「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

シリコン単結晶基板４１中に、ボロンとともに、該ボロンに比べ酸素と深いエネルギー準位を形成しづらいガリウムが添加される形となり、少数キャリアのライフタイムの低下を抑制しながら、結晶の抵抗率を低くすることができる。例文帳に追加

Since the gallium which hardly forms a deep energy level as compared with boron is doped into the substrate 41 together with boron, the resistivity of the crystal can be lowered while the decline in the lifetime of a minority carrier is suppressed. - 特許庁

ゲート電極２０，２１に注入された不純物の活性化のための第１の熱処理として、ポリシリコンの各結晶粒内へのボロンの拡散はほとんど生じることがなく、かつ、結晶粒界におけるボロンの拡散が生じるような低温長時間の熱処理を行なう。例文帳に追加

A low-temperature long-time heat treatment which is the first heat treatment for activating the impurity implanted into gate electrodes 20, 21 is performed so that boron diffusion occurs along crystal grain boundaries though boron is scarcely diffused into polysilicon crystal grains. - 特許庁

フィラメント１５から放出された熱電子を、ボロン元素を含有する材料ガスの分子に衝突させてボロンイオンを生成する際に、フィラメント１５の劣化を抑制して寿命を長くし、劣化したフィラメント１５の交換に起因する稼働ロスを低減できるようにする。例文帳に追加

To enable to reduce an operating loss caused by replacement of a deteriorated filament 15, by prolonging life through restraint of deterioration of the filament 15, in producing boron ion by making thermal electron released from the filament 15 collide with molecules of material gas containing boron atoms. - 特許庁

本発明は、式（１）で表されるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物、この化合物の製造方法、及び式（１）の化合物が金属イオンと反応して色相変化と蛍光変化を表すことのできるチエニルを包含するボロン-ジピリン化合物が包含された化学センサーによって課題を達成する。例文帳に追加

A thienyl-containing boron-dipyrin compound represented by formula (1), a production method of the compound and a chemical sensor containing a thienyl-containing boron-dipyrin compound, expressing color change and fluorescence change by reacting the compound of formula (1) with a metal ion, are provided. - 特許庁

このような装置は、非結晶シリコン膜３に例えばボロンのイオン注入を行った後、パターニングして島状の半導体膜４ａ、４ｂを形成し、いずれか一方に選択的に例えばボロン又はリンを注入することで得ることができる。例文帳に追加

A device like this is provided by performing ion-implantation, for example of boron, with an amorphous silicon film 3, and then patterning to form island-like semiconductor films 4a and 4b, and selectively implanting, for example, boron or phosphorous into either of them. - 特許庁

ボロン含有ステンレス鋼の連続鋳造に用いて好適な連続鋳造パウダーを提供すること、およびそのパウダーを用いて、表面欠陥のないボロン含有ステンレス鋼スラブを製造する連続鋳造方法を提案すること。例文帳に追加

To provide continuous casting powder suitably used for the continuous casting of a boron-containing stainless steel; and to provide a continuous casting method for producing a boron-containing stainless steel slab free from surface defects using the powder. - 特許庁

芳香族ボロン酸化合物と該芳香族ボロン酸化合物以外の芳香族化合物とを、湿式で鈴木−宮浦カップリングさせて炭素−炭素結合を生成させる方法において、反応後の触媒の分離を容易にし、再利用を可能にする。例文帳に追加

To facilitate separation of a catalyst after reaction and enable reuse, in a method for producing a carbon-carbon bond by coupling an aromatic boronic acid compound to an aromatic compound other than the aromatic boronic acid compound under a wet condition by Suzuki-Miyaura coupling method. - 特許庁

ケイ素化合物とホウ素化合物とを反応させることにより得られる、ポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる発光ダイオード装置。例文帳に追加

The present invention discloses: a resin for optical semiconductor element encapsulation containing the polyborosiloxane obtained by reacting a silicon compound with a boron compound; and a light emitting diode device having an optical semiconductor element encapsulated with the resin for optical semiconductor element encapsulation containing the polyborosiloxane. - 特許庁

