「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、銅などの金属膜、タンタルなどのバリアメタル膜、絶縁膜の研磨性能に優れると同時に、簡単な工程を経ることにより繰り返し使用することの可能な化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および化学機械研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide: an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which is not repeatedly used through a simple process while having superior polishing performance for a metal film of copper etc., a barrier metal film of tantalum etc., and an insulating film; a method of manufacturing the aqueous dispersion for the chemical mechanical polishing; and a method for the chemical mechanical polishing. - 特許庁

鍛造・圧延等の塑性加工工程及び熱処理工程を改良・工夫することにより、成膜速度が大きく、膜の均一性（ユニフォーミティ）に優れ、またアーキングやパーティクルの発生が少ない成膜特性に優れたタンタルスパッタリング用ターゲット及び該ターゲットを安定して製造できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tantalum sputtering target having a high deposition speed and excellent uniformity of film, producing less arcings and particles and having excellent film forming properties, and to provide the method capable of stably manufacturing the target by improving and devising plastic working steps such as forging and rolling, and the heat treatment step. - 特許庁

ＮＤフィルタ１０は、平面形状が略円形のガラスである透明基板１１と、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２ ）で形成された低屈折率誘電体薄膜１２と、ニクロム（ＮｉＣｒ）で形成された金属薄膜１３と、五酸化タンタル（Ｔａ_２ Ｏ_５ ）で形成された高屈折率誘電体薄膜１４とで構成されている。例文帳に追加

The ND filter 10 is constituted of a transparent substrate 11 of a glass having almost circularity in a plane section, a low refractive index dielectric thin film 12 formed of magnesium fluoride (MgF_2), a metallic thin film 13 formed of nichrome (NiCr), and a high refractive index dielectric thin film 14 formed of tantalum pentaoxide (Ta_2O_5). - 特許庁

バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。例文帳に追加

The barrier metal film 21 is so formed as to cover the inside of the openings 17 and 20 and consists of a tantalum film containing α-Ta and β-Ta having different crystal structures, with the ratio of β-Ta with respect to α-Ta being not less than 1 nor more than 5 in a portion in contact with the low specific permittivity interlayer insulation film 8. - 特許庁

クロムからなる遮光性膜（上層）をクロムのエッチング液でウエットエッチングする際に、下層のタンタル系半透光性膜へのダメージを極力抑えることができ、しかもエッチングストッパも不要で膜構成が単純であるＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクを提供する。例文帳に追加

To provide a mask blank for use in manufacturing of an FPD device, which is capable of suppressing the damage to a tantalum light-semitransmissive film of a lower layer as much as possible when wet-etching a light-shielding film (upper layer) made of chromium by a chromium etching solution and doesn't need an etching stopper and has a simple film configuration. - 特許庁

ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、透光成基板１６と、前記基板１６上に形成されたクロムを含む材料からなる半透光性膜１７と、前記半透光性膜１７上に形成されたタンタルを含む材料からなる遮光性膜１８と、を備えることを特徴とする。例文帳に追加

The photomask blank for use in manufacturing of an FPD device includes a light-transmissive substrate 16, a light-semitransmissive film 17 which is formed on the substrate 16 and is made of a material containing chromium, and a light-shielding film 18 which is formed on the film 17 and is made of a material containing tantalum. - 特許庁

（Ａ）アルコキシシランの加水分解物、（Ｂ）有機溶媒ならびに（Ｃ）チタンアルコキシド化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物、アルミニウムアルコキシド化合物、タンタルアルコキシド化合物、ボロンアルコキシド化合物、チタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、タンタルキレート化合物、ボロンキレート化合物の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。例文帳に追加

The insulating film-forming composition contains (A) a hydrolyzed product of an alkoxysilane, (B) an organic solvent, and (C) a hydrolyzed condensation product which is obtained by hydrolyzing and condensing at least one compound selected from the group consisting of a titanium alkoxide, zirconium alkoxide, aluminum alkoxide, tantalum alkoxide, boron alkoxide, titanium chelate, zirconium chelate, aluminum chelate, tantalum chelate, and boron chelate compound. - 特許庁

透明導電性膜形成用前駆体液は、（Ａ）チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と（Ｂ）ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む透明導電性膜形成用前駆体液であって、硝酸および塩酸の少なくとも一方を含有する。例文帳に追加

