「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ケイ素、チタン、アンチモン、ジルコニウム、クロム、タンタル、ニオブ、バナジウム、マンガン、レニウム等の化合物を含む水溶液を電解還元又は無電解還元することにより、基材上に酸化物皮膜を形成する。例文帳に追加

An aqueous solution comprising a compound of silicon, titanium, antimony, zirconium, chromium, tantalum, niobium, vanadium, manganese, rhenium or the like is subjected to electrolytic reduction or electroless reduction, so that an oxide film is formed on a base material. - 特許庁

誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。例文帳に追加

A dielectric layer 21-1 is provided on the metal layer 19-1 and the dielectric layer 21-1 includes a silicon oxide film, a silicon nitride, a silicon oxynitride, a hafnium oxide, a tantalum oxide and the like. - 特許庁

約３０〜５５原子％のアルミニウム及び約０．５〜３原子％のタンタルを含有し、残部のニッケル、コバルト、鉄又はこれらの混合物である合金から形成された耐酸化性皮膜が提供される。例文帳に追加

The oxidation resistant coating is formed of an alloy containing, by atom%, about 30 to about 55 aluminum and about 0.5 to about 3 tantalum, and the balance nickel, cobalt, iron or their mixture. - 特許庁

下部電極１３をスパッタ法で形成する際、チャンバーに酸素ガスあるいは窒素ガスを導入して、タンタルとニオブとの合金膜の表面粗さを改善する。例文帳に追加

When the lower electrode 13 is formed by a spurring process, gaseous oxygen or gaseous nitrogen is introduced into the chamber, and the surface roughness of the alloy film of tantalum and niobium is improved. - 特許庁

アモルファスシリコン１２１からなる通常のトランジスタ構造のゲート電極高さを、タンタル窒化膜１４２からなるリプレースメントゲート構造のゲート電極高さよりも低くする。例文帳に追加

The height of a gate electrode of ordinary transistor structure composed of amorphous silicon 121 is made lower than the height of a gate electrode of the replacement structure composed of tantalum oxynitride film 142. - 特許庁

非線形素子１０ｘは、窒素およびタングステン含有のタンタル膜からなる下電極１３ｘ、この下電極１３ｘの表面側を覆う絶縁層１４ｘ、および上電極１５ｘを備えている。例文帳に追加

The nonlinear element 10x includes: the lower electrode 13x composed of a tantalum film containing nitrogen and tungsten; the insulating layer 14x covering the surface side of the lower electrode 13x; and an upper electrode 15x. - 特許庁

導電性金属基体表面に、タンタル、ジルコニウムおよびニオブよりなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む薄膜が形成されていることを特徴とする陽極基体。例文帳に追加

The anode substrate has a thin film including at least one element selected from the group consisting of tantalum, zirconium and niobium, formed on the surface of the electroconductive metal substrate. - 特許庁

透明基板３の板面に、金属として錫とニオブ又はタンタルとを含む金属酸化物透明導電膜２が形成されている透明タッチパネル用基板１。例文帳に追加

In this substrate 1 for a transparent touch panel, a metal-oxide transparent conductive film 2 including tin and niobium or tantalum as metal is formed on the plate face of the transparent substrate 3. - 特許庁

半透明領域膜の１層は、タンタルを主成分としシリコンを含まない層であり、他の層は遷移金属及びシリコン及び酸素もしくは窒素を主成分とする層であること。例文帳に追加

One layer in the semitransparent region film essentially consists of tantalum and contains no silicon, while other layers essentially consists of a transition metal, silicon and oxygen or nitrogen. - 特許庁

ＴＦＤ素子の第１金属膜及び外部接続用配線の第１導電層を夫々クロムにて形成し、次にその上に酸化タンタルを形成する。例文帳に追加

A first metallic film and a first electrically conductive layer for the external connection wiring of a TFD element are respectively formed by chromium, and tantalium oxide is formed over them. - 特許庁

ＳＡＷトランスバーサルフィルタ１は、タンタル酸リチウム単結晶からなる圧電基板と、圧電基板の表面に形成され、アルミニウムを主成分とする膜厚ＨｍのＩＤＴ２とを備えている。例文帳に追加

This SAW transversal filter 1 is provided with a piezoelectric substrate made of lithium tantalate single crystal and an IDT (interdigital transducer) 2 formed on the surface of the piezoelectric substrate and made mainly of aluminum of film thickness Hm. - 特許庁

アノード１６に向けてエミッタ１３をもつ冷陰極１１から放出される電子を制御するゲートの支持およびゲート１５、エミッタ間の絶縁に自己酸化膜を有するタンタル基板１４を用いる。例文帳に追加

