「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。例文帳に追加

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a. - 特許庁

読み出し回路が設けられた基板１には、ボロメータ薄膜を含むダイアグラム２と、ダイアグラム２を基板１と間隔をあけて支持する２本の梁３とを有する画素が配列される。例文帳に追加

On a substrate 1 provided with a readout circuit, pixels each having a diaphragm 2 including a bolometer thin film and two beams 3 supporting the diaphragm 2 at an interval with the substrate 1 are arrayed. - 特許庁

２−［（１Ｒ）−１−メチル−２−トリチル−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−５−イソインドリル］−１,３,６,２−ジオキサアザボロカンの非溶媒和物は、Ｔ−３８１１の製造中間体として最適である。例文帳に追加

The non-solvate of 2-[(1R)-1-methyl-2-trityl-2,3-dihydro-1H-5- isoindolyl]-1,3,6,2-dioxaazaborocane is suitable as an intermediate for producing T-3811. - 特許庁

ゲート絶縁膜１１の下側の領域には、インジウムイオンが主な不純物である第１のＰ型チャネル拡散層１６と、ボロンが主な不純物である第２のＰ型チャネル拡散層１７が形成されている。例文帳に追加

In the area on the lower side of the insulation film 11, a p-type channel diffusion layer 16 in which indium ions are main impurity and a second p-type channel diffusion layer 17 in which boron is a main impurity are formed. - 特許庁

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。例文帳に追加

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

従来の腐食液に代えて、ボロン鋼あるいは高炭素クロム軸受鋼の焼入材などのオーステナイト結晶粒界の顕出を的確にかつ容易に行える腐食液を提供することである。例文帳に追加

To provide a corrosive liquid capable of exposing precisely and easily an austenitic grain boundary of a boron steel or a quenching material for a high-carbon chromium bearing steel or the like instead of a conventional corrosive liquid. - 特許庁

そして、ゲート電極４２を注入マスクとして保護絶縁膜１４の上部からシリコン基板１内にボロンあるいはＢＦ_2をイオン注入して、シリコン基板１の表面内に１対のエクステンション層５２を形成する。例文帳に追加

By ion-implanting boron or BF2 in the silicon substrate 1 via the upper part of protection insulating film 14 using the gate electrode 42 as the ion-implanting mask, one pair of extension layers 52 is formed in the surface of the silicon substrate 1. - 特許庁

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。例文帳に追加

The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel. - 特許庁

ボロンイオンをイオン注入して、温度係数ゼロまたは小さな薄膜ポリシリコン抵抗体や高抵抗の薄膜ポリシリコン抵抗体を形成する半導体装置およびその製造方提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, where a thin-film polysilicon resistance element of zero or small temperature coefficient and a thin-film polysilicon resistance element of high resistance are formed through ion implantation of boron ions, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

自己潤滑性表面を有し、寸法精度が良好であり、充分な機械的特性を有し、軽量であるアルミニウム合金系トライボロジー応用製品、並びにその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a lightweight aluminum-alloy tribology-applied product having self-lubricating surface, excellent dimensional accuracy and excellent mechanical properties, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

燃料収納格子１は、ボロン添加アルミニウム合金からなる枠板４，６と、ステンレス鋼からなる枠板間構造体３，５と、を重ね合わせて構成されている。例文帳に追加

The fuel storage lattice 1 is constituted by superposing frame plates 4, 6 made of a boron-added aluminum alloy, and structures 3, 5 between the frame plates made of stainless steel. - 特許庁

第３のホトレジスト２４をマスクとして、第３の開口部Ｋ３から、ボロン（Ｂ＋）をエピタキシャル層２１にイオン注入してＰ型の不純物領域２５を形成する。例文帳に追加

While using a third photo resist 24 as a mask, boron (B+) ions are implanted into an epitaxial layer 21 from a third opening K3 to form a P-type impurity area 25. - 特許庁

