「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

０．０００３質量％以上０．０１１０質量％以下のボロンを含有し、残部がニッケル及び不純物からなるように調整された原料を用いて製造されることを特徴とする。例文帳に追加

The nickel material is produced using raw material having regulated components comprising 0.0003 to 0.0110 mass% boron, and the balance nickel with impurities. - 特許庁

環境面への配慮から重金属を含まず、樹脂との相溶性が高く、防汚性に優れた防汚剤として有用な新規ボロン含有化合物を提供する。例文帳に追加

To provide a new boron-containing compound free from heavy metals in consideration of the environment, having high compatibility to resins and useful as an antifouling agent having excellent antifouling property. - 特許庁

ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物、それを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、該電子放出素子を適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置例文帳に追加

BORON NITRIDE NANOTUBE PASTE COMPOSITION, ELECTRON EMITTING SOURCE MANUFACTURED USING THE SAME, ELECTRON EMITTING ELEMENT INCLUDING THE SAME, AND BACKLIGHT DEVICE AND ELECTRON EMITTING DISPLAY DEVICE APPLYING THE SAME - 特許庁

メタボロミクスを用いた肝毒性評価において、当該肝毒性評価の各工程を好適な組合せにすることによって、ヒトに対する肝毒性の少ない化合物をスクリーニングすることができる。例文帳に追加

In a liver toxicity estimation that uses metabolomics, the compound with less liver toxicity to human can be screened by properly combining liver toxicity estimation processes. - 特許庁

ポリシリコン膜の他部にボロンのイオン注入を行なってから、ポリシリコン膜をパターニングして、ゲート電極８，抵抗体膜１３を形成する。例文帳に追加

After boron ions are implanted into another part of the polysilicon film, the resulting polysilicon film is patterned to form a gate electrode 8 and a resistor film 13. - 特許庁

金属水素錯化合物例えば水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ４）のアルカリ水溶液を燃料とするボロハイドライド燃料電池と水素を燃料とする水素燃料電池とを組み合わせる。例文帳に追加

A borohydride fuel cell using alkaline aqueous solution of a metal hydride complex compound, for instance, potassium borohydride (NaBH4) as fuel and a hydrogen fuel cell using hydrogen as fuel are combined. - 特許庁

また、セパレータ２において、流路７が形成されている面及び側面部分に、ボロンをドーピングしシリコンの導電性を向上させることによって電極が形成されている。例文帳に追加

Further, the separator 2 has electrodes formed by improving conductivity of silicon by doping boron on the face and side face portion where the passages are formed. - 特許庁

レジストをマスクに、ボロン原子を窒化膜４を貫通する加速電圧でイオン注入を行い、また、リン原子を窒化膜４を貫通しない加速電圧でイオン注入を行いう。例文帳に追加

Boron atoms are implanted by an accelerating voltage passing atoms through a nitride film 4 by using a resist film as a mask, and phosphorus atoms are implanted by an accelerating voltage which does not allow atoms to pass through the nitride film 4. - 特許庁

このホトレジスト層７をマスクとして、ボロン（^11Ｂ^+）のイオン注入（第１のイオン注入）、リン(^31Ｐ^+)のイオン注入（第２のイオン注入）を連続して行う。例文帳に追加

With a photoresist layer 7 as a mask, the ion injection of boron (11B+) (first implantation) and the ion injection of phosphorus (31P+) are continuously performed. - 特許庁

ビフェニル化合物とフェニルボロン酸とを、反応溶媒中、塩基及びパラジウム触媒の存在下で反応させることを特徴とするｐ−クォーターフェニル製造方法を提供する。例文帳に追加

The method for producing the p-quaterphenyl comprises carrying out a reaction between a biphenyl compound and phenylboronic acid in a reaction solvent in the presence of a base and a palladium catalyst. - 特許庁

ブリッジワイヤー６は、ニッケル合金であって、ニッケル以外に、リン、鉄、ボロン、タングステン、クロム、銅、銀のうち少なくとも１つの成分を含み、その比抵抗が５０μΩ・ｃｍ乃至３００μΩ・ｃｍである。例文帳に追加