This precursor liquid for forming a transparent conductive film includes (A) a reaction product made by reacting a titanium compound with hydrogen peroxide and (B) a reaction product made by reacting a niobium compound or a tantalum compound with hydrogen peroxide, and also contains at least either nitric acid or hydrochloric acid. - 特許庁

透明基板上に前記ハーフトーン位相シフター部を形成するためのハーフトーン位相シフター膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、ハーフトーン位相シフター膜５が、珪素、酸素、及び窒素とから実質的になる材料からなる上層４と、タンタル及びハフニウムとから実質的になる材料からなる下層３とからなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク１。例文帳に追加

In a halftone phase shifting mask blank 1 having on a transparent substrate a halftone phase shifter film for forming a halftone phase shifter portion, the halftone phase shifter film 5 comprises an upper layer 4 comprising a material consisting essentially of silicon, oxygen and nitrogen and a lower layer 3 comprising a material consisting essentially of tantalum and hafnium. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルからなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、この酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。例文帳に追加

In an active matrix electrooptical device, a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element comprises a lower electrode 13 composed of tantalum, an oxide film 14 formed by anodizing the surface of the lower electrode 13, and an upper electrode 15 opposing the lower electrode 13 through the oxide film 14. - 特許庁

前記１次化学的機械的研磨用スラリー組成物は、研磨粒子；酸化剤；有機酸；所定の腐蝕抑制剤；および重量平均分子量３，０００乃至１００，０００のポリビニルピロリドンを含む高分子添加剤；を含み、銅膜に対する研磨率：タンタル膜に対する研磨率が３０：１以上の研磨選択比を有する。例文帳に追加

The slurry composition for primary chemical mechanical polishing comprises an abrasive, an oxidant, an organic acid, a specific corrosion inhibitor, and a polymeric additive comprising polyvinylpyrrolidone having weight average molecular weight of about 3,000 to 100,000, and has polishing selectivity of polishing rates between a copper layer and a tantalum layer of about 30:1 or more. - 特許庁

本皮膜（２４）は、１４〜３０原子％の平均アルミニウム含有量と、少なくとも１〜１０未満の原子％の平均白金族金属含有量とを有し、本皮膜（２４）の残部は、ニッケルと、クロム、シリコン、タンタル及びコバルトの１つ又はそれ以上と、随意的にハフニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン及びセリウムの１つ又はそれ以上と、随伴不純物とである。例文帳に追加

The coating film (24) has an average aluminum content of 14 to 30 atom% and an average platinum-group metal content of at least 1 to less than 10 atom%, the balance of the coating (24) being nickel, one or more of chromium, silicon, tantalum, and cobalt, optionally one or more of hafnium, yttrium, zirconium, lanthanum, and cerium, and incidental impurities. - 特許庁

互いに反平行な磁化方向を示す第１および第２の磁化固着膜２３１，２３３のうち磁化自由層２５から遠い側の第２の磁化固着膜２３３を、例えばタンタル（Ｔａ），クロム（Ｃｒ）およびバナジウム（Ｖ）のうちの少なくとも１つを含む材料により構成し、０．２５以下のバルク散乱係数を示すようにする。例文帳に追加

From among 1st and 2nd magnetized fixed films 231, 233 which respectively indicate mutually parallel magnetization directions, the 2nd magnetized fixed film 233 which is far from a magnetized free layer 25 is constituted of a material containing at least one of tantalum (Ta), chromium (Cr) and vanadium (V) and indicates bulk scattering coefficient of ≤0.25. - 特許庁

少なくとも１つの開口部６を有する基材１と、基材の第１面および開口部を被覆するカーボン膜２と、カーボン膜上に形成された金属層（例えばタンタル層）３と、セラミック層（例えば酸化アルミニウム層）４とを有する透過型電子顕微鏡用グリッドと、それを上下から挟んで固定するホルダー。例文帳に追加

This grid holder sandwiches from the upper and lower sides and fixes this grid for the transmission electron microscope having a base material 1 having at least one opening part 6, a carbon film 2 for covering a first face and the opening part of the base material, a metal later (for example, a tantalum layer) formed on the carbon film, and a ceramic layer (for example, an alumina layer). - 特許庁

酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれた少なくとも1種類から成る結晶質の第１酸化物と酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれた少なくとも1種類から成る第２酸化物とを有し、該第１酸化物の結晶粒子の粒界に該第２酸化物が存在する無機化合物膜上に磁性膜を形成した磁気記録媒体とする。例文帳に追加

The second oxide is present in the intergranular region of the crystal grains of the first oxide. - 特許庁

シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも１種の酸化物を含む中間層と、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。例文帳に追加

In the gas-sensitive laminate, a semiconductor layer, such as a silicon wafer or the like, the insulating membrane composed of silicon dioxide or the like, an intermediate layer containing at least one kind of oxide from among titanium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, niobium oxide and molybdenum oxide and the sensitive membrane composed of a metal such as Pd, Pt or the like are laminated in this order. - 特許庁

表面と裏面を有する基板１１を設ける工程と、フォトリソグラフィープロセスに使用されるＥＵＶ光を吸収するために、基板の表面にイオンビームスパッタリングにより窒化タンタル（ＴａＮ）からなる膜１５を沈積する工程と、基板の裏面にイオンビームスパッタリングにより導電膜１６を沈積する工程とを有する。例文帳に追加

The method comprising the steps for providing a substrate 11 having a surface and a backside; depositing a film 15 composed of tantalum nitride (TaN) on the surface of the substrate by means of ion beam sputtering, in order to absorb EUV light used in a photolithography process; and depositing an electrically conductive film 16 on the backside of the substrate by means of ion beam sputtering. - 特許庁

半導体装置の製造に当たってダマシン法により配線を形成する際に、剰余バリアメタル膜の除去に好ましく使用されるＣＭＰ用研磨組成物で、タンタル系バリア膜に対する高い研磨選択性および半導体材料の高い表面平坦性を有し、取扱いにも優れる研磨用スラリーを提供すること。例文帳に追加

To provide a polishing slurry, easy to use and having high polishing selectivity to a tantalum barrier film and high surface planarity of a semiconductor material, which is a polishing composition for CMP favorably used for removing an extra barrier metal film when wiring is formed by a damascene method at manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

ディスク基板上に、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる1種類の酸化物からなる結晶粒子と該結晶粒子の結晶粒界に析出した酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも1種類の酸化物とを有する無機化合物膜を形成し、該無機化合物膜に還元処理を行うことにより前記結晶粒子に磁性を発現させて磁気記録媒体を製造する。例文帳に追加

By this treatment, the grains are allowed to exhibit magnetism and the objective magnetic recording medium is produced. - 特許庁

基体上に、酸化ガリウム薄膜、ガリウム、インジウムおよび酸素からなる酸化物薄膜、ならびにガリウム、インジウム、アルミニウムおよび酸素からなる酸化物薄膜の中から選択される少なくとも１種以上からなるバッファー層が形成され、そのバッファー層上に酸化チタンを主成分としニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、ならびにタングステンから選択される少なくとも１種以上の元素を含む酸化物薄膜からなる透明導電膜層が形成されていることを特徴とする積層体。例文帳に追加

The laminate has the buffer layer formed of at least one kind or more selected from a group composed of a gallium oxide thin film, an oxide thin film formed of gallium, indium and oxygen, and a transparent conductive film layer formed of an oxide thin film including at least one kind or more of elements selected from a titanium oxide as a main component and from niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, and tungsten are formed on its buffer layer. - 特許庁

単結晶圧電基板の表面にＩＤＴ電極を備えかつ金属バンプを介してベース基板上にＦＣＢ実装されたＳＡＷ素子を１以上含むＳＡＷ装置で、ＩＤＴ電極は、単結晶圧電基板上に順次積層した窒化チタン又はチタンからなる下地層とＡｌ層とを含む積層膜により形成されかつ、単結晶圧電基板は４６°以上の回転Ｙ‐Ｘ伝搬タンタル酸リチウム基板である。例文帳に追加

The IDT electrode is formed by laminated films containing a substrate layer composed of titanium nitride or titanium laminated on the single crystal piezoelectric substrate one by one and an Al layer, and the single crystal piezoelectric substrate is a lithium tantalate substrate with 46° or more rotation Y-X propagation. - 特許庁

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。例文帳に追加

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12. - 特許庁

反射防止膜形成用組成物は、式：−ＯＲ（但し、Ｒはアルキル基、アリール基、アラルキル基またはアリールオキシアルキル基を表す。）で示される有機基を有する、タングステン化合物、モリブデン化合物、ニオブ化合物およびタンタル化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物の部分加水分解物および溶剤を含有してなる。例文帳に追加

