「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

タングステン膜１６および多結晶酸化タンタル膜１４をパターニングしてゲート電極１７および多結晶酸化タンタル膜１４とシリコン酸化膜１５とからなるゲート絶縁膜を形成する。例文帳に追加

The tungsten film 16 and the polycrystalline tantalum film 14 are patterned into a gate electrode 17 and a gate insulating film composed of the tantalum oxide film 14 and the silicon oxide film 15. - 特許庁

５酸化タンタル膜の製造方法に関し、５酸化タンタル膜の膜質向上のための処理工程に伴う酸化膜容量換算膜厚ＥＯＴの増加を抑制するとともに、プラズマダメージの発生を防止する。例文帳に追加

To restrain increase of EOT(Equivalent Oxide Thickness) involved in treatment process for improving film quality of a tantalum pentoxide film and prevent generation of plasma damage. - 特許庁

これにより非晶質の酸化タンタル膜を多結晶酸化タンタル膜１４に変化させ、同時に、多結晶酸化タンタル膜１４と半導体基板（ｐ型ウエル１１およびｎ型ウエル１２）との間にシリコン酸化膜１５を形成する。例文帳に追加

The amorphous tantalum oxide film 14 is turned to a polycrystalline tantalum oxide film 14, and a silicon oxide film 15 is formed between the polycrystalline tantalum oxide film 14 and the semiconductor substrate (P-type well 11 and an N-well 12). - 特許庁

絶縁基板上にシード層とタンタル膜とを順次積層して形成するための、スパッタリングの成膜レートが早く、しかも比抵抗分布の良い低抵抗タンタル薄膜を得ることが可能な、低抵抗タンタル薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a low resistance tantalum thin film for successively laminating and forming a seed layer and a tantalum layer on an insulating substrate, wherein the film depositing rate of sputtering is high and the low resistance tantalum thin film having satisfactory specific resistance distribution can be obtained. - 特許庁

窒化タンタルまたはタンタルの薄膜の形成に使用した後の成膜装置の処理チャンバに堆積した窒化タンタルまたはタンタルを含む堆積物を除去する成膜装置のクリーニング方法であって、 前記成膜装置の処理チャンバ内にフッ素ガスを含む処理ガスを供給する工程と、 前記処理チャンバを加熱する工程とを含むことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。例文帳に追加

The method for cleaning the film-forming apparatus is directed at removing deposits which contain tantalum nitride or tantalum and have deposited on the wall of the treatment chamber in the film-forming apparatus that has been already used for forming a thin film of tantalum nitride or tantalum, and comprises the steps of: supplying a treatment gas containing fluorine gas into the treatment chamber in the film-forming apparatus; and heating the treatment chamber. - 特許庁

ゲート電極９ａは、ゲート絶縁膜５上に直接形成された窒化タンタル膜６とこの窒化タンタル膜６上に形成されたハフニウム膜２６から形成される。例文帳に追加

The gate electrode 9a is constituted of a tantalum nitride film 6 formed directly on the gate insulating film 5 and a hafnium film 26 formed on the tantalum nitride film 6. - 特許庁

単結晶シリコンとタンタル酸化膜との界面に介在させるシリコン酸化膜の膜厚が厚くならないようにすると共に、タンタル酸化膜のリーク電流を防止できるようにする。例文帳に追加

To reduce film thickness of a silicon oxide film interposing in an interface between a single crystal silicon and a tantalum oxide film, and to prevent leakage current in the tantalum oxide film. - 特許庁

この結果、シリコン基板とハフニウム酸化膜１０５との界面にはタンタルシリサイドとタンタル酸化膜の複合膜１１０が形成されるので、誘電率を低下させるシリコン酸化膜の形成を抑制できる。例文帳に追加

As a result, since a composite film 110 of a tantalum silicide and a tantalum oxide film is formed on a boundary between the silicon substrate and the film 105, a formation of the silicon oxide film for reducing a permittivity can be suppressed. - 特許庁

