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ボロを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 1343



例文

ゲート電極がP型であるPチャネルトレンチMOSFETの製造方法において、ゲート電極を多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成してボロンイオン注入を行いその後絶縁膜を除去する工程を複数回行って形成することで、動作が安定でかつ高品質なPチャネルトレンチMOSFETを提供することが可能となる。例文帳に追加

In the method for manufacturing the p-channel trench MOSFET in which a gate electrode is p-type, the gate electrode is formed on a polycrystalline silicon film by forming an insulating film, implanting boron ions, and then performing a process for removing the insulating film for a plurality of times, thus providing the p-channel trench MOSFET that operates stably and has high quality. - 特許庁

溶線アーク溶射法によりアルミニウム/ケイ素合金から耐磨耗性でトライボロジ特性の優れた成形体を形成するための、一つの被覆12と一つの充填物14とを有する溶射用材料ワイヤであって、前記被覆12は、アルミニウムと少なくとも1種の他の合金成分、例えばマグネシウムまたはマンガンを含む1つのアルミニウム系合金からなる。例文帳に追加

A covering 12 of the material wire for thermal spraying having the one covering 12 and one packing material 14 for forming the molding which consists of an aluminum/silicon alloy and has excellent wear resistance and tribology characteristics by a wire arc flame spraying method consists of the one aluminum base alloy containing the aluminum and at least one kind of other alloy components, for example, magnesium or manganese. - 特許庁

シリコン基板1上にシリコン酸化膜2を介して、制御ゲート電極CGとして機能する導電膜3、高誘電体膜を含有した導電膜間絶縁膜4、リン、砒素またはボロンによる不純物を添加した多結晶シリコンから構成され、浮遊ゲート電極FGとして機能する導電膜5を順に形成する。例文帳に追加

A conductive film 3 functioning as a control gate electrode CG, an insulating film 4 between the conductive films which contains a high dielectric film, and a conductive film 5 comprising polycrystalline silicon to which a dopant by phosphorus, arsenic, or boron is added and functioning as a floating gate electrode FG are formed one by one on a silicon substrate 1 through a silicone oxide film 2. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶を育成する際に、ボロン及び炭素を、単結晶中の濃度が合せて1×10^17atoms/cc以上の範囲となるようにドープして、結晶全面がN領域及び/又はI領域の単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski method, the single crystal in which the whole surface of the crystal is the N region and/or I region is grown by doping boron and carbon so that the total concentration of the dopants in the crystal becomes within a range of ≥1×10^17 atoms/cc when the single crystal is grown. - 特許庁

例文

自動車用ウェザーストリップ10のオープニングシール部14を構成する装飾体1の表面に、ショットブラスト処理、バフ掛け処理、又はシボローラー処理により、微細な凹凸を形成するスエード調加工処理を施し、スエード調加工処理後の装飾体1の表面にレーザー光501を照射することによりシボ模様等の模様を形成する。例文帳に追加

The suede tone processing to form fine asperity is applied to the surface of the garnish 1 constituting an opening seal part 14 of a weather strip 10 for an automobile by means of shotblasting, buffing, or crimp roller processing, and patterns such as crimp patterns are formed by irradiating the surface of the decoration 1 after the suede tone processing with a laser beam 501. - 特許庁


例文

キャリア蓄積層3は、所定の深さにおいて不純物濃度が最大となるように注入されたリンによって形成され、ベース領域2はその深さよりも浅い位置において不純物濃度が最大となるように注入されたボロンによって形成され、エミッタ領域4はN−基板の表面において最大となるように注入された砒素によって形成されている。例文帳に追加

The carrier accumulation layer 3 is formed of phosphorus doped to provide the maximum impurity concentration at the predetermined depth, the base region 2 is formed of boron doped to provide the maximum impurity concentration at the location shallower than the depth of the base region 2, and the emitter region 4 is formed of arsenic to provide the maximum impurity concentration at the front surface of the N-substrate. - 特許庁

ネットワークモデル生成装置は、セグメント間のトラフィック量を算出し、各セグメントでパケットが収集された時刻に基づきトラフィックが流れる経路を推測すると共に、各パケットのネットワークアドレスからトボロジを補完することによってトラフィック収集対象外のセグメントの情報を推測してネットワークモデルを生成する。例文帳に追加

