「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

チタン、モリブデン、タンタル等の金属膜や、その窒化膜、珪化膜をエッチングする際に、イオンエネルギーを下げて、化学的な作用によるエッチングを増強し、良好なエッチングの行える半導体装置の製造方法およびそれを実施するための半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which satisfactory etching can be performed by strengthening etching utilizing a chemical action by lowering ion energy at the time of etching metallic films composed of titanium, molybdenum, tantalum, etc., or their nitrides or silicides; and to provide a semiconductor manufacturing device for executing the method. - 特許庁

その後、第１配線用孔部Ｈ１の側壁および底面を覆うようにして、タンタルまたはチタンを含む下部バリア導体膜ｅｂ１と、ルテニウムを主体とする上部バリア導体膜ｅｔ１とからなる第１配線用バリア導体膜ＥＭ１を形成する。例文帳に追加

After that, a barrier conductor film EM1 composed of a lower barrier conductor film eb1 containing tantalum or titanium and an upper barrier conductor film et1 mainly made of ruthenium is formed so as to cover the side wall and the bottom face of the hole H1 for the first wiring. - 特許庁

半導体素子が形成された半導体基板上に第１層間絶縁膜を形成し、基板温度を常温から４００℃までの温度に設定し、反応ガス中の窒素ガス分圧比を３乃至１０％として、第１スパッタリングにより、前記第１層間絶縁膜上に窒化タンタル膜を形成する。例文帳に追加

A first interlayer dielectric is formed on a semiconductor substrate having a semiconductor element formed thereon, and a tantalum nitride film is formed on the first interlayer dielectric by first sputtering at a substrate temperature from a normal temperature to 400°C with a nitride gas partial pressure ratio of 3-10% in a reaction gas. - 特許庁

鉄、ニッケルおよびクロムから１種類以上選ばれた元素などを含み、表層部に酸化膜が形成されており、当該酸化膜がその内部部分よりもエッチングされにくいタンタル合金膜１１ａが、半導体装置の最上層などに形成されている構成とする。例文帳に追加

A configuration comprising a tantalum alloy film 11a containing at least one element selected from the group consisting of an iron, a nickel, and a chromium, with an oxide film formed in the surface layer part such that the oxide film can hardly be etched compared with the inner part thereof, formed in the uppermost layer of the semiconductor device, is provided. - 特許庁

Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３の幅を持った複数の電極配線部分の最大幅が３００μｍ以下になるように、ゲート絶縁膜３上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜から成る第２層の電極配線４、およびタンタル薄膜から成る第３層の電極配線５を積層形成する。例文帳に追加

The electrode wirings 4 of the second layer consisting of an ITO (Indium Tin Oxide) film and the electrode wirings 5 of the third layer consisting of a tantalum thin film are formed on the gate insulating film 3 by being laminated so that the maximum width of a plurality of electrode wiring parts which have respectively widths of W1, W2, W3 becomes ≤300 μm. - 特許庁

次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。例文帳に追加

Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x. - 特許庁

被処理体Ｗの表面に金属材料の酸化膜を堆積する成膜方法において、まず、原料ガスである例えばペンタエトキシタンタルを成膜温度よりも低い所定の温度に加熱して原料ガスを部分的に分解させる。例文帳に追加

In a film forming method where the oxide film of the metallic material is deposited on a surface of a body W to be treated, first, the source gas, for example, pentaethoxy tantalum is heated to a prescribed temperature that is lower than the film forming temperature and the source gas is partially resolved. - 特許庁

非線形素子１０ｘの下電極１３ｘを形成するにあたって、複数枚の基板２０ｘを成膜室に順次、搬入するとともに、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入しながらターゲットをスパッタリングして、窒素含有タンタル膜からなる下電極用金属膜１３２を形成する。例文帳に追加

Upon formation of a lower electrode 13x of a nonlinear element 10x, a plurality of sheets of substrates 20x are sequentially fed into a film growth chamber, so that a target is sputtered while an argon gas and a nitrogen gas are introduced into the chamber to from a metallic film 132 for the lower electrode. - 特許庁

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

被成膜面１ａが（１１１）配向したシリコンからなる基材１と、Ｔａからなるターゲットと、Ａｒ及びＮ２からなるプロセスガスとを用いて反応性スパッタリングを行うと、基材１の前記被成膜面１ａ上に、少なくとも（１００）配向した窒化タンタル膜が形成される。例文帳に追加

When reactive sputtering is performed by using a base material 1 composed of silicon and having a (111)-oriented surface 1a for film deposition, a target formed from Ta, and a process gas comprising Ar and N_2, at least a (100)-oriented tantalum nitride film is formed on the surface 1a for film deposition of the base material 1. - 特許庁