下部導電膜（１１）の上にタンタル酸化物膜（１２）を気相堆積させた後、このタンタル酸化物膜を活性酸素種で処理し、不活性雰囲気中においてタンタル酸化物の結晶化温度より１０〜８０℃低い温度でアニール処理する。例文帳に追加

After a tantalum oxide film 12 is vapor deposited on a lower conductive film 11, this tantalum oxide film is treated by active oxygen species and annealed in an inert atmosphere at temperature being 10-80°C lower than the crystallization temperature of the tantalum oxide. - 特許庁

半導体１上に５酸化タンタル膜２を形成したのち、非酸化性ガス雰囲気５中で熱処理を行って５酸化タンタル膜２を結晶化し、次いで、結晶化温度よりも低い温度において、酸化性雰囲気８中で５酸化タンタル膜６を酸化処理する。例文帳に追加

After a tantalum pentoxide film 2 is formed on a semiconductor 1, the tantalum pentoxide film 2 is crystallized through heat treatment in non- oxidizing gas atmosphere 5 and then a tantalum pentoxide film 6 is subjected to oxidation treatment in oxidizing atmosphere 8 at a temperature which is lower than a crystallization temperature. - 特許庁

比誘電率が大きく、リーク電流の少ない高品位のタンタル酸化物膜を容易にかつ効率的に形成でき、高湿度条件の大気下でも長期保存が可能なタンタル酸化物膜形成用組成物、それから形成されたタンタル酸化物膜、およびその製造方法を提供すること例文帳に追加

To provide a composition for forming a tantalum oxide film capable of easily and efficiently forming a high quality tantalum oxide film having a large specific dielectric constant and a less leak current and being preservable for a long time under an atmospheric condition at a high humidity, a tantalum oxide film formed thereby, and its manufacturing method. - 特許庁

ＴＦＤ１０において、下電極１１は、立方晶系構造の窒化タンタルからなる第１の下電極用薄膜１２、立方晶系構造のタンタルからなる第２の下電極用薄膜１３、および窒化タンタル（Ｔａ_2Ｎ）からなる第３の下電極用薄膜１４がこの順に積層されてなる。例文帳に追加

In a TFD10, the lower electrode 11 has a first lower electrode thin film 12 comprising tantalum nitride of cubic structure, a second lower electrode thin film 13 comprising tantalum of cubic structure, and a third lower electrode thin film 14 comprising tantalum nitride (Ta_2N) stacked, in this order. - 特許庁

ニッケル基超合金の表面にイリジウム−タンタル合金被膜を形成する。例文帳に追加

An iridium-tantalum alloy film is formed on the surface of the nickel superalloy. - 特許庁

絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、タングステン、水素および窒素を含有している。例文帳に追加

The tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains tungsten, hydrogen and nitrogen. - 特許庁

また、上記の抗菌性被膜を銀または銅とチタンまたはタンタルとの合金で形成する。例文帳に追加

Additionally, the antibacterial film is formed with an alloy of silver or copper and titanium or tantalum. - 特許庁

絶縁層１４ｘに用いたタンタル酸化膜は、窒素を含有しているため、非線形性が高い。例文帳に追加

A tantalum oxide film used for the insulation layer 14x has high non-linearity because it contains nitrogen. - 特許庁

水素吸蔵膜７は、チタンまたはタンタル等の導電性材料で構成されても良い。例文帳に追加

The hydrogen absorption film 7 may be composed of a conductive material such as titanium or tantalum. - 特許庁

約１９３ｎｍの作動波長の場合、フィルタ被膜は主に五酸化タンタルで構成されている。例文帳に追加

In the case of operating wavelengths of about 193 nm, the filter coating film mainly consists of tantalum pentoxide. - 特許庁

タンタルチタンダブルエトキシドとその製法およびそれを用いた酸化物膜の製法例文帳に追加

TANTALUM TITANIUM DOUBLE ETHOXIDE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING OXIDE FILM USING THE SAME - 特許庁