熱硬化性粉体塗料で使用され熱流動性調整剤が、イソボロニルメタクリレートの同重合体、又はイソボロニルメタクリレート（I）とその他のラジカル重合体不飽和モノマー（II）との共重合体であることを特徴とする熱流動性調整剤。例文帳に追加

A thermal fluidity modifier is used for a thermosetting powder coating and is a homopolymer of isobornyl methacrylate or a copolymer of isobornyl methacrylate (I) and another radical polymerizable unsaturated monomer (II). - 特許庁

（ａ）基板上にボロン薄膜を形成する段階と、（ｂ）ボロン薄膜が形成された基板とマグネシウム供給源とを熱処理した後、これらを冷却させる段階とを含むことを特徴とする超伝導体二ホウ化マグネシウム薄膜の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the superconductive magnesium diboride thin film is characterized by (a) a step for forming a boron thin film on a substrate, and (b) a step for heat-treating the boron thin film-formed substrate and a magnesium supplying source and then cooling them. - 特許庁

ボロン酸基と、ボリン酸基と、水の存在下でボロン酸基またはボリン酸基に転化し得るホウ素含有基から選択される官能基と、のうちの少なくともいずれかを有する重合体を含むインクジェット記録用シートである。例文帳に追加

The ink jet recording sheet includes a functional group selected from a boronate group, a borinate group and a boron-containing group capable of being converted to the borate group or the barite group in the presence of water, and a polymer having at least one group of them. - 特許庁

半導体基板２０１とゲート絶縁膜２０５界面の窒素が、ソース・ドレイン部２０８からのボロンの拡散を防いで、ボロンの異常拡散を抑制すると同時に、ゲート絶縁膜２０５中のハロゲン元素がチャネル・ゲート絶縁膜の界面特性の劣化を防ぐ。例文帳に追加

Nitrogen in the interface between the semiconductor substrate 201 and the gate insulation film 205 prevents diffusion of boron from source and drain part 208 to suppress abnormal diffusion of boron, and simultaneously, the halogen element in the gate insulation film 205 serves to prevent the degradation of the characteristic of the interface of a channel and gate insulation film. - 特許庁

優れた磁気特性を有すると共に、流動性が向上した希土類・鉄・ボロン系永久磁石材料粉末及びその製造方法、並びに磁気特性に優れ、小型化が達成可能であり、生産性が向上した希土類・鉄・ボロン系永久磁石を提供する。例文帳に追加

To provide rare earth/iron/boron based permanent magnet material powder wherein superior magnetic property is obtained and mobility is improved, its manufacturing method, and a rare earth/iron/boron based permanent magnet wherein magnetic property is superior, miniaturization can be attained and productivity is improved. - 特許庁

エンコードメントは非平面的イメージフィールドの曲率に応じて湾曲しており、そのシンボロジーは、使用時は２次元可視像の中心点５０に垂直に所定の距離に配置される平面イメージャにより平面的シンボロジー像として映像化される。例文帳に追加

The encodement is curved corresponding to the curvature of the non-planar image field and its symbology when used is visualized as a plane symbology image by a plane imager arranged at a specific vertical distance from the center point 50 of the two-dimensional visible image. - 特許庁

耐熱性、透明性および耐光性のいずれにも優れるポリボロシロキサンからなる光半導体素子封止用樹脂、および、ポリボロシロキサンからなる前記光半導体素子封止用樹脂で封止している光半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a resin for optical semiconductor element encapsulation containing a polyborosiloxane, which is excellent in all of heat resistance, transparency and light resistance, and to provide an optical semiconductor device encapsulated with the resin for optical semiconductor element encapsulation containing the polyborosiloxane. - 特許庁

シリコン粒、シリコン酸化物、ボロンを含む薄膜化ストップ層がウェーハ表層に存在するので、酸素イオンの注入欠陥をボロンが捕獲し、この注入欠陥を原因としたエピタキシャル膜の成膜欠陥の発生頻度を低減できる。例文帳に追加

Since a thinning stop layer containing silicon grains, silicon oxide and boron is present on a wafer surface layer, an implantation defect of oxygen ions is captured by boron, and the occurrence frequency of film formation defects of an epitaxial film caused due to the implantation defect can be reduced. - 特許庁

