帳に追加
Furthermore, an amorphous tantalum oxide film 57 is deposited by CVD method, and the tantalum oxide film 57 is thermally processed in an oxidizing atmosphere to form a polycrystaline tantalum oxide film. - 特許庁
バリア金属膜１３０は、タンタルアルミニウム窒化膜又はチタンアルミニウム窒化膜で形成される。例文帳に追加
The barrier metal film 130 is formed from a tantalum aluminum nitride film or a titanium aluminum nitride film. - 特許庁
上記薄膜はタンタル含む材料からなると共に、該薄膜の膜構造がアモルファスである。例文帳に追加
The thin film comprises a material containing tantalum, and the film structure of the thin film is amorphous. - 特許庁
この時に、誘電膜はタンタル酸化膜のような高誘電率の絶縁膜であることが望ましい。例文帳に追加
An insulation film having high permittivity, e.g. a tantalum oxide film, is preferably employed as the dielectric film. - 特許庁
酸化タンタル膜６６は強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７を結晶化する際に下地となる。例文帳に追加
The tantalum oxide film 66 is used as the underlayer for crystallization of the ferroelectric material film (STN film) 57. - 特許庁
水素のプラズマ励起種はタンタルの酸化状態を低減し、それによって、基板上に実質的に導電性の窒化タンタル膜を形成する。例文帳に追加
The plasma-excited species of hydrogen reduce the oxidized state of tantalum, thereby yielding a substantially conductive tantalum nitride film on the substrate. - 特許庁
プラズマ処理によってＣＶＤによるタンタル及び窒化タンタルが調節された膜の付着性及び耐久性を改善する方法例文帳に追加
METHOD FOR IMPROVING ADHESION AND DURABILITY OF CVD TANTALUM AND TANTALUM NITRIDE MODULATED FILM BY PLASMA TREATMENT - 特許庁
有機タンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用原料並びにこれから作られるタンタル含有薄膜例文帳に追加
ORGANIC TANTALUM COMPOUND, RAW MATERIAL FOR ORGANO- METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONTAINING THIS AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM MADE THEREFROM - 特許庁
有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜例文帳に追加
ORGANIC AMINOTANTALUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING SAME FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND TANTALUM NITRIDE FILM MADE THEREOF - 特許庁
タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加
TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME - 特許庁
タンタル錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたタンタル含有薄膜例文帳に追加
SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD CONTAINING TANTALUM COMPLEX AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME - 特許庁
タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法例文帳に追加
TANTALUM COMPOUND, ITS PRODUCTION METHOD, AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM USING THE SAME COMPOUND AS RAW MATERIAL AND ITS FORMING METHOD - 特許庁
タンタル層１４２の側部にはタンタル酸化膜で構成される陽極酸化層１５が適当な厚さで設けられている。例文帳に追加
An anodic oxidation layer 15 composed of a tantalum oxide film is provided on the side part of the tantalum layer 142 with an appropriate thickness. - 特許庁
高純度タンタルの回収方法並びに高純度タンタルスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成された薄膜例文帳に追加
METHOD FOR RECOVERY OF HIGH-PURITY TANTALUM, HIGH-PURITY TANTALUM SPUTTERING TARGET, AND THIN FILM DEPOSITED BY USING THIS SPUTTERING TARGET - 特許庁
ビス（エチルシクロペンタジエニル）トリヒドロタンタルおよびその製造方法ならびにそれを用いた炭化タンタル膜または炭窒化タンタル膜の形成方法例文帳に追加
BIS(ETHYLCYCLOPENTADIENYL)TRIHYDROTANTALUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR FORMING TANTALUM CARBIDE FILM OR TANTALUM CARBONITRIDE FILM USING THE SAME - 特許庁
ハロゲン元素等を含まないタンタル含有膜及び目的とする元素を含んだ各種タンタル含有膜の作り分けが可能な新規なタンタル化合物及びその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a novel tantalum compound which enables the selective formation of a tantalum-containing film which does not include a halogen element or the like and various tantalum-containing films which include a desired element and a method for producing such a tantalum compound. - 特許庁
従来のタンタル化合物よりも水に対する反応性が低く、ＣＶＤ法によってタンタル含有薄膜を形成可能なタンタル化合物とその製造方法およびそれを用いたタンタル含有薄膜の形成方法を提供する。例文帳に追加
To obtain a tantalum compound that has reactivity to water lower than that of a conventional tantalum compound and forms a tantalum-containing thin film by a CVD method and to provide a method for producing the same and a method for forming a tantalum-containing thin film using the compound. - 特許庁
タンタル電解コンデサ用の陽極素子の湿式成形に用いるタンタル金属粉末分散液であって、素子膜厚の薄膜化に伴いタンタル金属粉末を小粒径化したときも、容量低下の起こりにくいタンタル金属粉末分散液を得る。例文帳に追加