その際、レジストパターン６０ｘ上に形成されたタンタル膜１３も除去する。例文帳に追加

On that occasion, the tantalum film 13 formed on the resist pattern 60x is also removed. - 特許庁

これにより、カーボンが含まれないカーボンフリーのタンタル含有膜を堆積する。例文帳に追加

Thus, the carbon-free tantalum-containing film which does not contain carbon is deposited. - 特許庁

五酸化タンタル−酸化アルミニウム膜の製造方法及びこれを適用した半導体素子例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING TANTALUM PENTOXIDE - ALUMINUM OXIDE FILM AND SEMICONDUCTOR ELEMENT UTILIZING THE SAME - 特許庁

本発明は、チタン−タンタル障壁層薄膜及びその形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a titanium-tantalum barrier thin film and a method for forming a thin film. - 特許庁

タンタル又はニオブの化成膜及びその形成方法並びにそれを用いた電解コンデンサ例文帳に追加

CHEMICAL CONVERSION COATING OF TANTALUM OR NIOBIUM AND METHOD OF FORMING THE SAME AS WELL AS ELECTROLYTIC CAPACITOR USING THE SAME - 特許庁

化学気相堆積によって形成されたタンタルナイトライド化合物の膜のプラズマ処理例文帳に追加

PLASMA TREATMENT OF TANTALUM NITRIDE COMPOUND FILM FORMED BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁

タンタルを含む薄膜を基板上に化学蒸着する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for chemically depositing a thin film containing tantalum on a substrate. - 特許庁

タンタル挿入層を使用したＴＭＲセンサ薄膜及びそのシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a TMR sensor film using a tantalum insertion layer, and systems thereof. - 特許庁

容量絶縁膜としての酸化タンタル膜を成膜するにあたり、第１成膜段階として、成膜温度を略５１０℃に設定し、高い成膜圧力である略３．０Ｔｏｒｒに設定して、酸素ガスを添加した成膜条件で第１酸化タンタル膜１７を成膜する。例文帳に追加

At the formation of a tantalum oxide film in a method for manufacturing semiconductor device, a first tantalum oxide film 17 is formed in a first film-forming stage under such a film-forming condition that the film- forming temperature and pressure are respectively set at about 510°C and about 3.0 Torrs, and an oxygen gas is added to the atmosphere. - 特許庁

層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。例文帳に追加

The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113. - 特許庁

窒化タンタル薄膜ヒータ１４を有する石英系ガラス光導波路素子において、上記窒化タンタル薄膜ヒータ１４の下面および上面にＳｉ_3 Ｎ_4 からなる酸化防止膜２０を形成する。例文帳に追加

Antioxidant films 20 consisting of Si_3N_4 are formed on the under surface and top surface of the thin tantalum nitride film heater 14 of the quartz base glass optical waveguide element having the thin tantalum nitride film heater 14. - 特許庁

１００〜２００の比誘電率を有する酸化チタン膜と２０〜５０の比誘電率を有する酸化タンタル膜とを積層することで、酸化タンタル膜単層よりも高い比誘電率を得ることが可能となる。例文帳に追加

By laminating the titanium oxide films whose relative permittivities are 100-200 and the tantalum oxide films whose relative permittivities are 20-50, relative permittivity higher than that of a tantalum oxide film single layer can be obtained. - 特許庁

イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜２と、副キャリア層であるタンタル薄膜３を形成し、マグネトロンスパッタ法を用いて主キャリア層であるタンタル薄膜４を形成する。例文帳に追加

A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method. - 特許庁

下部電極１５の表面に容量絶縁膜となるタンタル酸化膜１７を堆積した後、タンタル酸化膜１７の上に上部電極１８を形成する。例文帳に追加

After a tantalum oxide film 17 which becomes a capacitor insulating film is deposited on the surface of the electrode 15, an upper electrode 18 is formed on the film 17. - 特許庁

また、本発明は窒化タンタル膜が形成された基板上にタンタルを所定厚さに蒸着させた後に、Ａｕ薄膜を蒸着させて多層薄膜を製造し、これを熱処理する工程を含む素子の製造方法に関する。例文帳に追加