バリア金属膜用のタンタル系金属膜を十分な研磨速度で研磨・除去できるとともに、埋め込み配線用の銅系金属膜の過度な研磨が抑えられ、ディッシングの発生を軽減できる化学的機械的研磨スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide chemical mechanical polishing slurry, which can polish/remove a tantalum metallic film for a barrier metallic film at sufficient polishing speed while inhibiting the excessive polishing of a copper metallic film for a buried wiring and can reduce the generation of a dishing. - 特許庁

絶縁膜と該絶縁膜上に形成されたタンタル系金属膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨用スラリーにおいて、シュウ酸、マロン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルタル酸、クエン酸、マレイン酸等の多価カルボン酸とシリカ研磨材とを含有させる。例文帳に追加

The slurry for chemical mechanical polishing for polishing a base plate having an insulated film and a tantalic metal film formed on the insulated film, contains a polycarboxylic acid such as oxalic acid, malonic acid, tartaric acid, malic acid, glutaric acid, citric acid, maleic acid, etc., and a silica abrasive. - 特許庁

下部ＩＴＯ透明電極膜１２の上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成する上部ＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。例文帳に追加

On the lower ITO transparent film 12, a nickel oxide film 32 constituting an oxidation coloring layer, a tantalum oxide film 16 constituting a solid-state electrolyte layer, a mixture film 34 of tungsten oxide and titanium oxide constituting a reduction coloring layer and an upper ITO transparent electrode film 20 constituting an upper electrode film are deposited and laminated sequentially. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法により、１００ｎｍ以下の膜厚においても高い残留分極密度を有するタンタル酸ストロンチウムビスマス膜を備えた強誘電体キャパシタ、特に立体的な構造を有する強誘電体キャパシタを実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a ferroelectric capacitor including a strontium bismuth tantalate film having high remnant polarization density even with a thickness of 100 nm or thinner by the MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) method, especially the ferroelectric capacitor having a three-dimensional structure. - 特許庁

ホウ化タンタル、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、及びホウ化ハフニウムからなる群から選ばれるいずれか１以上の金属ホウ化物からなる電極触媒、この電極触媒を酸素還元触媒として用いた膜電極接合体、及び、この膜電極接合体を用いた固体高分子型燃料電池。例文帳に追加

The electrocatalyst composed of either one or more of metal borate selected from a group composed of tantalum borate, zirconium borate, chromium borate, and hafnium borate, the membrane electrode assembly using this electrode catalyst as an oxygen reduction catalyst, and the solid polymer fuel cell using this membrane electrode assembly are provided. - 特許庁

チャンネル層を構成するペロブスカイト構造の複合酸化物単結晶基板と、該複合酸化物単結晶基板上にパラキシリレンのポリマー膜及び酸化タンタルがこの順に積層された積層構造からなるゲート絶縁膜とを有する電界効果トランジスタ。例文帳に追加

A field effect transistor comprises: a complex oxide single crystal substrate having a perovskite structure constituting a channel layer; and a gate insulating film including a laminated structure in which a polymer film of paraxylene and tantalum oxide are laminated in this order on the complex oxide single crystal substrate. - 特許庁

少なくとも導電性金属膜としてタンタルを含む金属層が形成された基板上のフォトレジスト膜の残留物及びエッチング残渣物を効果的に除去することが可能なフォトレジスト用剥離液、及びこれを用いた基板の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a photoresist stripping liquid that can effectively remove a residue of a photoresist film and an etching residue on a substrate having a metal layer containing tantalum as at least a conductive metal film formed thereon, and to provide a substrate treatment method using the photoresist stripping liquid. - 特許庁

本発明は、成膜方法、液体吐出ヘッド、液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばインクジェット方式によるプリンタに適用して、所望の組成比によるタンタルアルミ膜等を簡易に作成することができるようにする。例文帳に追加

To provide a deposition method, liquid discharge head and method for manufacturing the liquid discharge head capable of forming tantalum aluminum films etc., by desired composition ratios in a simple manner by applying these to a printer by, for example, an ink jet method. - 特許庁

各スペーサ８は、前面基板に対向する上端８ａ側から酸化クロムをスパッタリングにより成膜し、１８０度反転させた後、下端８ｂ側からタンタルとアルミニウムの酸化化合物をスパッタリングにより成膜することにより製造される。例文帳に追加

