「ブラッグ反射」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ブラッグ回折格子１６ａは、最大反射率を示す周波数ｆ_FGを持つ。例文帳に追加

The Bragg diffraction grating 16 has a frequency fFG, corresponding to maximum reflectance. - 特許庁

半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザ例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, AND PLANE EMISSION SEMICONDUCTOR LASER - 特許庁

分布ブラッグ反射型半導体レーザおよびその製造方法例文帳に追加

DISTRIBUTION BRAGG REFLECTION TYPE SEMICONDUCTOR LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

半導体レーザ・ダイオードであって、ｎ型分散ブラッグ反射器と、ｐ型分散ブラッグ反射器と、前記ｎ型分散ブラッグ反射器とｐ型分散ブラッグ反射器との間に配置される活性層とを含む共振器と、前記共振器の側面の外周囲に備わる凹凸パターンとを有する。例文帳に追加

The semiconductor laser diode comprises a resonator having an n-type distributed Bragg reflector, a p-type distributed Bragg reflector and an active layer disposed between the n-type distributed Bragg reflector and the p-type distributed Bragg reflector; and a concavo-convex pattern provided on an outer circumference of a side of the resonator. - 特許庁

光ファイバブラッグ回折格子反射光の波長測定方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING WAVELENGTH OF LIGHT REFLECTED BY OPTICAL FIBER BRAGG'S DIFFRACTION GRATING - 特許庁

伸縮値はブラッグ反射光の波長変化として実測できる。例文帳に追加

A expansion/contraction value can be actually measured as a change in the wavelength of a Bragg reflection light. - 特許庁

ｎ側反射防止層２及びｐ側ブラッグ反射層４は、コンタクト層の役割も兼ねている。例文帳に追加

The n-side reflection prevention layer 2 and the p-side Bragg reflection layer 4 also work as a contact layer. - 特許庁

本発明に係る発光素子は、第１ブラッグ反射型ミラー層１０３と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層より光射出面側に形成された第２ブラッグ反射型ミラー層１０８と、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の間に位置する活性層１０５と、を具備する発光素子であって、前記発光素子の設計波長をλＰＬとし、前記第１ブラッグ反射型ミラー層及び前記第２ブラッグ反射型ミラー層の中心波長をλcntとした場合に下記式を満たすことを特徴とする。例文帳に追加

This light emitting element includes a first Bragg reflection type mirror layer 103, a second Bragg reflection type mirror layer 108 formed on the side of optical projection face from the first Bragg reflection type mirror layer, and an active layer 105 located between the first Bragg reflection type mirror layer and the second Bragg reflection type mirror layer. - 特許庁

ＦＢＧ１１ｄによる反射光のブラッグ波長、あるいは、デフォルトのブラッグ波長に対する反射光のブラッグ波長の変化（乃至変化量）を、光受発光ユニット１３によって検出する。例文帳に追加

A change (or the changed amount) of the Bragg wavelength of the reflected light by the FBG 11d or a change (or the changed mount) of the Bragg wavelength of the reflected wave relative to a default Bragg wavelength is detected by a light receiving/emitting unit 13. - 特許庁

ブラッグ格子間隔が異なる複数のブラッグ格子センサを有する光ファイバに光を入射し、前記各ブラッグ格子センサにより反射された反射光の波長ごとのスペクトルを検出し、この検出された各波長のスペクトルと基準レベルとを比較することにより、前記ブラッグ格子センサの故障を検査する。例文帳に追加

The fault of the Bragg grid sensor is inspected, by comparing the spectrum with the reference level of each of this detected wavelength. - 特許庁

また、ｎ型分布ブラッグ反射層３は、レーザ光反射面の近傍でその一部が露出しており、その露出した領域上に、分布ブラッグ反射層へ電流を注入するための電極１６が形成されている。例文帳に追加

The n-type distribution Bragg reflection layer 3 is partially exposed in the vicinity of the laser light reflection face, and an electrode 16 for injecting a current into the reflection layer 3 is formed on the exposed region. - 特許庁