The bridge wire 6 is composed of nickel alloy, includes at least one components selected from phosphorus, iron, boron, tungsten, chromium, copper and silver besides nickel, and has specific resistance of 50-300 μΩcm. - 特許庁

カソードとカソードを熱電子により加熱するためのフィラメントとを有する電子銃において、カソードとフィラメントとはボロンナイトライドを含むガイシで絶縁されていることを特徴とする電子銃。例文帳に追加

In an electron gun having the cathode and the filament to heat the cathode by thermion, the cathode and the filament are insulated by an insulator including boron nitride. - 特許庁

容器本体を構成するコンクリートは、粉末状あるいはペレット状のオレフィン系樹脂あるいはエポキシ系樹脂を１〜１０重量％、およびボロン化合物を１〜３重量％含有し、水素含有量の増加を図っている。例文帳に追加

The concrete forming the main vessel contains powder or pellet state olefin group resin or epoxy group resin of 1 to 10 wt.% and boron compound of 1 to 3 wt.% to increase hydrogen content. - 特許庁

電子放出材料の微粒子は、カーボンナノチューブ、ダイヤモンド、グラファイト等の炭素材料、或いはボロンナイトライド、シリコン、金、白金を用いる。例文帳に追加

Examples of the particulates of electron emitting material are a carbonic substance such as carbon-nanotube, diamond, graphite, etc., or boron nitride, silicon, gold, and platinum. - 特許庁

プレアモルファス工程の後に、前記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は前記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。例文帳に追加

After the pre-amorphous step, at least one of the steps of performing an ion implantation of boron into the amorphous region or of converting the amorphous region to a silicide region is performed. - 特許庁

また、シリコン単結晶中のドーパントとしてのボロンまたはリンの濃度を１×１０^17〜１×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲にすることが望ましい。例文帳に追加

It is preferable that the concentration of boron or phosphorus as a dopant in the silicon single crystal is 1×10^17-1×10^20 atoms/cm^3. - 特許庁

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。例文帳に追加

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion. - 特許庁

ゲート電極６ａをマスクとしてエクステンション領域形成用のボロンイオン９を注入した後、ゲート電極６ａ側壁にサイドウォール１２を形成する。例文帳に追加

After injecting boron ions 9 for extension region formation by using the gate electrode 6a as a mask, a sidewall 12 is formed on the side wall of a gate electrode 6a. - 特許庁

低ボロン濃度の基板においても高いゲッタリング能力をもち重金属不純物濃度が低く結晶性に優れたエピタキシャルシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する。例文帳に追加

To easily obtain in high productivity an epitaxial silicon single crystal wafer having high gettering ability, low in heavy metal impurity concentration and high in crystallinity even on a substrate of low boron concentration. - 特許庁

続いて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域およびバイポーラトランジスタ形成領域にボロンをイオン注入してＰ型のポリシリコン膜を形成する。例文帳に追加

Subsequently, P-type polysilicon films are formed by ion-implanting boron into P-channel MOS-transistor forming regions and bipolar-transistor forming regions. - 特許庁

次に、窒素ガス供給管３４によって形成される管路を通して窒素ガスをプロセスチューブ４８内に供給し、水蒸気を含まない窒素ガスのみの雰囲気中で半導体基板５４を加熱し、ボロンを拡散する。例文帳に追加

Then, nitrogen gas is supplied into the processing tube 48 through a pipeline formed of a nitrogen gas supply pipe 34, and the semiconductor substrate 54 is heated in an atmosphere of steam-free nitrogen gas to diffuse boron. - 特許庁

ｎ型のエピタキシャル層１３Ａを形成した後、そのエピタキシャル層１３Ａの所定の領域へ複数回の注入エネルギの異なるイオン注入により不純物例えばボロンを注入する。例文帳に追加

After an n-type epitaxial layer 13A is formed, an impurity, for instance, boron is implanted on the given area of the epitaxial layer 13A by ion implantation having a different injection energy plural times. - 特許庁

潤滑油の添加剤であって、ポリテトラフルオロエチレン及び窒化ボロンの少なくとも１種を含有するとともに、さらに所定量のセラミックスを含有するものである。例文帳に追加

Additives for the lubricating oil containing a polytetrafluoroethylene and/or boron nitride, and a predetermined amount of a ceramic are prepared. - 特許庁