The network model generator 200 calculates traffic volume between segments, estimates a path to which the traffic is delivered on the basis of the time when the packet is collected at each segment, estimates the information of segments at the outside of an object of traffic collection by interpolating the topology with each network address of each packet to generate a network model. - 特許庁

縮合反応性シリコーン樹脂と、ホウ素原子錯体とを含有する原料成分から形成され、ホウ素原子錯体の含有割合が原料成分100質量部に対して0.5〜10質量部であるB−O−Si結合を含有するボロシロキサン樹脂と、窒化ホウ素とを含有させるシリコーン樹脂組成物。例文帳に追加

There is provided a silicone resin composition comprising boron nitride and a borosiloxane resin containing a B-O-Si bond, which borosiloxane resin is formed from a material component comprising a condensation-reactive silicone resin and a boron atom complex and has a boron atom complex containing ratio of 0.5-10 pts.mass per 100 pts.mass material component. - 特許庁

化学物質を昇華させる昇華部と昇華した該化学物質を捕集する捕集部とを有する精製部と、排気装置とを有する昇華精製装置であって、仕込み化学物質が接触する部分の材質がタンタル、モリブデン、チタン、アルミナ、ジルコニア、窒化ボロン、窒化ケイ素のいずれか少なくとも1種であることを特徴とする昇華精製装置である。例文帳に追加

This sublimation refining apparatus comprises a refining part having a subliming part for subliming the chemical substance and a capturing part for capturing the chemical substance and an exhaust system, and the material of the part with which the charged chemical substance comes in contact is either one type at least of tantalum, molybdenum, titanium, alumina, zirconia, boron nitride or silicon nitride. - 特許庁

例文

使用済みの放射能防具を粉砕し粉砕された放射能防具粉砕体にボロン粉体およびビスマス粉体を混合する工程と、前記各粉体が混合された放射能防具粉砕体を電気溶融炉に投入するとともに、電気溶融炉内にケイ素粉体、酸化鉛粉体およびカーボン粉体を投入する工程とを備える。例文帳に追加

This disposal method comprises a process for crushing the used radioactivity protector, and mixing boron powder and bismuth powder with crushed radioactivity protector crushed bodies, and a process for inputting the radioactivity protector crushed bodies mixed with each powder into an electric melting furnace, and inputting silicon powder, lead oxide powder and carbon powder into the electric melting furnace. - 特許庁

例文

ボロン、ヒ素またはリンがドーパントとして1×10^19/cm^3以上の濃度に添加され、裏面にCVD酸化膜1が形成されたシリコン単結晶基板PWに対し、CVD酸化膜1を残存させながら、シリコン単結晶基板PWの主表面上の酸化膜をフッ酸処理でウェットエッチングする(ステップS5)。例文帳に追加

In a silicon single crystal substrate PW wherein boron, arsenic or phosphorus is added as a dopant at a concentration of10^19/cm^3 or more and a CVD oxide film 1 is formed on the back of the substrate PW, an oxide film thereof is wet-etched by hydrofluoric acid treatment while the CVD oxide film 1 is left as it is (step S5). - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板1に素子を分離するためのトレンチ5を形成する工程と、トレンチ5を途中まで埋め込むように、高密度プラズマCVD法を用いて酸化膜7aを形成する工程と、その後、トレンチ5の側壁上部に位置する素子形成領域にボロンを注入する工程とを備えている。例文帳に追加

This method for manufacturing this semiconductor element comprises a process for forming a trench 5 for separating an element on a silicon substrate 1, a process for forming an oxide film 7a by using a high density plasma DVD method in order to bury the trench 5 to the middle, and a process for injecting boron to an element forming region positioned at the upper part of the side wall of the trench 5. - 特許庁

ボロホ果汁にフルーツ系フレーバー、特にブルーベリー、ラズベリー、クランベリー、ストロベリー、アップル、パイナップル、アプリコット、レモンおよびプラムより選ばれた1種以上のフレーバーを配合することにより、ウッディー様の独特の香りおよび渋味を和らげるなどの香味を改善し、飲食品へ応用する。例文帳に追加