The compsn. for forming an antireflection film contains a partial hydrolyzate of at least one compd. selected from the group comprising tungsten, molybdenum, niobium and tantalum compds. having an org. group represented by the formula-OR (where R is an alkyl, aryl, aralkyl or aryloxyalkyl) and a solvent. - 特許庁

圧電材料にタンタル酸リチウムを用い厚みすべり振動を主振動とする圧電振動子において、素子寸法が小さくなり励振用電極面積が小さくなっても共振インピーダンスが小さく、かつ電極膜の断線が生じにくい圧電振動素子およびその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a piezoelectric vibrating element where a resonance impedance is small and an electrode film is hardly disconnected, even if element dimensions are made small and an electrode area for exciting is reduced, in a piezoelectric vibrator, for which tantalic acid lithium is used for piezoelectric materials, with thickness-shear vibrations as main vibrations and to provide a producing method therefor. - 特許庁

弾性表面波装置１の励振電極３の櫛歯状電極４は、電極指５を圧電基板２上に、タンタルを主成分とし、膜厚１ｎｍないし３０ｎｍの第１の金属層６を形成し、第１の金属層６上にアルミニウムを主成分とし銅を添加させた第２の金属層７を形成する。例文帳に追加

As for the comb-shaped electrodes 4 of the exciting electrodes 3 of an SAW device 1, each electrode finger 5 is obtained by forming the first metallic layer 6 having a film thickness of 1 nm to 30 nm based on tantalum on the piezoelectric substrate 2 and forming the second metallic layer 7 added with copper based on aluminum on the layer 6. - 特許庁

主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、準備された前記ガラス基板に対し、加熱処理を行う工程と、加熱処理後のガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing mask blanks includes steps of: preparing a glass substrate of which main surface is mirror polished; performing a heat treatment for the prepared glass substrate; and forming a thin film that is formed of a material including tantalum and substantially including no hydrogen, on the main surface of the glass substrate after the heat treatment. - 特許庁

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。例文帳に追加

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates. - 特許庁

また、本発明の還元性雰囲気炉用炭素複合材料の製造方法は、ターゲット材としての金属Ｔａ及びＣを含む反応ガスを使用してアークイオンプレーティング（ＡＩＰ）式反応性蒸着法により上記の熱膨張係数を特性値として有する黒鉛基材の表面に炭化タンタルの皮膜を形成する。例文帳に追加

The production method for the carbon composition material for the reducing atmosphere furnace is carried out by using metal Ta as a target material and the reactive gas containing C and forming the tantalum carbide coating film on the graphite substrate having the above thermal expansion coefficient as the characteristic value by an arc ion plating (AIP) type reactive vapor deposition method. - 特許庁

ニオブ、チタン、ジルコニウムおよびタンタルの中から選択された１つの材料から実質的になり、材料の純度が９９．９％以上である基材１と、前記基材１の表面上の、少なくとも強酸性腐食性流体と接する領域に形成される前記基材１の陽極酸化皮膜２とからなることを特徴とする耐食性部材３を使用する。例文帳に追加

The corrosion resistant member 3 is composed of a base material 1 substantially consisting of one material selected from niobium, titanium, zirconium and tantalum and having a purity of ≥99.9%, and an anodic oxide film 2 of the base material 1 at least formed on a region contacted with a strongly acidic corrosive fluid on the surface of the base material 1. - 特許庁

スパッタリングにて、位相および透過率を制御した光学薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットに於いて、前記スパッタリングターゲットが金属とシリコンと炭素からなり、前記金属がＺｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｃｒ（クロム）なる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とするスパッタリングターゲットである。例文帳に追加

The sputtering target for depositing an optical thin film having a controlled phase and transmittance by sputtering is characterised in that it comprises metal and silicon, and the metal is at least one kind of metal selected from the group consisting of Zr (zirconium), Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantalum), Ti (titanium), Hf (hafnium) and Cr (chromium). - 特許庁

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。例文帳に追加

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load. - 特許庁

下部電極１５は、タンタルを主成分とする厚さ２０００ｎｍ未満の金属薄膜であって、そのＸ線回折ピークにおいて、正方晶β相の（００２）回折ピークのピーク強度Ｉ_βと立方晶α相の（１１０）回折ピークのピーク強度Ｉ_αとの強度比Ｉ_α／Ｉ_βが０．１以下である。例文帳に追加