シリコン基板上にボロンドープドポリシリコン層とノンドープドポリシリコン層とを交互に積層させて積層体を形成し、Ｘ方向に延びるスリットを形成することにより、ボロンドープドポリシリコン層を複数本のゲート電極２１に分断する。例文帳に追加

A boron-doped polysilicon layer and a non-doped polysilicon layer are alternately laminated on a silicon substrate to form a laminated product, and the boron-doped polysilicon layer is divided into a plurality of gate electrodes 21 by forming a slit extending in X-direction. - 特許庁

ボロン酸の縮合は、該ボロン酸を溶媒に溶解して調製した溶液を第１基板１２上に塗布して第１追記型記録層１４を形成した後、該第１追記型記録層１４に対してアニール処理を行うことで進行させることができる。例文帳に追加

The condensation of the boronic acid can be advanced by applying a solution prepared by solving the boronic acid in a solvent on the first substrate 12 so as to form the first write-once type recording layer 14 and then by annealing the layer 14. - 特許庁

ステンレス鋼板を格子状に溶接して構成されるセルを有する使用済燃料貯蔵ラックにおいて、ステンレス鋼板に１％を超える高ボロン濃度のボロン添加ステンレス鋼板を取付けた構造を有することを特徴とする使用済燃料貯蔵ラックを提供する。例文帳に追加

The spent fuel storage rack including cells constituted by welding the stainless steel plates like a lattice is provided which is characterized in that the rack has a structure where the boron-loaded stainless steel plate of a high boron concentration exceeding 1% is mounted on the stainless steel plates. - 特許庁

ボロン酸基、及び、水の存在下でボロン酸基に転化し得るホウ素含有基からなる群より選ばれる少なくとも１種の官能基を含有する熱可塑性樹脂（ａ１）と、ポリオレフィン樹脂（ａ２）とをドライブレンドして得られる接着性樹脂材料（Ａ）。例文帳に追加

The adhesive resin material (A) is obtained by dry-blending a thermoplastic resin (a1) containing at least one functional group selected from the group consisting of a boronic acid group and a boron-containing group convertible into a boronic acid group in the presence of water, and a polyolefin resin (a2). - 特許庁

格子構造の使用済燃料貯蔵ラックにおいて、最外周の格子板（大）14，17と上下端の格子板（小）16，19はボロンを添加していないステンレス鋼を使用し、前記以外の位置に配置する格子板（中）15，18はボロンを添加したステンレス鋼を使用する。例文帳に追加

In a spent fuel storage rack of grid structure, stainless steel without boron is used for the outermost peripheral grid plates (large) 14 and 17 and upper and lower end grid plates (small) 16 and 19, and stainless steel containing boron is used for the grid plates (middle) 15 and 18 arranged in the other position. - 特許庁

素材部分１０に対してニッケル・ボロンめっきを施す工程と、該工程により形成されたニッケル・ボロンめっき層２０の表面に対して金めっきを施す工程と、を行ってプリント基板５０の端子部分１におけるめっき処理を行う。例文帳に追加

Plating treatment in the terminal part 1 of a printed board 50 is performed by a stage in which nickel-boron plating is applied on a stock part 10 and a stage in which gold plating is applied on the surface of the nickel- boron plated layer 20 formed by the same stage. - 特許庁

トリフェニルボロン化合物とテトラエチルチウラムジスルフィドとを含有する防汚塗料組成物であって、沈殿物を生じない手段によりトリフェニルボロン化合物の分解が抑制され、長期保存時にも防汚活性が維持される漁網用クリアー型防汚塗料組成物。例文帳に追加

To provide a clear type antifouling paint composition for a fishing net, the antifouling paint composition containing both a triphenylboron compound and tetraethylthiuramsulphide, in which the decomposition of the triphenylboron compound is controlled by a means for generating no precipitation, and the antifouling activity of the composition remaining even in a long term storage. - 特許庁

