「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

（Ａ）二硫化モリブデン、二硫化タングステン、黒鉛、フッ化黒鉛、及び、ボロンナイトライドから選ばれる少なくとも１種のトナーよりも比重が大きい潤滑性粉体材料と、（Ｂ）熱可塑性樹脂粉体材料と、の混合物で構成される潤滑剤成形物６ｂとする。例文帳に追加

The lubricant molded product 6b comprises a mixture of (A) a lubricating powder material selected from at least one kind of molybdenum disulfide, tungsten disulfide, graphite, fluorinated graphite and boron nitride and having a specific gravity larger than that of toner and (B) a thermoplastic resin powder material. - 特許庁

前記ダイヤモンドは、ダイヤモンドにボロン、窒素、リンあるいはイオウなどの不純物を固溶させて導電性を付与しておき、ＰＴＦＥなどのマスク材で非加工部分を覆って電解することでダイヤモンドを所望の形状に加工できる。例文帳に追加

The diamond can be processed into the desired shape by solid solubilizing impurities such as boron, nitrogen, phosphorus and sulfur in the diamond to impart conductivity to the diamond, covering a non-processed part with a masking material such as PTFE and subjecting the diamond to electrolysis. - 特許庁

ゲート電極をｐ型ドーパント(例えば、ボロン)でドープさせることができることにより、所望の値を有する(例えば、約4.8から約5.6eVのフェルミ準位に一致する)、関連する仕事関数を有するトランジスタを形成することが容易になる。例文帳に追加

By making the gate electrode be possible to be doped with the p-type dopant (for instance, boron), a transistor having a desired value (for instance, it conforms Fermi level of about 4.8 to 5.6 eV) and a relating work function can easily be formed. - 特許庁

基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを１〜９atomic％、リンまたはボロンを３〜１２atomic％含有する合金膜を無電解めっきで形成した。例文帳に追加

The alloy film is formed containing 1-9 atomic% of tungsten or molybdenum and 3-12 atomic% of phosphorus or boron by electroless plating on at least a portion of the area surrounding the embedded wiring formed by embedding a wiring material in a recess for wiring formed in an insulator on the substrate. - 特許庁

高濃度のボロンをドープして導電性を有する多結晶のダイヤモンド電極を用い、その導電性ダイヤモンド電極の表面と被分析対象の表面とを擦り合わせることにより、前記導電性ダイヤモンド電極の表面に前記被分析対象を付着させる。例文帳に追加

A polycrystalline diamond electrode having conductivity by being doped with high-concentration boron is used, and the surface of the conductive diamond electrode and the surface of an analytical object are rubbed with each other, to thereby allow the analytical object to adhere to the surface of the conductive diamond electrode. - 特許庁

他のステップ、例えば限外ロ過、ゲル浸透クロマトグラフィー、アフィニティクロマトグラフィー（青色色素を用いてアルブミンを結合させる例、およびアミノフェニルボロン酸樹脂を用いて混入物質を結合させる例を示す）用いてよい。例文帳に追加

Another step such as ultrafiltration, gel permeation chromatography and affinity chromatography (a case, wherein albumin is combined by using a blue pigment and another case, wherein contaminants are bonded by using an aminophenylboronic acid resin are shown) are usable. - 特許庁

このような二層構造とすることにより、アルミニウム層で発生するＸ線とボロン層で発生するＸ線との相互作用によって、波長６ｎｍと１６ｎｍに大きなピークを有し狭帯域化されたスペクトルをもつＸ線を発生させることができる。例文帳に追加

With this double-layer structure, by correlation of the X-rays generated at the aluminum layer and at the boron layer, the X-ray having a narrow band spectrum can be generated with big peaks at wavelengths of 6 nm and 16 nm. - 特許庁