This method for improving the flavor of a Boroho fruit juice comprises blending a fruit-based flavor especially of ≥1 kinds of flavors selected from blueberry, raspberry, cranberry, strawberry, apple, pineapple, apricot, lemon and plum with the Boroho juice for improving and moderating its peculiar woody like aroma and its astringent taste to apply it as beverages and foods. - 特許庁

芳香族ボロン酸を反応基質とし、水中又は重水中、アルカリ存在下で、後周期遷移金属を活性炭素に担持させた触媒を用いて加熱することにより、芳香環上の炭素−ホウ素結合だけを選択的に開裂させて水素又は重水素で置換された芳香族化合物を得ることができる。例文帳に追加

The method comprises using an aromatic boronic acid as a reactive substrate and heating it in water or heavy water, in the presence of an alkali, using a catalyst comprising a latter-period transition metal carried on activated carbon, to thereby selectively cleave only the carbon-boron bond on the aromatic ring and obtain the objective aromatic compound substituted with hydrogen or deuterium. - 特許庁

水中で、触媒として0価のインジウムの存在下、式Iで表されるケトフェノン例えばアセトフェノンと、式IIで表されるα−置換アリルボロネート例えばピナコリルα−メチルアリルボレートとを反応させることにより、ホモアリルアルコールである3−メチル−2−フェニルペント−4−エン−2−オールを得る。例文帳に追加

Provided is the method for producing the homo allyl alcohol, such as 3-methyl-2-phenylpent-4-en-2-ol, which comprises reacting a ketophenone represented by formula I, such as acetophenone, with an α-substituted allyl boronate represented by formula II, such as pinacolyl α-methyl allyl borate, in the presence of zero-valent indium as a catalyst in water. - 特許庁

黒鉛部材が用いられた加熱炉によってセラミックス部材に熱処理を施す場合において、加熱炉の規模を大きくすることなく、黒鉛部材に含有されているボロンによるセラミックス部材の汚染を抑制したセラミックス部材の純化方法及び高純度セラミックス部材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a purification method of a ceramic member which prevents the ceramic member from being contaminated by boron contained in a graphite member without making the scale of a heating furnace bigger in the case of applying a heat treatment to the ceramic member by a heating furnace constructed by using the graphite member, and to provide a manufacturing method of a very pure ceramic member. - 特許庁

ネオジゥム系ボンド磁石は、40〜95重量%のネオジゥム・鉄・ボロン系合金の粉末と、4〜30重量%の熱可塑性樹脂と、0.2〜0.8重量%のカップリング剤との混合物の射出成形体であって硬質性を有し、その外表面に所要パターンで多数の貫通孔および/または未貫通孔が形成されている。例文帳に追加

The neodymium-based bond magnet is a body molded by injecting a mixture of 40 to 95 wt.% neodymium-iron-boron-based alloy powder, 4 to 30 wt.% thermoplastic resin, and 0.2 to 0.8 wt.% coupling agent; and has hardness and many through holes and/or non-through holes formed in a predetermined pattern in its outer surface. - 特許庁

炭素繊維又は炭化ケイ素繊維からなるセラミック繊維又はクロスに、これらセラミック繊維の前駆体となる有機高分子物質と炭素、炭化ケイ素、窒化ホウ素又はボロシリコンカーボナイトライドの一種又は二種以上の微小粉末との混合物を塗布して容器形状を形成し、この容器形状を焼成して得られる複合材料からなる処分容器である。例文帳に追加

The disposal container is constituted of a complex materials obtained by forming the container body by spreading mixture of organic polymer material to be a precursor of ceramic fiber and fine powder of one or more kinds of carbon, silicon-carbide, boron-nitride, or boro-silicon carbonitride on the ceramic fiber or cloth consisting of carbon fiber or the silicon-carbide fiber, and sintering the container shape. - 特許庁

溶液中、固体中、又は固相担体上などに存在するRNAを光学的に検出する方法であって、下記の工程:(1)シアニン色素、オキソノール色素、及びキサンテン色素からなる群から選ばれ、2個以上のボロン酸基を有する色素とRNAとの複合体を得る工程;及び(2)該複合体を光学的に検出する工程を含む方法。例文帳に追加

