「タンタル膜」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a polishing composition solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired. - 特許庁

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９に複数の配線用溝１１０を形成した後、各配線用溝１１０が完全に埋まるようにＦＳＧ膜１０９の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１１）及び配線用導電膜（銅膜１１２及び１１３）を順次堆積する。例文帳に追加

After a plurality of trenches 110 for wiring are formed in an FSG film 109 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 111) and conducting films for wiring (copper films 112 and 113) are deposited in sequence on the FSG film 109, in such a manner that each of the trenches 110 is completely filled. - 特許庁

フッ素を添加した酸化シリコン膜を含む絶縁膜２４に接続孔２５ａおよび配線溝２５ｂを形成し、その接続孔２５ａおよび配線溝２５ｂの内部にチタン膜、窒化チタン膜およびタンタル膜を順次堆積し、バリア導体膜２６を形成する。例文帳に追加

In the insulating film 24 including a silicon oxide film to which fluorine is added, the connecting hole 25a and the wiring groove 25b are formed, a titanium film, a titanium nitride film and a tantalum film are successively formed on the inside of the connecting hole 25a and the wiring groove 25b, and the barrier conductor film 26 is formed. - 特許庁

第１の絶縁膜は、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、イットリウム、及び、ランタノイドから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含む酸化物絶縁膜からなる。例文帳に追加

The first insulating film is formed of an oxide insulating film containing at least one kind of element selected from hafnium, zirconium, aluminum, tantalum, titanium, yttrium, and lanthanoids. - 特許庁

非線形素子１０ｘを製造するにあたって、窒素含有タンタル膜１３および窒素含有アルミニウム膜１７を形成した後、下電極１３ｘをパターニング形成する。例文帳に追加

When a nonlinear element 10x is fabricated, a tantalum oxide film 13 containing nitrogen and an aluminum film 17 containing nitrogen are formed and a lower electrode 13x is patterned. - 特許庁

ガラス基板の一方の側に積層してなるコバルト酸化物と鉄酸化物とチタン酸化物および／またはタンタル酸化物とを含有する被膜とを備えるガラスを熱処理して得られる熱線反射着色膜被覆ガラス。例文帳に追加

The substrate is provided with a heat-treated coating layer on one side containing a cobalt oxide, an iron oxide, a titanium oxide and/or a tantalum oxide. - 特許庁

その後、各配線用溝１１０の外側の銅膜１１２及び１１３を研磨により除去した後、各配線用溝１１０の外側の窒化タンタル膜１１１を研磨により除去する。例文帳に追加

After the copper films 112 and 113 outside each of the trenches 110 are eliminated by polishing, the tantalum nitride film 111 outside each of the trenches 110 is eliminated by polishing. - 特許庁

その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。例文帳に追加

In the structure, the titanium, tantalum or zirconium thin film and the protective thin film are formed on the surface of the substrate by performing a vapor deposition method or sputtering treatment to the substrate. - 特許庁

酸化タンタル膜１６を熱処理する工程は、酸窒化シリコン膜１５を形成する工程で使用する最も高い基板温度よりも低い基板温度で行う。例文帳に追加

The process of heat-treating the tantalum oxide film 16 is performed at substrate temperature lower than the highest substrate temperature used in the process of forming the silicon oxynitride film 15. - 特許庁

従来の欠点を有しないか、又は少なくとも実質的に改善された窒化タンタル及び窒化ニオブ薄膜をＣＶＤ法で成膜するための新規な前駆物質を提供する。例文帳に追加

To provide new precursor materials having no or at least practically improved conventional defect, and for forming a tantalum nitride or niobium nitride thin film by a CVD method. - 特許庁

その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。例文帳に追加

After that, the copper films 113 and 114 outside each of the trenches 111 are eliminated by polishing, and the tantalum nitride film 112 outside each of the trenches 111 is eliminated by polishing. - 特許庁