Each of the spacers 8 is manufactured by forming a film by spattering chromium oxide from the upper side 8a opposite to the front substrate, the film is reversed 180 degrees and forming a film by spattering an oxidized compound of tantalum and aluminum from the lower end 8b. - 特許庁

絶縁膜上にタンタル系金属膜が形成された基板の研磨において、ディッシングやエロージョンの発生を抑制し、且つ高い研磨速度で、信頼性の高い電気的特性に優れた埋め込み型の電気的接続部の形成を可能とする化学的機械的研磨用スラリーを提供する。例文帳に追加

To provide a slurry for chemical mechanical polishing which inhibits the generation of dishing or erosion and enables the formation of a highly reliable, electrically superior, embedded-type electrical joint at a high polishing speed when polishing a base plate having a tantalic metal film formed on an insulated film. - 特許庁

記録ヘッド用基体の熱作用部１７にて、配線１４から流れる電流により熱エネルギーを発生させる発熱抵抗体膜１３は、シート抵抗が２００Ω／□以上４００Ω／□以下の非晶質窒化珪素タンタルからなり、膜厚が３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である。例文帳に追加

The heat generating resistor film 13 which generates heat energy by the current flowing from a wiring 14 at a heat working part 17 of the base for the recording head comprises noncrystalline silicon nitride tantalum having a sheet resistivity of 200 Ω/square or more to 400 Ω/square or less and its film thickness is 30 nm or more to 80 nm or less. - 特許庁

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。例文帳に追加

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method. - 特許庁

素子分離構造９、ｎ型半導体領域１０、ｎ型ウエル１２およびｐ型ウエル１１が形成された半導体基板１の主面上に、約１０ｎｍの膜厚の非晶質の酸化タンタル膜を堆積し、これをたとえば酸化性雰囲気において８００℃、３分間の熱処理を行う。例文帳に追加

An amorphous tantalum oxide film of thickness 10 nm or so is deposited on the primary surface of a semiconductor substrate 1 where an element isolation structure 9, an N-type semiconductor region 10, an N-type well 12, and a P-type well 11 are formed, and the semiconductor substrate 1 is thermally treated in an oxidizing atmosphere at a temperature of 800°C for three minutes. - 特許庁

正方晶の結晶相を有するジルコニウム酸化膜及びタンタル酸化膜を積層した誘電膜を使用して、良好な漏れ電流特性と高い誘電率とを同時に満足させ得るキャパシタの誘電膜の形成方法、その誘電膜を用いたキャパシタ及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming a dielectric film of a capacitor capable of simultaneously satisfying an effective leakage current characteristic and a high dielectric constant by using the dielectric film obtained by laminating a zirconium oxide film having a tetragonal crystal phase and a tantalum oxide layer, to provide the capacitor using the dielectric film, and to provide a method for manufacturing the capacitor. - 特許庁

その際、成膜室に基板２０ｘを搬入するたびに、窒素ガスの供給を停止した状態でスパッタリングして窒素を含有しないタンタル膜からなる下地金属膜１３１を形成する成膜前処理を行った後、窒素ガスの供給を開始して反応性スパッタ成膜処理を行う。例文帳に追加

At this time, a film performing process is carried out to form a lower base metallic film 131 as a tantalum film not containing nitrogen by sputtering each substrate 20x fed in the film growth chamber, in such a condition that the supply of the nitrogen gas is stopped, and then a reactive sputter film forming process is carried out by starting the supply of the nitrogen gas. - 特許庁

本発明は、２元素を主成分とする陽極酸化可能な導体薄膜、特に窒化タンタル薄膜を形成し、これを陽極酸化することにより誘電体を形成する薄膜コンデンサにおいて、加熱による漏れ電流の増大を防ぎ、かつ一定の静電容量を確保し、かつ下部電極の電気抵抗を低く抑えた、高品質・高信頼性の薄膜コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a thin-film capacitor which is high in quality and reliability and can prevent increase in leakage current due to heating, ensure constant electrostatic capacity and reduce electrical resistance in a lower electrode, and its manufacturing method, by forming a conductor thin film which is made mainly of two elements and can be anodized, especially a tantalum nitride thin film and anodizing it thereafter. - 特許庁

ＯＬＰＦ１は、所定の板厚に加工した複屈折性を有する結晶等からなる複屈折板２からなり、複屈折板の基板材料としてタンタル酸リチウムを使用し、光線の入出射面には、透明導電性膜３を成膜し、複屈折板２の周囲側面には、導電性膜４を成膜している。例文帳に追加