（ここで、Ｗは、水素原子，Ｂ（Ｐ）（Ｑ）基、およびＣＮ基からなる群より選択され、ＰおよびＱは、独立してＯＨまたはボロン酸へと加水分解可能な基であるか、もしくは、それらに付加するホウ素原子とともに、ボロン酸へと加水分解可能な５〜８員環を形成するような基である）例文帳に追加

In the formula (II), W is selected from a group consisting of hydrogen atom, B(P)(Q) group and CN group, wherein P and Q are independently OH or a group which is hydrolyzable to boronic acid or a group forming a 5- to 8-membered ring together with a boron atom added thereto which is hydrolyzable to boronic acid. - 特許庁

水洗後３００時間程経過したＴＦＴでは、チャネルポリシリコンのボロン濃度の、同一チップ内での濃度差（面内のチャネルボロン濃度差）が３×１０^18／ｃｍ^2程度であったが、水洗後１時間程経過したＴＦＴではそれが１×１０^18／ｃｍ^2程度に減少している。例文帳に追加

In the TFT 300 hours later after water rinsing, a difference in concentration in the same chip concerning a boron concentration of the channel polysilicon (difference in concentration of in-plane channel boron) is about 3×10^18/cm^2, however, that of the TFT one hour later after water rinsing decreases to 1×10^18/cm^2. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。例文帳に追加

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region. - 特許庁

ＳＯＩ層とガラス基板との間に有機シランを材料の一つとして用い、熱ＣＶＤ法により５００℃〜８００℃の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス、リンボロンガラスのいずれかからなる１層もしくは複数層により形成された接合層を設けることで上記課題を解決する。例文帳に追加

Between the SOI layer and the glass substrate, a bonding layer is provided which is formed of one layer or a plurality of layers of phosphosilicate glass, borosilicate glass, and/or borophosphosilicate glass, using organosilane as one material by a thermal CVD method at a temperature of 500 to 800°C. - 特許庁

開示されるＴＦＴ１０は、下地絶縁層２に、絶縁性基板１表面から略１００ｎｍ以内の領域に、絶縁性基板１表面から半導体層３に向かってボロン濃度が平均的に１ｎｍあたり略１／１０００倍以下の割合で減少するようにボロンが含まれている。例文帳に追加

The TFT 10 has the base insulating layer 2 in which boron is contained in a region of 100 nm or smaller from the surface of the insulating substrate 1 in a way that a boron concentration decreases at an average rate of almost 1/1,000 times or smaller per 1 nm from the surface of the insulating substrate 1 to the semiconductor layer 3. - 特許庁

樹脂（Ａ）１００重量部にボロン酸基若しくは水の存在下でボロン酸基に転化しうるホウ素含有基を有する熱可塑性樹脂（Ｂ）０．０１〜７０重量部を添加した組成物（ａ）からなる基材にビニルアルコール系重合体（Ｃ）をコートしてなる成形物。例文帳に追加

This molded article comprises a substrate of a composition (a) containing 0.01 to 70 pts.wt. of a thermoplastic resin (B) having a boric acid group or a boron containing group which can be converted to a boric acid group in the existence of water added to 100 pts.wt. of a resin (A) and a vinyl alcohol copolymer (C) coated on the substrate. - 特許庁

シリコン層３と、シリコン層３上に形成されたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上に形成された金属ボロン化合物層８と、金属ボロン化合物層８上に形成された少なくともシリコンを含むゲート電極９とを具備する半導体装置。例文帳に追加

This semiconductor device is provided with a silicon layer 3, a gate insulating film 7 formed on the silicon layer 3, a metal-boride layer 8 formed on the gate insulating film 7, and a gate electrode 9 formed on the metal-boride layer 8 and containing at least silicon. - 特許庁

芳香族ボロン酸エステルと該芳香族ボロン酸エステル以外の芳香族化合物とを、比表面積1000m^2/g以上の炭素粒子にパラジウムを固定したパラジウム炭素触媒の存在下にて湿式で鈴木−宮浦カップリングさせることを特徴とする炭素−炭素結合の生成方法。例文帳に追加