The method for detecting optically an RNA existing in a solution, in a solid or on a solid-phase carrier comprises the following processes: a process (1) of obtaining a compound body of a dye selected from the group composed of a cyanine dye, an oxonol dye and a xanthene dye and has two or more boronic acid groups and the RNA and a process (2) of detecting the compound body optically. - 特許庁

nチャネル型TFTのゲッタリング領域には、n型不純物元素(代表的にリン)を添加し、pチャネル型TFTのゲッタリング領域には、p型不純物元素(代表的にボロン)および希ガス元素(代表的にはアルゴン)を添加して半導体膜中に残留している触媒元素をゲッタリングするための加熱処理を行う。例文帳に追加

Heat treatment for gettering catalytic element remaining in a semiconductor film, by adding n-type impurity element (typically phosphorus) to the gettering region of an n-channel type TFT and adding a p-type impurity element (typically boron) and a rare gas element (typically argon) to the gettering region of a p-channel type TFT. - 特許庁

半導体基板11の水平方向には、ソース拡散層17Aおよびドレイン拡散層17Bが横方向に拡がらず、深さ方向には、シリサイド層21Aとソース拡散層17A、シリサイド層21Bとドレイン拡散層17Bのそれぞれの境界付近のボロンの濃度が半導体基板11の表面付近の濃度より大きくなる。例文帳に追加

In the horizontal direction of the semiconductor substrate 11, the source diffusion later 17A and the drain diffusion layer 17B are not expanded in the transverse direction, and in the depth direction, a boron concentration near each boundary between the silicide layer 21A and the source diffusion layer 17A and between the silicide layer 21B and the drain diffusion layer 17B become larger than that near the surface of the semiconductor substrate 11. - 特許庁

窒素雰囲気下、9,9−ジエチル−9−H−フルオレン−2−イルボロン酸と4,4’−ジブロモ−2,2’−ビピリジンを反応して得た化合物と4,4’−ジカルボン酸−2,2’−ビピリジン、塩化ルテニウムを高温下暗黒で反応し、SephadexLH−20のカラムを使用して、溶離、単離、精製してルテニウム錯体を得る。例文帳に追加

The ruthenium complex is provided by reacting 9,9-diethyl-9-H-fluoren-2-yl boronic acid with 4,4'-dibromo-2,2'-bipyridine to obtain a compound, reacting the compound with 4,4'-dicarboxylic acid-2,2'-bipyridine and ruthenium chloride in the dark at a high temperature, and then eluting, isolating and purifying with a Sephadex LH-20 column. - 特許庁

ゲート電極7Pの下層にGeを含む膜72を有し、Geを含む膜72の上に粒径の小さい(平均粒径100nm以下の)ポリシリコン膜73を有しているので、ゲート電極7P中にドープされるボロンが、ソース/ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。例文帳に追加

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment. - 特許庁

構造式(1)で示されるボロンジピロメテン−カリックス[4]アレーンを下式に従い製造し、これとランタノイド系列希土類金属(La、Ce、Sm、Ev、Gd、Tb、Dy)のアセチルアセトナート化合物との混合液の吸収スペクトルから会合定数を算出し、この結果をふまえてこれらの金属をセンシングする方法。例文帳に追加

The method for sensing the lanthanoid-series rare earth metals (La, Ce, Sm, Ev, Gd, Tb and Dy) includes producing boron dipyrromethene-calix[4]arene represented by structural formula (1) according to the chemical reaction equation, calculating association constants from absorption spectra of mixed solutions of acetylacetonato compounds of the lanthanoid-series rare earth metals with the calixarene, and sensing the metals based on the results. - 特許庁

6位に三および四置換アリール置換基を有する4−アミノピコリン酸、ならびにそれらのアミンおよび酸誘導体であって、特に、[1,3,2]−ジオキサボリナン誘導体、フェニルボロン酸誘導体およびトリメチルスタンナン誘導体は木本、イネ科雑草およびカヤツリグサ科雑草ならびに広葉雑草に対する広範囲の雑草防除能を有すると共に卓越した作物選択性を有する。例文帳に追加

The herbicide comprises 4-aminopicolinic acids having tri- and tetra-substituted aryl substituents in the 6-position, and their amine and acid derivatives, particularly [1,3,2]-dioxaborinane derivatives, phenyl boronic acid derivatives, and trimethyl stannane derivatives have a wide spectrum of weed controllability against undesirable vegetation in tree crops, grass weed and sedge weed and broadleaf weeds and a superior crop selectivity. - 特許庁