The lower electrode 15 is a metal thin film with a thickness of less than 2000 nm whose main component is tantalum and in which intensity ratio I_α/I_β between peak intensity I_β of (002) diffraction peak of tetragonal β phase and peak intensity I_α of (110) diffraction peak of cubic crystal α phase is at most 0.1. - 特許庁

Ｃｏ及びＦｅの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を主成分とし、Ｎｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｎｂ，酸化シリコン，酸化アルミニウム，酸化タンタル，酸化チタンの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を副成分として含む磁性膜に、添加剤としてＰｔ，Ｐｄ及びＲｈの内より選ばれる少なくとも１種類の元素を添加する。例文帳に追加

A magnetic film, which contains as a main component at least one kind of element selected from among Co and Fe, and as an auxiliary component at least one kind selected from among Ni, Ta, Zr, Nb, silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide, has at least one kind of element selected from among Pt, Pd and Rh added thereto. - 特許庁

アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、ビスマス、アンチモンなどのバルブ金属およびその合金の線径φ１ｍｍ以下のワイヤーにおいて、陽極酸化処理浴７およびワイヤーを振動させることにより、ワイヤー表面に発生した気泡を除去する陽極酸化皮膜処理方法。例文帳に追加

Regarding the anode oxidation treatment method, in a wire with a wire diameter of ≤1 mmϕ composed of valve metal such as aluminum, tantalum, niobium, titanium, hafnium, zirconium, zinc, tungsten, bismuth and antimony and the alloy thereof, an anode oxidation treatment bath 7 and the wire is vibrated, thus, bubbles generated at the surface of the wire are removed. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０は、タンタルとニオブとの合金膜からなる下部電極１３と、この下部電極１３の表面を陽極酸化してなる絶縁体１４と、この絶縁体１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを備えている。例文帳に追加

In the active matrix type electrooptical device, a nonlinear element 10 used as a pixel switching element is provided with: a lower electrode 13 composed of an alloy film of tantalum and niobium; an insulator 14 obtained by subjecting the surface of the lower electrode 13 to anodization; and an upper electrode 15 confronted with the lower electrode 13 via the insulator 14. - 特許庁

透明基材フイルム上に、高屈折率を有するハードコート層及び低屈折率層を積層してなる反射防止フイルムにおいて、上記高屈折率層が、液媒体中にチタン又はタンタルの酸化物ゾルと、メチルトリメトキシシラン等の反応性有機珪素化合物とを含むゾル液から形成された屈折率１．６５以上のゲル膜からなることを特徴とする反射防止フイルム。例文帳に追加

The antireflection film comprises hard coat layers having a high refractive index and low refractive index layers layered on a transparent base film, wherein the high refractive index layer consists of a gel film having a refractive index of 1.65 or more formed from a sol liquid containing an oxide sol of titanium or tantalum and a reactive organosilicon compound such as methyltrimethoxysilane in a liquid medium. - 特許庁

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_2の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、配線幅が細い領域において、配線密集領域が無配線領域比べて過剰に研磨され起こるエロージョンを３０ｎｍ以下にすることのできる研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition that can reduce the erosion, caused when a wiring concentrating area is polished excessively as compared with a non-wiring area to ≤30 nm in an area having a narrow wiring width, during the course of a CMP process performed on a semiconductor device, having a copper film, a barrier layer composed of a tantalum compound, and an SiO_2 insulating layer. - 特許庁

基板上１１に、酸化コバルト、酸化クロム、酸化鉄あるいは酸化ニッケルの内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を主体とする結晶粒と、該結晶粒の粒界に非晶質として存在する酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタルあるいは酸化亜鉛の内より選ばれる少なくとも１種類の酸化物を含む無機化合物膜の下地膜１２を形成し、その上に磁性膜１３を形成する。例文帳に追加

An underlayer 12 which is an inorganic compound film containing grains based on at least one oxide selected from among cobalt oxide, chromium oxide, iron oxide and nickel oxide and at least one oxide present in an amorphous state on the grain boundaries of the grains and selected from among silicon dioxide, aluminum oxide, titanium dioxide, tantalum oxide and zinc oxide is formed on a substrate 11 and a magnetic film 13 is formed on the underlayer 12. - 特許庁