This cold cathode electronic device uses a tantalum board 14 supporting a gate controlling the electron emitted from a cold cathode 11 having an emitter 13 toward an anode 16, and having a self-oxidized film for the insulation between the gate 15 and the emitter. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

Upon manufacturing a nonlinear element 10x, after a lower electrode 13x is formed from a nitrogen-containing tantalum film, the surface of the lower electrode 13x is anodized to form an insulating layer 14x. - 特許庁

これにより、超音波エネルギーがタンタル膜よりなる接続電極とボンディングワイヤとの接合面に効果的に印加され、接合強度が大幅に向上する。例文帳に追加

Thus, ultrasonic energy is effectively applied to a bonding surface of the electrode made of a tantalum film to the bonding wire, and a bonding strength is improved greatly. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、タングステンおよび窒素を含有するタンタル膜によって下電極１３ｘを形成した後、下電極１３ｘの表面を陽極酸化して絶縁層１４ｘを形成する。例文帳に追加

In the process for fabricating a nonlinear element 10x, a lower electrode 13x is formed of a tantalum film containing tungsten and nitrogen and then an insulating layer 14x is formed by anodizing the surface of the lower electrode 13x. - 特許庁

ハフニウム酸化膜１０５を堆積した後で、タンタル金属１０６を堆積した後、ドープドシリコン１０８を堆積させ、活性化熱処理を行う。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of depositing a hafnium oxide film 105, depositing a tantalum metal 106, then depositing a doped silicon 108, and activation heat treating the film. - 特許庁

被研磨材料が、銅、アルミニウム、タングステン、タンタル、及びそれらの合金、酸化ケイ素、並びに低誘電率絶縁膜からなら群より選ばれた少なくとも１種の物質である。例文帳に追加

At least one kind of a substance selected from a group composed of copper, aluminum, tungsten, tantalum and these alloy, silicon oxide and a low dielectric-constant insulating film is used as a polished material. - 特許庁

ＥＣＲスパッタ法により、基板加熱をしない状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる非晶質状態のＳＢＴ薄膜１０４が、プラチナ層１０３の上に堆積された状態とする。例文帳に追加

With a substrate in a non-heated state, an amorphous SBT thin film 104 consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a platinum layer 103 by ECR sputtering. - 特許庁

熱分解して水を発生する化合物と有機金属化合物および有機溶剤とを含有することを特徴とするタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜形成用溶液。例文帳に追加

The solution for forming the bismuth strontium tantalate (SBT) thin film is characterized by comprising a compound which generates water when it is pyrolyzed, an organometallic compound and an organic solvent. - 特許庁

窒素添加タンタルは立方晶系（α相）であり、抵抗率が低いので、データ線２の配線抵抗を低く抑えたい場合でも膜厚を薄くできる。例文帳に追加

Since the nitrogen added tantalum has a cubic crystal system (α phase) and low resistivity, even when wiring resistance of the data line 2 is desired to be lowered, the film thickness can be made thin. - 特許庁

半導体基板上に第１配線１０２に接続するように形成された接続孔１０８と配線溝１１０の内部に、タンタル（Ｔａ）からなるバリア膜１１４をスパッタ法で堆積する。例文帳に追加

A barrier film 114 made of tantalum (Ta) is deposited by a sputter method inside a connection hole 108, and a wiring groove 110 formed on a semiconductor substrate for connecting to first wiring 102. - 特許庁

ＥＣＲスパッタ法により基板温度（成膜温度）を３７０℃程度とした状態で、ストロンチウム（Ｓｒ）とビスマス（Ｂｉ）とタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）とからなる金属酸化物（ＳＢＴ）を基板１０１の上に堆積する。例文帳に追加

With a substrate temperature (film forming temperature) being kept at about 370°C by an ECR sputtering, a metal oxide (SBT) consisting of strontium (Sr), bismuth (Bi), tantalum (Ta), and oxygen (O) is deposited on a substrate 101. - 特許庁

液体は乾燥、焼成およびアニールされ、基板上にストロンチウムビスマスタンタル酸塩などの層状超格子材料の薄膜（506、860）が形成される。例文帳に追加

The liquid is dried, sintered, and annealed, and a thin film (506, 860) of a ferroelectric layer super-lattice material, such as strontium bismuth tantalite is formed on the substrate. - 特許庁

ニオブ又はタンタルについて、それぞれの酸化物のみならず、複合金属酸化物の製造にも適する安定性を有するＣＶＤ用原料、該原料を用いた金属酸化物薄膜及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material for CVD having stability suitable not only to the production of respective oxides as to niobium and tantalum but also to the production of multiple metallic oxides, to provide a metallic oxide thin film using the same raw material and to provide its producing method. - 特許庁