ボロンを含有した原料シリコンと酸化カルシウムを主たる成分とするスラグを溶融し、回転駆動機構により軸５を回転させて、溶融シリコンを攪拌する。例文帳に追加

The silicon as the raw material containing boron and slag consisting essentially of calcium oxide, are melted and a shaft 5 is rotated with a rotation-driving mechanism to stir the molten silicon. - 特許庁

該エーテル類は、炭素数が４〜８個であるアルキル基を有するものが好ましく、また、エーテル類は、ボロン及び／又はリンに対して等モル以上添加することが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that ethers have each a 4 to 8C alkyl group, and the ether is added in a molar amount equal to or larger than the molar amount of boron and/or phosphorous. - 特許庁

固体高分子型燃料電池セパレータとして最適な、ボロン（Ｂ）を含有する鋼を外層とする多層ステンレスクラッド鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer-clad stainless steel plate having an outer layer made of steel containing boron (B), which is optimal for a separator of a solid polymer type fuel cell. - 特許庁

本発明は、シリコン融液に被接触体を接触させて形成される多結晶シリコンシートであって、０．０４〜０．２ｐｐｍｗのボロンを含有することを特徴とする多結晶シリコンシートである。例文帳に追加

In the polycrystalline silicon sheet formed by bringing a silicon melt into contact with the body to be contacted, boron of 0.04 to 0.2 ppmw is comprised. - 特許庁

シリコン基板１の活性領域上にあるシリコン酸化膜２とシリコン窒化膜３との積層膜の側壁にボロン及びリンを含んだシリコン酸化膜のサイドウォール膜６を形成させる。例文帳に追加

A sidewall film 6 of a boron and phosphorus-containing silicon oxide film is formed in the sidewall of a lamination film of a silicon oxide film 2 and a silicon nitride film 3 on the active region of a silicon substrate 1. - 特許庁

原子比で、ボロン：３〜１１ｐｐｂａを含有し、さらに燐および砒素の内の１種または２種の合計を０．５〜６ｐｐｂａを含有するシリコン単結晶からなる耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板。例文帳に追加

The silicon electrode plate superior in durability made of a silicon single crystal, containing 3 to 11 ppba of boron at atomic ratio, furthermore 0.5 to 6 ppba of the sum of one kind or two kinds between phosphorus and arsenic. - 特許庁

第２ハードマスク４０の所望の一部にボロン等のイオン注入を行った後、第２ハードマスク４０をマスクとして第１ハードマスク３０をエッチングする。例文帳に追加

Ion implantation of boron is executed on one desired part of the second hard mask 40, and the first hard mask 30 is etched using the second hard mask 40 as a mask. - 特許庁

本発明は記録再生を行う光ディスクを回転させるモータの速度制御を行う光ディスク装置に関し、サーボロック時間及び起動時間の短縮を図ることを課題とする。例文帳に追加

To shorten a servo lock time and a starting time in an optical disk device performing speed control of a motor rotating an optical disk performing recording and reproducing. - 特許庁

混合体１４中のボロン、窒素、水素、カーボンのうち少なくとも一つ以上の元素の割合は、第一の材料と第二の材料の合計に対し３０atomic％以下、好ましくは０．５atomic％以上２０atomic％以下である。例文帳に追加

The ratio of at least one or more elements of boron, nitrogen, hydrogen and carbon in the mixture 14 is 30 atomic% or lower to the sum of the first material and the second material, preferably between 0.5 atomic% and 20 atomic%. - 特許庁

抵抗温度特性にヒステリシスのあるボロメータ材料を赤外線センサに応用し、高感度・低価格・コンパクトな赤外線センサを提供する。例文帳に追加

To provide a low-priced and compact infrared sensor with high- sensitivity by applying a bolometer material having hysteresis in resistance temperature characteristics to the infrared sensor. - 特許庁

赤外線受光部５は、温度検出部（サーミスターボロメータ薄膜７）と、それを覆う第１の赤外線吸収部（絶縁保護膜８）と、電極部１３とからなる。例文帳に追加

The infrared receiver 5 comprises a temperature sensing element(thermistor bolometer thin film 7), a 1st infrared absorbing section(a conformal coating 8) covering the above sensing element, and an electrode section 13. - 特許庁