分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。例文帳に追加

The distributed Bragg reflection layer is provided on the side of the second layer opposite to the side on which the light-emitting layer is provided, has the second conductivity type, and can reflect the emission light toward the light extraction surface. - 特許庁

コンピュータを用い所望する結晶試料の任意のブラッグ反射条件を迅速、容易、且つ正確に取得しそれを用いて実際のブラッグ反射を測定可能の新しいブラッグ反射条件シミュレーション装置および測定システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new Bragg reflection condition simulation apparatus and a measurement system for rapidly, easily and accurately obtaining an arbitrary Bragg reflection condition of a desired crystal sample by using a computer and measuring actual Bragg reflection by using the condition. - 特許庁

入射電子ビームは、ブラッグ反射した電子が光軸上に来るように傾けられた。例文帳に追加

The incident electron beam was tilted so that Bragg-reflected electrons were on-axis.  - 科学技術論文動詞集

可能な限り多くのブラッグ反射がHREM像に寄与することを、確保する(確実にする)ことが必要である。例文帳に追加

It is necessary to ensure that as many Bragg reflections as possible contribute to the HREM image.  - 科学技術論文動詞集

抽出格子ブラッグ反射器に結合された抽出格子分布帰還波長可変半導体レーザ例文帳に追加

SAMPLED GRATING DISTRIBUTED FEEDBACK VARIABLE WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER CONNECTED TO SAMPLED GRATING BRAGG REFLECTOR - 特許庁

静電容量の低減を図ることの可能なｎ型半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide an n-type semiconductor distributed bragg reflector that can reduce an electrostatic capacitance. - 特許庁

１つのプロセスが、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのエージング特性を評価する。例文帳に追加

One process evaluates the aging characteristics of a distribution Bragg reflector(DBR) laser. - 特許庁

分布ブラッグ反射型半導体レーザの制御方法および画像投影装置例文帳に追加

CONTROL METHOD OF DISTRIBUTED BRAGG REFLECTION SEMICONDUCTOR LASER AND IMAGE PROJECTION DEVICE - 特許庁

半導体基板１１の主面１１ａ上に第１の分布ブラッグ反射器１３を作製する。例文帳に追加

A first distribution bragg reflector 13 is manufactured on the main surface 11a of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

ファイバブラッググレーティング素子反射光波長計測処理装置及び処理方法例文帳に追加

DEVICE AND METHOD FOR PERFORMING MEASUREMENT PROCESSING OF FIBER BRAGG GRATING ELEMENT REFLECTION LIGHT WAVELENGTH - 特許庁

このような構成では、低抵抗な半導体分布ブラッグ反射器を提供することができる。例文帳に追加

By this constitution, the semiconductor distributed bragg reflector of the low resistance is obtained. - 特許庁

低抵抗で、かつ、光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor distributed bragg reflector where resistance is low and an optical absorption loss is small. - 特許庁

半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。例文帳に追加

A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a first layer, a second layer, and a distributed Bragg reflection layer. - 特許庁

発光デバイスは、反射性金属層と分散型ブラッグ反射器とによって形成された共振空洞を含む。例文帳に追加

The light emitting device includes a resonant cavity formed by a reflective metal layer and a distributed Bragg reflector. - 特許庁

反射要素、例えば、分布ブラッグ反射器が、光カップラ及び／または光導波路の下部に形成されうる。例文帳に追加

A reflective element, such as a distributed Bragg reflector, can be formed under the coupler and/or the optical waveguide. - 特許庁

温度無依存分布ブラッグ反射型ミラー及び面型光学素子に関し、ＤＢＲミラーの反射特性の温度依存性を低減する。例文帳に追加

To reduce the temperature dependency of reflection characteristics of a DBR mirror concerning a temperature independent distributed Bragg's reflecting mirror and a planar optical element. - 特許庁

反射率を低下させることなく、低抵抗で且つ光吸収損失が小さい半導体分布ブラッグ反射器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor Bragg reflector capable of reducing resistance and light absorption loss without reducing a reflection factor. - 特許庁