工程Dにおいて、HV−MOSのゲート電極を形成する箇所の窒化膜上のフォトレジストを除去し、それ以外のフォトレジスト8をマスクに、第2pウエル領域となる箇所9に、窒化膜4と酸化膜3を貫通し、pウエル領域2の表面層にボロンをイオン注入する。例文帳に追加

A photoresist is removed from a nitride film at a position where the gate electrode of an HV-MOS is formed, and boron ions are implanted into the surface layer of a P well region 2 at a part 9 which serves as a second P well region penetrating through both a nitride film 4 and an oxide film 3, using the residual photoresist 8 as a mask. - 特許庁

低分子第4級アンモニウムのボロン塩であって、一つの窒素原子が複素環構成原子として、独立した5員環部分またはベンゼン環が隣接した5員環部分を構成し、この窒素原子以外に一つの酸素原子、または一つ硫黄原子、または一つの窒素原子が5員環部分を構成し得る化合物からなる帯電防止剤である。例文帳に追加

The antistatic agent comprises a compound that is a boron salt of a low molecular weight quaternary ammonium, wherein one nitrogen atom as an atom constituting a hetero ring constitutes an independent five-member ring moiety or a five-member ring moiety with an adjoining benzene ring, and one oxygen atom or one sulfur atom or one nitrogen atom except for the nitrogen atom may constitute the five-member ring moiety. - 特許庁

この発明のガラスコートおよびその製造方法は、液化したフッ化珪素に、粉粒状のシリカバルーンまたは水砕スラグを混入し、飽和点まで溶解してからコロイド状態の過飽和溶液となし、高周波磁場を印可しながらボロシロキサンを添加してポリマーアロイ状態にしたことを特徴とする。例文帳に追加

The glass coat and the method for manufacturing it are characterized in that powdery and granular silica balloons or water-granulated slag are added to liquified silicon fluoride, after dissolving up to the saturation point, the resulting solution is made into a colloidal supersaturated solution, and then borosiloxane is added while impressing a high frequency magnetic field to make resulting mixture into a polymer alloy state. - 特許庁

この発明に係る圧縮機は、冷媒を圧縮する圧縮要素と、圧縮要素を駆動し、鉄、ネオジウム、ボロン及び4重量%以下のディスプロシウム含むネオジウム希土類磁石を用いる回転子を有する6極の電動機と、電動機を駆動し、インバータ主回路のスイッチング部にSiC素子を用いる駆動回路と、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

The compressor includes: a compression component for compressing a refrigerant; a six-pole motor for driving the compression component, and having a rotor using neodymium rare earth magnet including iron, neodymium, boron, and dysprosium of 4 wt.% or less; and a driving circuit for driving the electric motor, and using a SiC component in a switching part of an inverter main circuit. - 特許庁

4,4−ジメチル−2−フェニル−オキサゾリンのグリニャール試薬でのメタル化により、4,4−ジメチル−2−フェニル−オキサゾリンマグネシウムクロライドを製造し、次いで該化合物にホウ酸トリエステルを反応させ、さらに加水分解することにより、オキサゾール環の開環、エステルの加水分解を行い、4,4−ジメチル−2−フェニル−オキサゾリンボロン酸誘導体を調製する。例文帳に追加

A 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline boronic derivative is prepared by performing metallation of 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline with a Grignard reagent to prepare 4,4-dimethyl-2-phenyl-oxazoline magnesium chloride, subsequently reacting the compound with a boric acid triester and further performing hydrolysis to perform ring-opening of an oxazole ring and hydrolysis of an ester. - 特許庁

ポリプロピレン100重量部に対して、ボロン系ポリマー帯電防止剤1〜100重量部添加した樹脂フィルム基材、およびベースポリマーと放射線重合性化合物と放射線重合性重合開始剤とからなる粘着剤層からなる半導体基板加工用粘着シートであり、他の樹脂フィルムが加わってもよい。例文帳に追加

The adhesive sheet for processing a semiconductor substrate comprises a resin film substrate material containing 100 pts.wt. of polypropylene and 1-100 pts.wt. of a boron polymer as an antistatic agent and an adhesive layer containing a base polymer, an irradiation-induced polymerizable compound and an irradiation-induced polymerization initiator, and other resin film may also be incorporated. - 特許庁