シリコン、ボロン、カーボン等のIIIＢ族又はIVＢ族元素からなるナノサイズの柱状結晶体を効率良くかつ確実に製造することが可能な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of efficiently and surely manufacturing a nano-sized columnar crystal body comprising a group IIIB or IVB element such as silicon, boron or carbon. - 特許庁

対向電極２２上に振動板１５とのギャップを形成するギャップスペーサ部２４を設け、ギャプスペーサ部２４及び対向電極２２表面にボロン及び／又は燐を含むシリコン酸化膜２５を形成した。例文帳に追加

A gap spacer part 24 for forming a gap with respect to a diaphragm 15 is provided on a counter electrode 22 and a silicon oxide film 25 containing boron and/or phosphorus is formed on the surface of the gap spacer part 24 and the counter electrode 22. - 特許庁

シリコン基板１上に分離酸化膜２，ゲート酸化膜３を介して形成したポリシリコン膜４のｎＭＯＳ領域Ｂに燐６を、ｐＭＯＳ領域Ａにボロン８をイオン注入する。例文帳に追加

Phosphorous ions 6 and boron ions 8 are respectively implanted into the n-type MOS region B and p-type MOS region A of a polysilicon film 5 formed on a silicon substrate via a separation oxide film 2 and a gate oxide film 3. - 特許庁

こうして表面加工された領域を被覆するように潤滑層５を形成することで、摩擦係数等のトライボロジー特性が大幅に改善された摺動材を得ることができる。例文帳に追加

A lubrication layer 5 is formed so as to cover the region subjected to the surface working, thus the sliding material in which tribology properties such as a friction coefficient are remarkably improved can be obtained. - 特許庁

シロキサン骨格にホウ素（Ｂ）を導入したボロジフェニルシロキサンポリマーを塗料基材とし、これに無機系顔料を配合したことを特徴とする無公害型耐熱塗料。例文帳に追加

This coating material is prepared by compounding an inorganic pigment into a borodiphenylsiloxane polymer, as the base material, formed by introducing boron into a siloxane backbone. - 特許庁

被温度測定物からの赤外線がセンサアレイに照射されてセンサアレイにおいて各ボロメータ型センサ素子２ａ毎の熱画像データが得られる。例文帳に追加

The infrared ray from an object whose temperature is to be measured is projected to the sensor array where a thermal imagery data is acquired for each bolometer type sensor element 2a. - 特許庁

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。例文帳に追加

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness. - 特許庁

その後、素子形成領域Ｄ１を開口したレジストＲ３をマスクとして、ＦＥＴ２０のしきい値電圧を調整するために、素子形成領域Ｄ１の全面にボロンを注入する。例文帳に追加

Then resist R3 having the element formation region D1 opened is used as a mask to inject boron into the entire surface of the element formation region D1 to adjust the threshold voltage of an FET 20. - 特許庁

はじめから水を１０−３０ｗｔ％添加した反応溶剤中、アミン及び強酸（硫酸、濃塩酸など）を混合し、次いでナトリウムボロヒドリドを加え反応させることを特徴とするアミンボランの製造方法。例文帳に追加

The method for producing the amine borane includes mixing the amine and a strong acid (sulfuric acid, conc. hydrochloric acid or the like) in a reaction solvent containing 10-30 wt.% water previously added thereto, and carrying out the reaction by adding sodium borohydride. - 特許庁

ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるＦｅ汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating a boron doped silicon wafer by simply measuring the breakdown voltage characteristics of its oxide film in which a decision can be made whether Fe contamination is present or not in the production process. - 特許庁

軽金属製エンジン用の優れたトライボロジ特性を備えたシリンダライナを提供すること、およびそのシリンダライナを簡単に経済的に製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a cylinder linear provided with the excellent tribology characteristic for light metals engine, and to provide a method of easily manufacturing the cylinder linear at a low cost. - 特許庁