（Ｒ）−ムスコンをトリ−セカンダリー−ブチルボロハイドライドアルカリ金属塩により還元することを特徴とする式Ｉで示される（１Ｒ，３Ｒ）−ムスコールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing (1R,3R)-muscol represented by the formula I comprises reducing (R)-muscone with an alkali metal salt of tri- secondary butylborohydride. - 特許庁

２−［（１Ｒ）−１−メチル−２−トリチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−５−イソインドリル］−１，３，６，２−ジオキサアザボロカンの非溶媒和物およびその製造法例文帳に追加

NON-SOLVATE OF 2-[(1R)-1-METHYL-2-TRITYL-2,3-DIHYDRO-1H-5 ISOINDOLYL]-1,3,6,2-DIOXAAZABOROCANE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

この化合物に、芳香族ボロン酸エステル化合物、有機パラジウム化合物、塩基性の無機または有機化合物(および有機リン化合物)を配合して硬化性含フッ素ポリエーテル組成物を形成させる。例文帳に追加

The compound is compounded with an aromatic borate compound, an organic palladium compound and a basic inorganic or organic compound (and an organic phosphorus compound), to form a curable fluorine-containing polyether composition together. - 特許庁

０．５重量％以上５重量％以下のホウ素（ボロン）と、アルミニウムとからなるホウ素−アルミニウム合金粉末を急冷凝固法により製造する。例文帳に追加

Boron-aluminum alloy powder composed of, by weight, 0.5 to 5% boron and aluminum is produced by a rapid solidification method. - 特許庁

無機系ハードマスク用組成物として、ポリ（ボロジフェニルシロキサン）、ポリビニルフェノール、架橋剤、熱酸発生剤及び有機溶媒を含むものを用いる。例文帳に追加

The inorganic hard mask composition comprises poly(borodiphenylsiloxane), polyvinyl phenol, a crosslinking agent, a thermal acid generator and an organic solvent. - 特許庁

安価な温度安定化が施されたマイクロボロメータ素子の焦点面アレイから、高感度で出力信号を得られる、主として赤外線のためのシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a system mainly for an infrared ray where an output signal can be obtained with high sensitivity from a focal plane array of microbolometer elements subjected to inexpensive temperature stabilization. - 特許庁

エミッタ電極の厚みは、エミッタ電極５０に注入されたボロンがエミッタ電極５０内を拡散して、エミッタ−ベース接合部まで達しないように設定されている。例文帳に追加

The thickness of the emitter electrode is set in such a manner that boron implanted in the emitter electrode 50 does not diffuse in the emitter electrode 50 to reach an emitter-base joint. - 特許庁

本発明では、ボロハイドライド燃料から生成される高濃度の反応生成物が触媒に付着するのを防止し、安定性能を維持することができる水素生成装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a hydrogen production apparatus that maintains stability performance by preventing a reaction product of a high concentration produced from a borohydride fuel from attaching to a catalyst. - 特許庁

自動変速機オイルの中に有効量のトリアルキルフォスフォネート、ボロネート化され、そしてフォスフォリル化された無灰分散剤および金属清浄剤を含ませることによる。例文帳に追加

This automatic transmission oil is obtained by containing each effective amount of a trialkyl phosphonate, a boronated and phosphorylated ashless dispersant, and a metal cleaner. - 特許庁

トリフェニルボロン含有ポリマーを含有する組成物は、腔腸動物、貝類、管棲多毛類、その他の水棲生物の付着に対して優れた防汚効果を得ることができる。例文帳に追加

This composition which comprizes a polymer containing triphenylboron exhibits a superior antifouling effect against an adhesion of a coelenterate, a shellfish, a polychaete of tubicola order or a miscellaneous aquatic organism. - 特許庁

シリコン酸化膜１４上に、シリコンにボロンがドープされた拡散層１５を介して、タングステン膜からなるゲート電極１６が形成されている。例文帳に追加

The gate electrode 16 comprising a tungsten film is formed on the silicon oxide film 14 through a diffusion layer 15 in which boron is doped in silicon. - 特許庁