希土類焼結磁石は、例えば、Ｒ（Ｒは希土類元素の１種又は２種以上、但し希土類元素はＹを含む概念である。）、Ｔ（ＴはＦｅまたはＦｅ及びＣｏを必須とする遷移金属元素の１種または２種以上である。）、及びＢ（ホウ素）を含むネオジム鉄ボロン系磁石である。例文帳に追加

The rare earth sintered magnet is a neodymium iron boron based magnet containing R (R is a concept of one or two or more rare earth elements containing Y), T (T is Fe or one or two or more transient metal elements where Fe and Co are essential), and B (boron). - 特許庁

ゲート絶縁膜を通してボロン原子がシリコン半導体基板へ拡散することを防止するために、ゲート絶縁膜をシリコン酸化膜と窒化シリコン膜の積層型とする場合に、水素のゲート絶縁膜への拡散も防止し、ゲート絶縁膜の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To enhance reliability on a gate insulating film by preventing the diffusion of hydrogen to the gate insulating film, too, in making the gate insulating film the stack type of a silicon oxide film and a silicon nitride film so as to prevent boron atoms from diffusing to a silicon semiconductor substrate. - 特許庁

エピタキシャルシリコンウェーハ１０は、バルク層１１ａの抵抗率が３０ｍΩｃｍ以下となるようにボロンが添加されたシリコンウェーハ１１と、その表面表層部１１ｂ上に形成されたエピタキシャル膜１２とを備える。例文帳に追加

An epitaxial silicon wafer 10 includes a silicon wafer 11 to which boron is added so that a bulk layer 11a has a resistivity of not larger than 30 mΩcm, and an epitaxial film 12 formed on a top surface layer part 11b thereof. - 特許庁

その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。例文帳に追加

An insulator material film of the low dielectric constant of a BCN system whose specific inductive capacity is 2.5 or below and whose elastic modulus (Young's modulus) is 8 GPa or above is obtained by forming the film with plasma CVD by using tris(dimethylamino)boron, as an example. - 特許庁

有機合成上、非常に重要な反応技術であるクロスカップリング反応において、従来ニッケル系触媒では解決できなかった、芳香族ホウ素化合物のボロン酸エステルを効率的に反応させ、クロスカップリング化合物を得るための製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a cross-coupling compound by the reaction of a boronic acid ester of an aromatic boron compound in high efficiency which has been unattainable by the use of a conventional nickel-based catalyst in a cross-coupling reaction which is a very important reaction technique in organic synthesis. - 特許庁

本発明は、Ｎｂ源、Ｂ源などとして安価でＡｌ含有量の多いフェロニオブ、フェロボロンなどのフェロアロイを使用した場合でも筋疵や脆化のない低Ａｌ含有量の鉄基非晶質合金用母材を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a base material for amorphous iron alloy with low Al content having neither linear flaw nor brittleness, even in case of using ferro- alloy having much Al content at low cost as a Nb source and a B source such as ferro-niobium, ferro-boron. - 特許庁

生成物との分離が容易な固体触媒を用いた、芳香族ボロン酸化合物と芳香族トリフラートエステルとの鈴木−宮浦カップリングによる炭素−炭素結合生成によりカップリング生成物を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a coupling product by a carbon-carbon bond-producing reaction by the Suzuki-Miyaura coupling of an aromatic boric acid compound and an aromatic triflate ester in the presence of a solid catalyst easily separated from a reaction product. - 特許庁

外部の赤外光源から照射された赤外光７は、パイレックスガラス製キャップを透過し、キャピラリ群２の表面に形成されたボロン拡散層３に吸収され、熱に変換され、キャピラリ群２の光照射面と裏側の間に温度勾配が形成される。例文帳に追加

Infrared ray emitted from an external infrared light source is transmitted by the Pyrex cap, absorbed by a boron diffusion layer 3 formed on a surface of the capillary group 2, and converted to heat to form the temperature gradient between the irradiated surface and the reverse side of the capillary group 2. - 特許庁

