「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明の中性子線遮蔽構造体１は、放射線源２の設置された部屋３を有する建物４のコンクリート５の外面６にボロンを含有したシート７が設けられたことを特徴とする。例文帳に追加

This neutron beam shielding structure 1 has a characteristic wherein the sheet 7 including boron is provided on the outer surface 6 of concrete 5 of a building 4 having a room 3 wherein a radiation source 2 is installed. - 特許庁

ブルーミングストッパ部１７０は、基板表面より一定の深さの領域を局部的にＰ型不純物濃度を高くしてポテンシャルを浅く形成したものであり、ボロンのイオン注入により形成する。例文帳に追加

The blooming stopper 170 is formed having a low potential by making the P-type impurity density of an area at fixed depth from the surface of a surface which is local high, and formed by injecting boron ions. - 特許庁

簡単な方法及び設備により環境への影響を抑えながら、高温熱処理時に高温炉の黒鉛部材からのボロンの拡散によってセラミックス部材が汚染されることを抑制する。例文帳に追加

To inhibit a ceramics member from being contaminated by diffusion of boron from a graphite member of a high-temperature furnace during high-temperature heat treatment while suppressing effects on an environment by a simple method and simple equipment. - 特許庁

保護膜６に用いられる誘電体は、クオーツ（水晶）やポリイミド樹脂、セラミック（例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（Ｚｎ_２Ｏ_３）、及びボロンナイトライド（ＢＮ，ＰＢＮ））等から成る。例文帳に追加

The dielectric body to be used for the protecting film 6 is composed of quartz or a polyimide resin, ceramic (e.g., alumina (Al_2O_3), aluminum nitride (AlN), zinc oxide (Zn_2O_3) and boron nitride (BN, PBN)) and the like. - 特許庁

ニッケルボロンを成分とする耐食性に優れるメッキ層によってろう材部が有効に保護され、ろう付強度の低下が抑制されたセラミック接合体を製造すること。例文帳に追加

To manufacture a ceramic joined body where the brazing filler part is effectively protected by a plated layer excellent in anticorrosiveness constituted of nickel boron as a constituent and a deterioration in the brazing strength is suppressed. - 特許庁

ｐｎ接合が形成される領域１５Ｃにおいて、第１のドーズ量のＢ（ボロン）がイオン注入されたｐ型拡散領域８Ｄ上にレジスト９Ｂが形成される。例文帳に追加

In a region 15C to form a pn-junction therein, a resist 9B is formed on a p-type diffusion region 8D into which B (boron) ions of a first dosing amount are implanted. - 特許庁

第１の酸化シリコン膜１０３をウェットエッチングにより薄膜化した後、該第１の酸化シリコン膜１０３の上に、ボロン又はリン等の不純物を含まない第２の酸化シリコン膜１０５を堆積する。例文帳に追加

After wet etching this film 103 to reduce its thickness, a second silicon oxide film 105 not containing such an impurity as boron or phosphorus is deposited on the oxide film 103. - 特許庁

不純物元素としてボロンを含有する領域の表面に、１００ｎｍ以上の厚さのゲート絶縁膜がＬＰＣＶＤ法により形成されるＭＯＳ構造を有する半導体装置の製造方法とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device having the MOS structure where the gate insulating film with thickness of 100 nm or thicker is formed by LPCVD process on the surface of a region containing boron as a dopant element. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、基板界面を良好に確保しつつボロンの突き抜けを防止するとともに、ホットキャリアが発生した場合にも電流劣化或いはＶ_th変動を防止する。例文帳に追加

To prevent punch through of boron while ensuring a substrate interface excellently, and prevent current deterioration or Vth variation when hot carriers are generated, regarding an insulated gate semiconductor device and its manufacturing method. - 特許庁

トレンチ埋め込みにＰＳＺ（Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）酸化膜を使用する際、トレンチ側面の保護、ボロン(boron; B)の偏析(segregation)を防止し、漏洩電流(leakagecurrent)を防止するための半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device for protecting a trench side surface and preventing segregation of boron (B) and leakage current when using a polysilazane (PSZ) oxide film for trench embedding. - 特許庁

