「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

キャパシタンスが大きく且つリーク電流が少ないタンタル酸化物膜およびその製造法を提供すること。例文帳に追加

To provide a tantalum oxide film having large capacitance and a less leak current and manufacturing method thereof. - 特許庁

磁性薄膜層１６を被覆する第１のマスク層１８の材料を、ケイ素と、タンタルと、を含む材料とした。例文帳に追加

A material of a first masking layer 18 for covering a magnetic thin-film layer 16 includes silicon and tantalum. - 特許庁

シリコンを含むタンタル酸化膜１２Ｂに対して、常圧の水素雰囲気において温度が約４００℃で約３０分間の熱処理を行なう。例文帳に追加

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the step of heat treating the tantalum oxide film 12B containing a silicon at about 400°C for about 30 min in an ordinary pressure hydrogen atmosphere. - 特許庁

ここで、紫外線反射膜は、酸化タンタル層と二酸化ケイ素層とにより形成されていることが好ましい。例文帳に追加

Here, the ultraviolet reflecting film is preferably to be formed of a tantalum oxide layer and a silicon dioxide layer. - 特許庁

タンタル膜８上には第１金属層１０が形成されており、その上には貫通孔６を充填する第２金属層１１が形成されている。例文帳に追加

A first metal layer 10 is formed on the tantalum film 8, and a second metal layer 11 for filling the through hole 6 is formed thereon. - 特許庁

銅膜に対する研磨レートが大きく、タンタル化合物に対する研磨レートが小さい、高い選択性を有する研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition having a high selectivity which has a high polishing rate to a copper film and a low polishing rate to a tantalum compound. - 特許庁

しかる後に、この状態でタンタル膜１３にドライエッチングを行い、下部電極１３ｂを形成する。例文帳に追加

Then, dry-etching is carried out for the tantalum film 13 in this state, and a lower electrode 13b is formed. - 特許庁

また、上記組成物を基体上に塗布し、熱および／または光で処理することにより、酸化タンタル膜が形成される。例文帳に追加

The tantalum oxide film is formed, by coating the composition on a substrate and treating it with heat or/and by light. - 特許庁

タンタル合金膜２７を形成する際に、露光工程において基板本体１１ａを露光領域１１Ａ、１１Ｂに分割し、分割露光を行う。例文帳に追加

When a tantalum alloy film 27 is formed, a board main body 11a is divided into exposure regions 11A and 11B during an exposure process for split exposure. - 特許庁

ここで、遮光膜８は透光性基板１に接して形成され、タンタルを主成分とし、酸素を実質的に含有しない材料からなる。例文帳に追加

The light shielding film 8 is formed in contact with a translucent substrate 1, and comprises a material consisting primarily of tantalum and substantially including no oxygen. - 特許庁

従って、絶縁層３３０は、高圧アニール処理で生成したタンタル酸化膜３３１が含まれているので、耐圧が高い。例文帳に追加

In this way, the insulation layer 330 contains the tantalum oxide film 331 which is generated by high pressure anneal processing, and it has a high breakdown voltage. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、炭化タンタル膜の仕事関数を適正に選択的に制御する。例文帳に追加

To properly and selectively control a work function of a tantalum carbide film in an insulated gate-type semiconductor device, related to a method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device. - 特許庁

前記のことから（１００）配向した窒化タンタル膜から構成された電子デバイス用の（１１１）配向した基板１０を提案する。例文帳に追加

From the results, a (111)-oriented substrate 10 for an electronic device, constituted of the (100)-oriented tantalum nitride film, is provided. - 特許庁

半透明領域１０６が単層もしくは２層以上で構成されており、少なくとも１層以上がタンタル化合物膜１０２であること。例文帳に追加

In the blank, a semitransparent region 106 comprises a single layer or two or more layers in which at least one layer consists of a tantalum compound film 102. - 特許庁

そして、下部電極３，酸化タンタル膜５および上部電極１２からなる微小容量素子を複数形成する。例文帳に追加

Then, a plurality of small capacity elements are formed, where the elements are composed of the lower electrode 3, the tantalum oxide film 5, and the upper electrode 12. - 特許庁

タンタル系材料の遮光膜パターンを有する基板掘り込みタイプの位相シフトマスクを作製するのに適したマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a mask blank suited for manufacturing substrate digging type phase shift masks, including a light-shielding film pattern of a tantalum-based material. - 特許庁

機能膜１７は、ニオブやタンタル、モリブデンの金属酸化物からなる固体酸触媒で形成されている。例文帳に追加

The functional film 17 is formed of a solid acid catalyst made of the oxide of metal such as niobium, tantalum and molybdenum. - 特許庁

薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。例文帳に追加

The thin film has an amorphous structure, and is formed of one of titanium, tantalum and molybdenum. - 特許庁

炭素基材４１の表面に、炭素基材４１を被覆した炭化タンタル被覆膜４２が形成されている。例文帳に追加

The tantalum carbide coating film 42 which covers a carbon substrate 41 is formed on a surface of the carbon substrate 41. - 特許庁

均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを得る。例文帳に追加

To provide a sputtering target of high-purity tantalum, which has a uniform and fine structure, makes plasma stable and forms a film having superior uniformity. - 特許庁

長時間通電加熱しても窒化タンタル薄膜ヒータの表面が酸化して抵抗値が劣化しない光導波路素子を提供する。例文帳に追加

To provide an optical waveguide element which is not deteriorated in a resistance value by the oxidation of the surface of a thin tantalum nitride film heater in spite of electrical heating for a long time. - 特許庁

配向した窒化タンタル膜が配された電子デバイス用基板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate for an electronic device, in which an oriented tantalum nitride film is disposed, and to provide a method for manufacturing the substrate. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を酸化してタンタル酸化膜からなる絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

When a nonlinear element 10x is manufactured, a tantalum film containing tungsten and nitrogen is used to form a lower electrode 13x, and the surface of the lower electrode 13x is oxidized to form an insulation film 14x formed of a tantalum oxide film. - 特許庁

下電極を構成するタンタル膜の窒素濃度を増大させなくても、十分な量の窒素を含むタンタル酸化膜を薄く形成することのできる非線形素子の製造方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a nonlinear element by which a thin tantalum oxide film containing a sufficient amount of nitrogen can be formed without increasing the nitrogen concentration of a tantalum film constituting a lower electrode, and to provide a method for manufacturing an electro-optical device. - 特許庁

容量下部電極１０９、容量絶縁膜１１０及び容量上部電極１１１からなる容量素子１１２の少なくとも一部分を、タンタル酸ビスマス、ニオブ酸ビスマス及びタンタルニオブ酸ビスマスの少なくとも１つからなる第２の水素バリア膜１１３によって被覆する。例文帳に追加

At least a part of a capacitive element 112 comprising a capacitive lower electrode 109, a capacitance insulating film 110 and a capacitive upper electrode 111 is coated with a second hydrogen barrier film 113 formed of at least one of bismuth tantalate, bismuth niobate and bismuth tantalum niobate. - 特許庁

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a nonlinear element wherein nitrogen can be entirely distributed in the direction of thickness of a tantalum oxide film when the tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is used as an insulation film, and to provide a method of manufacturing an electro-optic device. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition for CMP process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, having high selectivity to have high abrasion rate of copper and small abrasion rate of the tantalum compound and giving a smooth surface of the copper film. - 特許庁

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is employed as an insulating layer, to provide a nonlinear element, and to provide an electro-optic device. - 特許庁

水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、およびこの方法を利用した電気光学装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing nitrogen is employed as an insulating layer, and to provide a method for fabricating an electro-optic device. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition for CMP (chemical mechanical polishing) work having a high selectivity, that is, high in abrasion rate of copper but low in that of tantalum, and also excellent in the smoothness of the copper film surface, in the CMP work process of a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a polishing composition for use in CMP (chemical mechanical polishing) processing for semiconductor devices each having copper film and a tantalum compound, having such high selectivity that the polishing rate of copper is high but that of the tantalum compound is low, and also affording high smoothness of the surface of the copper film. - 特許庁

金属含有膜形成材料は、次の式（１）に示される有機金属含有化合物を主成分として含む金属含有膜形成材料であって、形成材料中にタンタル元素を含み、タンタル元素の含有量が０．１〜１ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする。例文帳に追加

The film forming material containing the metal is a film forming material containing a metal with an organic compound containing a metal expressed by formula (1) as a principal component, tantalum element is contained in the forming material, and the content of the tantalum element is within the scope of 0.1 to 1 ppm. - 特許庁

半導体ウエハ等の被処理体Ｗの表面に、タンタル酸化膜などのゲート酸化膜８を堆積するに際して、原料として常温で固体の五塩化タンタルを溶媒、例えばジエチル硫黄に配位結合状態で溶解させて、これを気化して処理室へ供給する。例文帳に追加

For depositing a gate oxide film 8, such as tantalum oxide film, etc., on the surface of a work W such as semiconductor wafer, etc., a raw material of tantalum pentachloride solid at room temperature is dissolved in a solvent, e.g. diethyl sulfur in a coordinate bond condition, and it is vaporized and fed into a processing chamber. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition which has high selectivity, in which the polishing rate for copper is large but the polishing rate for a tantalum compound is small and is superior in giving smoothness of surface to a copper- film in a CMP work process for a semiconductor device, having a copper film and a tantalum compound. - 特許庁