有機ＥＬ素子材料として好適で、ジベンゾシロールあるいはジベンゾボロールを基本骨格にもつπ電子系化合物の生産性に優れた官能性９−金属置換フルオレン誘導体とその効率的な製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a functional 9-metal-substituted fluorene derivative which is suitable as an organic EL element material and gives π-electron compounds each having a dibenzosilol or dibenzoborol as a basic skeleton in excellent productivity, and to provide a method for efficiently producing the derivative. - 特許庁

センサ用磁石２５としてラジアル異方性を有するネオジウム−鉄−ボロン系希土類磁石が用いられることにより、ホールセンサ５３によるセンサ用磁石２５を介しての界磁用磁石２３の位置の検出精度を向上することができる。例文帳に追加

As the magnet 25 for a sensor, a neodymium-iron-boron rare earth magnet, which has radial anisotropy, is used, whereby the accuracy in detection of the position of the magnet 23 for a field via the magnet 25 for a sensor by the hole sensor 53 can be improved. - 特許庁

ゲート電極となる多結晶シリコン膜中のボロンの半導体基板中への拡散がなく安定な特性を有する低耐圧トランジスタと、膜厚制御されたゲート絶縁膜を有する高耐圧トランジスタを同一基板上に持つ半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a low breakdown voltage transistor having a stable characteristic without diffusion of boron in a polycrystalline silicon film which becomes a gate electrode to a semiconductor substrate and a high breakdown voltage transistor, having a gate insulting film whose film thickness is controlled on the same substrate. - 特許庁

トウダイグサ科ユーホルビア属、キク科ベニバナボロギク属、ヒルガオ科サツマイモ属、ミカン科サルカケミカン属および紅藻類ガラガラ属からなる群から選ばれた少なくとも１種類以上の植物の抽出物を含む、繊維芽細胞成長因子５阻害剤を採用した。例文帳に追加

This fibroblast growth factor 5 inhibitor is provided by containing ≥1 kind of an extract of a plant selected from a group consisting of the genus Euphorbia of Euphorbiaceae, the genus Crassocephalum of Comppositae, the genus Ipomoea of Convolvulus, the genus Toddaria of Rutaceae and the genus Galaxaura of Red algae. - 特許庁

３５〜８０重量％のニッケル（Ｎｉ）、１０〜６０重量％のコバルト（Ｃｏ）及び１〜１０重量％のボロン（Ｂ）からなる金属元素成分と、還元剤と、錯化剤と、純水とを含むメッキ溶液を用いてメッキ処理を行うようにした。例文帳に追加

Plating treatment is performed using a plating solution comprising: metal element components composed of, by weight, 35 to 80% nickel (Ni), 10 to 60% cobalt (Co) and 1 to 10% boron (B); a reducing agent; a complexing agent; and pure water. - 特許庁

飛跡検出用固体であるアリル・ディ−グリコール・カーボネート（ＡＤＣ）の板片上に、ボロン・ニトレート（ＢＮ）のラジエータと高密度ポリエチレン（Ｐ）のラジエータを併置して、三者を一体に被覆し気密的に包装して製品を得る。例文帳に追加

A boron nitrate (BN) radiator and a high-density polyethylene (P) radiator are arranged side by side on an allyl-D glycol carbonate (ADC) plate piece as the solid for track detection, the three are coated integrally so as to be packaged airtightly, and a product is obtained. - 特許庁

酸化ほう素と酸化鉄に助燃材、還元材及びフラックスを加えてテルミット反応により低炭素フェロボロンを製造するに際し、還元材としてＭｇを１０〜３０％含有するAl-Mg合金あるいはこれに加えてＡｌ−Ｍｇ分金の８０％以下のアルミニウムを使用する。例文帳に追加

When adding a combustion improver, a reducer and a flux to boron oxide and iron oxide and producing low carbon ferroboron by thermite reaction, as the reducer, an Al-Mg alloy containing 10 to 30% Mg, or, in addition to it, aluminum of ≤80% of the Al-Mg alloy is used. - 特許庁