炭素粒子にパラジウムを固定したパラジウム炭素触媒の存在下で芳香族ボロン酸エステルと芳香族化合物とを湿式で反応させる。例文帳に追加

The method for producing the carbon-carbon bond comprises reacting an aromatic boronate with an aromatic compound under a wet condition in the presence of a palladium-carbon catalyst in which palladium is fixed on carbon particles. - 特許庁

α−アミノ酸のα−アミノ基及びα−カルボキシル基の同時保護基としてのボロオキサゾリドンの開環脱保護による対応するα−アミノ酸への変換方法例文帳に追加

METHOD FOR CONVERTING PROTECTED α-AMINO ACID INTO THE CORRESPONDING α-AMINO ACID BY RING-OPENING AND REMOVING BOROXAZOLIDONE AS SIMULTANEOUS PROTECTING GROUP FOR α-AMINO GROUP AND α-CARBOXYL GROUP OF THE α-AMINO ACID - 特許庁

抵抗温度係数を増加させ、赤外線検出感度を向上させることができるチタンボロメータ熱型赤外線検知器及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a titanium bolometer thermal infrared detector capable of increasing a resistance temperature coefficient and enhancing infrared detection sensitivity, and a manufacturing method therefor. - 特許庁

陽極は、陰極アセンブリ内で第１端部から第２端部まで伸び、またコバルト、鉄、クロム、ケイ素、ボロンを組成とする非晶質金属合金で形成される。例文帳に追加

The anode extends from the first end to the second end in the cathode assembly, and is made of amorphous metal alloy composed of cobalt, iron, chrome, silicon and boron. - 特許庁

こうすることによって、結晶構造を有する半導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正確、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することを特徴としている。例文帳に追加

This allows a trace of boron ion to be accurately and evenly loaded into the semiconductor film having the crystal structure, thereby controlling the threshold values. - 特許庁

本発明は、ローディング時、サーボロックする前に、正しく再生されるデータの選択的な取得によって磁気テープのアクセスに必要な情報を取得可能とする。例文帳に追加

When performing loading, before performing servo locking, information necessary for the access of the magnetic tape is made acquirable by the selective acquisition of data reproduced correctly. - 特許庁

シリコン基板に形成されるボロンドープ層の厚みのバラツキを小さくし、シリコン基板及びダミーシリコン基板の拡散源への貼り付きを防止すること。例文帳に追加

To reduce fluctuation of thickness of a boron doping layer formed on a substrate, and to prevent a silicon substrate and a dummy silicon substrate from sticking to a diffusion source. - 特許庁

ボロンや炭素などの不純物を含有するシリコンを効率よく、安価に精製し、太陽電池用の純度６−ｎｉｎｅ程度のシリコンを得る方法および装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for efficiently and inexpensively refining silicon including impurities such as boron or carbon to obtain the silicon for a solar cell having a purity of about 6-nine. - 特許庁

カーボン膜の成膜にＣＶＤ法を用い、カーボン保護膜のＢ／Ａ値を制御する事でＣｏ溶出問題とトライボロジー耐久性問題を解決する。例文帳に追加

To solve problems of Co elusion and tribology durability by using the CVD method for depositing a carbon film and controlling a B/A value of a carbon protection film. - 特許庁

配線１０１が形成されている半導体基板１００の上に、窒化シリコン膜１０２を介して、ボロン及びリンを含む第１の酸化シリコン膜１０３を堆積した後、該第１の酸化シリコン膜１０３を平坦化する。例文帳に追加

After depositing a first silicon oxide film 103 containing boron and phosphorus on a semiconductor substrate 100 with a wiring 101 through a silicon nitride film 102, the silicon oxide film 103 is planarized. - 特許庁

通常のシリコンプロセスで用いられるリンやボロンをドーパントとして用いてフィールドストップ層などの深い拡散層を形成するとともに、良好な特性を有するトレンチゲート構造を形成すること。例文帳に追加

To form a deep diffusion layer such as a field stop layer using phosphorous and boron used in a normal silicon process as a dopant, and to form a trench gate structure having a satisfactory characteristic. - 特許庁