耐酸化性膜１６は例えば窒化シリコン膜であり、ゲート電極１４の実質部材であるタンタル層１４２の側部からの酸化を防止するために設けられる。例文帳に追加

The oxidation resistant film 16 is a silicon nitride film, for example, and prevents oxidation from the side of the tantalum layer 142, i.e. the substantial member of the gate electrode 14. - 特許庁

下部電極の上端近傍で酸化タンタル膜が薄膜化するのを防ぎ、この部分での下部電極と上部電極の間のリークを防ぐことができる半導体装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing a tantalum oxide film from being made a thin film in the vicinity of the upper end of a lower electrode and of preventing leakage from happening between a lower electrode and an upper electrode at that portion. - 特許庁

本発明に係る熱アシスト磁気記録用スライダ１は、ガリウム砒素基板６、磁気記録再生素子５、炭化珪素膜８、およびタンタル膜７を備えている。例文帳に追加

The slider 1 for thermally assisted magnetic recording of this invention is provided with a gallium arsenide substrate 6, a magnetic recording and reproducing element 5, silicon carbide film 8, and tantalum film 7. - 特許庁

赤外線反射膜２４は、酸化チタンＴｉＯ_２（又は五酸化タンタルＴａ_２Ｏ_５）からなる高屈折層２４１とシリカＳｉＯ_２からなる低屈折層２４２の積層膜で構成されている。例文帳に追加

The infrared reflecting film 24 is constituted of a lamination film made of a high refraction layer 241 consisting of titanium oxide TiO_2 (or tantalum pentoxide Ta_2O_5) and a low refraction layer 242 consisting of silica SiO_2. - 特許庁

コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。例文帳に追加

Since the metal resistance film layer Rm11 and the metal resistance film layer Rm12 are electrically connected by a contact plug CP2, the temperature coefficient of the titanium nitride resistor and the temperature coefficient of the tantalum nitride resistor are cancelled. - 特許庁

ガラスバルブ１の外表面に設けられた透光赤外線反射膜２の外表面に、酸化タンタル、酸化チタン、酸化タングステン、および酸化モリブデンのうちの少なくとも二種含む透光金属酸化物膜を形成する。例文帳に追加

On the outer surface of the permeated infrared-ray reflecting film 2 installed at the outer surface of the glass bulb 1, a light-permeating metal oxide film containing at least two kinds among tantalum oxide, titania, tungsten oxide and molybdenum oxide is formed. - 特許庁

絶縁層１４ｘを形成する際、気相酸化により、絶縁層１４ｘを形成するのに必要な膜厚のタンタル酸化膜を形成した後、陽極酸化を行う。例文帳に追加

When forming the insulation layer 14x, vapor phase oxidation is conducted to form a tantalum oxide film with a film thickness necessary for forming the insulation layer 14x, and then anodic oxidation is conducted. - 特許庁

膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tantalum sputtering target which provides good film uniformity and can improve the quality of a sputtered film, and to provide a method for production of the target. - 特許庁

タンタル系金属のバリア金属膜上に、銅系金属の埋め込み配線を形成する場合において、銅系金属膜の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）時に発生するディッシング及びエロージョンを抑制する。例文帳に追加

To control dishing and erosion occurring on the chemical and mechanical polishing(CMP) of a copper-based metal film, when a copper-based metal- embedded wiring is formed on a barrier metal film comprising a tantalum-based metal. - 特許庁

その後、タンタル膜１５が所定の膜厚以下になって部分的に孤立し始めた段階で、エッチング温度を約３００℃から約１００℃に下げてドライエッチングする。例文帳に追加

The etching temperature is lowered from approximately 300°C to approximately 100°C, and a dry etching is conducted at a stage when the tantalum film 15 reaches the specified film thickness or less and begins to be partially isolated. - 特許庁

炭素含有シリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜５１に配線溝５２を形成後、タンタルナイトライド５３ａ、銅５３ｂを堆積した後、ＣＭＰ法により第１の金属配線５３を形成する。例文帳に追加

A wiring groove 52 is formed in a first insulating film 51 constituted of a carbon content silicon oxide film, and then tantalum nitride 53a and copper 53b are accumulated, and first metallic wiring 53 is formed by a CMP method. - 特許庁