薄膜トランジスタを構成する基板及び各膜の表面および界面をトランジスタの動作に影響をおよぼすボロン等の不純物汚染から清浄にかつ保護し、特性や信頼性の高い、また歩留りの高いポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a poly silicon thin film transistor that has excellent characteristics with high reliability and a high yield by protecting the surfaces and the interfaces of a substrate and each film constituting a thin film transistor from impurity contamination such as boron affecting transistor operations. - 特許庁

ポリ（スチレン‐ｃｏ‐アクリルアミド）（ＰＳＡ）及びポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳＡ）を含む電界紡糸ファイバーマットに３−アミノベンゼンボロン酸（ＡＢＢＡ）を物理吸着等により担持させた電界紡糸ファイバーマット複合体が提供される。例文帳に追加

An electrospun fiber mat composite is provided, in which 3-aminobenzene boronic acid (ABBA) is supported on an electrospun fiber mat which comprises poly(styrene-co-acrylamide) (PSA) and polystyrene sulfonic acid (PSSA) by physical adsorption or the like. - 特許庁

本発明は、アレニルボロネートとα−ヒドラゾノエステルとを、金属水酸化物又は金属酸化物の存在下、水系溶媒中で反応させて、対応するα−アレニルヒドラジノエステル及び／又はα−プロパルギルヒドラジノエステルを製造する方法に関する。例文帳に追加

There is disclosed a method comprising allowing allenyl boronate and an α-hydrazono ester to react with each other in the presence of a metal hydroxide or a metal oxide in an aqueous solvent to produce a corresponding α-allenylhydrazino ester and/or a corresponding α-propargylhydrazino ester. - 特許庁

下記反応式の様に、２種のインジウム化合物（三塩化インジウムとインジウムトリ(ヘキサメチルジシラジド））から成るインジウム触媒と求核剤としてアリルボロネートを用いてスチレンオキシドのエポキシド開環反応を行うことで、内部開環生成物３を選択的に生成することができる。例文帳に追加

An internal ring-opened product 3 is selectively produced by subjecting styrene oxide to an ring opening reaction of an epoxide using an indium catalyst comprising two species of indium compounds [indium trichloride and indium tri(hexamethyldisilazide)] and allyl boronate as a nucleophilic agent, according to the reaction formula shown herein. - 特許庁

Ｙを含む希土類元素Ｒの水素化物粉末、フェロボロン粉末、鉄粉末に、更にＲ_２Ｆｅ_１４Ｂ粉末を混合し、得られた混合粉末を磁場中で圧粉成形した後、脱水素処理を行なうことを特徴とする希土類異方性磁石の製造方法が提供される。例文帳に追加

The method of manufacturing the rare earth anisotropic magnet is characterized by further mixing R_2Fe_14B power to hydride powder of a rare earth element R including Y, ferroboron powder, and iron powder; and performing dehydrogenation after compacting the obtained mixed powder in a magnetic field. - 特許庁

第２の工程は、式Ｍ（ＡｌＨ_３ＯＲ^１）_ｙの化合物をボラート、ボロキシンもしくはボラジン化合物と一緒にして、アルカリ金属およびアルミニウムアリールオキシドを含む副生成物混合物、並びにＭ（ＢＨ_４）_ｙを生じさせる。例文帳に追加

A second process comprises mixing the compound of the formula: M(AlH_3OR^1)_y with a borate, boroxine or borazine compound to produce a by-product mixture containing the alkaline metal and an aluminum aryloxide, and M(BH_4)_y. - 特許庁

窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。例文帳に追加

The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11. - 特許庁

希土類元素、鉄、および、ボロンを基本成分とする合金片に成形を行うことにより一次成形体を得る一次成形工程と、一次成形体に塑性加工を行うことにより主相結晶粒の磁化容易軸方向を配向させて異方性を付与する塑性加工工程とを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the magnet includes: the primary molding step of obtaining a primary molding by molding an alloy piece consisting basically of a rare earth element, iron and boron; and a plastic processing step of imparting anisotropy by aligning magnetic easy axis directions of main phase crystal grains by performing plastic processing on the primary molding. - 特許庁

ボロンドープドシリコン層７２を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７８を形成し、ノンドープドシリコン層７３を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７９を形成する工程を繰り返すことにより、シリコン基板１１上に積層体２０を形成する。例文帳に追加

A laminate 20 is formed on a silicon substrate 11 by repeating a step of depositing a boron-doped silicon layer 72, forming a silicon nitride layer 78 on the top surface thereof, depositing a non-doped silicon layer 73, and forming a silicon nitride layer 79 on the top surface of the non-doped silicon layer. - 特許庁

本発明は、イオン注入剥離法により、ボロンなどのドーパントを高濃度に含む低抵抗率の薄膜を有する貼り合わせウェーハの製造方法において、ドーパントの外方拡散や酸化による吸出しを抑えて低抵抗率を維持できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a lamination wafer in which a low resistivity is maintained by suppressing sucking-out which is caused by oxidation or outward dispersion of dopant, relating to a method of manufacturing a lamination wafer which has a thin film of low resistivity that contains a dopant such as boron in high concentration, by an ion implantation peeling method. - 特許庁

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。例文帳に追加

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band. - 特許庁

これにより、メッキ粒子同士の密着性が向上してクラックやピンホールの発生が抑制されるとともに、メッキ厚が均一なものとなり、ニッケルボロンメッキ膜１２５の耐食性能が向上し、ひいてはセラミックヒータ１００の耐食性及び耐久性が向上する。例文帳に追加

Thereby, the adhesiveness among plated particles themselves are improved to suppress the occurrence of crack and pin-hole, the thickness of plating is made even, the corrosion resistance performance of the nickel-boron plated film 125 is improved and, moreover, the corrosion resistance and durability of the ceramic heater 100 is improved. - 特許庁

イオン注入時のボロン汚染の影響によるデバイスの電気特性の劣化が発生せず、ＳＯＩ層のｎ^＋層中に転位の発生もなく、さらに製造コストも廉価となる貼り合わせＳＯＩ基板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a laminated SOI substrate and a method for manufacturing it for preventing the generation of the deterioration of the electric characteristics of a device due to the effect of boron contamination when injecting ions, and for preventing the occurrence of dislocation in the n^+ layer of an SOI layer, and for reducing the manufacturing costs. - 特許庁

冷間鍛造時には冷間加工性に優れ、浸炭時に粗大粒の発生と表面から深さ０．２〜０．７ｍｍに生成する不完全焼入れ組織の生成を防止することができる肌焼きボロン鋼とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce case hardening boron steel excellent in cold workability at the time of cold forging and capable of preventing the generation of coarse grains and the formation of a slack-quenched region formed to a depth of 0.2 to 0.7 mm from the surface at the time of carburizing and to provide its producing method. - 特許庁

［アシルアミノピラジナト−Ｏ，Ｎ］ボロン誘導体は、一般式（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に水素原子、又はアルキル基等、Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、ハロゲン基、アルキル基等を示す。）で表される。例文帳に追加

The [acylaminopyrazinato-O, N] boron derivative is represented by the general formula of the figure (wherein R^1, R^2, R^3, and R^4 are each independently H, alkyl, or the like; R^5 and R^6 are each independently halogen, alkyl or the like). - 特許庁