Na^+-Mtの有機修飾剤として，Mtとマトリックス高分子であるPVAの両方に相互作用可能であるボロン酸誘導体を用い，新規な層状ケイ酸塩含有ポリビニルアルコール組成物及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a new layered silicate-containing polyvinyl alcohol composition using, as an organic modifier for Ma^+-Mt (montmorillonite), a boronic acid derivative interactive with both of Mt and PVA as a matrix polymer, and to provide a method for producing the composition. - 特許庁

次に、Ｐ^＋層１０４が形成された支持基板１０１を加熱して、Ｐ^＋層１０４に含まれるボロンイオンをシリコン酸化膜１０５を介して注入基板１０２に浸透させる。例文帳に追加

Next, a supporting substrate 101 on which a p^+-layer 104 is formed is heated and a boric ion included in the p^+-layer 104 is infiltrated into the implanted substrate 102 through a silicon oxide film 105. - 特許庁

固着点によって基板に固定された断熱アームを用いて基板の上方に浮かされた膜（１）を装備したボロメータ検出器を製造するため設計された方法である。例文帳に追加

This manufacturing method is designed for manufacturing the bolometric detector including a membrane (1) suspended above a substrate using a heat insulation arm fixed to the substrate at a fixing point. - 特許庁

ｎ型半導体よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域６の表面を研磨して平坦にした後、非活性領域となる領域のｐ型領域６にボロンを選択的にイオン注入する。例文帳に追加

The surfaces of an n-type area 5 made of n-type semiconductors and a p-type area 6 made of p-type semiconductors are both ground to be flat, and then boron is selectively injected into the p-type area 6 that becomes an inactive area. - 特許庁

遮光板７８の表面は、フラッシュ光に対して不透明であり、しかも耐熱性および熱伝導性に優れたパイロリティックボロンナイトライド（ＰＢＮ）にて形成されている。例文帳に追加

The surface of the light shielding plate 78 is formed by pyrolytic boron nitride (PBN) which is opaque for the flash light and excellent in heat resistance and heat conduction performance. - 特許庁

ゲート電極中のボロンの浸みだしのない，かつ，駆動力の高いｐチャネル型ＭＩＳトランジスタなどの半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a method for fabricating a semiconductor device, e.g. a p-channel MIS transistor, having high driving power in which boron in a gate electrode is prevented from bleeding. - 特許庁

ボロメータ用抵抗体として酸化バナジウムを使用した赤外線センサにおいて、量産に適ししかもＴＣＲの改善に効果のある製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method suitable for mass production and having the effects of improving TCR in an infrared sensor, using vanadium oxide as a resistor for bolometer. - 特許庁

よって、ボロノイ図に対応する四角形仮想物体をメッシング対象物体に充填し、その重心を連結すると、四角形メッシュが生成できる（図１下）。例文帳に追加

Therefore, when the object to be meshed is filled with the square virtual objects corresponding to the drawing and the center-of-gravity points of them are connected, the square mesh is generated. - 特許庁

この場合、高不純物濃度層２がボロンを不純物として形成されているときには、１１５０℃以上の温度で２０分以上の熱処理を行う。例文帳に追加

In this case, when the high-concentration impurity layer 2 is formed of an impurity of boron, the heat treatment is performed at a temperature over 1150°C for 20 minutes or more. - 特許庁

シリコン太陽電池セルにおいて、片面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が８Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。例文帳に追加

This invention relates to an one-side euphotic solar battery in a silicon solar battery cell, wherein the sheet resistance value of the backside electric field layer formed by diffusing boron is set to 8 to 50 Ω/sq. - 特許庁

ボロンを含む鋼線材を用い、転造加工によりその軸部１の先端部側に外ネジ部２を形成すると共に、後端に皿状の頭部３を形成する。例文帳に追加

An outer screw 2 is formed at an front end side of a shaft 1 by form rolling using a steel wire containing boron. - 特許庁

ｎ^+ドレイン層３１となる低抵抗のｎ型サブストレート上に、エピタキシャル法によりｎ^-高抵抗層３２を形成すると同時に、選択的にボロンおよびリンを注入する。例文帳に追加

On an n-type low-resistance substrate which becomes an n+-type drain layer 31 and an n--type high-resistance layer 32 is formed by the epitaxial method and, at the same time, boron and phosphorus are selectively injected into the layer 32. - 特許庁