非線形素子１０は、タンタルなどからなる下部電極１３と、下部電極１３の表面を陽極酸化してなる酸化膜１４と、酸化膜１４を介して下部電極１３に対向する上部電極１５とを有している。例文帳に追加

The nonlinear element 10 has a lower electrode 13 consisting of a tantalum or the like, an oxide film 14 formed by anodizing the surface of the lower electrode 13, and an upper electrode 15 opposing the lower electrode 13 via the oxide film 14. - 特許庁

タンタル酸化被膜の陽極酸化による形成方法において、陽極酸化に要する時間を短縮し、効率良く陽極酸化皮膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a tantalum oxidation coating by an anodic oxidation, by which a time required for the anodic oxidation is reduced and the anodic oxidation coating is formed efficiently. - 特許庁

コンタクトホール４５が形成された層間絶縁膜パターン４２ａと接着層パターン４４ａとを備え、接着層パターンはタンタル酸化膜で構成することが望ましい。例文帳に追加

This device is provided with a layer insulating film pattern 42a formed with a contact hole 45 and an adhesive layer pattern 44a and it is preferable that the adhesive layer pattern is composed of a tantalum oxide film. - 特許庁

二酸化ケイ素と五酸化タンタルより構成される交互複数層からなる多層干渉膜を外表面に備えた管球の膜除去方法であって、管球のガラスバルブ外表面に傷がつくのを防止する。例文帳に追加

To provide a film removal method for a bulb with multilayered interference film on its outer surface composed of alternating multiple layer of silicon dioxide and tantalum pentaoxide, preventing the outer surface of the glass bulb from damage. - 特許庁

酸化タンタルを含む蒸着材料を用いて、プラスチックレンズ等の被蒸着物に反射防止膜等の蒸着膜を形成する際にスプラッシュの発生を抑制する手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of suppressing a splash when a vapor-deposited film such as an antireflective film is formed on an object of vapor deposition such as a plastic lens etc., by using a vapor deposition material such as tantalum oxide. - 特許庁

電極膜の接触抵抗をも考慮し、使用温度領域全域に渡ってＴＣＲを極力小さく押さえ、高精度で経時的にも安定した窒化タンタル薄膜抵抗体を、容易な方法により供給する。例文帳に追加

To provide a tantalum nitride thin-film resistor that is improved in accuracy and stabilized with time by a simple method by suppressing the TCR to a small value as much as possible over the whole region of used temperatures by also paying attention to the contact resistance of an electrode film. - 特許庁

不良多層干渉膜付きのガラスバルブ３を、濃度５０質量％以上の強アルカリ水溶液またはアルカリ溶融液に浸漬して、二酸化ケイ素１および五酸化タンタル２からなる多層干渉膜を除去する。例文帳に追加

The multilayered interference film composed of silicon dioxide 1 and tantalum pentaoxide is removed by soaking the glass bulb 3 with defective multilayered interference film in a strong alkaline solvent with a concentration of more than 50 mass%, or in an alkaline melt. - 特許庁

複屈折板１では、透明なガラスの基板２の表面に、真空蒸着膜からなる下地膜３、斜め蒸着法により複屈折性が付与された五酸化タンタル（Ｔａ__2Ｏ_5）等の金属酸化膜からなる斜め蒸着膜４、および反射防止膜５がこの順に形成されている。例文帳に追加

In the birefringent plate 1, a substrate film 3 consisting of a vacuum deposition film, an oblique vapor deposition film 4 consisting of a metal oxide film of, e.g. tantalum pentoxide (Ta2O5) to which double refractivity is imparted by an oblique vapor deposition method, and an antireflection coating 5 are formed on the surface of a transparent glass substrate 2 in this order. - 特許庁

本発明により提供されるメタルセパレータ１０，１１は、少なくとも燃料極に面する側の表面に酸化タンタルを含む不動態皮膜が形成されており、少なくとも該皮膜に接するセパレータ本体の表層部はタンタルを構成金属元素とする合金によって形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The metal separators 10, 11 are formed with a passive coating containing tantalum oxide at least on the surface on the side facing a fuel electrode and at least the surface layer part of the separator main body contacting the coating is formed of an alloy having tantalum as a component metal element. - 特許庁