量子コンピュータ(57)は、ボロンをドープ処理したシリコン−ゲルマニウム層内に形成したトレンチ隔離したチャンネル領域(2)を備えており、前記層がトンネル障壁を形成する幅狭のチャンネル領域(7,8,9)と、第1及び第2の量子ドット(10,11)を形成する幅広のチャンネル領域(10,11)とを有する。例文帳に追加

The quantum computer (57) has a trench-isolated channel area (2) formed on a silicon-germanium layer doped with boron, and the layer has narrow channel areas (7, 8, 9) forming a tunnel barrier and wide channel areas (10, 11) forming 1st and 2nd quantum dots (10, 11). - 特許庁

本発明は、ボロン量が10at%以下のナノ結晶材料用Fe基アモルファスリボンの製造において、金属溶湯を冷却ロール上に注湯し、凝固したFe基アモルファスリボンの温度が、100〜300℃の範囲で前記冷却ロールから剥離させるナノ結晶材料用Fe基アモルファスリボンの製造方法である。例文帳に追加

In the production of the Fe-base amorphous ribbon for nano- crystal material, having10 atomic % boron content, molten is poured on a cooling roll and the solidified Fe-base amorphous ribbon in the temperature range of 100-300°C is detached from the cooling roll. - 特許庁

基体1上に、少なくともアルミニウムにニッケルとボロンとを含有する導体層5bとモリブデンまたはモリブデン合金を含有するキャップ層5cとをこの順に積層形成してなる積層体5を備え、電極6,10の少なくとも一方と積層体5とがその少なくとも一部で電気的に接続されてなることを特徴とする。例文帳に追加

The organic EL panel includes a layered product 5 which is formed by laminating a conductor layer 5b of aluminum containing at least nickel and boron, and a cap layer 5c containing molybdenum or a molybdenum alloy in this order on the substrate 1, wherein at least one of the electrodes 6 and 10 and the layered product 5 are connected electrically at least in a part thereof. - 特許庁

本発明は、基材フィルムと、上記基材フィルムの一方の表面上に形成され、ボロン系帯電防止剤および剥離剤を含有する汚れ防止層と、上記基材フィルムの他方の表面上に形成された粘着層と、を有することを特徴とする保護フィルムを提供することにより、上記課題を解決する。例文帳に追加

The protective film comprises a base film, a contamination preventing layer containing a boron-based antistatic agent and a release agent formed on one surface of the base film, and a tacky layer formed on the other surface of the base film. - 特許庁

電気モータに脱調を生ずることなく、且つ、電気モータにロータマグネットとは別体のネオジム−鉄−ボロン系磁石の組み付けを必要とすることなく、電気モータに磁気誘導方式のクラッチ操作力取出機構を組み込んだ、新規な構造のギヤードモータ及びその製造方法を提供することを、目的とする。例文帳に追加

To provide a geared motor having a new structure obtained by incorporating a magnetic induction type clutch operating force takeout mechanism in an electric motor without causing step-out in the electric motor, and also without requiring assembly of neodymium-iron-boron system magnet separate from a rotor magnet to the electric motor, and also to provide a method of manufacturing the geared motor. - 特許庁

上記目的を解決するため、ガラス基板上に200nm〜500nmの膜厚の第1の窒化珪素膜と、前記第1の窒化珪素膜上に第2の窒化珪素膜と、前記第2の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。例文帳に追加

In the semiconductor device including a first silicon nitride film, having a thickness of 200 to 500 nm formed on a glass substrate; a second silicon nitride film formed on the first silicon nitride film; and an amorphous semiconductor film which is formed on the second silicon nitride film and includes a region which serves as a channel formation region, the configuration includes boron at the interface between the first insulating film and the second insulating film. - 特許庁

ブロモフェニルボロン酸類と、式(2)(式中、kは0〜4の整数、mは1〜5の整数を表す。R^2はアルキル基等を表し、R^3はアルキル基を表す。)で示されるアシルブロモベンゼン類とを、パラジウム化合物の存在下で反応させることにより、式(3)で示されるブロモビフェニル類を製造する。例文帳に追加