２進キャリー演算回路並びにこれを用いた半加算回路及びインクリメンタ、２進ボロー演算回路並びにこれを用いた半減算回路及びデクリメンタ例文帳に追加

BINARY CARRY ARITHMETIC CIRCUIT, HALF ADDITION CIRCUIT AND INCREMENTER USING THE SAME, BINARY BORROW ARITHMETIC CIRCUIT, HALF SUBTRACTION CIRCUIT AND DECREMENTER USING THE SAME - 特許庁

ＰＭＯＳ型素子のボロン突抜けおよびＮＭＯＳ型素子の短チャネル効果を抑制することができる、デュアルゲートＣＭＯＳ型半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a dual gate CMOS semiconductor device, wherein the boron punch-through of a PMOS element and a short channel effect of an NMOS element are suppressed. - 特許庁

放射線源２の設置された部屋３を区画する内側コンクリート４の外面５にボロンを含有した外側コンクリート６が設けられた構成の中性子線遮蔽構造体１とした。例文帳に追加

This neutron beam shielding structure 1 has a constitution wherein outside concrete 6 including boron is provided on the outer surface 5 of inside concrete 4 partitioning the room 3 wherein the radiation source 2 is installed. - 特許庁

また、ゲート電極５、ソース２ａおよびドレイン２ｂを形成するアニール処理で、ボロン突き抜けが防止され、界面準位密度が低く維持される。例文帳に追加

In addition, the occurrence of boron penetration can be prevented and the interfacial level density is maintained at a low value by annealing for forming the gate electrode 5, a source 2a, and a drain 2b. - 特許庁

従って、ボロン突き抜け現象を抑制する上記のゲート絶縁膜が薄くても、この膜厚から本来期待される性能を有し、しかもその性能に対する信頼性の高いMOSトランジスタを実現できる。例文帳に追加

Therefore, even if the gate insulation film 3 for preventing an alloy spike of Boron is thin, it can realize a MOS transistor having an intrinsically expected performance and high reliability of the performance from this film thickness. - 特許庁

本発明は、摺動材の摺動面全体に微細周期構造の形成及び表面改質を行うことで優れたトライボロジー特性を有する摺動材及びその製造方法を提供することを目的とするものである。例文帳に追加

To provide a sliding material having excellent tribology characterristics by applying the formation of a fine periodic structure and the surface modification to the whole sliding surface of a sliding material, and to provide its production method. - 特許庁

０と有限値間に値を有するボロノイフィールドが障害物内の最大値に到達しエッジ上で最小値に到達するようにエリア内の幾何学的位置に対し計算される。例文帳に追加

A Voronoi field having a value between zero and an upper limit is calculated for geometric locations within the area such that the field reaches a maximum value within obstacles and a minimum value on the edges. - 特許庁

マスク１３ａにプラスの電位を供給することにより、ボロンイオンはマスク１３ａの開口部１３ｂの輪郭部分にて反発し、開口部１３ｂの中心側の基板３に注入される。例文帳に追加

By supplying the positive potential to the mask 13a, the boron ions are repelled in the edge part of the opening 13b of the mask 13a and injected into the substrate 3 in the center of the opening 13b. - 特許庁

シリコン単結晶ウェーハにボロンをイオン注入・拡散して製造される拡散ウェーハの製造方法において、抵抗値が、ばらつきの小さい安定した測定結果となる拡散ウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a diffusion wafer, fabricated by implanting and diffusing boron ions into a silicon single crystalline wafer, where a measured resistance value is stable, showing only little variation. - 特許庁

注入したフッ化ボロンのアニールをも兼ねて、第１の温度より低い温度の熱処理を伴うＣＶＤ法により、ゲート側壁膜を形成する。例文帳に追加

It serves also as anneal of implanted boron fluoride, a gate side wall film is formed by using a CVD method accompanied by thermal treatment at a temperature lower than the primary temperature. - 特許庁

続いて、ウエハの裏面に、加速エネルギーが例えば２０ｋｅＶ、平均投影飛程が例えば０．０６μｍの条件で、例えばボロン（Ｂ）がイオン注入される。例文帳に追加

In succession, boron (B) ions are implanted into the rear of the wafer under the condition that acceleration energy is, for instance 20 keV, and an average projection rage is, for instance, 0.06 μm. - 特許庁

希土類−鉄−ボロン系の異方性磁石粉末を加熱炉によるバッチ式加熱方式により製造する際の歩留まりを向上できる異方性磁石粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an anisotropic magnet powder, which improves a yield in the manufacturing of a rare-earth-iron-boron-based anisotropic magnet powder by a batch type thermal process with the use of a heating furnace. - 特許庁