アクティブマトリクス型の電気光学装置１において、非線形素子５の素子用絶縁層７１は、素子用下電極６１の側面を覆う部分７１１がタンタル酸化膜７ａによって構成され、素子用下電極６１の上面を覆う部分７１２がタンタル−ニオブ合金の酸化膜７ｂによって構成されている。例文帳に追加

In the electrooptical apparatus of an active matrix type, an element insulating layer 71 of the nonlinear element 5 has a part 711 covering a side surface of a lower electrode 61 for the element and constituted of a tantalum oxide film 7a and a part 712 covering an upper surface of the lower electrode 61 for the element and constituted of an oxidized film of a tantalum-niobium alloy. - 特許庁

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an abrasive composition that can polish a copper film, barrier layer composed of a tantalum compound, and SiO_2 insulating layer at almost equal polishing speeds in a CMP process performed on a semiconductor device having the copper film, barrier layer composed of the tantalum compound, and SiO_2 insulating layer and can improve dishing and flatness than the overpolishing method does. - 特許庁

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層の研磨速度がほぼ同程度であり、ディッシング、平坦性がオーバーポリシング法より改善される研磨用組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing composition in which polishing rates of a copper film, a tantalum compound barrier layer, and an SiO_2 insulating layer are substantially the same degree, and in which dishing, flatness are improved by an excess polishing method in the CMP working process of a semiconductor device having a copper film, a tantalum compound barrier layer and an SiO_2 insulating layer. - 特許庁

イミダゾールアルコール化合物とアルカリ性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びイミダゾールアルコール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜をアルカリ性エッチング液と特定イミダゾールアルコール化合物の混合溶液で処理して、酸化膜をエッチングと同時にイミダゾールアルコール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the imidazole-alcohol compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed solution of an alkaline etchant and a specific imidazole-alcohol compound. - 特許庁

アゾール化合物と酸性溶液とを混合したエッチング剤兼防錆剤、基体上に窒化タンタル層、不可避的窒化タンタル酸化物層及びアゾール化合物からなる防錆層を順次有する配線用基板、及び基体上の窒化タンタル最表面の酸化膜を酸性エッチング液とアゾール化合物の混合水溶液で処理して、酸化膜のエッチングと同時にアゾール化合物を表面に付着させる配線用基板の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the wiring board, the oxidized film on the outermost surface of the tantalum nitride layer provided on the substrate is etched and, at the same time, the azole compound is stuck to the surface of the tantalum nitride layer by treating the oxidized film with a mixed aqueous solution of an acidic etchant and the azole compound. - 特許庁

続いて、該窒化膜１９ｂが形成された下部電極１９の上に酸化タンタルからなる容量絶縁膜２０を形成し、その後、容量絶縁膜２０を酸素プラズマ６３にさらすことにより、該容量絶縁膜２０に酸素を供給する。例文帳に追加

Subsequently, the capacitance insulating film 20 is formed of tantalum oxide on the lower electrode 19 on which the nitride film 19b is formed and thereafter oxygen is supplied to the capacitance insulating film 20 by exposing the capacitance insulating film 20 to oxygen plasma 63. - 特許庁

半導体基板１００上の絶縁膜１０１に接続孔１０２及び配線溝１０３を形成した後、接続孔１０２及び配線溝１０３を含む絶縁膜１０１の上に窒化タンタル膜１０４及び第１の銅膜を順次形成する。例文帳に追加

After a contact hole 102 and a wiring groove 103 are formed in an insulating film 101 on a semiconductor substrate 100, a tantalum nitride film 104 and a first copper film are formed sequentially on the insulating film 101, which contains the contact hole 102 and the wiring groove 103. - 特許庁