シリコン基板１１にセンサアレイが形成され、センサアレイにおける各画素形成領域３０において複数のボロメータ型センサ素子３１，３２，３３，３４が配置されている。例文帳に追加

A sensor array is formed on a silicon substrate 11 and bolometer type sensor elements 31, 32, 33, 34 are arranged in each pixel forming area 30 of the sensor array. - 特許庁

ソース拡散層１７Ａおよびドレイン拡散層１７Ｂを形成した後、これらの拡散層でシリサイド化される領域の少なくとも一部が固溶解度よりも大きな濃度となるようにボロンイオンを注入する。例文帳に追加

After forming a source diffusion layer 17A and a drain diffusion layer 17B, boron ions are implanted so that concentration becomes larger than solid solubility in at least a part of regions of these diffusion layers which are turned into silicides. - 特許庁

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、Ｓｉキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。例文帳に追加

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an Si cap layer 23 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 23 with phosphorous. - 特許庁

半導体ウエハへのボロン進入を抑制できる極めて簡単な半導体装置の製造方法及びこれに用いて好適な半導体ウエハの表面処理装置を得ること。例文帳に追加

To obtain an extremely simple method of a semiconductor device, that can suppress advance of boron to a semiconductor wafer, and a suitable surface-treating device of a semiconductor wafer using the method. - 特許庁

本発明は、道路等を表す境界線データに基づいてボロノイ多角形を形成することにより境界線間の中心線を自動的に抽出するようにした中心線生成プログラムを提供する。例文帳に追加

To provide a center line generator automatically extracting a center line between boundary lines by forming Voronoi polygons on the basis of boundary line data representing a road or the like. - 特許庁

プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、ボロンガラスを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。例文帳に追加

In a plasma torch unit T, a spiral conductor rod 3 is disposed inside a quartz tube 4 the surface of which is coated with boron glass and brass block 5 is disposed therearound. - 特許庁

ベース領域３のうち、表面チャネル層５と接しない領域３ｂをＢ（ボロン）で形成し、表面チャネル層５と接する領域３ａをＡｌ（アルミニウム）で形成する。例文帳に追加

The regions 3b in no contact with a surface channel layer 5 out of a base region 3 are formed of boron while forming the regions 3a in contact with the surface channel layer 5 of aluminum. - 特許庁

この窒化ボロン担持貴金属触媒に燃料たとえばアルコール類化合物又は炭化水素および適量の空気又は酸素を室温で提供し、貴金属触媒と相互接触させて５００〜１０００℃に昇温する。例文帳に追加

A fuel such as an alcoholic compound or a hydrocarbon and a proper quantity of air or oxygen are provided to this boron nitride-supporting noble metal catalyst at room temperature, and brought into contact with the noble metal catalyst to raise the temperature to 500-1000°C. - 特許庁

このとき、ＦＥＴ２０のしきい値電圧調整のための注入と同時に、素子形成領域Ｄ２の周縁部にもボロンを注入する（第２の不純物注入工程）。例文帳に追加

At this time, boron is injected even into a peripheral edge of the element formation region D2 (second impurity injecting process) simultaneously with the injection for threshold voltage adjustment of the FET 20. - 特許庁

有機溶媒に対する溶解性が改善され、低融点または液体状の芳香族含フッ素ジボロン酸エステル化合物およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorine-containing diboronic acid ester compound which is either a solid of a low melting point or a liquid each having improved solubility to an organic solvent, and a method for producing the same. - 特許庁

こうして、上記ボロン濃度を１Ｅ１１atoms/cm^2〜１Ｅ１３atoms/cm^2に設定することによって、ＴＦＴの閾値電圧を数ボルト程度の範囲で精度良く制御できる。例文帳に追加

The boron concentration is set at 1E11 atoms/cm^2 to 1E13 atoms/cm^2, by which the threshold voltage of a TFT can be controlled to an accuracy of the order of a few volts. - 特許庁