To provide a tantalum metal powder-dispersing liquid which is used for the wet compaction of an anode element for a tantalum electrolytic capacitor, and less liable to reduce the capacitance even when the diameter of the tantalum metal powder is decreased with a thinning trend of the film of the element. - 特許庁
バリア層導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が配線金属膜よりも大きく、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a metal abrasive solution which is capable of polishing tantalum, a tantalum alloy, tantalum nitride, or other tantalum compounds used as a barrier layer conductor at a higher rate than a wiring metal film and forming a buried metal film pattern of high reliability and a method of polishing a board with the same. - 特許庁
フォトマスクは透明基板上に遮光性金属薄膜からなる遮光性パターンを備え、更に珪化タンタル、酸化タンタル、窒化タンタルまたはそれらの混合物から選択される材料からなるタンタルを主成分とする半透明金属薄膜からなる半透明パターンを備える。例文帳に追加
The photomask is provided with a light shielding pattern which comprises a light shielding metal thin film on a transparent substrate and is further provided with a semitransparent pattern comprising semi-tranparent metal thin film having tantalum as a main component which comprises a material selected from tantalum silicide, tantalum oxide, tantalum nitride or their mixture. - 特許庁
バリア層導体として用いられるタンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物の研磨速度が配線金属膜よりも大きく、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨液及びそれを用いた基板の研磨方法を提供する。例文帳に追加
To provide a metal polishing fluid which can realize the polishing speed of tantalum, tantalum alloy or other tantalum compound used as a barrier conductor layer material faster than the polishing speed of a wiring metal film, and can form the flush pattern of the metal film with high reliability, and to provide a board polishing method using the fluid. - 特許庁
この酸化タンタル膜４の上面を覆うように、酸化インジウム膜５ｂが形成されている。例文帳に追加
An indium oxide film 5b is formed so as to cover the upper surface of this tantalum film 4. - 特許庁
保護用のシリコン窒化膜１６と耐キャビテーション用のタンタル膜１７を形成してパターニングする。例文帳に追加
A protective silicon nitride film 16 and a cavitation resistant tantalum film 17 are formed and patterned. - 特許庁
合成チタン−タンタル薄膜は別々に形成された２つの薄膜から成る。例文帳に追加
A synthetic titanium-tantalum thin film is composed of two separately formed thin films. - 特許庁
しかる後、このタンタル酸化物膜（１２）上に上部導電膜（１３）を形成する。例文帳に追加
Subsequently, an upper conductive film 13 is formed on this tantalum oxide film 12. - 特許庁
さらに多結晶酸化タンタル膜１４上にタングステン膜１６を堆積する。例文帳に追加
Furthermore, a tungsten film 16 is deposited on the tantalum oxide film 14. - 特許庁
そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。例文帳に追加
A gate electrode 11 composed of the silicon nitride tantalic film is formed on the threshold value adjustment film 7. - 特許庁
カーボンが含まれないカーボンフリーのタンタル含有膜を堆積する成膜方法を提供する。例文帳に追加
To provide a film-forming method which deposits a tantalum- containing carbon-free oxide film which does not contain carbon. - 特許庁
続いて、パターニングした酸化シリコン膜１６をタンタル膜１５上に形成する。例文帳に追加
Patterned silicon oxide films 16 are formed on the tantalum film 15. - 特許庁
これにより、低温でも膜厚が薄くて面内均一性が高いタンタル酸化膜を形成する。例文帳に追加
As a result, the tantalum oxide film which is thin and highly uniform within the plane even at the low temperature is formed. - 特許庁
低抵抗タンタル薄膜の製造方法及び薄膜磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置例文帳に追加
METHOD FOR MANUFACTURING LOW RESISTANCE TANTALUM THIN FILM, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE - 特許庁
多層配線領域２１０の表面２２２には、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜２３０が形成され、回路素子領域１３０への光の入射を抑制する。例文帳に追加
A tantalum film 230 is formed on the surface 222 of the multi-layered wiring region 210 out of a material comprising a tantalum or a tantalum compound, to suppress the optical incidence to the circuit-element region 130. - 特許庁
タンタル系金属膜を有する基板のＣＭＰにおいて、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、タンタルに傷を発生することなく、高いタンタルの研磨速度を実現すること。例文帳に追加
To inhibit the generation of dishing or erosion and to realize a high- speed polishing of tantalum in CMP(chemical mechanical polishing) of a base plate having a tantalic metal film. - 特許庁
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