The OLPF 1 comprises a birefringent plate 2 made of a crystal, etc. which is worked into a prescribed plate thickness and has birefringence, lithium tantalate is used as substrate material of the birefringent plate, a transparent conductive film 3 is formed on incidence and emission surfaces of a light ray and a conductive film 4 is formed on a surrounding side surface of the birefringent plate 2. - 特許庁

角型絶縁基板１２の上面に配置された窒化タンタル薄膜からなる抵抗体２１と、該抵抗体の両端部に配置された銅からなる薄膜電極２２と、抵抗体の主要部を被覆する無機材料からなる保護膜２３と、薄膜電極上に形成されためっき電極２４とからなる。例文帳に追加

The fillet-less chip resistor is composed of a tantalum nitride thin film resistor 21 arranged on the top surface of an angular insulating board 12, thin film electrodes 22 of copper arranged on each side of the resistor 21, a protective film 23 which covers the major part of the resistor 21 and is formed of an inorganic material, and plating electrodes 24 formed on the thin film electrodes 22. - 特許庁

半導体基板上にスイッチングトランジスタが形成されており、第１の層間絶縁膜３に形成されたコンタクトホールに埋設されたプラグを介して、スイッチングトランジスタのドレイン領域２と層間絶縁膜上に形成されたキャパシタの電極とが電気的に接続され、プラグがシリコンに対するバリア性を有する導電性膜となるタンタルシリコンナイトライド膜７からなる。例文帳に追加

With switching transistor formed on a semiconductor substrate, a drain region 2 of a switching transistor is electrically connected to a capacitor electrode, formed on a first interlayer insulating film 3 via a plug embedded in a contact hole formed on the first interlayer insulating film 3, and the plug comprises a tantalum silicon nitride film 7, which is to become a conductive film having a barrier characteristics with respect to silicon. - 特許庁

圧電体薄膜１１１を構成する圧電材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、ニオブ酸カリウム及びランガサイトから選択された、粒界を含まない単結晶材料が望ましい。例文帳に追加

As a piezoelectric material for composing the piezoelectric thin film 111, a single-crystal material, which is selected from quartz, lithium niobate, lithium tantalate, lithium tetraborate, zinc oxide, potassium niobate, and langasite and does not contain any grain boundaries, is desirable. - 特許庁

前記酸化チタン系透明導電性膜形成用前駆体液は、（Ａ）チタン化合物を過酸化水素と反応させて得られる反応生成物と（Ｂ）ニオブ化合物またはタンタル化合物を過酸化水素と反応させて得られる反応生成物とを含んでなることが好ましい。例文帳に追加

The precursor liquid for forming a titanium oxide transparent conductive film preferably contains (A) a reaction product obtained by reaction of a titanium compound with hydrogen peroxide and (B) a reaction product obtained by reaction of a niobium compound or a tantalum compound with hydrogen peroxide. - 特許庁

複屈折板１は、五酸化タンタルを斜め蒸着することにより形成した複屈折作用を有する蒸着膜３と、この柱状組織構造の隙間３ａに含浸させて重合硬化させたポリジアセチレンからなる含浸層４とを備えている。例文帳に追加

The birefringence plate 1 is provided with a birefringent vapor- deposited film 3 formed by obliquely vapor depositing tantalum pentoxide and an impregnated layer 4 composed of polydiacetylene impregnated in gaps 3a of the columnar structure, polymerized and hardened. - 特許庁

その後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する陽極酸化工程と、絶縁層１４ｘに水素を導入する水素添加アニール工程とを交互に複数回行う。例文帳に追加

Thereafter, an anodic oxidation step for forming an insulating layer 14x composed of an oxidation film by anodizing the surface of the lower electrode 13x, and a hydrogenation annealing step for introducing hydrogen to the insulating layer 14x are performed a plurality of times alternately. - 特許庁

フェライト、Ｂａ−フェライト、Ｓｒ−フェライト、Ｃｏ−フェライトを主体とする磁性結晶粒１１の粒界に酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化亜鉛のうちより選ばれる少なくとも１種類の酸化物が非晶質として存在している磁性薄膜を備える。例文帳に追加

This medium structure is provided with a magnetic thin film comprising a magnetic grains 11 consisting essentially of ferrite, Ba-ferrite, St-ferrite and Co-ferrite and at least one amorphous oxide selected from aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide and zinc oxide exists in a grain boundary of the magnetic grain 11. - 特許庁

最上部から底部まで組成勾配を有する単一のチタン−タンタル薄膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、均一な組成のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積及び複数のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積を含む各種の技術を用いて形成してよい。例文帳に追加

The single titanium-tantalum thin film, having a compositional gradient from the top to the bottom, can be formed by various techniques including PVD, CVD, sputter deposition using a sputtering target having a uniform composition, and sputter deposition using a plurality of sputtering targets. - 特許庁