シリコンウェーハの結晶欠陥が存在せず、シリコンウェーハ表面でボロン濃度が一定で均一な比抵抗値を持つ高品質なアニールウェーハを製造することができ、シリコンウェーハの熱処理效率が高く、製造元価を低減させることができるアニールウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an annealed wafer for manufacturing a high-quality annealed wafer in which crystal defects do not exist in the silicon wafer and boron concentration is constant yielding uniform specific resistivity, for giving high heat treatment efficiency, and for reducing the manufacturing cost. - 特許庁

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。例文帳に追加

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2. - 特許庁

シリコン基板１０１の上に、不純物を実質的に含まない酸化シリコン膜（ＳｉＯ_2 ）１０４と、ボロン及びリンを含む酸化シリコン膜であるＢＰＳＧ膜１０５とを順次堆積した後、ＢＰＳＧ膜１０５及び酸化シリコン膜１０４にコンタクトホールを形成する。例文帳に追加

A silicon oxide film (SiO2 film) 104 which substantially does not contain impurities and a BPSG film 105, which contains boron and phosphorus and is a silicon oxide film, are deposited in the order on a silicon substrate 101 and thereafter, a contact hole is formed in the films 105 and 104. - 特許庁

ＭＩＳ型半導体装置において、ボロンの突抜を防止するために、ゲート絶縁膜としてシリコン窒化酸化膜を形成し、かつシリコン窒化酸化膜中の窒素がゲート絶縁膜とシリコン基板との界面に窒素が集中することを防止し、ＮＢＴＩによるトランジスタの特性不良を防止する。例文帳に追加

To form a silicon nitride oxidized film as a gate insulating film for preventing boron from punching through, to prevent nitrogen in the silicon nitride oxidized film from being concentrated on the interface of the gate insulating film and a silicon substrate, and to prevent the characteristic defect of a transistor by NBTI in a MIS semiconductor device. - 特許庁

その後、この基板の表面に酸化膜を成長させ、第１Ｐ型ウエル領域１７０となる領域をレジストで開口し、その上からボロンイオンを例えば３ＭｅＶ〜１０ＭｅＶの注入エネルギーで例えば５Ｅ１０〜３Ｅ１１程度注入する。例文帳に追加

Subsequently, an oxide film is grown on the surface of the substrate, a region becoming a first P type well region 170 is opened using resist and injected with boron ions at about 5E10-3E11 with an injection energy of 3-10 MeV, for example. - 特許庁

金属有機化合物を絶縁性基板上に塗布、乾燥させた後に波長４００ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより、５００℃以下の低温でペロブスカイト型Ｍｎ酸化物薄膜を結晶化して、電気抵抗の温度係数が大きいボロメータ用酸化物薄膜を製造する。例文帳に追加

An oxide film for a bolometer having a big temperature coefficient of electric resistance is produced by crystallizing a perovskite-type Mn oxide film at a low temperature of 500°C or less through irradiating a laser rays of 400 nm or less of wavelength after application of an organometallic compound onto an insulating substrate and drying. - 特許庁

一方、メモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴの情報蓄積用容量素子側のゲート端の活性幅Ｌｃを最小加工寸法よりも狭くすることにより、素子分離領域ａを構成する絶縁膜へのボロン偏析の影響を大きくする。例文帳に追加

On the other hand, active width Lc of the gate end at the side of a capacitor for information accumulation of the MISFET for memory cell selection is set narrower than the minimum machining dimensions, thus increasing the influence of the boron segregation to the insulating film for composing the element separation region (a). - 特許庁

原料シリコン中の不純物元素、特にボロンの高効率な除去に最適であり、かつＳｉＯ_２の酸化皮膜形成と成長を抑制し、精製ガス吹出し孔の目詰まりを防ぎ、長時間安定した操業を行なうことができるシリコンの精製装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide an apparatus for purifying silicon which is suitable for the high efficient removal of impurity elements, particularly boron in raw material silicon and in which the formation and the growth of an oxidized coating film of SiO_2 are suppressed, the clogging of a purification gas blowing hole is prevented and a stable long term operation is performed. - 特許庁