The method of generating carbon-carbon bond is characterised in that the aromatic boronate and the aromatic compound other than the aromatic boronate are coupled in wet state by Suzuki-Miyaura coupling in the presence of a palladium-carbon catalyst which is formed by immobilizing palladium on carbon particles having a specific surface area of 1,000 m^2/g or larger. - 特許庁

医薬、農薬等の有機合成における、炭素−炭素結合の生成反応及び官能基化の反応中間体として有用である、アリルシラン構造とボロンエノラート構造を一分子内に有するα−（シリルメチル）ボロンエノラート、及びそれらの効率的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain an α-(silylmethyl)boron enolate containing both an allylsilane structure and a boron enolate structure in one molecule useful as a reaction intermediate for a formation reaction of carbon-carbon bond and a functional group formation in an organic synthesis of medicine, agrochemical, etc., and to provide a method for efficiently producing the α-(silylmethyl)boron enolate. - 特許庁

芳香族ボロン酸エステルと該芳香族ボロン酸エステル以外の芳香族化合物とを、比表面積1000m^2/g以上の炭素粒子にパラジウムを固定したパラジウム炭素触媒の存在下にて湿式で鈴木−宮浦カップリングさせることを特徴とする炭素−炭素結合の生成方法。例文帳に追加

The method of forming a carbon-carbon bond comprises subjecting an aromatic boric acid ester and an aromatic compound other than the aromatic boric acid ester to the Suzuki-Miyaura coupling in the presence of a wet type palladium carbon catalyst obtained by fixing palladium on carbon particles having a specific surface area of 1,000 m^2/g or more. - 特許庁

表面にエピタキシャル膜が形成されるエピタキシャルウェーハ用シリコン基板であって、ボロンを１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有し、かつ、このボロン濃度［ＢＸ］に対して０．１〜１．０×［ＢＸ］ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のスズを含有するエピタキシャルウェーハ用シリコン基板である。例文帳に追加

The silicon substrate for epitaxial wafer on the surface of which an epitaxial film is formed includes boron of 10^18 atoms/cm^3 or more and further includes tin of 0.1 to 1.0×[BX] atoms/cm^3 relative to the boron concentration [BX]. - 特許庁

エチレン−ビニルアルコール系共重合体層（Ａ）および熱可塑性樹脂層（Ｃ）を、ボロン酸基または水の存在下でボロン酸基に転化しうるホウ素含有基を有する熱可塑性樹脂からなる層（Ｂ）を介して積層した積層構造体。例文帳に追加

In a laminate structure, an ethylene-vinyl alcohol copolymer layer (A) and a thermoplastic resin layer (C) are laminated with a layer (B) comprising a thermoplastic resin having a boron-containing group which can be transformed into a boronic acid group under the presence of the boronic acid group or water. - 特許庁

なお、ボロン酸の縮合（三量体化）は、該ボロン酸を溶媒に溶解して調製した溶液を第１基板１２上に塗布して第１追記型記録層１４を形成した後、該第１追記型記録層１４に対してアニール処理を行うことで進行させることができる。例文帳に追加

The condensation (trimerization) of boric acid can be advanced by coating a solution prepared by dissolving the boric acid in a solvent on the first substrate 12 to form the first write once recording layer 14 and thereafter subjecting the first write once recording layer 14 to annealing treatment. - 特許庁

熱処理の時にはボロンドーピング・多結晶シリコン層３は被覆され、そこからボロンが飛散せず、シリコン基板面が清浄ので、そこの所に寄生障壁が発生することはなく、トランジスタの高速動作化を達成することができる。例文帳に追加

In the heat treatment, the Si layer 3 has been covered to avoid scattering B therefrom, and since the Si substrate surface is clean enough to avoid growth of a parasitic barrier, and accelerating of the transistor operations can be attained. - 特許庁

使用済燃料収納用バスケット１０の格子３０について、中性子束が大きい中央付近ＩＩと中性子束が小さい外周付近ＩＩＩとでボロンの含有量を変え、外周付近のボロン添加量を適切に低減することでコストを低減し、強度を改善する。例文帳に追加

A grid 30 of a basket 10 for storing spent fuels keeps the boron content in a center zone II having a high neutron flux different from that in an outer periphery zone III having a low neutron flux to properly reduce the boron content in the outer periphery zone, so that the cost can be reduced and the strength is improved. - 特許庁