スペーサ遮光膜１９はスイッチング素子１８を構成する複数の要素の少なくとも１つと同じ材料、例えばタンタル、クロム等によって形成される。例文帳に追加

The spacer light shielding film 19 is formed with a material which is identical to at least one out of a plurality of components constituting the switching element 18, for example tantalum, chromium, or the like. - 特許庁

膜形成用前駆体溶液は、ニオブ化合物またはタンタル化合物１モルに対して２．５〜３．５モルの過酸化水素を反応させてなる反応生成物を含み、固形分濃度が８．５重量％以下である。例文帳に追加

The precursor solution for film formation comprises a reaction product produced by reacting a niobium compound or a tantalum compound with 2.5-3.5 moles of hydrogen oxide per one mole of niobium compound or tantalum compound and has a solid concentration of not more than 8.5 wt.%. - 特許庁

硫化亜鉛系でない、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタルを主成分とし、酸化亜鉛含有量が５０〜９０モル％である保護層を酸素ガス添加無しのスパッタ法により成膜する。例文帳に追加

The protecting layer which is mainly composed of a zinc oxide, a niobium oxide and a tantalum oxide but not of a zinc-sulfide system and has a zinc-oxide content of 50 to 90 mol% is formed by sputtering without gaseous oxygen addition. - 特許庁

ＭＩＭ型非線形素子の絶縁膜中に含まれる酸素とタンタルの原子比をＯ／Ｔａ＜２．５とすることで電圧−電流特性の急峻性を大きくすることを目的とする。例文帳に追加

To increase the sharpness of voltage-current characteristics by setting the atom ratio of oxygen and tantalum which are contained in the insulating film of an MIM-type nonlinear element to O/Ta<2.5. - 特許庁

高メタン雰囲気で炭化処理したタンタルフィラメントを用い、フィラメントの張替えや交換なしに複数回の使用を可能とすることにより、生産性や成膜品質の安定性を向上する。例文帳に追加

To improve the production efficiency and stability of the quality of the deposition film by using a tantalum subjected to carbonization treatment in a high methane atmosphere and by permitting use of a plurality of times of the filament without replacement or exchange of the filament. - 特許庁

界面層３の膜厚が、第１保護層２と界面層３の合計の０．２５以上０．６７以下であり、かつ界面層３はタンタル（Ｔａ）と酸素（Ｏ）を含有する記録媒体とする。例文帳に追加

The recording medium has the interfacial layer 3 having the film thickness as ≥0.25 and ≤0.67 time as the total thickness of a first protective layer 2 and the interfacial layer and containing tantalum (Ta) and oxygen (O). - 特許庁

透光性を有する陽極を有する発光装置において、陽極の抵抗値を下げるため、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）を有する導電膜を設ける。例文帳に追加

In a light emitting device having a light transmitting anode, for the purpose of lowering the resistance value of the anode, a conductive film having titanium (Ti), aluminum (Al), tantalum (Ta), tungsten (W), chrome (Cr), copper (Cu) or silver (Ag) is provided. - 特許庁

さらにスパッタターゲット、キャパシタ容器、抵抗性膜層、ワイア等を含むが、これらに限定されない、金属タンタルからつくられる物品および部品について記載されている。例文帳に追加

Also articles and components made from the tantalum metal which include, but are not limited to, sputtering targets, capacitor cans, resistive film layers, wire, and the like are described. - 特許庁

均一微細な組織を備え、プラズマが安定であり、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れた高純度タンタルスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a high purity tantalum sputtering target which has a uniform fine structure, and provides stable plasma and a film having excellent uniformity. - 特許庁

真空蒸着の際に、真空蒸着装置の真空度が落ち難く、且つ、スプラッシュ量が少ない酸化タンタル蒸着材およびその製造方法、並びに蒸着膜の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a vapor-deposition material of a tantalum oxide which hardly cause the lowering of a degree of vacuum in a vacuum vapor-deposition apparatus, and is less in the amount of splashing during a vaccum deposition and to provide a production method thereof. - 特許庁

酸化タンタル膜の形成方法は、上記組成物を湿度５．０ｇ／ｍ^３以下の雰囲気下で基体上に塗布し、熱および/または光で処理することを特徴とする。例文帳に追加

This method for forming a tantalum oxide film is characterized by coating the above composition on a substrate in the atmosphere of less than 5.0 g/m^3 humidity and treating with heat and/or light. - 特許庁