プラスチック基材と、真空蒸着で形成された多層反射防止膜とを有する光学部材であって、反射防止膜中の少なくとも１層が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム及び酸化ニオブから選ばれる少なくとも１種の無機物質と、常温、常圧下で液体であるケイ素非含有有機化合物とを蒸着原料として、形成されるハイブリッド層である光学部材である。例文帳に追加

The optical member has the plastic substrate and the multilayer antireflection film formed by vacuum deposition, wherein at least one layer in the antireflection film is a hybrid layer formed using at least one inorganic material selected from silicon dioxide, aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, yttrium oxide and niobium oxide and a silicon-free organic compound which is liquid at normal temperature and normal pressure as materials for vacuum deposition. - 特許庁

アクティブマトリクス型電気光学装置において、画素スイッチング素子として用いられる非線形素子１０の製造工程では、タンタルからなる下部電極１３の表面を陽極酸化して酸化膜１４を形成した後、上部電極１５を形成する前に、不活性雰囲気中での第１のアニール工程と、水素含有雰囲気中でのアニールにより水素原子を前記酸化膜中に導入する第２のアニール工程とを行う。例文帳に追加

In an active matrix electrooptical device, the step for fabricating a nonlinear element 10 being used as a pixel switching element performs a first annealing step in an inert atmosphere after an oxide film 14 is formed by anodizing the surface of a lower tantalum electrode 13 before an upper electrode 15 is formed, and a second annealing step for introducing hydrogen atoms into the oxide film by annealing in an atmosphere containing hydrogen. - 特許庁

基板上に少なくとも、下側酸化物層、銀系薄膜および上側酸化物層を順次積層した積層膜を配設した電極基板において、下側酸化物層を、酸化セリウムを主材とし、これに酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、および酸化タングステンのうちから選ばれた１種類以上の酸化物を混合した混合酸化物とすることを特徴とする電極基板。例文帳に追加

In an electrode substrate 1 provided with a substrate 10 on which a laminated film 5 comprising at least a lower oxide layer 2, a silver based thin film 3 and an upper oxide layer 4 are laminated successively, the lower oxide layer 2 comprises mixed oxide prepared by mixing cerium oxide as a main component and one or more oxides selected from the group of yttrium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide and tungsten oxide. - 特許庁

誘電体酸化皮膜層３を形成した陽極体２に、ポリスチレンスルホン酸およびその誘導体を含有する層４を設けた後、複素環式モノマーを含有する溶液と酸化剤を含有する溶液とを個々に含浸または複素環式モノマーと酸化剤を含有する混合液を含浸することにより形成した化学重合性導電性高分子層５を設けた構成のタンタル固体電解コンデンサとしたものである。例文帳に追加

There is provided a tantalum solid electrolytic capacitor having a constitution, such that after a layer 4 containing polystyrene sulfonate and derivatives thereof is provided on an anode body 2 having a dielectric oxide film layer formed thereon, there is provided a chemically polymerized conductive polymer layer 5 formed by individually impregnating a solution containing a heterocyclic monomer and a solution which contains an oxidizing agent or impregnating a mixture solution containing the heterocyclic monomer and oxidizing agent. - 特許庁

平均粒径が１００ｎｍ以下の酸化ルテニウム微粒子、窒化チタン微粒子、窒化タンタル微粒子、珪化チタン微粒子、珪化モリブテン微粒子、ホウ化ランタン微粒子、酸化鉄微粒子、酸化水酸化鉄（III ）微粒子のうち少なくとも１種を分散したことを特徴とし、さらにケイ素、ジルコニウム、チタン、アルミニウムの各金属アルコキシド、もしくは各金属アルコキシドの部分加水分解重合物のうち少なくとも１種を含有する選択透過膜用塗布液を特徴とする。例文帳に追加

The coating liquid for selective permeable membrane comprises a dispersion of fine particles having an average diameter of 100 nm or less of at least one of ruthenium oxide, titanium nitride, tantalum nitride, titanium silicide, molybdenum silicide, lanthanum boride, iron oxide and iron (III) hydroxide oxide, and comprises at least one of the alkoxides of silicon, zirconium, titanium and aluminum, and partially hydrolyzed polymers of those alkoxides. - 特許庁