This method for producing the bromobiphenyl compound represented by formula (3) [wherein, (k) is an integer of 0 to 4; (m) is an integer of 1 to 5; R^2 is an alkyl or the like; R^3 is an alkyl] is characterized by reacting a bromophenylboronic acid with an acylbromobenzene compound represented by formula (2) in the presence of a palladium compound. - 特許庁

シリコン層中に取り込まれるボロン量の制御が可能で、特により低い再析出温度においても所望のp+層の形成が容易になり、さらに高品質なシリコン層の形成が可能になり、より光電変換特性の高い光起電力素子を形成する方法と、形成される光起電力素子並びに半導体基板の形成方法および半導体基板を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of forming a photovoltaic element having higher photoelectric conversion characteristics, which can control the amount of boron which is taken in a silicon layer, specially facilitates formation of a desired p+ layer even at a lower reprecipitation temperature and moreover, enables formation of a high-quality silicon layer, and to provide a formed photovoltaic element, a method of forming a semiconductor substrate and a semiconductor substrate. - 特許庁

ヘッドの浮上面のトライボロジー特性を良好にしつつ、薄膜ヘッド部の熱膨張突出を抑制して磁気スライダヘッドと磁気ディスクとの接触の可能性を低減し、安定した記録/再生性能の確保と信頼性の向上が図れると共に量産性を損なわずに熱突き出しの影響を低減する磁気ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic head in which possibility of contact between a magnetic slider head and a magnetic disk is reduced by suppressing thermal expansion projection of a thin film head part with an excellent tribology property of a floating plane of the head, stable recording/reproducing performance is secured and reliability is improved, while influence of thermal projection is reduced without losing mass productivity. - 特許庁

ガラス転移温度が−60〜0℃であって、Mwが160万以上280万未満であり、特定組成のアクリル系ポリマー(A)と、水酸基もしくはカルボキシル基と反応し得る官能基を有する化合物(B)と、特定構造のボロン系化合物(D)とを含有する帯電防止性アクリル系感圧式接着剤。例文帳に追加

The antistatic acrylic pressure-sensitive adhesive comprises an acrylic polymer (A) of a specific composition having a glass transition temperature of -60 to 0°C and an Mw of 1,600,000 to <2,800,000, a compound (B) having a functional group capable of reacting with a hydroxyl group or a carboxyl group, and a boron compound (D) of a specific structure. - 特許庁

ボロン鋼のオーステナイト結晶粒界あるいは高炭素クロム軸受鋼の焼入材のオーステナイト結晶粒界を顕出するための腐食液において、400mlの水に対してピクリン酸を15〜25gを溶解し、これに洗剤のライポンF(商品名:ライオン油脂製)20〜40mlを加え、さらに界面活性剤としてドデシルベンゼンスルフォン酸ナトリウムを4〜10gを加えてなることを特徴とする腐食液である。例文帳に追加

This corrosive liquid for exposing the austenitic grain boundary of the boron steel or the austenitic grain boundary of the quenching material for the high-carbon chromium bearing steel is prepared by dissolving picric acid 15-25 g in water 400 ml, adding thereto 20-40 ml of detergent 'LIPON F'(R), and adding thereto 4-10 g sodium dodecyl benzenesulfonate as a surfactant. - 特許庁

例文

オーレオバシディウム属、バチルス属、サッカロミセス属、チゴサッカロミセス属、シゾサッカロミセス属、ピチア属、ハンセヌラ属、クルイベロミセス属、ブレラ属、クロエケラ属、ロドトルラ属、及びスポロボロミセス属にに属する微生物から選ばれる一種又は二種以上の微生物をアルコール水溶液にて抽出して得られる抽出物を有効成分として含む、保湿・整髪作用とを有する皮膚及び毛髪用化粧料とその製造方法を提供することにより前記課題を解決する。例文帳に追加

A hair and skin cosmetic having moisture retention and hair dressing activity and containing, as active ingredients, extracts extracted from microorganism with an alcohol aqueous solution, is provided, wherein the microorganism is one or more selected from microorganisms belonging to genuses Aureobacidium, Bacillus, Saccharomyces, Zygosaccharomyces, Schizosaccharomyces, Pichia, Hansenula, Kluyveromyces, Bullera, Kloeckera, Rhodotorula and Sporobolomyces, and a method for producing the cosmetic is also provided. - 特許庁

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