また、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜が窒素を含有していると、素子ドリフトが多くなり、残像現象が発生しやすくなるが、絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素に加えて、水素も含有しているため、素子ドリフト現象が小さいので、残像現像が発生しにくい。例文帳に追加

The nitrogen contained in the tantalum oxide film used for the insulation layer 14x increases element drift and may easily cause an after-phenomenon, but, the tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains hydrogen in addition to the nitrogen, and causes less element drift phenomenon, and thus, the after-image phenomenon hardly occurs. - 特許庁

半導体装置３００Ａに形成したキャパシタ６００において、誘電体層３３０は、温度が３００〜４００℃、圧力が０．５ＭＰａ〜２ＭＰａの条件下でタンタル膜を酸化してなるタンタル酸化膜３３１を含んでいるので、耐電圧が高い。例文帳に追加

In a capacitor 600 formed in a semiconductor device 300A, a dielectric layer 330 comprises a tantalum oxide film 331 formed by oxidizing a tantalum film at the temperature of 300-400°C and under the pressure of 0.5-2 MPa, and it has a high breakdown voltage. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for polishing for CMP machining that has superior selectivity where the polishing rate of a tantalum compound is small, even though that of copper is large in the CMP machining process of a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound, and also has smoothness in the surface of the copper film. - 特許庁

銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅の研磨レートは大きいがタンタル化合物の研磨レートが小さいという選択性の高い研磨用組成物であり、銅膜表面の平滑性にも優れたＣＭＰ加工用の研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a composition for abrasive for CMP processing with a high selectivity which has a big grinding rate for a copper film and a small grinding rate for a tantalum compound in a CMP processing of a semiconductor device having the copper film and the tantalum compound, and excellent in smoothness of the copper film surface. - 特許庁

良好な蒸気圧を持ち、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法等によってニオブ又はタンタル含有薄膜を製造するための原料となる新規なニオブあるいはタンタル錯体、その製造方法、それを用いた金属含有薄膜及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new niobium or tantalum complex having good vapor pressure, which becomes a raw material for producing a niobium- or tantalum-containing thin film by CVD, ALD or the like, and to provide a method for producing the complex, and to provide a metal-containing thin film using the complex and to provide a method for producing such a metal-containing thin film. - 特許庁

半導体基板１００上にポリシリコン膜１１０及びＨＳＧ膜１１２からなる下部電極と、酸化タンタル膜１１４からなる容量絶縁膜と、窒化チタン膜１１５からなる上部電極を形成する。例文帳に追加

A lower electrode consisting of a polysilicon film 110 and an HSG film 112, a capacitor insulating film of tantalum oxide film 114, and an upper electrode of a titanium nitride film 115 are formed on a semiconductor substrate 100. - 特許庁

タンタル膜に対する酸化は、高湿度雰囲気中での熱処理により行い、それより以前にゲート絶縁膜および誘電体膜を介して半導体膜に不純物を打ち込んだ際の欠陥を誘電体膜４４から除去する。例文帳に追加

The oxidation to the tantalum films is carried out by heat treatment under a highly humid atmosphere so as to remove defects previously generated in implanting impurities to semiconductor films via the gate insulating films and the dielectric film from the dielectric film 44. - 特許庁

シリコン基板１裏面に下層から順に第１のシリコン酸化膜２、シリコン窒化膜３が形成されたシリコン基板において、前記シリコン窒化膜３上にタンタルオキサイド膜４を成膜する。例文帳に追加

In the silicon substrate with the first silicon oxide film 2 and the silicon nitride film 3 formed in this order from the lower layer at the rear face of the silicon substrate 1, a tantalum oxide film 4 is formed on the silicon nitride film 3. - 特許庁

接着層パターン上には漏れ電流防止膜パターン４８ａが形成され、漏れ電流防止膜パターンはタンタル酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの組み合わせ膜で構成することが望ましい。例文帳に追加

On the adhesive layer pattern, a leak current preventing film pattern 48a is formed and it is preferable that the leak current preventing film pattern is composed of a tantalum oxide film, silicon nitride film or combination film thereof. - 特許庁

シリコン基板１上に、ＨＤＰ−ＮＳＧ膜２、タンタル酸化膜３、チタン窒化膜４、犠牲膜としてＣＶＤ法によるＮＳＧ膜５を順次積層する。例文帳に追加

An HDP-NSG (high-density plasma-NSG) film 2, a tantalum oxide film 3, a titanium nitride film 4, and an NSG film 5 as a sacrifice film formed by the CVD (chemical vapor deposition) method are successively laminated on a silicon substrate 1. - 特許庁

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。例文帳に追加

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same. - 特許庁