好ましくは、上記２つの反射ミラーのうち少なくとも一方は、分布ブラッグ反射ミラー４ａである。例文帳に追加

At least either of the two reflection mirrors is preferably a distributed Brag reflection mirror 4a. - 特許庁

ブラック反射領域を光軸方向に短く形成しつつ、ブラッグ反射の効果を効率よく得る。例文帳に追加

To efficiently obtain the Bragg reflection effect, while forming a Bragg reflecting region to be short in the optical axis direction. - 特許庁

半導体レーザ１とブラッグ反射構造１１で共振される光はブラッグ反射波長にロックされると共に互いの波長が異なる基本波Ｌ１となる。例文帳に追加

Light made to resonate by the semiconductor laser 1 and the Bragg reflection structure 11 is locked to Bragg reflection wavelength and becomes fundamental waves L1 having wavelengths different from one another. - 特許庁

面発光レーザ１０Ａ〜１０Ｄは、それぞれ、第一多層膜ブラッグ反射鏡１０２Ａ〜１０２Ｄ、活性層１０３、半導体層１０４，第二多層膜ブラッグ反射鏡１０５を有するメサ１００Ａ〜１００Ｄを備える。例文帳に追加

The surface-emitting lasers 10A to 10D include mesas 100A to 100D which respectively have first multilayer film Bragg reflectors 102A to 102D, an active layer 103, a semiconductor layer 104, and a second multilayer film Bragg reflector 105. - 特許庁

積層方向に順次に積層されているｐ型半導体分布ブラッグ反射器Ｉとｐ型半導体分布ブラッグ反射器IIとで、中間層（線形組成傾斜層）の厚さが異なっている。例文帳に追加

A p-type semiconductor distribution Bragg reflector I and a p-type semiconductor distribution Bragg reflector II which are successively laminated in the lamination direction are different in thicknesses at intermediate layers (linear composition inclination layer). - 特許庁

第１の量子細線１７と埋め込み半導体領域２３とは、第１の分布ブラッグ反射器１８を構成し、第２の量子細線１９と埋め込み半導体領域２５とは、第２の分布ブラッグ反射器２０を構成する。例文帳に追加

The first quantum wires 17 and the buried semiconductor regions 23 constitute a first distributed Bragg reflector 18, and the second quantum wires 19 and the buried semiconductor regions 25 constitute a second distributed Bragg reflector 20. - 特許庁

分布ブラッグ反射器での赤外光の発光を無視し得るレベルまで低減し、更には分布ブラッグ反射器での光の吸収率を低くした高輝度の発光ダイオードを提供すること。例文帳に追加

To provide a high-luminance light-emitting diode which reduces the emission of infrared light in a distributed Bragg reflector to a negligible level and further reduces the absorptivity of light in the distributed Bragg reflector. - 特許庁

これにより、ブラッグ反射領域３２（少なくとも、交差格子摂動部４６）において、各第１格子摂動部４２及び各第２格子摂動部４４の作用によって、光信号がブラッグ反射される。例文帳に追加

Thus, optical signals are Brrag reflected by the action of respective first grid perturbative parts 42 and the respective grid perturbative parts 44 in a Brrag reflection area 32 (at least a cross grid perturbative part 46). - 特許庁

調整を終えたＸ線ポリゴン結晶７を回していけば、ブラッグ反射が次々と起きて、Ｘ線検出器９で捉えた反射強度曲線でブラッグ角度の位置を決めることができる。例文帳に追加

When the X-ray polygon crystal 7 after adjustment is rotated, Bragg reflection is successively generated and the position of a Bragg angle can be determined by a reflection intensity curve caught by an X-ray detector 9. - 特許庁

面発光型の半導体発光素子において、活性層66を挟む上下層にＤＢＲ多層反射鏡64および69からなるブラッグ反射機構を備え、ブラッグ反射機構による光の量子閉じ込め効果により発光パターンを制限する。例文帳に追加

In the semiconductor light emitting device of surface light emission, a Bragg reflection mechanism comprising DBR multi-layer reflectors 64 and 69 on upper and lower layers sandwiching an active layer 66 is provided to restrict light emitting patterns by light quantum containment effect by the Bragg reflection mechanism. - 特許庁