The method of manufacturing the element includes the step of manufacturing the multilayer thin-film by depositing the Au thin-film after tantalum is deposited at a prescribed thickness on the substrate on which the tantalum-nitride film is formed, and a step of heat-treating the element thus formed. - 特許庁

プラズマ原子層蒸着法を利用してタンタル酸化膜を形成することによって、膜質の改善と電気的特性の向上を図ることのできる、プラズマ原子層蒸着法を利用したタンタル酸化膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a tantalum oxide film, utilizing a plasma atomic layer deposition method, by which film quality and electrical characteristics can be improved by forming a tantalum oxide film utilizing the plasma atomic layer. - 特許庁

半導体装置７１は基板５５、絶縁体５６、酸化タンタル膜６６、強誘電体膜（ＳＴＮ膜）５７、上部電極膜６２を有している。例文帳に追加

The semiconductor device 71 includes a substrate 55, an insulator 56, a tantalum oxide film 66, a ferroelectric material film (STN film) 57, and an upper electrode film 62. - 特許庁

その後、酸化膜１９を介した有機絶縁膜１７上にバリア導体膜となるタンタル膜を形成する。例文帳に追加

After that, a tantalum film which turns into a barrier conductor film is formed on the organic insulating film 17 through the oxide film 19. - 特許庁

酸化タンタル膜の膜質及びカバレッジを両立させて膜厚の薄い高信頼の容量絶縁膜を得る。例文帳に追加

To obtain a highly reliable thin capacitor insulating film by reconciling the film quality and coverage of a tantalum oxide film. - 特許庁

半導体基板上に支持用絶縁膜、酸化タンタル膜を含む蝕刻終了膜及びモールド用犠牲絶縁膜を順次に形成する。例文帳に追加

A supporting insulating film, an etch-end film containing a tantalum oxide, and a molding sacrifice insulating film are formed in this order on a semiconductor substrate. - 特許庁

低温でも膜厚の面内均一性が高い薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a film forming method capable of precisely forming a tantalum oxide film having a thin film thickness with a high uniformity in the film thickness even at a low temperature. - 特許庁

原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method. - 特許庁

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上に窒化タンタル層１４１、体心立方格子相のタンタル層１４２、窒化タンタル層１４３の積層を含むゲート電極１４が構成されている。例文帳に追加

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11; and a gate electrode 14 including a multilayer of a tantalum nitride layer 141, a tantalum layer 142 of body-centered cubic lattice phase, and a tantalum nitride layer 143 is formed on the gate insulation film 13. - 特許庁

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film. - 特許庁

半導体基板１１上に底部酸化膜としてＮＯ-オキシナイトライド膜１２を形成し、ＮＯ-オキシナイトライド膜上に中間酸化膜としてタンタル酸化膜１３を形成し、次に、タンタル酸化膜上に上部酸化膜としてＴＥＯＳ膜１４を形成し、基板をＮ_２Ｏ雰囲気で熱処理する。例文帳に追加

A NO-oxynitride film 12 is formed as bottom oxide film on a semiconductor substrate 11, a tantalum oxide film 13 is formed as an intermediate film on the NO-oxynitride 12, a TEOS film 14 is formed as top oxide film on the tantalum oxide film 13, and then the substrate is heat-treated under N2O atmosphere. - 特許庁

薄膜ヒータ４０が窒化珪素膜８−１／窒化タンタル膜９／窒化珪素膜８−２の三層構造からなるので、窒化タンタル膜９の中に酸素や水分が取り込まれるのが防止され、薄膜ヒータ４０の寿命が長い薄膜ヒータ付き導波路型光部品が得られる。例文帳に追加

Since the thin-film heaters 40 consists of a three-layered structure of a silicon nitride film 8-1/tantalum nitride film 9/silicon nitride film 8-2, oxygen and moisture are prevented from being incorporated the tantalum nitride film 9 and the waveguide type optical parts with the thin-film heaters having the long life of the thin-film heaters 40 are obtained. - 特許庁