半導体装置は、絶縁膜２と、絶縁膜２に形成された溝５と、溝５の側壁及び底面に形成された、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）との合金からなるバリアメタル膜３と、バリアメタル膜３に積層され、溝５の中に位置する銅（Ｃｕ）配線４と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor device includes an insulating film 2, a groove 5 formed in the insulating film 2, a barrier metal film 3 formed on sidewalls and bottom surface of the groove 5 and consisted of an alloy of titanium (Ti) and tantalum (Ta), and the copper (Cu) wiring 4 laminated on the barrier metal film 3 and positioned in the groove 5. - 特許庁

合成繊維、カーボン繊維またはガラス繊維からなる布帛の片面または両面に金属蒸着膜を積層した繊維シートにおいて、上記の金属蒸着膜を銀または銅からなる抗菌性被膜で形成し、その上にチタンやタンタルからなる酸化防止膜を積層する。例文帳に追加

In the fiber sheet having a metal deposition film on one face or both faces of a textile made of synthetic fibers, carbon fibers or glass fibers, the metal deposition film is formed with an antibacterial film made of silver or a copper, and it is overlaid with an anti-oxidation film made of titanium or tantalum. - 特許庁

半導体メモリなどに用いられるタンタル酸ビスマスストロンチウム（ＳＢＴ）薄膜を形成しうる塗布溶液、さらに詳しくは基板状に塗布ムラのない均一なＢｉ系強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜溶液および、該強誘電体薄膜の形成方法に関する。例文帳に追加

To provide a coating solution capable of forming a bismuth strontium tantalate (SBT) thin film used for semiconductor memory, particularly a ferroelectric thin film for forming a uniform Bi-based ferroelectric thin film free from uneven coating on a substrate and to provide a method for forming the ferroelectric thin film. - 特許庁

第一の電極薄膜１２及び第二の電極薄膜１６と、それらの間に配置された酸化タンタル層１４ｂ及びこれに隣接した酸化アルミニウム層１４ａとにより形成される誘電体薄膜１４とを含む薄膜キャパシタとする。例文帳に追加

The thin film capacitor comprises a first electrode thin film 12, a second electrode thin film 16, and a dielectric thin film 14 which is composed of a tantalum oxide layer 14b and an aluminum oxide layer 14a adjacent to the tantalum oxide layer 14b and is located between the first and second electrode thin films. - 特許庁

タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。例文帳に追加

This copper diffusion-preventing barrier film includes one or more constituents of metal elements selected from between tantalum or titanium, one or more constituents of metal elements selected from among platinum, gold, silver, palladium, ruthenium, rhodium and iridium, and nitrogen included in the form of a nitride with tantalum or titanium. - 特許庁

アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画素スイッチング素子としての非線形素子５、および保持容量９を構成するにあたって、酸素添加タンタルによって素子用下電極６１および容量用下電極６２を形成し、酸素添加タンタルの陽極酸化膜によって素子用絶縁層７１および容量用絶縁層７２を形成する。例文帳に追加

In the active matrix type electrooptical device, and in the case of constructing a nonlinear element 5 as a pixel switching element and the storage capacitor 9, a lower electrode 61 for the element and a lower electrode 62 for the capacitor are formed by tantalum with oxygen, and an insulating layer 71 for the element and an insulating layer 72 for the capacitor are formed with an anodized film of the tantalum with oxygen. - 特許庁

バリアメタルとして窒化タンタル膜を用い、化学機械研磨により半導体装置を製造する工程において、ラマン分光装置２３から出射されたレーザー光をウェハー２２に照射し、タンタルと窒素との結合に由来する１８０〜２００ｃｍ^-1のラマンピークの強度に応じてスラリーを切換えて、ウェハー２２をＣＭＰ研磨する。例文帳に追加

In a process for manufacturing a semiconductor device by chemical-machine-polishing with the use of a tantalum nitride film, a wafer 22 is performed in CMP with a laser beam radiated from a Raman spectroscope 23 irradiated onto the wafer 22 and a slully switched in response to a Raman peak intensity of 180 to 200 cm2 derived from the bonding of tantalum and nitrogen. - 特許庁