少なくとも酸化アルミニウムと酸化タンタルからなる蒸着材料によって、屈折率が１．６〜２．１の範囲にあり、紫外域から赤外域まで広い波長域において高い透過率を有する光学薄膜を光学基体上に作製することができる。例文帳に追加

An optical thin film having a refractive index in the range of 1.6 to 2.1 and having high permeability in a wide wavelength region from an ultraviolet region to an infrared region can be produced on an optical substrate with a vapor deposition material at least composed of aluminum oxide and tantalum oxide. - 特許庁

さらに、本発明の部材は、窒化物、酸化物、炭化物等のセラミックス又はタングステン、モリブデン、タンタルといった低熱膨張金属からなる基材に、請求項１〜５に記載する窒化アルミニウム膜を被覆したことを特徴とする。例文帳に追加

Further, the member is prepared by coating a substrate made of a ceramic such as a nitride, an oxide, and a carbide or a low thermal expansion metal such as tungsten, molybdenum, and tantalum with the aluminum nitride film according to any of claims 1 to 5. - 特許庁

抵抗加熱による真空蒸着によって基板に蛍光体層を形成する蛍光体パネルの製造において、蒸着源としてタンタル製のルツボを用い、前記ルツボへの印加電圧を２．５Ｖ以下として、前記蛍光体層を成膜することにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

In the manufacture of the phosphor panel where the phosphor layer is formed on a substrate by vacuum evaporation through resistance heating, the problem is solved by using a crucible made of tantalum as an evaporation source and setting the voltage applied to the crucible at 2.5 V or lower to deposit the phosphor layer. - 特許庁

そこで、第２の保護膜６の密着力を上げるために、吐出性能に影響の少ないチタン、窒化チタン、窒化タンタルまたは窒化クロムからなる第２の密着層７を設けて、その上に、樹脂密着層８を介して流路構成部材１０を接合する。例文帳に追加

In order to improve the adhesiveness of the second protective film 6, a second adhesion layer 7 made of titanium, titanium nitride, tantalum nitride, or chromium nitride, which does not greatly affect discharge performance, is provided, and the channel constituting member 10 is joined thereon via a resin adhesion layer 8. - 特許庁

熱解離しにくく、室温で液体で、蒸留可能な性質を有する、ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との新規なダブルアルコキシドとその製法及びその化合物を用いる複合酸化物誘電体薄膜の製法を提供する。例文帳に追加

To obtain a double alkoxide of niobium or tantalum, and an alkaline earth metal, less prone to cause thermal dissociation, liquid at ordinary temperature and having distillable properties, and further to provide a method for producing the double alkoxide and a method for producing a complex oxide dielectric substrate by using the same. - 特許庁

電解用電極１は、基体２と、当該基体２の表面に構成された表面層５を備えて成るものであって、表面層５は、アモルファスの絶縁体、例えば、アモルファス型の酸化タンタル、アモルファス型の酸化タングステン、アモルファス型の酸化アルミニウムの薄膜により構成されている。例文帳に追加

The electrode 1 for electrolysis includes a substrate 2 and a surface layer 5 formed on the surface of the substrate 2, and the surface layer 5 is made of an amorphous insulator, for example, a thin film of amorphous tantalum oxide, amorphous tungsten oxide or amorphous aluminum oxide. - 特許庁

約７０，０００μＦ＊Ｖ／ｇ未満の比電荷を有するタンタル粉末で形成した陽極体上の誘電体と、該誘電体の少なくとも一部を均一に被覆する酸化マンガン膜を含み、約４０Ａｍｐｓ以上のピークサージ電流を示す固体電解コンデンサ３０。例文帳に追加

The solid electrolytic capacitor 30 includes a dielectric on the anode body, the dielectric being formed of tantalum powder having a specific charge of less than approximately 70,000 μF*V/g, and a manganese oxide film uniformly covering at least a part of the dielectric; and generates a peak surge current equal to or larger than approximately 40 Amps. - 特許庁

銅又は銅金属からなる導体膜の研磨速度に優れ、研磨における銅／タンタル、および銅／チタンの選択性が向上することによって、エロージョンの発生を抑制し、且つ平坦性が向上した金属研磨用組成物および化学的機械的研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a metal polishing composition which exhibits superior polishing speed of a conductor film consisting of copper or a copper metal, and improves the planarity, by improving selectivity of copper/tantalum and copper/titanium in polishing, thereby controlling the occurrence of erosion, and to provide a chemical mechanical polishing method. - 特許庁