ｎ型分布ブラッグ反射層３により選択された波長で単一縦モードのレーザ光発振を行う半導体レーザであって、ｎ型分布ブラッグ反射層３は半導体基板上１に形成され、ｎ型分布ブラッグ反射層３上に形成された活性層５と、活性層５を挟むクラッド層４、７とを含む導波路を備えている。例文帳に追加

In the semiconductor laser for oscillating laser light of a single vertical mode by a wavelength selected by an n-type distribution Bragg reflection layer 3, the reflection layer 3 is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 and provided with a waveguide including an active layer 5 formed on the surface of the reflection layer 3 and clad layers 4, 7 holding the active layer 5 between them. - 特許庁

実施形態にかかる発光素子は、基板と、発光層と、前記基板と前記発光層との間に設けられた第１導電形層と、前記第１導電形層と前記基板との間に設けられた第１の分布ブラッグ反射層と、前記発光層と前記第１の分布ブラッグ反射層との間に設けられた第２の分布ブラッグ反射層と、を有する。例文帳に追加

The light-emitting device according to an embodiment comprises: a substrate; a luminous layer; a first conductive layer disposed between the substrate and the luminous layer; a first distribution Bragg reflection layer disposed between the first conductive layer and the substrate; a second distribution Bragg reflection layer disposed between the luminous layer and the first distribution Bragg reflection layer. - 特許庁

半導体基板を用いて作製する発光素子において、分布ブラッグ反射器２で発生した近赤外線（波長７００〜１１００ｎｍ）を、分布ブラッグ反射器２から外部へ取り出される光の光路中に設置した近赤外線吸収機能を有する材料（分布ブラッグ反射器１０等）で除去または減少させる構成とする。例文帳に追加

In the light emitting element manufactured by using a semiconductor substrate, the near-infrared ray (wavelength of 700-1,100 nm) generated by a distributed Bragg reflector 2 is removed or reduced by a material (a distributed Bragg reflector 10, etc.) having a near-infrared ray absorbing function and installed in an optical passage of the light removed from the distributed Bragg reflector 2 to the outside. - 特許庁

測定光が入射される光ファイバに一以上のブラッグ回折格子が形成され、各ブラッグ回折格子からの反射光の波長を検出して各ブラッグ回折格子の位置における物理量を測定する物理量測定システムに関する。例文帳に追加

This is a physical measurement system which has more than one Bragg diffraction grating formed in an optical fiber where a measurement light is made incident and detects the wavelengths from the reflected lights from the Bragg diffraction gratings to measure physical quantities at the positions of the Bragg diffraction gratings. - 特許庁

測定光が入射される光ファイバに一以上のセンサ用ブラッグ回折格子が形成され、前記センサ用ブラッグ回折格子からの反射光の波長を検出して前記センサ用ブラッグ回折格子の位置における物理量を測定する物理量測定システムに関する。例文帳に追加

This a physical quantity measurement system which has more than one Bragg diffraction grating for sensor formed in an optical fiber where a measurement light is made incident and detects the wavelength of the reflected light from the Bragg diffraction grating to measure physical quantities at the position of the Bragg diffraction grating. - 特許庁

測定光が入射される光ファイバに一以上のブラッグ回折格子が形成され、各ブラッグ回折格子からの反射光の波長を検出して各ブラッグ回折格子の位置における物理量を測定する物理量測定システムに適用される。例文帳に追加

This instrument is applied to a physical quantity measurement system which has more than one Bragg diffraction grating formed in an optical fiber on which a measurement light is made incident and detects the wavelength of the reflected light from each Bragg diffraction grating to measure physical quantities at the position of the Bragg diffraction grating. - 特許庁

そのプロセスは、ＤＢＲレーザに同調電流が供給されているが、レーザが放射されていない間に、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）レーザのブラッグ回折格子を光で照明するステップを含む。例文帳に追加

The process comprises a step in which a Bragg diffraction lattice of the distribution Bragg reflector(DBR) laser is irradiated with light while the DBR laser is supplied with a synchronization current with no laser radiation. - 特許庁