陽極酸化皮膜層と導電性ポリマー層との同時生成が可能で、優れた容量出現率が得られるタンタル固体電解コンデンサの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which a tantalum solid electrolytic capacitor, in which an anodically oxidized coating film and a conductive polymer layer can be formed simultaneously, and from which a superior capacitance appearance ratio can be obtained, can be manufactured. - 特許庁

スパッタ法により、ヴィアホール１７ａ及び上部配線形成溝１８ａの壁面及び底面上を含む第４の絶縁膜１７の上に、厚さが約２５ｎｍの窒化タンタルからなる下部バリア層１９を堆積する。例文帳に追加

A lower barrier layer 19 comprising a tantalum nitride of about 25nm in thickness is deposited by a spattering method on the via hole 17a and a fourth insulating film 17 containing a wall surface and undersurface of the via hole and minute interconnection forming groove 18a. - 特許庁

強誘電体膜１２は、少なくともストロンチウムと、ビスマスと、タンタルと、酸素とを含み、一般式がＳｒ_xＢｉ_yＴａ_2Ｏ_9（但し、０．６９≦ｘ≦０．８１であり、２．０９≦ｙ≦２．３１である。）で表される化合物である。例文帳に追加

The film 12 is a compound which contains at least strontium, bismuth, tantalum and oxygen and whose general formula is expressed as Sr_xBi_yTa_2O_9 (where 0.69≤x≤0.81 and 2.09≤y≤2.31). - 特許庁

被処理体Ｗの表面にタンタル酸化膜５２を形成するに際して、まず、被処理体の表面全体に水蒸気等の酸化剤を均一に付着させる。例文帳に追加

When forming the tantalum oxide film 52 on a surface of a body W to be treated, first an oxidizing agent of water vapor or the like is adhered to the entire surface of the body uniformly. - 特許庁

０．００４Ｆ／ｍ^２以上の範囲のキャパシタンスを有しおよび電界強度−１．２５〜＋１．２５ＭＶ／ｃｍの範囲１×１０^−８Ａ／ｃｍ^２以下のリーク電流しか示さないタンタル酸化物膜およびその製法。例文帳に追加

The tantalum oxide film having the capacitance of a range 0.004 F/m^2 or more, electric field strength in a range -1.25 - +1.25 MV/cm, and only the leak current of 1×10^-8 A/cm^2 or less, and the manufacturing method thereof are provided. - 特許庁

透明性樹脂基板の表面にシリコン酸化物およびタンタル酸化物のうちの少くとも１種が膜厚０．２μｍ〜３．０μｍの範囲で単一層として蒸着されているものとする。例文帳に追加

The coating material comprises a single layer of at least one type selected from the group consisting of a silicon oxide and a tantalum oxide vapor-deposited as a single layer in a range of a thickness of 0.2 to 3.0 μm on the surface of a transparent resin board. - 特許庁

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。例文帳に追加

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15. - 特許庁

本発明の電子線露光用マスクは、転写すべき所定パターンが形成されたマスク部１０を有する電子遮蔽膜と、所定パターンに対応する貫通孔を有し、電子遮蔽膜を支持する支持膜と、マスク部１０の外側で支持膜を支持する支持枠とを備え、電子遮蔽膜をタンタル膜４で構成し、支持膜をダイヤモンド膜３で構成した。例文帳に追加

The mask for electron beam exposure comprises an electron shield film having a mask part 10 where a specified pattern to be transferred is formed, a film for supporting the electron shield film having through holes corresponding to the specified pattern, and a frame for supporting the supporting film on the outside of the mask part 10 wherein the electron shield film comprises a tantalum film 4 and the supporting film comprises a diamond film 3. - 特許庁

前記陽極が、イリジウム酸化物と、白金、タンタル、チタン及びニオブから選ばれた金属又は金属酸化物とからなる被覆を設けた不溶性電極であること、陽極と陰極との間に隔膜として中性膜あるいはイオン交換膜を設けることが好ましい。例文帳に追加

The anode is preferably an insoluble electrode provided with a covering formed of iridium oxide and a metal or a metal oxide selected among platinum, tantalum, titanium and niobium, and a neutral membrane or an ion-exchange membrane is preferably provided between the anode and the cathode. - 特許庁

透明基板上にハーフトーン位相シフト層と実質的な遮光膜とが積層されているハーフトーン位相シフトフォトマスク形成用のブランクスであって、前記実質的な遮光膜が、タンタルを主成分とする１層を含む、単層または多層膜からなる。例文帳に追加

The substantially shading film comprises a monolayer or multilayer film including one tantalum-base layer. - 特許庁