このボロービットが「０」であれば、この退避処理を終了し（Ｓ１０３：「０」）、ボロービットが「１」であれば（Ｓ１０３：「１」）ＣＰＵ情報を退避する空き領域はもう残っておらず、スタックオーバフローが発生したことになり、割り込み要求をセットする（Ｓ１０４）。例文帳に追加

When the borrow bit is "0", the retreat processing is ended (S103: "0" ), and when the borrow bit is "1" (S103: "1"), a space area for retreating the CPU information is not left any more and the occurrence of stack overflow is determined, so that an interruption request is set (S104). - 特許庁

ボロンドープシリコンウェーハにＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記ＭＯＳキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。例文帳に追加

In the method for evaluating a boron doped silicon wafer by measuring the breakdown voltage characteristics of an oxide film using an MOS capacitor formed therein, a state not irradiated with light and a state irradiated with light are formed at least the measuring electrode part, the breakdown voltage characteristics of the oxide film are measured under respective states and the measurements are compared thus evaluating a boron doped wafer. - 特許庁

時間的・人手的にとれない場合と、大吟醸・吟醸酒の酒粕は米を低温醗酵させているので米粒が融けきれない場合が多く、板状に取ろうとするとボロボロになったり、酒成分が多く残り、柔らかすぎて板状に取れない物理的要因の場合がある。例文帳に追加

Some sakekasu cannot be made into a board shape due to time constraints, manpower shortages, because types such as sakekasu from daiginjo (top-quality sake brewed at low temperatures from rice grains milled to 50 percent of weight or less) and ginjo-sake (high-quality sake brewed at low temperatures from rice grains milled to 60 percent of weight or less) are too crumbly to be made into a board shape because the rice grains are often not completely dissolved due to low-temperature fermentation, or because some types are just too soft because they still contain a large amount of sake.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

水酸基含有アミノ酸を含む標識ペプチド配列を分子に付着させて標識分子を形成する工程と、フェニルボロン酸基を有する分子を前記標識分子と接触させることによって前記標識分子をフェニルボロン酸基を有する分子に捕捉する工程とを含む、分子の固定化方法。例文帳に追加

The method for immobilizing the molecules includes the steps of: attaching a labeled peptide sequence including a hydroxyl group-containing amino acid onto molecules to form labeled molecules; and capturing the labeled molecules in molecules having a phenylboronic acid group by bringing the molecules having the phenylboronic acid group into contact with the labeled molecules. - 特許庁

有機極性溶媒であるγ−ブチロラクトンに、少なくとも、以下の化学式で示されるボロジシュウ酸イオンと１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリウムイオンとの塩、またはボロジシュウ酸イオンと１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリニウムイオンとの塩を配合してアルミニウム電解コンデンサの駆動用電解液とする。例文帳に追加

Salt of boro oxalic acid ion shown by a chemical formula 1 and 1, 2, 3 and 4-tetra methyl imidazolium ion or salt of boro dioxalic acid ion and 1-ethyl-2 and 3-dimethyl imidazolium ion is blended to γ butyrolactone which is organic polar solvent, and it is set to be driving electrolyte of the aluminum electrolytic capacitor. - 特許庁

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。例文帳に追加

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion. - 特許庁

ガラス材質としてソーダライムシリケートガラスまたはボロシリケートガラスを化学強化処理したもの、あるいはＮａ_2 Ｏの含有量の少ないまたはＮａ_2 Ｏを含有しないボロシリケートガラス、無アルカリガラスまたは結晶化ガラスを用い、ガラス基板表面の算術平均粗さＲａを０．５ｎｍ以下、かつ最大高さＲｙを１０ｎｍ以下にする。例文帳に追加

A soda lime silicate glass or borosilicate glass subjected to chemical strengthening, a borosilicate glass containing no or small quantity of Na2O, an alkali-free glass or a crystallized glass is employed as the glass material and the arithmetic mean surface roughness Ra of the glass substrate is set at 0.5 nm or less and the maximum height Ry is set at 10 nm or lower. - 特許庁