含有されるボロンの絶対濃度（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の２５〜３５％に相当するリンを初期融液に添加した溶融シリコンより、チョクラルスキー法で引上げる。例文帳に追加

The silicon single crystal is pulled from a silicon melt prepared by adding an amount of 25 to 35%, based on the absolute concentration (atom/ cc) of boron contained, of phosphorous in an initial melt by a Czochralski method. - 特許庁

本発明のバイオセンサ８では、グルコースを検出する成分として、従来から用いられていた酵素を用いることなく、完全合成系のフェニルボロン酸化合物21を結合させた検出デバイス16を用いるようにした。例文帳に追加

In the biosensor 8, the detection device 16 to which a phenylboronic acid compound 21 of a complete synthesis system is coupled is used without using a conventionally used enzyme as an ingredient for detecting glucose. - 特許庁

インキタンク１１内のインキＩが転写されるツボローラー１２の下方に、複数の分割ローラー１３Ｂからなるインキ呼び出しローラー１３を介して第１の振りローラー１５が配置されている。例文帳に追加

The transfer unit for the printer comprises a first swing roller 15 disposed under a fountain roller 12 in which the ink I in an ink tank 11 is transferred via an ink duct roller 13 having a plurality of divided rollers 13B. - 特許庁

ＭＩＳ型ＦＥＴのチャネルには、Ｂ（ボロン）と、このＢの濃度ピーク位置よりも前記半導体基板表面に近い位置に濃度ピークを有し、Ｂを電気的に不活性化させるＮ（窒素）とが導入されている。例文帳に追加

B(boron) and N(nitrogen), which have concentration peak at a position nearer to the surface of a semiconductor substrate than to the position of the concentration peak of the B and electrically inactivates the B, are introduced into the channel of the MISFET. - 特許庁

振動板１０がＰ型シリコン基板に形成された高濃度Ｐ型不純物層を含み、Ｐ型シリコン基板のボロン濃度が１Ｅ１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3）を越えないものとした。例文帳に追加

The diaphragm 10 has a high concentration P-type impurity layer formed on a P-type silicon substrate so that a boron concentration of the substrate does not exceed 1E19(atoms/cm3). - 特許庁

配管の閉塞や腐食等の問題、及び特別な設備を必要とせず、効率よく粗クロロシラン類中のボロン及び／又はリンを高沸点成分へと変換することによって、クロロシラン類を精製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for purifying chlorosilanes by efficiently converting boron and/or phosphorous in crude chlorosilanes into high boiling point components without causing problems such as plugging or corrosion of piping and requiring specific equipment. - 特許庁

シリコーン粘着グリース１００重量部とボロンナイトライド粉末０．１〜１０重量部からなることを特徴とする自動車のディスクブレーキ鳴き音防止用グリース。例文帳に追加

The grease for preventing the creaking noise of the disk brake of an automobile, characterized by comprising 100 pts.wt. of a silicone adhesive grease and 0.1 to 10 pts.wt. of boron nitride powder. - 特許庁

十分な発光輝度を示し、また安定な発光特性を持つ分子化合物を容易に与えることのできる有用な有機ボロン酸化合物を提供ことを目的とする。例文帳に追加

To provide useful organic boric acid compounds which show enough light emission luminance and easily give molecular compounds with stable luminous characteristics. - 特許庁

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate. - 特許庁

本発明は、ボロン汚染によるバイポーラトランジスタの特性変動を抑制し、高い信頼性及び製造歩留りが実現される半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which a variance of characteristic of a bipolar transistor due to boron contamination can be suppressed and high realiability and production yield be realized. - 特許庁

第３の層は、Ｃｏ_100-Z Ｂ_Z （但し１０≦Ｚ≦４０）で表わされる化合物、またはコバルトボロン含有合金（ＣｏＢＱ；Ｑは、Ｎｉ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｗ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｎｂ，またはＳｉである）からなる。例文帳に追加

The third layer is composed of a compound or a cobalt boron content alloy (CoBQ; Q is Ni, Mn, Tb, W, Hf, Zr, Nb, or Si) expressed by Co_100-Z B_Z (where, 10≤Z≤40). - 特許庁